TWI444956B - 顯示裝置及電子裝置 - Google Patents

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Description

顯示裝置及電子裝置
本發明有關藉由使用諸如有機EL(電致發光)元件的發光元件所製成之顯示裝置、及具有此一顯示裝置之電子裝置。
近年來，於平板顯示器(FPD)之領域中，對有機EL顯示裝置之注意正增加。有機EL顯示裝置係與液晶顯示器(LCD)、使用發光元件之裝置不同，且因此，原則上不需要背光。其因此由薄度及較高亮度的觀點係比LCD更有利的。特別地是，於該主動矩陣型之有機EL顯示裝置中，其中藉由造成每一像素保持發光(藉由造成電壓被維持在電容器中而發光)，諸如TFT(薄膜電晶體)之切換元件被提供用於每一像素，電力消耗被保持為低的，且其係更易於實現較大的螢幕及更高的精確性。因此，該有機EL顯示裝置正被各式各樣地開發。
於該主動矩陣型之此一有機EL顯示裝置中，由確保驅動電流之觀點，主要地是，使用低溫多晶矽(p-Si)薄膜之TFT正被研究及開發。該p-Si薄膜係藉由照射非晶質矽薄膜(a-Si)所形成。該矽薄膜係預先地以來自準分子雷射等之雷射光束形成，以施行再結晶(ELA方法)。具體地，藉由在一單元區域中施行該照射，同時沿著預定方向(水平或直立方向)於一顯示面中連續地移位，該整個顯示面之再結晶被進行。
然而，於藉由該ELA方法而使用具有p-Si薄膜的TFT製造有機EL顯示裝置之案例中，缺點發生，使得由於雷射光束的發射中之變動，用來驅動之電晶體的移動率及臨限之值在該顯示面中變動。當該電晶體的特徵中之變動在該顯示面中發生時，亮度變動(譬如，於該直立或水平方向中之條紋形不均勻性)係在該顯示面中造成，且該顯示品質惡化。
為處理該缺點，譬如，日本未審查專利申請案公告第2004-212684號揭示一減少此等特徵變動之方法，其藉由在像素中平行地提供複數驅動電晶體，以分開光發射電流及平均該等驅動電晶體之特徵變動。
然而，原則上，於日本未審查專利申請案公告第2004-212684號之方法中，該等驅動電晶體中之特徵變動在該顯示面中的每一區域中不被個別地(任意地)調整，以致減少特徵變動之效果係不足的，於該現存方法中，其係難以減少因為製造過程等所造成用來驅動之電晶體的移動率及臨限值之變動，以致有需要用來減少該等變動之方法。該上述缺點不只發生在有機EL顯示裝置中，同時也發生在使用另一種發光元件的顯示裝置中。
因此其想要的是與現存技術相比較，藉由抑制顯示面中之亮度變動提供實現顯示品質中之改善的顯示裝置及電子裝置。
本發明之具體實施例的第一顯示裝置包括：顯示器單元，具有複數像素、連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線，該複數像素之每一者包括發光元件、驅動用電晶體、及校正用電晶體；掃描線驅動電路，將選擇脈衝施加至該掃描線，用以連續地選擇該複數像素；及信號線驅動電路，藉由施加視頻信號電壓至該信號線來將視頻信號寫入至藉由該掃描線驅動電路所選擇之像素。在每一像素中，該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接。待經由該閘極線施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
本發明之具體實施例的第一電子裝置包括本發明之具體實施例的該第一顯示裝置。
於本發明之具體實施例的第一顯示裝置及第一電子裝置中，在每一像素中，該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接，且待經由該閘極線施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。以該組構，譬如，甚至當用來驅動之電晶體的移動率及臨限之值在該等單元區域之中變動時，藉由個別地設定校正用閘極電壓，任意地施行調整，以便減少該等值中之變動。
本發明之具體實施例的第二顯示裝置包括：顯示器單元，具有複數像素，每一像素包括發光元件與驅動用電晶體、和連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線；掃描線驅動電路，將選擇脈衝施加至該掃描線，用以連續地選擇該複數像素；及信號線驅動電路，藉由施加視頻信號電壓至該信號線來將視頻信號寫入至藉由該掃描線驅動電路所選擇之像素。在每一像素中，該驅動用電晶體被設置在該電源線與該發光元件間之路徑上。待經由該閘極線施加至該驅動用電晶體之背閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
本發明之具體實施例的第二電子裝置具有本發明之具體實施例的第二顯示裝置。
於本發明之具體實施例的第二顯示裝置及第二電子裝置中，在每一像素中，該驅動用電晶體被設置在該電源線與該發光元件間之路徑上，且待經由該閘極線施加至該驅動用電晶體之背閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。以該組構，譬如，甚至當用來驅動之電晶體的移動率及臨限之值在該等單元區域之中變動時，藉由個別地設定校正用閘極電壓，任意地施行調整，以便減少該等值中之變動。
於本發明之具體實施例的第一顯示裝置及第一電子裝置中，在每一像素中，該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接，且待經由該閘極線施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。因此，在該等單元區域之中，驅動用電晶體的移動率及臨限值之變動減少。因此，藉由減少譬如製造過程所造成之此等變動，顯示面中之亮度變動被抑制，且該顯示品質被改善。
於本發明之具體實施例的第二顯示裝置及第二電子裝置中，在每一像素中，該驅動用電晶體被設置在該電源線及該發光元件間之路徑上，且待經由該閘極線施加至該驅動用電晶體之背閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。因此，在該等單元區域之中，驅動用電晶體的移動率及臨限值之變動被減少。因此，藉由減少譬如製造過程所造成之此等變動，顯示面中之亮度變動被抑制，且該顯示品質被改善。
本發明之其他及進一步目的、特色及優點將由以下之敘述更充分地顯現。
本發明之較佳具體實施例將在下文參考該等圖面被詳細地敘述。該敘述將以下列順序被給與。
1.　第一具體實施例(像素電路之範例，其中校正電路被設置在電源線與驅動電晶體之間)
2.　第二具體實施例(像素電路之範例，其中驅動電晶體被設置在電源線與校正電晶體之間)
3.　第三具體實施例(校正用閘極電壓係施加至驅動電晶體之背閘極的施加範例)
4.　修改(在雷射退火方向上之修改)
5.　模組及應用範例(應用至電子裝置之範例)
第一具體實施例顯示裝置之組構
圖1係方塊圖，顯示根據本發明之第一具體實施例的顯示裝置1之概要組構。該顯示裝置1具有顯示面板10(顯示器單元)及驅動電路20。
顯示面板10
該顯示器單元10具有像素列陣13，其中複數像素11R、11G及11B被配置在一矩陣中，且基於藉由主動矩陣驅動器從該外面所輸入之視頻信號20A及同步化信號20B顯示影像。該等像素11R、11G、及11B對應於分別放射紅色(R)、藍色(B)、及綠色(G)之三原色光的像素。
該像素列陣13具有複數成列設置之掃描線WSL、複數成行設置之信號線DTL、複數沿著該等掃描線WSL成列設置之電源線DSL、及複數沿著該等信號線DTL成行設置之閘極線GL。該等掃描線WSL、該等信號線DTL、該等電源線DSL、及閘極線GL之每一者的一端部係連接至該驅動電路20，這將稍後被敘述。該等像素11R、11G、及11B係成列與成行地(成矩陣地)設置在該等掃描線WSL及該等電源線DSL與該等信號線DTL及該等閘極線GL之相交點。
圖2說明該等像素11R、11G、及11B之內部組構(電路組構)的範例。在該等像素11R、11G、及11B之每一者中，有機EL元件12(發光元件)及像素電路14被提供。該圖解中所說明之有機EL元件12R、12G及12B對應於有機EL元件，其分別放射紅色(R)、藍色(B)、及綠色(G)之三原色光。於該下文中，該等有機EL元件12R、12G、及12B將被共同地稱為該有機EL元件12。
該像素電路14係藉由用來寫入(取樣)之寫入(取樣)電晶體Tr1(第一電晶體)、驅動電晶體Tr2(第二電晶體)、校正電晶體Tr3(第三電晶體)、及保持電容元件Cs所製成。亦即，該像素電路14具有所謂“3Tr1C”之電路組構。該寫入電晶體Tr1、該驅動電晶體Tr2、及該校正電晶體Tr3之每一者為p通道MOS(金屬氧化物半導體)型TFT。該TFT之型式不被限制，且可為譬如顛倒錯置結構(所謂之底部閘極型)或錯置結構(所謂之頂部閘極型)。
於該像素電路14中，該寫入電晶體Tr1之閘極係連接至該掃描線WSL，其源極係連接至該信號線DTL，且其汲極係連接至該驅動電晶體Tr2之閘極及該保持電容元件Cs的一端部。該校正電晶體Tr3之閘極係連接至該閘極線GL，其源極係連接至該電源線DSL及該保持電容元件Cs之另一端部，且其汲極係連接至該驅動電晶體Tr2之源極。該驅動電晶體Tr2之汲極係連接至該有機EL元件12之陽極，且該有機EL元件12之陰極被設定至固定的電位(於此案例中，該地(接地電位))。亦即，於該像素電路14中，該驅動電晶體Tr2及該校正電晶體Tr3在該電源線DST及該有機EL元件12間之路徑上彼此串聯地連接。具體地，該校正電晶體Tr3被設置於該電源線DSL及該驅動電晶體Tr2之間。
圖3說明該像素電路14中之電晶體(該寫入電晶體Tr1、該驅動電晶體Tr2、及該校正電晶體Tr3)的每一者之剖開組構的範例。
於該等電晶體Tr1、Tr2及Tr3之每一者中，在如該整個顯示面板10之基板80上，閘極電極811、閘極絕緣膜812、p-Si(多晶矽)膜813、當作蝕刻阻擋層之絕緣膜814、及源極電極815S與汲極電極815D係以此順序形成。該基板80係譬如Si基板或玻璃基板。該閘極電極811係由諸如鉬(Mo)之金屬材料所製成，且該閘極絕緣膜812及該絕緣膜814之每一者係由諸如氧化矽(SiO)或氮化矽(SiN)之絕緣材料所製成。該源極電極815S及該汲極電極815D之每一者係由諸如鋁(Al)之金屬材料所製成。
該p-Si膜813係藉由施行照射非晶質矽(a-Si)膜之再結晶(ELA方法)所形成，該非晶質矽(a-Si)膜係以來自準分子雷射等雷射光束預先地形成。具體地，譬如，如圖4所概要地說明，於一單元區中施行照射，同時在該顯示面板10(顯示面)中於預定方向中(於此案例中，該等水平方向(H方向))稍微移位，藉此在該整個顯示面板10(像素列陣13)中施行實現該再結晶。
驅動電路20
圖1所說明之驅動電路20驅動該像素列陣13中之像素11R、11G、及11B的每一者，以放射光線(顯示驅動)。具體地，當連續地選擇該像素列陣13中之複數像素11R、11G及11B時，藉由基於該視頻信號20A將視頻信號電壓寫入至該等被選擇之像素11R、11G、及11B，該顯示驅動係在該複數像素11R、11G及11B上施行。
該驅動電路20具有視頻信號處理電路21、時序產生電路22、掃描線驅動電路23、信號線/閘極線驅動電路24、及電源線驅動電路25。
該視頻信號處理電路21在由該外面所輸入之數位視頻信號20A上施行預定的校正，且將該經校正之視頻信號21A輸出至該信號線/閘極線驅動電路24。該預定校正係譬如伽瑪校正、過載校正等。
該時序產生電路22基於由外面所輸入之同步化信號20B產生控制信號22A，且輸出該控制信號22A，藉此控制該顯示操作。具體地，其控制以致該掃描線驅動電路23、該信號線/閘極線驅動電路24、及該電源線驅動電路25聯鎖地施行該顯示操作。
該掃描線驅動電路23根據該控制信號22A(與其同步)連續地施加選擇脈衝至該複數掃描線WSL，以連續地選擇該複數像素11R、11G、及11B。具體地，藉由選擇性地輸出待施加至設定該寫入電晶體Tr1之電壓Von進入該開啟狀態、及輸出待施加至設定該寫入電晶體Tr1之電壓Voff進入該關閉狀態，該上述選擇脈衝被產生。該電壓Von具有等於或大於該寫入電晶體Tr1之開啟狀態電壓的值(恆定值)，且該電壓Voff具有低於該寫入電晶體Tr1之開啟狀態電壓的值(恆定值)。
該信號線/閘極線驅動電路24具有信號線驅動電路及閘極線驅動電路(未示出)。
該信號線驅動電路產生對應於根據該控制信號22A(與其同步)由該視頻信號處理電路21所輸入之視頻信號21A的類比視頻信號，且施加至該視頻信號至該等信號線DTL。具體地，藉由基於該視頻信號21A個別地施加一色彩之類比視頻信號電壓至該等信號線DTL之任一者，該視頻信號被寫入藉由該掃描線驅動電路23所選擇之像素11R、11G或11B中。
該閘極線驅動電路根據該控制信號22A(與其同步)將稍後被敘述之校正閘極電壓Vg3施加至該等閘極線GL之每一者。如該等細節將被稍後敘述者，該校正閘極電壓Vg3被設定至該顯示面板10(該像素列陣13)中之單元區域的每一者(譬如，低電壓設定區域10gL或高電壓設定區域10gH)。
該電源線驅動電路25根據該控制信號22A(與其同步)連續地施加控制脈衝至該複數電源線DSL，藉此在該等有機EL元件12之每一者上控制該發光操作及該照明終止操作。具體地，藉由選擇性地輸出當電流Ids被傳送至該驅動電晶體Tr2時所施加之電壓VH、及當該電流Ids未傳送至該驅動電晶體Tr2時所施加之電壓VL，該上述控制脈衝被產生。該電壓VL被設定，以便具有低於藉由將臨限電壓Vthel加上該有機EL元件12中的陰極電壓Vcat所獲得之電壓值(Vthel+Vcat)的電壓值(恆定值)。在另一方面，該電壓VH被設定，以具有等於或大於該電壓值(Vthel+Vcat)之電壓值(恆定值)。
顯示裝置之作用及效果 顯示操作
於該顯示裝置1中，如圖1及2所示，該驅動電路20基於該視頻信號20A及該同步化信號20B在該顯示面板10(該像素列陣13)中之像素11R、11G及11B上施行顯示驅動。該驅動電流被傳送至該等像素11R、11B、及11G的每一者中之發光部份中的有機EL元件12，電洞及電子被再結合，且發光發生。其結果是，於該顯示面板10中，影像係基於該視頻信號20A被顯示。
具體地，參考圖2，在發光部份中，視頻信號寫入操 作(顯示操作)被施行如下。首先，於一週期中，其中該信號線DTL上之電壓係一視頻信號電壓，且該電源線DSL上之電壓係該電壓VH，該掃描線驅動電路23由該電壓Voff至該電壓Von增加該掃描線WSL上之電壓。其造成該寫入電晶體Tr1進入該開啟狀態，以致該驅動電晶體Tr2之閘極電位Vg2在此時上昇至對應於該信號線DTL上之電壓的視頻信號電壓。其結果是，該視頻信號電壓被寫入及保留在該保持電容元件Cs中。於此一視頻信號寫入操作中，該預定閘極電位Vg3(於此案例中，閘極校正電壓Vg3L或Vg3H)不斷地施加至該閘極線GL，且該校正電晶體Tr3係於該開啟狀態中。
在此階段，該有機EL元件12之陽極電壓係仍然比藉由該有機EL元件12中之臨限電壓Vel加上陰極電壓Vca(=地電位)所獲得之電壓值(Vel+Vca)較小，且該有機EL元件12係於斷開狀態中。換句話說，在此階段，沒有電流流動在該有機EL元件12的陽極及陰極之間(該有機EL元件12不會發光)。因此，由該驅動電晶體Tr2所供給之電流Ids流動至並聯地存在於該有機EL元件12的陽極及陰極間之元件電容器(未示出)，且該元件電容器被充電。
其次，於一週期中，其中該信號線DTL之電壓被保持在該視頻信號電壓，且該電源線DSL之電壓被保持在該電壓VH，該掃描線驅動電路23由該電壓Von至該電壓Voff減少該掃描線WSL之電壓。其造成該寫入電晶體Tr1進入該關閉狀態，以致該驅動電晶體Tr2之閘極進入浮動狀態。於該驅動電晶體Tr2之閘極-源極電壓Vgs2被保持恆定的狀態中，該電流Ids流動於該驅動電晶體Tr2的汲極及源極之間。其結果是，該驅動電晶體Tr2之源極電位Vs2上昇，且該驅動電晶體Tr2之閘極電位Vg2亦藉著經由該保持電容元件Cs之電容性耦接而聯鎖地上昇。據此，該有機EL元件12之陽極電壓變得大於藉由該有機EL元件12中之臨限電壓Vel加上陰極電壓Vca所獲得之電壓值(Vel+Vca)。因此，根據保持電容元件Cs中所保留之視頻信號電壓、亦即該驅動電晶體Tr2中之閘極-源極電壓Vgs2的電流Ids流動在該有機EL元件12的陽極及陰極之間，且該有機EL元件12放射具有想要亮度之光。
在該有機EL元件12之發光操作中，例如，如圖5A所說明，該驅動電晶體Tr2在飽和區域中操作。在另一方面，譬如，如圖5B所說明，該校正電晶體Tr3在線性區域中操作。於該範例中，在該驅動電晶體Tr2中，當該源極-汲極電壓Vds等於Vds2時，該電流(發光電流)Ids流動於該源極及該汲極之間。在另一方面，於該校正電晶體Tr3中，當該源極-汲極電壓Vds等於Vds3(<Vds2)時，該電流(發光電流)Ids流動於該源極及該汲極之間。
隨後，在一預定週期的流逝之後，該驅動電路20終止該有機EL元件12之發光週期。具體地，該電源線驅動電路25由該電壓VH至該電壓VL減少該電源線DSL上之電壓。該驅動電晶體Tr2之源極電位Vs2減少。該有機EL元件12之陽極電壓變得比藉由該有機EL元件12中之臨限電壓Vel加上陰極電壓Vca所獲得之電壓值(Vel+Vca)較小，且該電流Ids不會流動於該陽極與該陰極之間。其結果是，該有機EL元件12淬熄(移位至淬熄週期)。
在此之後，該驅動電路20施行該顯示操作，以致上述之發光操作及淬熄操作係基於該圖框週期(1垂直(1V)週期)單元重複。該驅動電路20亦譬如於該列方向中以待施加至該電源線DSL之控制脈衝及待施加至該掃描線WSL之選擇脈衝每隔1水平週期(1H週期)施行掃描。以此一方式，該顯示裝置1(藉由該驅動電路20之顯示驅動)中之顯示操作被施行。
特徵部份之操作
其次，與比較範例(比較範例1與2)相比較，該具體實施例的顯示裝置1中之特徵部份中的操作將被詳細地敘述。
比較範例1
圖6說明根據比較範例1的顯示裝置中之像素101R、101B、及101G的內部組構(電路組構)。該比較範例1的像素101R、101G及101B之每一者具有像素電路104，代替圖2所說明之具體實施例的像素電路14。具體地，該像素電路104具有藉由不包括該像素電路14中之校正電晶體Tr3所獲得之電路組構。其在該比較範例1之顯示操作中造成以下缺點。
首先，如上面參考圖3及4所敘述，藉由以來自準分子雷射等雷射光束照射a-Si膜(ELA方法)，該等電晶體Tr1及Tr2中之p-Si膜813係藉由再結晶所形成。具體地，譬如，藉由在一單元區域中施行照射，同時在該顯示面板10中之預定方向(於此案例中，該等H方向)中連續地移位，該整個顯示面板10中之再結晶被施行。
然而，於製造有機EL顯示裝置(根據該比較範例1的顯示裝置)之案例中，使用具有該p-Si膜813之驅動電晶體Tr2並使用該ELA方法，以下之缺點發生。由於該雷射光束的發射中之變動，譬如，如圖7A所說明，該移動率μ及該驅動電晶體Tr2的臨限電壓Vth之值在該顯示面中變動。具體地，於該範例中，當該源極-汲極電壓Vds等於該驅動電晶體Tr2中之Vds103時，在其移動率μ係相對低之像素101R、101G、及101B中，流動於該源極及該汲極間之電流(發光電流)Ids等於IdsL。在另一方面，不管該源極-汲極電壓Vds係亦等於Vds103之事實，於該移動率μ係相對高之像素101R、101G、及101B中，流動於該驅動電晶體Tr2中之源極及汲極間之電流Ids係等於IdsH(>IdsL)。
當此一顯示面中之驅動電晶體Tr2的特徵(於此案例中，移動率μ)中發生變動時，該顯示面中之亮度(於此案例中，譬如，如圖7B中所說明之H方向中的條紋形不均勻性)中的變動被造成，藉此使該顯示品質惡化。具體地，於圖7B所說明之範例中，在該顯示面板100中，相對高移動率μ之像素區域(高亮度區域100H)及相對低移動率μ之像素區域(低亮度區域100L)係交互地形成在該H方向中，且水平之條紋不均勻性發生。
比較範例2
圖8說明根據比較範例2的顯示裝置中之像素201R、201B、及201G的內部組構(電路組構)。該比較範例2的像素201R、201B、及201G之每一者具有像素電路204，代替圖2所說明之具體實施例的像素電路14。具體地，該像素電路204具有藉由不包括該像素電路14中之校正電晶體Tr3、但藉由包括複數(於此案例中為三個)驅動電晶體Tr21、Tr22及Tr23所獲得之電路組構，該等驅動電晶體Tr21、Tr22及Tr23係彼此並聯地連接，代替該單一驅動電晶體Tr2。該等驅動電晶體Tr21、Tr22及Tr23之閘極一般係彼此連接(該寫入電晶體Tr1之汲極與該保持電容元件Cs的一端部被共同地連接)。
於具有該像素電路204之比較範例2中，在該顯示操作中，該電流(發光電流)Ids流動，以便被分開至該三個驅動電晶體Tr21、Tr22及Tr23。因此，該等驅動電晶體Tr21、Tr22及Tr23中之特徵變動被平均。如與該比較範例1特徵變動中之比較，此等特徵變動被減少。然而，於該比較範例2之像素電路204中，原則上，該等驅動電晶體Tr21、Tr22及Tr23中之特徵變動係不可於該顯示面之各區域的每一者中個別地(任意地)調整的(譬如，於圖7B所說明之高亮度區域100H及低亮度區域100L的每一者中)。因此，於該比較範例2中，減少此等特徵變動之效果係不足的。
第一具體實施例之特徵作用
對比之下，於該具體實施例之顯示裝置1中，如圖1及2所說明，在該等像素11R、11G、及11B之每一者的像素電路14中，該驅動電晶體Tr2及該校正電晶體Tr3係彼此串聯地連接在該電源線DSL及該有機EL元件12間之路徑上。具體地，該校正電晶體Tr3係設置在該電源線DSL及該驅動電晶體Tr2之間。譬如，如圖9A所說明，待經由該閘極線GL施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3係藉由該顯示面板10中之單元區域個別地設定。
具體地，譬如，如圖9A及9B所說明，於該等電晶體Tr1至Tr3之每一者的移動率μ係相對高的單元區域中，該校正閘極電壓Vg3被設定為相對低的(低電壓設定區域10gL)。在另一方面，於該等電晶體Tr1至Tr3之每一者的移動率μ係相對低的單元區域中，該校正閘極電壓Vg3被設定為相對高的(高電壓設定區域10gH)。換句話說，該顯示面板10中之區域(該低電壓設定區域10gL與該高電壓設定區域10gH)係基於該顯示面板10中之發光亮度中的變動之分佈設定。於該範例中，像圖7B所說明之顯示面板100，設定對應於該相對高移動率μ之像素區域及該相對低移動率μ之像素區域被交互地形成在該H方向中之案例，該顯示面板10採用該單元區域。該等單元區域中之電晶體Tr1至Tr3的每一者之移動率μ係藉由測量該有機EL元件12中之發光亮度所獲得(譬如，藉由使用照相機及發光電流進行測量)，譬如，在該顯示裝置1之產品的出貨之前。
特別地是，圖9B所說明之範例將被敘述如下。於該範例中，首先，當該校正電晶體Tr3中之源極-汲極電壓Vds係等於Vds3時，相對低移動率μ的像素11R、11G、及11B中之電流(發光電流)Ids係等於IdsL。在另一方面，於相對高移動率μ之像素11R、11G、及11B中，當該源極-汲極電壓Vds係等於Vds3時，該電流Ids係等於IdsH(>IdsL)。於該具體實施例中，譬如，如藉由該圖解中之箭頭P11及P12所示，於相對高移動率μ之像素11R、11G、及11B中，該校正閘極電壓Vgs3之值被設定，以致該電流Ids之值與相對低移動率μ的像素11R、11G、及11B中之電流的值一致(參考該圖解中之箭頭P2)。換句話說，該校正閘極電壓Vg3之值被設定，以致該相對高移動率μ的像素中之校正電晶體Tr3的特徵與該相對低移動率μ的像素中之校正電晶體Tr3的特徵一致。
因此，譬如，如圖10A所說明，當該移動率μ係相對高時，以下發生。既然待施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3被設定為相對低(譬如，Vg3L)，越過該校正電晶體Tr3之源極及汲極的電壓Vds3變得相對高(譬如，Vds3H)。因此，該驅動電晶體Tr3之源極電位Vs3(=VH-Vds3H)變得相對低。據此，該閘極-源極電壓Vgs2變得相對低，以致該發光電流Ids變得相對低(譬如，IdsL)。於此圖解及其他圖解中，為顯示該校正電晶體Tr3在該線性區域中操作，該校正電晶體Tr3係藉由電阻之符號所說明。
在另一方面，如圖10B所說明，當該移動率μ為相對低時，以下發生。既然待施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3被設定為相對高的(譬如，Vg3H(>Vds3L))，越過該校正電晶體Tr3之源極及汲極的電壓Vds3變得相對低(譬如，Vds3L(<Vds3H))。因此，該驅動電晶體Tr3之源極電位Vs3(=VH-Vds3H)變得相對高。據此，該閘極-源極電壓Vgs2變得相對高，以致該發光電流Ids變得相對高(譬如，IdsH(>IdsL))。
縱使該移動率μ及該驅動電晶體Tr2的臨限電壓Vth之值變動，譬如在該具體實施例中之單元區域之中，該調整係藉由該校正閘極電壓Vg3之個別設定來任意地施行，以便減少該等值中之變動。
如上面所述，於該具體實施例中，在該等像素11R、11G及11B之每一者中，該驅動電晶體Tr2及該校正電晶體Tr3被設置，以致彼此串聯地連接在該電源線DSL及該有機EL元件12間之路徑上，且待經由該閘極線GL施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3被個別地設定在該顯示面板10中之單元區域(該低電壓設定區域10gL與該高電壓設定區域10gH)的每一者中。因此，該等單元區域的每一者中之驅動電晶體Tr2的移動率μ及臨限電壓Vth之變動被減少。因此，譬如，藉由減少此等被製造製程所造成之變動，該顯示面板10中之亮度(諸如水平方向中的條紋形不均勻性)中的變動被抑制，且該顯示品質被改善。
隨後，本發明之其他具體實施例(第二與第三具體實施例)將被敘述。於該下文中，相同之參考數字被標以與該第一具體實施例之那些者相同的零組件，且其敘述將不被重複。
第二具體實施例
圖11說明根據第二具體實施例的顯示裝置中之像素11R1、11G1及11B1的內部組構。該等像素11R1、11G1及11B1係類似於該第一具體實施例中之像素11R、11G及11B，除了像素電路14A代替該像素電路14被提供以外。該像素電路14A係類似於該像素電路14，除了該驅動電晶體Tr2及該校正電晶體Tr3被以相反方式設置以外，亦即，該驅動電晶體Tr2被設置於該電源線DSL及該校正電晶體Tr3之間。既然該另一組構係類似於該第一具體實施例的顯示裝置1之組構，其敘述將不被重複。
具體地，於該具體實施例之像素電路14A中，該寫入電晶體Tr1之閘極係連接至該掃描線WSL，其源極係連接至該信號線DTL，且其汲極係連接至該驅動電晶體Tr2之閘極及該保持電容元件Cs的一端部。該校正電晶體Tr3之閘極係連接至該閘極線GL。該驅動電晶體Tr2之源極係連接至該電源線DSL及該保持電容元件Cs之另一端部，且其汲極係連接至該校正電晶體Tr3之源極。該校正電晶體Tr3之汲極係連接至該有機EL元件12之陽極，且該有機EL元件12的陰極被設定至一固定電位(於此案例中，該地(接地電位))。
換句話說，亦於該像素電路14A中，以類似於該第一具體實施例之方式，該驅動電晶體Tr2及該校正電晶體Tr3係彼此串聯地連接在該電源線DSL及該有機EL元件12間之路徑上。具體地，於該具體實施例中，該驅動電晶體Tr2被設置於該電源線DSL及該校正電晶體Tr3之間。以類似於該第一具體實施例之方式，待經由該閘極線GL施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3被設定於該顯示面板10中之單元區域的每一者中。
於該具體實施例中，譬如，如在圖12A所說明，當該移動率μ為相對高時，以下發生。首先，待施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3被設定相對低(譬如，Vg3L)，以致該校正電晶體Tr3中的源極與汲極間之校正閘極電壓Vds3變得相對高(譬如，Vds3H)。因此，該驅動電晶體Tr3之閘極-源極電壓Vgs2變得相對低，且該發光電流Ids變得相對低(譬如，IdsL)。
在另一方面，如圖12B所說明，於該移動率μ為相對低之案例中，以下發生。首先，待施加至該校正電晶體Tr3之閘極的校正閘極電壓Vg3被設定為相對高的(譬如，Vg3H(>Vds3L))，以致該校正電晶體Tr3中的源極及汲極間之電壓Vds3變得相對低(譬如，Vds3L(<Vds3H))。因此，該驅動電晶體Tr3之閘極-源極電位Vgs3變得相對高，且該發光電流Ids變得相對高(譬如，IdsH(>IdsL))。
如上面所述，該具體實施例亦產生類似於該第一具體實施例之那些者的效果。亦即，藉由減少每一單元區域中藉由該製造過程所造成之移動率μ及驅動電晶體Tr2的臨限電壓Vth之變動，該顯示面板10中之亮度變動被抑制，且該顯示品質被改善。
第三具體實施例
圖13說明根據第三具體實施例的顯示裝置中之像素11R2、11G2及11B2的內部組構。該等像素11R2、11G2及11B2係類似於該第一具體實施例中之像素11R、11G、及11B，除了像素電路14B被提供來代替該像素電路14以外。該像素電路14B係類似於該像素電路14，除了該校正電晶體Tr3不被提供及該閘極線GL係連接至該驅動電晶體Tr2之背閘極以外。亦即，於該具體實施例中，該像素電路14B具有所謂“2Tr1C”之電路組構，且該驅動電晶體Tr2之背閘極電位Vbg2被設定至上述之校正閘極電壓。將在下面敘述之具體實施例的方法係對於當僅只該臨限電壓Vth變動時之案例特別有效的方法。既然該另一組構係類似於該第一具體實施例之顯示裝置1的組構，其敘述將不被重複。
具體地，於該具體實施例之像素電路14B中，該寫入電晶體Tr1之閘極係連接至該掃描線WSL，其源極係連接至該信號線DTL，且其汲極係連接至該驅動電晶體Tr2之閘極及該保持電容元件Cs的一端部，該驅動電晶體Tr2之源極係連接至該電源線DSL及該保持電容元件Cs之另一端部，其汲極係連接至該有機EL元件12之陽極，且該背閘極係連接至該閘極線CL。該有機EL元件12之陰極被設定至一固定電位(於此案例中，該地(接地電位))。換句話說，於該像素電路14B中，該驅動電晶體Tr2被設置在該電源線DSL及該有機EL元件12間之路徑上。
於該像素電路14B中，該驅動電晶體Tr2被設置在該電源線DSL及該有機EL元件12間之路徑上。待經由該閘極線GL施加至該驅動電晶體Tr2之背閘極的校正閘極電壓Vg3(=Vbg2)被設定在該顯示面板10中之單元區域的每一者中。
具體地，譬如，如圖14所說明，於具有相對高之臨限電壓Vth的像素11R2、11G2及11B2中，以下發生。亦即，待施加至該驅動電晶體Tr2之背閘極的校正閘極電壓Vg3(=Vbg2)被設定為相對低的，以致該發光電流Ids變得相對高的(看該圖解中之箭頭P31)。在另一方面，於具有相對低之臨限電壓Vth的像素11R2、11G2及11B2中，以下發生。亦即，待施加至該驅動電晶體Tr2之背閘極的校正閘極電壓Vg3(=Vbg2)被設定為相對高的，以致該發光電流Ids變得相對低的(看該圖解中之箭頭P32)。
因此，亦於該具體實施例中，甚至當該驅動電晶體Tr2中之移動率μ及該臨限電壓Vth的值在譬如單元區域之中變動時，任意地施行調整，以便藉由該校正閘極電壓Vg3(=Vbg2)之個別設定減少該等變動。
如上面所述，於該具體實施例中，在該等像素11R2、11G2及11B2之每一者中，該驅動電晶體Tr2被設置在該電源線DSL及該有機EL元件12間之路徑上，且待經由該閘極線GL施加至該驅動電晶體Tr2之背閘極的校正閘極電壓Vg3(=Vbg2)被個別地設定在該顯示面板10中之單元區域的每一者中，以致每一單元區域中之驅動電晶體Tr2的移動率μ及臨限電壓Vth之變動係減少。因此，藉由減少該製造過程所造成之變動，該顯示面板10中之亮度變動被抑制，且該顯示品質被改善。
該具體實施例之像素電路14B不會具有該校正電晶體Tr3(類似於“2TrlC”之現存電路的組構)，而與該第一及第二具體實施例之像素電路14及14A不同。因此，該等上述效果被獲得，而不會增加元件之數目。
修改
隨後，共用於該第一至第三具體實施例之修改將被敘述。相同之參考數字被標以與該第一具體實施例之那些相同的零組件等等，且其敘述將不被重複。
圖15A概要地顯示在藉由該ELA(施行再結晶)於該顯示面板(該顯示面板10A)中根據該修改形成該p-Si膜813之時的照射方向。於該顯示面板10A中，與該第一至第三具體實施例不同，該整個顯示面板10A中之再結晶係藉由沿著該直立(V)方向施行照射、同時被連續地移位所進行。
因此，譬如，如圖15B所說明，設定對應於該相對高移動率μ之像素區域(低電壓設定區域10gL)及該相對低移動率μ之像素區域(高電壓設定區域10gH)係在該V方向中交互地形成於該顯示面板10A中之案例，該修改採用該單元區域。
如於該修改中，甚至在藉由該ELA方法(施行再結晶)形成p-Si膜813之時設定該照射方向至與該第一至第三具體實施例中之那些者不同的另一方向之案例中，藉由應用該第一至第三具體實施例之方法，類似效果被獲得。
模組及應用範例
現在參考圖16至21，該第一至第三具體實施例及該修改中所論及之顯示裝置的應用範例將在下面被敘述。該等具體實施例之顯示裝置等等係適用於所有領域之電子裝置，諸如電視設備、數位照相機、筆記本尺寸之個人電腦、諸如行動電話之手提式終端裝置、攝影機等。換句話說，該顯示裝置係適用於所有領域之電子裝置，該顯示裝置顯示由外面所輸入之視頻信號或在內側所產生之視頻信號作為影像或視頻影像。
模組
該顯示裝置譬如當作如圖16所示模組被併入諸如應用範例1至5之各種電子裝置中，其將稍後被敘述。該模組係藉由譬如提供由基板32所暴露之區域210所獲得，用來密封於基板31的一側面中及藉由在該暴露區域210中延伸該驅動電路20之電線形成外部連接端子(未示出)。該等外部連接端子可為設有用來輸入/輸出信號之撓性印刷電路(FPC)220。
應用範例1
圖17說明應用該顯示裝置的電視設備之外觀。該電視設備具有譬如包括前面板310及濾光玻璃320之視頻顯示螢幕單元300。該視頻顯示螢幕單元300係藉由該顯示裝置1所製成。
應用範例2
圖18A及18B說明應用該顯示裝置的數位照相機之外觀。該數位照相機具有譬如用於閃光之發光單元410、顯示器單元420、選單開關430、及快門按鈕440。該顯示器單元420係藉由該顯示裝置所製成。
應用範例3
圖19說明應用該顯示裝置的筆記本尺寸之個人電腦之外觀。該筆記本尺寸之個人電腦具有譬如本體510、用來輸入字母等等之操作的鍵盤520、及用來顯示影像之顯示器單元530。該顯示器單元530係藉由該顯示裝置所製成。
應用範例4
圖20說明應用該顯示裝置的攝影機之外觀。該攝影機具有譬如本體610、被提供於該本體610之前側面而用來擷取主題之鏡頭620、拍攝開始/停止開關630、及顯示器單元640。該顯示器單元640係藉由該顯示裝置所製成。
應用範例5
圖21A至21G說明應用該顯示裝置的行動電話之外觀。該行動電話係譬如藉由用耦接部份(較鏈)730耦接上殼體710及下殼體720所製成，且具有顯示器740、子顯示器750、閃光燈760、及照相機770。該顯示器740或該子顯示器750係藉由該顯示裝置所製成。
其他修改
雖然本發明已在上面藉由該等具體實施例、該修改、及該等應用範例被敘述，本發明不被限制於該等具體實施例等等，但可被不同地修改。
譬如，於該等前面之具體實施例等等中，該顯示裝置為該主動矩陣型之案例已被敘述。然而，用於該主動矩陣驅動的像素電路之組構不被限制於該等前面具體實施例等等中所敘述者。具體地，譬如，如所需要者，電容元件、電晶體等等可被加入或替換。於此案例中，根據該像素電路中之變化，除了該掃描線驅動電路、該電源線驅動電路、及該信號線驅動電路以外，一需要之驅動電路可被提供。
雖然該掃描線驅動電路、該電源線驅動電路、及該信號線驅動電路的驅動操作係藉由該時序產生電路所控制之案例已被敘述於該等前面具體實施例中等等，另一電路可控制該等驅動操作。該掃描線驅動電路、該電源線驅動電路、及該信號線驅動電路可藉由硬體(電路)或軟體(程式)所控制。
雖然該像素電路中之電晶體為p通道電晶體(p通道MOS型之TFT)之案例已在該等前面具體實施例等等中被敘述，本發明不被限制於該案例。明確地是，該等電晶體之每一者可為n通道電晶體(n通道MOS型之TFT)。
本申請案包含有關2010年3月29日在日本專利局提出的日本優先權專利申請案第JP 2010-075634號中所揭示者之主題，其整個內容以引用的方式併入本文中。
那些熟諳此技藝者應了解各種修改、組合、次組合及變更可視設計需求及其他因素而定發生，而它們係在所附申請專利或其同等項之範圍內。
1．．．顯示裝置
10．．．顯示面板
10A．．．顯示面板
10gH．．．高電壓設定區域
10gL．．．低電壓設定區域
11B．．．像素
11B1．．．像素
11B2．．．像素
11G．．．像素
11G1．．．像素
11G2．．．像素
11R．．．像素
11R1．．．像素
11R2．．．像素
12．．．發光元件
12B．．．發光元件
12G．．．發光元件
12R．．．發光元件
13．．．像素列陣
14．．．像素電路
14A．．．像素電路
14B．．．像素電路
20．．．驅動電路
20A．．．視頻信號
20B．．．同步化信號
21．．．視頻信號處理電路
21A．．．視頻信號
22．．．時序產生電路
22A．．．控制信號
23．．．掃描線驅動電路
24．．．信號線/閘極線驅動電路
25．．．電源線驅動電路
31．．．基板
32．．．基板
80．．．基板
100．．．顯示面板
100H．．．高亮度區域
100L．．．低亮度區域
101B．．．像素
101G．．．像素
101R．．．像素
104‧‧‧像素電路
201B‧‧‧像素
201G‧‧‧像素
201R‧‧‧像素
204‧‧‧像素電路
210‧‧‧區域
220‧‧‧撓性印刷電路
300‧‧‧顯示螢幕單元
310‧‧‧前面板
320‧‧‧濾光玻璃
410‧‧‧發光單元
420‧‧‧顯示器單元
430‧‧‧選單開關
440‧‧‧快門按鈕
510‧‧‧本體
520‧‧‧鍵盤
530‧‧‧顯示器單元
610‧‧‧本體
620‧‧‧鏡頭
630‧‧‧拍攝開始/停止開關
640‧‧‧顯示器單元
710‧‧‧上殼體
720‧‧‧下殼體
730‧‧‧耦接部份
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧閃光燈
770‧‧‧照相機
811‧‧‧閘極電極
812‧‧‧閘極絕緣膜
813‧‧‧多晶矽膜
814‧‧‧絕緣膜
815S‧‧‧源極電極
815D‧‧‧汲極電極
Cs‧‧‧保持電容元件
DSL‧‧‧電源線
DTL‧‧‧信號線
GL‧‧‧閘極線
Tr1‧‧‧寫入電晶體
Tr2‧‧‧驅動電晶體
Tr3‧‧‧校正電晶體
Tr21‧‧‧驅動電晶體
Tr22‧‧‧驅動電晶體
Tr23‧‧‧驅動電晶體
WSL‧‧‧掃描線
圖1係方塊圖，說明本發明之第一具體實施例的顯示裝置之範例。
圖2係電路圖，說明圖1所示像素之組構範例。
圖3係橫截面，說明圖2所示每一電晶體之組構範例。
圖4係概要圖，用來說明在形成圖3所說明的每一電晶體之時所施行的雷射退火製程之範例。
圖5A及5B係特徵圖，用來說明圖2所說明的驅動電晶體及校正電晶體中之發光操作的特徵範例。
圖6係電路圖，表達比較範例1的顯示裝置中之像素中的組構範例。
圖7A及7B係圖解，用來說明該比較範例1的顯示裝置中之顯示面中的亮度不均勻性。
圖8係電路圖，表達比較範例2的顯示裝置中之像素中的組構範例。
圖9A及9B係圖解，用來說明減少根據該第一具體實施例的顯示裝置中之顯示面中的亮度不均勻性之作用。
圖10A及10B係電路圖，用來說明減少根據該第一具體實施例的顯示裝置中之顯示面中的亮度不均勻性之作用。
圖11係電路圖，說明根據第二具體實施例的顯示裝置中之像素的組構範例。
圖12A及12B係電路圖，用來說明減少根據該第二具體實施例的顯示裝置中之顯示面中的亮度不均勻性之作用。
圖13係電路圖，說明根據第三具體實施例的顯示裝置中之像素的組構範例。
圖14係特徵圖，用來說明減少根據該第三具體實施例的顯示裝置中之顯示面中的亮度不均勻性之作用。
圖15A及15B係概要圖，用來說明根據本發明之修改的顯示裝置中之雷射退火製程。
圖16係平面圖，表達包括該具體實施例之顯示裝置的模組之概要組構。
圖17係立體圖，說明該具體實施例之顯示裝置的應用範例1之外觀。
圖18A係立體圖，說明應用範例2的表面側上之外觀，且圖18B係立體圖，說明該背面側上之外觀。
圖19係立體圖，說明應用範例3之外觀。
圖20係立體圖，說明應用範例4之外觀。
圖21A係應用範例5的打開狀態中之正面圖，圖21B係側視圖，圖21C係於關閉狀態中之正面圖，圖21D係左側視圖，圖21E係右側視圖，圖21F係俯視圖，且圖21G係仰視圖。
11B．．．像素
11G．．．像素
11R．．．像素
12．．．發光元件
12B．．．發光元件
12G．．．發光元件
12R．．．發光元件
14．．．像素電路
Cs．．．保持電容元件
DSL．．．電源線
DTL．．．信號線
GL．．．閘極線
Tr1．．．寫入電晶體
Tr2．．．驅動電晶體
Tr3．．．校正電晶體
WSL．．．掃描線

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包括：顯示器單元，具有複數像素、連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線，該複數像素之每一者包括發光元件、驅動用電晶體、及校正用電晶體；掃描線驅動電路，將選擇脈衝施加至該掃描線，用以連續地選擇該複數像素；及信號線驅動電路，藉由施加視頻信號電壓至該信號線來將視頻信號寫入至藉由該掃描線驅動電路所選擇之像素，其中該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該等像素之每一者中的該電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接，及待經由該閘極線施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中在該發光元件的發光操作之時，該驅動用電晶體在飽和區域中操作，反之該校正用電晶體在線性區域中操作。
  3. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中在每一電晶體之移動率為相對高的單元區域中，該校正用閘極電壓被設定為相對低，且在每一電晶體之移動率為相對低的單元區域中，該校正用閘極電壓被設定為相對高。
  4. 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中每一單元區域中之每一電晶體的移動率係藉由測量該發光元件之發光亮度所獲得。
  5. 如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中該等單元區域之每一者係基於該顯示器單元中之發光亮度的變化之分佈來設定。
  6. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中在該等像素之每一者中，該校正用電晶體被設置在該電源線與該驅動用電晶體之間。
  7. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中每一像素包括作為該發光元件之有機電致發光元件、作為寫入用電晶體的第一電晶體、作為驅動用電晶體之第二電晶體、作為校正用電晶體的第三電晶體、及保持電容性元件，該第一電晶體之閘極被連接至該掃描線，該第一電晶體中之汲極及源極的其中之一者被連接至該信號線，且汲極及源極的其中之另一者被連接至該第二電晶體之閘極與該保持電容性元件的一端部，該第三電晶體之閘極被連接至該閘極線，該第三電晶體中之汲極及源極的其中之一者被連接至該電源線與該保持電容性元件的另一端部，且汲極及源極的其中之另一者被連接至該第二電晶體中之汲極及源極的其中之一者，該第二電晶體中之汲極及源極的其中之另一者被連接至該有機電致發光元件之陽極，及該有機電致發光元件之陰極被設定至一固定電位。
  8. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該驅動用電晶體被設置在每一像素中的該電源線與該校正用電晶體之間。
  9. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中每一像素包括作為該發光元件之有機電致發光元件、作為寫入用電晶體的第一電晶體、作為驅動用電晶體之第二電晶體、作為校正用電晶體的第三電晶體、及保持電容性元件，該第一電晶體之閘極被連接至該掃描線，該第一電晶體中之汲極及源極的其中之一者被連接至該信號線，且汲極及源極的其中之另一者被連接至該第二電晶體之閘極與該保持電容性元件的一端部，該第三電晶體之閘極被連接至該閘極線，該第二電晶體中之汲極及源極的其中之一者被連接至該電源線與該保持電容性元件的另一端部，且汲極及源極的其中之另一者被連接至該第三電晶體中之汲極及源極的其中之一者，該第三電晶體中之汲極及源極的其中之另一者被連接至該有機電致發光元件之陽極，及該有機電致發光元件之陰極被設定至一固定電位。
  10. 一種顯示裝置，包括：顯示器單元，具有複數像素，每一像素包括發光元件與驅動用電晶體、和連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線；掃描線驅動電路，將選擇脈衝施加至該掃描線，用以連續地選擇該複數像素；及信號線驅動電路，藉由施加視頻信號電壓至該信號線來將視頻信號寫入至藉由該掃描線驅動電路所選擇之像素，其中該驅動用電晶體被設置在該等像素之每一者中的該電源線與該發光元件間之路徑上，及待經由該閘極線施加至該驅動用電晶體之背閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
  11. 一種包括顯示裝置之電子裝置，該顯示裝置包括：顯示器單元，具有複數像素、連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線，該複數像素之每一者包括發光元件、驅動用電晶體、及校正用電晶體；掃描線驅動電路，將選擇脈衝施加至該掃描線，用以連續地選擇該複數像素；及信號線驅動電路，藉由施加視頻信號電壓至該信號線來將視頻信號寫入至藉由該掃描線驅動電路所選擇之像素，其中該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該等像素之每一者中的該電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接，及待經由該閘極線施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
  12. 一種包括顯示裝置之電子裝置，該顯示裝置包括：顯示器單元，具有複數像素，每一像素包括發光元件與驅動用電晶體、和連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線；掃描線驅動電路，將選擇脈衝施加至該掃描線，用以連續地選擇該複數像素；及信號線驅動電路，藉由施加視頻信號電壓至該信號線來將視頻信號寫入至藉由該掃描線驅動電路所選擇之像素，其中該驅動用電晶體被設置在該等像素之每一者中的該電源線與該發光元件間之路徑上，及待經由該閘極線施加至該驅動用電晶體之背閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
  13. 一種顯示裝置，包括複數像素，每一像素包括發光元件、驅動用電晶體、及校正用電晶體，其中該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該等像素之每一者中的電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接，及待施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
  14. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中在該發光元件的發光操作之時，該校正用電晶體在線性區域中操作。
  15. 一種顯示裝置，包括：顯示器單元，具有複數像素、連接至該等像素之每一者的掃描線、信號線、電源線、及閘極線，該複數像素之每一者包括發光元件、驅動用電晶體、及校正用電晶體；其中該驅動用電晶體及該校正用電晶體係在該等像素之每一者中的該電源線與該發光元件間之路徑上彼此串聯地連接，及該閘極線係沿著該信號線設置，且待經由該閘極線施加至該校正用電晶體之閘極的校正用閘極電壓係在該顯示器單元中之單元區域的每一者中個別地設定。
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