TW201435839A - 顯示器、顯示器驅動電路、顯示器驅動方法及電子設備 - Google Patents

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Abstract

針對具有像素電路之一顯示器提供校正處理，該等像素電路分別包含一顯示元件及一驅動電晶體，該驅動電晶體經組態以根據一照度資訊值提供一驅動電流至該顯示元件。一控制電晶體安置於提供該驅動電流至包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組之一電流路徑上，且一校正處理區段經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於該單元像素群組中之該等像素電路之各者之該等照度資訊值之一函數；及基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正。

Description

顯示器、顯示器驅動電路、顯示器驅動方法及電子設備 [相關申請案之交叉參考]
本申請案主張2013年3月6日申請之日本優先權專利申請案JP 2013-44439之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
本發明係關於一種包含一電流驅動顯示裝置之顯示器、一種顯示器驅動電路及一種用於此一顯示器之顯示器驅動方法以及一種包含此一顯示器之電子設備。
在執行影像顯示之一顯示器之一領域中，近年來已開發及商業化包含發射其照度取決於一施加電流值而改變之光之一電流驅動光學裝置(例如，一有機電致發光裝置)作為一發光裝置之一顯示器(諸如一有機EL顯示器)。不同於一液晶裝置等，該發光裝置係一自發光發光裝置，且因此不必提供一光源(背光)。因此，相較於必需包含一光源之一液晶顯示器，有機EL顯示器具有高影像可視性、低電力消耗及快速回應之特徵。
通常期望具有高影像品質之顯示器。影像品質藉由包含清晰度之各種因數判定。例如，近來，高清晰度影像顯示器不僅為一獨立電視接收器所需而且為一行動終端機(諸如一智慧型電話)所需。為了改良一顯示器之解析度，已相應地開發各種技術。例如，日本未審查專利申請公開案第2008-83084號揭示一種包含呈一所謂的5Tr1C組態之 子像素之有機EL顯示器，在該5Tr1C組態中，水平鄰近之紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)三個子像素共用一切換電晶體(電力供應電晶體)。在此顯示器中，如上文所描述，三個子像素共用一電力供應電晶體，且因此減小裝置之數目以改良解析度。
如上文所描述，通常期望具有高影像品質之顯示器，且現在已承諾進一步改良影像品質。
可期望提供能夠改良影像品質之顯示器、顯示器驅動電路、顯示器驅動方法及電子設備。
根據本發明之一實施例，提供一種顯示器(1)，其包含：複數個單元像素；一控制電晶體；及一校正處理區段。該複數個單元像素各包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，該控制電晶體安置於該驅動電流至由該複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成之一單元像素群組之一電流路徑上，且該校正處理區段經組態以獲得對應於該預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊。
根據本發明之另一實施例，提供一種顯示器(2)，其包含：複數個單元像素；一控制電晶體；及一校正處理區段。該複數個單元像素各包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，該控制電晶體安置於該驅動電流至由該複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成之一單元像素群組之一電流路徑上，且該校正處理區段經組態以校正該單元像素群組中之一聚焦單元像素之照度資訊以防止該聚焦單元像素之照度藉由除該單元像素群組中之該聚焦單元像素外之一單元像素之照度資訊而改變。
根據本發明之另一實施例，提供一種顯示器驅動電路，其包 含：一校正處理區段及一驅動區段。該校正處理區段經組態以獲得對應於一單元像素群組之預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊，該單元像素群組係由複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成，各單元像素包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，一控制電晶體安置於該驅動電流至該單元像素群組之一電流路徑上，且該驅動區段經組態以基於該數筆經校正照度資訊驅動該等單元像素。
根據本發明之另一實施例，提供一種顯示器驅動方法，其包含：獲得對應於一單元像素群組之預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，該單元像素群組係由複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成，各單元像素包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，一控制電晶體安置於該驅動電流至該單元像素群組之一電流路徑上；基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊；且基於該數筆經校正照度資訊驅動該等單元像素。
根據本發明之另一實施例，提供一種電子設備，其具有一顯示器及經組態以對該顯示器執行操作控制之一控制區段。該顯示器包含：複數個單元像素；一控制電晶體；及一校正處理區段。該複數個單元像素各包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，該控制電晶體安置於該驅動電流至由該複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成之一單元像素群組之一電流路徑上，且該校正處理區段經組態以獲得對應於該預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊。該電子設備之實例可包含一電視單元、一數位相機、一個人電腦、一視訊相機及一行動終端機裝置，諸 如一行動電話。
在根據本發明之上述各自實施例之顯示器(1)、顯示器驅動電路、顯示器驅動方法及電子設備中，屬於單元像素群組之預定數目個單元像素之各者基於照度資訊執行顯示。此時，基於複數筆照度資訊之信號平均值校正對應於該預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊。
在根據本發明之上述實施例之顯示器(2)中，屬於單元像素群組之預定數目個單元像素之各者基於照度資訊執行顯示。此時，屬於該單元像素群組之聚焦單元像素之照度資訊經校正以防止該聚焦單元像素之照度藉由除該聚焦單元像素外之一單元像素之照度資訊而改變。
根據本發明之上述各自實施例之顯示器(1)、顯示器驅動電路、顯示器驅動方法及電子設備，獲得預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊，藉此可改良影像品質。
根據本發明之上述實施例之顯示器(2)，在一單元像素群組中之一聚焦單元像素之照度資訊經校正以防止該聚焦單元像素之照度藉由除該聚焦單元像素外之一單元像素之照度資訊而改變，藉此可改良影像品質。
根據本文中所描述之另一態樣，針對具有像素電路之一顯示器提供校正處理，該等像素電路分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值而將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體。一控制電晶體安置於將該驅動電流提供至包含兩個或兩個以上像素電路之一單元像素群組之一電流路徑上，且一校正處理區段經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於該單元像素群組中之該等像素電路之各者之照度資訊值之一函數；及基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行照度資訊值之一校正。
應瞭解，前述一般描述及以下詳細描述皆係例示性，且旨在提供所主張之技術之進一步解釋。
1‧‧‧顯示器
10‧‧‧顯示區段
11‧‧‧子像素
11R‧‧‧子像素
12‧‧‧子像素
12B‧‧‧子像素
12G‧‧‧子像素
12R‧‧‧子像素
12W‧‧‧子像素
20‧‧‧驅動區段
22‧‧‧時序產生區段
23‧‧‧掃描線驅動區段
25‧‧‧電力控制區段
26‧‧‧電力驅動區段
27‧‧‧資料線驅動區段
27B‧‧‧資料線驅動區段
30‧‧‧影像信號處理區段
30B‧‧‧影像信號處理區段
31‧‧‧線性伽瑪轉換區段
32‧‧‧信號處理區段
33‧‧‧面板伽瑪轉換區段
35‧‧‧數位轉類比(D/A)轉換區段
35B‧‧‧數位轉類比(D/A)轉換區段
36B‧‧‧伽瑪轉換區段
37B‧‧‧逆伽瑪轉換區段
38B‧‧‧伽瑪設定區段
39B‧‧‧面板伽瑪轉換區段
40‧‧‧校正處理區段
41‧‧‧平均值獲取區段
42‧‧‧乘法區段
50(1)至50(M)‧‧‧計算區段
51‧‧‧黑色顯示判定區段
52‧‧‧解多工器
53‧‧‧乘法區段
54‧‧‧加法區段
55‧‧‧多工器
99‧‧‧玻璃基板
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極電極
120‧‧‧絕緣層
130‧‧‧絕緣層
140‧‧‧多晶矽層
141‧‧‧通道區域
142‧‧‧輕微摻雜汲極(LDD)
143‧‧‧接觸區域
150‧‧‧絕緣層
160‧‧‧絕緣層
170‧‧‧互連
210‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
230‧‧‧多晶矽層
231‧‧‧通道區域
232‧‧‧輕微摻雜汲極(LDD)
233‧‧‧接觸區域
240‧‧‧絕緣層
250‧‧‧閘極電極
260‧‧‧絕緣層
270‧‧‧絕緣層
280‧‧‧互連
510‧‧‧影像顯示螢幕區段
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
Avg‧‧‧平均值
Avg2‧‧‧參數
C1‧‧‧電容值
C2‧‧‧電容值
Cgs‧‧‧等效電容
Coled‧‧‧等效電容
Cs‧‧‧電容器
Csub‧‧‧電容器
D1‧‧‧掃描方向
D2‧‧‧掃描方向
DRTr‧‧‧驅動電晶體
DS1‧‧‧電力控制信號
DS2‧‧‧電力信號
DSATr‧‧‧電力供應電晶體
DSBTr‧‧‧電力供應電晶體
DSL‧‧‧電力控制線
DSTr‧‧‧電力供應電晶體
DTL‧‧‧資料線
I(1)至I(M)‧‧‧照度資訊
J(1)至J(M)‧‧‧照度資訊
L‧‧‧照度位準/通道長度(圖17)
LB1‧‧‧射束
LB2‧‧‧射束
OLED‧‧‧發光裝置
P1‧‧‧初始化週期
P2‧‧‧Vth校正週期
P3‧‧‧寫入週期
P4‧‧‧發光週期/光發射週期
Pix‧‧‧像素
PL‧‧‧電力線
PL2‧‧‧電力線
PLA‧‧‧電力線
PLB‧‧‧電力線
S31‧‧‧影像信號
S32‧‧‧影像信號
S33‧‧‧影像信號
Sdisp‧‧‧影像信號
Sdisp2‧‧‧影像信號
Sig‧‧‧信號
Ssync‧‧‧同步信號
Vavg‧‧‧電壓
Vcath‧‧‧預定DC電壓/陰極電壓/電壓
Vccp‧‧‧電壓
Vg‧‧‧閘極電壓
Vini‧‧‧電壓
Vofs‧‧‧電壓
Vs‧‧‧源極電壓
VsA‧‧‧電壓
VsB‧‧‧電壓
Vsig‧‧‧像素電壓/寫入像素電壓
VsigA‧‧‧像素電壓
VsigA1‧‧‧像素電壓
VsigB‧‧‧像素電壓
VsigB1‧‧‧像素電壓
Vth‧‧‧臨限值電壓
W‧‧‧通道寬度
WS‧‧‧掃描信號
WSL‧‧‧掃描線
WSTr‧‧‧寫入電晶體
α‧‧‧預定常數/電路參數
1-α‧‧‧預定常數
隨附圖式經包含以提供本發明之一進一步理解，且併入並構成本說明書之一部分。該等圖式繪示實施例且與說明書一起用來解釋本技術之原理。
圖1係繪示根據本發明之一實施例之一顯示器之一例示性組態之一方塊圖。
圖2係繪示圖1中所繪示之一顯示區段之一例示性電路組態之一電路圖。
圖3係繪示圖1中所繪示之子像素之一例示性電路組態之一電路圖。
圖4係繪示圖3中所繪示之一電晶體之一例示性組態之一說明圖。
圖5係繪示圖1中所繪示之一影像信號處理區段之一例示性組態之一方塊圖。
圖6係繪示圖5中所繪示之一校正處理區段之一例示性組態之一方塊圖。
圖7係繪示圖1中所繪示之一驅動區段之一例示性操作之一時序波形圖。
圖8係繪示圖1中所繪示之顯示器之一例示性操作之一時序波形圖。
圖9係繪示圖1中所繪示之顯示器之一寫入週期內之一例示性操作之一時序波形圖。
圖10係用於解釋寫入週期內源極電壓之平均化之一說明圖。
圖11係用於解釋校正處理之一說明圖。
圖12係用於解釋校正處理之另一說明圖。
圖13係繪示圖3中所繪示之子像素之一等效電容之一說明圖。
圖14係用於解釋由藉由一準分子雷射退火(ELA)單元處理引起之臨限值電壓Vth之變動之一示意圖。
圖15係用於解釋由藉由一離子植入單元處理引起之臨限值電壓Vth之變動之一示意圖。
圖16係繪示圖2中所繪示之子像素之一佈局之一說明圖。
圖17係繪示圖2中所繪示之驅動電晶體之一佈局之一說明圖。
圖18係繪示根據一比較實例之一顯示區段之一例示性電路組態之一電路圖。
圖19係繪示根據一修改例之一影像信號處理區段之一例示性組態之一方塊圖。
圖20係繪示根據另一修改例之一顯示區段之一例示性電路組態之一電路圖。
圖21係繪示根據另一修改例之一子像素之一例示性電路組態之一電路圖。
圖22係繪示根據另一修改例之一顯示區段之一例示性電路組態之一電路圖。
圖23係繪示根據另一修改例之一電晶體之一例示性組態之一說明圖。
圖24係繪示根據另一修改例之驅動電晶體之一佈局之一說明圖。
圖25係繪示應用根據例示性實施例及修改例之任一者之顯示器之一電視單元之一外觀組態之一透視圖。
在下文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明之一實施例。應注 意按以下順序進行描述。
1.實施例
2.應用實例
[1.實施例] [例示性組態]
圖1繪示根據一例示性實施例之一顯示器之一例示性組態。一顯示器1係使用一有機EL裝置之一主動矩陣顯示器。由於藉由本實施例體現根據本發明之各自例示性實施例之一顯示器驅動電路及一顯示器驅動方法，所以將其等一起描述。
顯示器1包含一顯示區段10及一驅動區段20。驅動區段20包含一影像信號處理區段30、一時序產生區段22、一掃描線驅動區段23、一電力控制區段25、一電力驅動區段26及一資料線驅動區段27。
顯示區段10包含配置成一矩陣之複數個像素Pix。各像素Pix包含紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11。在此例示性情況中，四個子像素11以一2×2矩陣配置於像素Pix中。明確言之，在像素Pix中，一紅色(R)子像素11安置於左上方，一綠色(G)子像素11安置於右上方，一白色(W)子像素11安置於左下方，且一藍色(B)子像素11安置於右下方。在此例示性情況中，在顯示區段10中，M個子像素11安置於一水平(橫向)方向上，且N個子像素11安置於一垂直(從向)方向上。
圖2繪示顯示區段10之一例示性電路組態。圖3繪示子像素11之一例示性電路組態。
如圖2中所繪示，顯示區段10包含子像素11、在一行方向上延伸之資料線DTL、在一列方向上延伸之掃描線WSL及電力線PL以及電力供應電晶體DSTr。各子像素11連接至掃描線WSL、電力線PL及資料線DTL。掃描線WSL經組態以傳輸一掃描信號WS，且在其之一端處 連接至未描繪掃描線驅動區段23。如稍後描述，資料線DTL經組態以傳輸含有一像素電壓Vsig之一信號Sig，且在其之一端處連接至資料線驅動區段27。電力線PL經組態以將電力供應至各子像素11，且在其之一端處連接至電力供應電晶體DSTr。例如，電力供應電晶體DSTr可由一P通道金屬氧化物半導體(MOS)薄膜電晶體(TFT)組態。儘管未展示，電力供應電晶體DSTr之源極連接至電力驅動區段26，其閘極連接至電源控制區段25，且其汲極連接至電力線PL。電力供應電晶體DSTr透過電力線PL連接至對應於顯示區段10之一線之(M)個子像素11。
子像素11包含一寫入電晶體WSTr、一驅動電晶體DRTr、一發光裝置OLED、一電容器Cs及一電容器Csub。例如，寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr之各者可由一N通道MOS TFT組態。寫入電晶體WSTr之閘極連接至掃描線WSL，其源極經連接至資料線DTL，且其汲極經連接至驅動電晶體DRTr之閘極及電容器Cs之一第一端。驅動電晶體DRTr之閘極連接至寫入電晶體WSTr之汲極及電容器Cs之第一端，其汲極連接至電力線PL，且其源極連接至電容器Cs之一第二端、電容器Csub之一第一端及發光裝置OLED之陽極。電容器Cs之第一端連接至驅動電晶體DRTr之閘極等，且其第二端連接至驅動電晶體DRTr之源極等。電容器Csub之第一端連接至驅動電晶體DRTr之源極、電容器Cs之第二端及發光裝置OLED之陽極，且其之一第二端經組態以接收自驅動區段20供應之一預定DC電壓Vcath。發光裝置OLED係一發光裝置，其係由一有機EL裝置形成且經組態以發射對應於各子像素11之一色彩(紅色、綠色、藍色及白色之一者)之光，且具有連接至驅動電晶體DRTr之源極、電容器Csub之第一端及電容器Cs之第二端之陽極及經組態以接收自驅動區段20供應之預定DC電壓Vcath之一陰極。換言之，發光裝置OLED與電容器Csub並聯連接。以 此方式，提供電容器Csub以使發光裝置OLED之陽極與陰極之間之一等效電容之一電容值與電容器Csub之一電容值之總和無關於子像素11而實質上恆定。
以此方式，在此例示性情況中，子像素11具有由兩個電晶體(寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr)及兩個電容器Cs及Csub形成之一所謂的「2Tr2C」組態。在顯示區段10中，對應於一線之子像素11與用於該一線之一電力供應電晶體DSTr同步操作。換言之，就電路操作之一觀點而言，各子像素11以相同於具有由「2Tr2C」之組件及電力供應電晶體DSTr形成之所謂的「3Tr2C」組態之一子像素之方式而操作。
圖4繪示組態電力供應電晶體DSTr、寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr之各者之TFT之一例示性組態，其中(A)繪示一截面圖，且(B)繪示一相關部分平面圖。TFT包含一閘極電極110及一多晶矽層140。閘極電極110提供在由玻璃等形成之一基板100上。例如，閘極電極110可由鉬Mo形成。在閘極電極110及基板100上依序提供絕緣層120及130。例如，絕緣層120可由氮化矽(SiNx)形成，且絕緣層130可由氧化矽(SiO2)形成。多晶矽層140提供在絕緣層130上。如稍後所描述，多晶矽層140係藉由在絕緣層130上形成一非晶矽層且藉由一ELA單元對非晶系矽層執行退火處理加以形成。多晶矽層140係由一通道區域141、一輕微摻雜汲極(LDD)142及一接觸區域143組態。如稍後所描述，藉由憑藉一離子植入單元或一離子摻雜單元將離子植入至此等區域中而形成此等區域。以此方式，在此例示性情況中，閘極電極110提供在多晶矽層140下方。換言之，TFT具有一所謂的底部閘極結構。在多晶矽層140及絕緣層130上依序提供絕緣層150及160。例如，如同絕緣層130，絕緣層150可由氧化矽(SiO2)形成。例如，如同絕緣層120，絕緣層160可由氮化矽(SiNx)形成。在絕緣層160上提供一互 連170。在對應於多晶矽層140之接觸區域143之一區域之部分中提供通過絕緣層150及160之一開口。互連170經提供以便經由開口連接至接觸區域143。
在圖1中，影像信號處理區段30經組態以如稍後所描述般對自外部供應之一影像信號Sdisp執行RGBW轉換、伽瑪(gamma)轉換及照度資訊之校正，以產生一影像信號Sdisp2。
圖5繪示影像信號處理區段30之一例示性組態。影像信號處理區段30包含一線性伽瑪轉換區段31、一信號處理區段32、一面板伽瑪轉換區段33及一校正處理區段40。
線性伽瑪轉換區段31經組態以將一所接收影像信號Sdisp轉換成具有線性伽瑪特性之一影像信號S31。明確言之，考慮到一典型顯示器之特性，外部供應之影像信號具有非線性伽瑪特性。因此，線性伽瑪轉換區段31將此等非線性伽瑪特性轉換成線性伽瑪特性以促進藉由信號處理區段32處理。例如，伽瑪轉換區段31可具有一查找表，以便使用查找表執行此伽瑪轉換。
信號處理區段32經組態以對影像信號S31執行預定信號處理，諸如RGBW轉換，且以一影像信號S32之一形式輸出信號處理之結果。明確言之，信號處理區段32將具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之數筆照度資訊之一RGB信號轉換成具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之數筆照度資訊之一RGBW信號。應注意，信號處理區段32可進一步執行任何其他類型的信號處理(諸如，例如，色域轉換)而無限制。
面板伽瑪轉換區段33經組態以將具有線性伽瑪特性之影像信號S32轉換成具有對應於顯示區段10之特性之非線性伽瑪特性之一影像信號S33(執行面板伽瑪轉換)。如同線性伽瑪轉換區段31，例如，面板伽瑪轉換區段33可具有一查找表，以便使用查找表執行此伽瑪轉 換。
校正處理區段40經組態以針對線之各者校正包含於影像信號S33中之各子像素11之照度資訊。明確言之，校正處理區段40基於對應於一線之(M)個子像素11之數筆照度資訊I(1)至I(M)獲得該數筆照度資訊I(1)至I(M)之一平均值Avg，且基於該數筆照度資訊I(1)至I(M)及平均值Avg產生數筆照度資訊J(1)至J(M)。接著，校正處理區段40以影像信號Sdisp2之一形式輸出此等所產生之多筆照度資訊J(1)至J(M)，且將影像信號Sdisp2供應至資料線驅動區段27之一D/A轉換區段35(稍後所描述)。在下文中，將照度資訊I適當地用作數筆照度資訊I(1)至I(M)之任何適當者之一代表。類似地，將照度資訊J適當地用作多筆照度資訊J(1)至J(M)之任何適當者之一代表。
圖6繪示校正處理區段40之一例示性組態。校正處理區段40經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於單元像素群組中之像素電路之各者之照度資訊值之一函數；及基於校正因數對單元像素群組中之像素電路之至少一者執行照度資訊值之一校正。在一實例中，校正處理區段40包含一平均值獲取區段41、一乘法區段42及M個計算區段50(1)至50(M)。
平均值獲取區段41獲取數筆照度資訊I(1)至I(M)之平均值Avg。在此操作中，平均值獲取區段41選擇在該數筆照度資訊I(1)至I(M)中展示大於對應於稍後所描述之一電壓Vofs之一照度位準L0fs之一照度位準L(L>Lofs)之照度資訊I，且基於所選擇照度資訊I獲取平均值Avg。
乘法區段42獲得藉由平均值獲取區段41獲取之平均值Avg與一預定常數α之乘積(參數Avg2)。如稍後所描述，常數α藉由子像素11中之複數個電容值(電路參數)判定，且具有(含)0至(含)1之一值。
計算區段50(1)至50(M)分別基於參數Avg2及照度資訊I(1)至I(M) 獲得數筆照度資訊J(1)至J(M)。明確言之，例如，計算區域50(1)基於照度資訊I(1)及參數Avg2獲得照度資訊J(1)，且計算區域50(2)基於照度資訊I(2)及參數Avg2獲得照度資訊J(2)。在下文中，將「計算區段50」適當地用作計算區段50(1)至50(M)之任何適當者之一代表。
計算區段50包含一黑色顯示判定區段51、一解多工器52、一乘法區段53、一加法區段54及一多工器55。黑色顯示判定區域51經組態以判定照度資訊I之一照度位準L是否大於照度位準Lofs。解多工器52基於黑色顯示判定區段51之一判定結果選擇所接收照度資訊I之一供應目的地。明確言之，當照度位準L等於或低於照度位準Lofs時，解多工器52將所接收之照度資訊I供應至多工器55。當照度位準L大於照度位準Lofs時，解多工器52將所接收照度資訊I供應至乘法區段53。乘法區段53經組態以獲得自解多工器52供應之照度資訊I與一預定常數(1-α)之乘積。加法區段54經組態以獲得乘法區段53之乘法結果與參數Avg2之總和。多工器55經組態以基於黑色顯示判定區段51之判定結果而選擇兩筆所接收資訊之一者，且輸出所選擇資訊作為照度資訊J。明確言之，當照度位準L等於或低於照度位準Lofs時，多工器55選擇並輸出自解多工器52供應之資訊。當照度位準L大於照度位準Lofs時，多工器55輸出自加法區段54供應之資訊。
透過此一組態，當照度資訊I之照度位準L等於或低於照度位準Lofs時，計算區段50直接輸出所接收之照度資訊I作為照度資訊J。當照度位準L大於照度位準Lofs時，計算區段50基於所接收之照度資訊I及參數Avg2輸出藉由乘法區段53及加法區段54執行之計算之結果作為照度資訊J。
儘管已用圖6假定各區塊(即，硬體)執行此計算處理便利地做出描述，然此一區塊之部分或全部可藉由執行類似計算處理之軟體組態而無限制。
在圖1中，時序產生區段22係經組態以回應於自外部供應之一同步信號Ssync而將一控制信號供應至掃描線驅動區段23、電力控制區段25、電力驅動區段26及資料線驅動區段27之各者以便控制該等區段彼此同步操作之一電路。
掃描線驅動區段23經組態以回應於自時序產生區段22供應之控制信號而循序施加掃描信號WS至複數個掃描線WSL以循序選擇一子像素11。
電力控制區段25經組態以回應於自時序產生區段22供應之一控制信號而循序施加電力控制信號DS1至複數個電力供應電晶體DSTr之閘極以控制子像素11之發光操作及消光操作。
電力驅動區段26經組態以回應於自時序產生區段22供應之控制信號而循序施加電力信號DS2至複數個電力供應電晶體DSTr之源極以控制子像素11之發光操作及消光操作。電力信號DS2在一電壓Vccp與一電壓Vini之間變換。如稍後所描述，電壓Vini係用於子像素11之初始化之一電壓，且電壓Vccp係允許一電流Ids流動通過驅動電晶體DRTr以引發發光裝置OLED之光發射之一電壓。
資料線驅動區段27經組態以回應於自影像信號處理區段30供應之影像信號Sdisp2及自時序產生區段22供應之控制信號而產生含有一像素電壓Vsig(其指示各子像素11之發射照度及用於稍後所描述之Vth校正之電壓Vofs)之一信號Sig，且將信號Sig施加至各資料線DTL。如圖5中所繪示，資料線驅動區段27包含數位轉類比(D/A)轉換區段35。D/A轉換區段35將作為影像信號Sdisp2中所含有之一數位信號之照度資訊J轉換成作為一類比信號之像素電壓Vsig。在此操作中，D/A轉換區段35根據線性轉換特性將照度資訊J轉換成像素電壓Vsig。
如稍後所描述，透過此一組態，驅動區段20對子像素11執行校正(Vth校正)，該校正抑制驅動電晶體DRTr中之元件變動對影像品質之 影響，且接著將像素電壓Vsig寫入至子像素11。在此操作中，驅動區段20基於藉由校正處理區段40產生之照度資訊J產生像素電壓Vsig，且將像素電壓Vsig寫入至子像素11。因此，如稍後所描述，顯示器1允許各子像素11發射具有所要照度之光。
子像素11對應於本發明之「單元像素」之一特定但非限制性實例。發光裝置OLED對應於本發明之「顯示裝置」之一特定但非限制性實例。電力供應電晶體DSTr對應於本發明之「控制電晶體」之一特定但非限制性實例。資料線驅動區段27對應於本發明之「驅動區段」之一特定但非限制性實例。
[操作及功能]
現描述此實施例之顯示器1之操作及功能。
(總體操作之概述)
首先，參考圖1等描述顯示器1之總體操作之概述。影像信號處理區段30對自外部供應之影像信號Sdisp執行照度資訊等之校正以產生影像信號Sdisp2。回應於自外部供應之同步信號Ssync，時序產生區段22將控制信號供應至掃描線驅動區段23、電力控制區段25、電力驅動區段26及資料線驅動區段27之各者以便控制該等區段彼此同步操作。回應於自時序產生區段22供應之控制信號，掃描線驅動區段23將掃描信號WS循序施加至複數個掃描線WSL以循序選擇子像素11。回應於自時序產生區段22供應之控制信號，電力控制區段25將電力控制信號DS1循序施加至複數個電力供應電晶體DSTr之閘極以控制各子像素11之發光操作及消光操作。回應於自時序產生區段22供應之控制信號，電力驅動區段26將電力信號DS2循序施加至複數個電力供應電晶體DSTr之源極以控制各子像素11之發光操作及消光操作。回應於自影像信號處理區段30供應之影像信號Sdisp2及自時序產生區段22供應之控制信號，資料線驅動區段27產生含有對應於各子像素11之照度之 像素電壓Vsig及用於Vth校正之電壓Vofs之信號Sig且將信號Sig施加至各資料線DTL。顯示區段10基於自驅動區段20供應之掃描信號WS、電力控制信號DS1、電力信號DS2及信號Sig執行顯示。
(詳細操作)
圖7繪示驅動區段20之操作之一時序圖，其中(A)繪示一掃描信號WS之波形，(B)繪示一電力控制信號DS1之波形，(C)繪示一電力信號DS2之波形且(D)繪示一信號Sig之一波形。在圖7之(A)中，例如，一掃描信號WS(k)表示驅動第k條線上之子像素11之一掃描信號WS，且一掃描信號WS(k+1)表示驅動第(k+1)條線上之子像素11之一掃描信號WS。此同樣適用於電力控制信號DS1(圖7之(B))及電力信號DS2(圖7之(C))之各者。
驅動區段20之掃描線驅動區段23將脈衝掃描信號WS循序施加至掃描線WSL(圖7之(A))。電力控制區段25將電力控制信號DS1施加至驅動電晶體DSTr之閘極，該電力控制信號DS1僅在含有掃描信號WS之脈衝之一結束時序之一預定週期(時序t3至時序t5等)內為高且在其他週期中為低(圖7之(B))。電力驅動區段26將電力信號DS2施加至驅動電晶體DSTr之源極，該電力信號DS2僅在自掃描信號WS之脈衝之開始時序之一預定週期(時序t1至時序t2等)內具有一電壓Vini且在其他週期中具有一電壓Vccp(圖7之(C))。資料線驅動區段27在電力控制信號DS1係高之一週期(時序t3至時序t5等)中將像素電壓Vsig施加至各資料線DTL且在其他週期中將電壓Vofs施加至各資料線DTL(圖7之(D))。
現探討屬於一特定線之兩個子像素11A及11B且詳細描述其之操作。
圖8繪示在時序t1至時序t5之一週期內子像素11A及11B之各者之操作之一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WS之一波形，(B)繪示電力 控制信號DS1之一波形，(C)繪示電力信號DS2之一波形，(D)繪示供應至子像素11A之一信號Sig之一波形，(E)繪示在子像素11A中之驅動電晶體DRTr之一閘極電壓Vg之一波形，(F)繪示在子像素11A中之驅動電晶體DRTr之一源極電壓Vs之一波形，(G)繪示供應至子像素11B之一信號Sig之一波形，(H)繪示在子像素11B中之驅動電晶體DRTr之一閘極電壓Vg之一波形，且(I)繪示在子像素11B中之驅動電晶體DRTr之一源極電壓Vs之一波形。在圖8之(C)至(F)中，使用相同電壓軸展示波形。類似地，在圖8之(G)至(I)中，使用相同電壓軸展示波形。應注意，為了描述方便，在與圖8之(G)至(I)之各者中之波形之電壓軸相同之電壓軸上展示與電力信號DS2(圖8之(C))之波形相同之波形。
驅動區段20執行子像素11A及11B之各者之初始化(一初始化週期P1)，執行抑制驅動電晶體DRTr中之元件變動對影像品質之影響之Vth校正(一Vth校正週期P2)，且將一像素電壓Vsig寫入至子像素11A及11B之各者(一寫入週期P3)。隨後，子像素11A及11B之各者之發光裝置OLED發射具有對應於寫入像素電壓Vsig之一照度之光(一發光週期P4)。現詳細描述對子像素11A及11B之各者之驅動操作。
首先，在時序t1至時序t2之週期中，驅動區段20初始化子像素11A及11B之各者(初始化週期P1)。明確言之，首先，在時序t1，資料線驅動區段27將待供應至子像素11A及11B之各者之信號Sig設定至電壓Vofs(圖8之(D)及(G))，且掃描線驅動區段23將掃描信號WS之電壓自一低位準改變至一高位準(圖8之(A))。因此，開啟子像素11A及11B之各者之寫入電晶體WSTr，且因此將子像素11A及11B之各者之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定至電壓Vofs(圖8之(E)及(H))。同時，電力驅動區段26將電力信號DS2之電壓自電壓Vccp改變至電壓Vini(圖8之(C))。因此，開啟各驅動電晶體DRTr，使得將驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs設定至電壓Vini(圖8之(F)及(I))。因此，在子像素11A及 11B之各者中，將驅動電晶體DRTr之一閘極至源極電壓Vgs(=Vofs-Vini)設定至大於驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth之一電壓，使得初始化子像素11A及11B之各者。
隨後，在時序t2至時序t3之週期中，驅動區段20執行Vth校正(Vth校正週期P2)。明確言之，在時序t2，電力驅動區段26將電力信號DS2之一電壓自電壓Vini改變至電壓Vccp(圖8之(C))。因此，子像素11A及11B之各者之驅動電晶體DRTr在一飽和區域中操作，且因此一電流Ids自驅動電晶體DRTr之汲極流動至源極，從而導致源極電壓Vs之一增大(圖8之(F)及(I))。在此操作期間，發光裝置OLED之源極電壓Vs低於陰極電壓Vcath；因此，發光裝置OLED維持一反向偏壓狀態，使得電流未流動通過發光裝置OLED。隨著源極電壓Vs以此方式增大，閘極至源極電壓Vgs減小，且因此電流Ids減小。透過此負反饋操作，電流Ids朝向「0」(零)收斂。換言之，子像素11A及11B之各者之驅動電晶體DRTr之閘極至源極電壓Vgs收斂以便等於驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth(Vgs=Vth)。
隨後，在時序t3至時序t4之週期中，驅動區段20將像素電壓Vsig寫入至子像素11A及11B之各者(寫入週期P3)。明確言之，首先，在時序t3，電力控制區段25將電力控制信號DS1之電壓自一低位準改變至一高位準(圖8之(B))。隨後，關閉電力供應電晶體DSTr。同時，資料線驅動區段27將待供應至子像素11A及11B之信號Sig分別設定至像素電壓Vsig(VsigA及VsigB)(圖8之(D)及(G))。在此例示性情況中，像素電壓VsigA及VsigB之各者高於電壓Vofs，且像素電壓VsigA低於像素電壓VsigB。因此，子像素11A及11B之驅動電晶體DRTr之各閘極電壓Vg自電壓Vofs增大至像素電壓Vsig(VsigA及VsigB)(圖8之(E)及(H))。此時，子像素11A及11B之各者之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs亦略微增大。
圖9繪示至子像素11A及11B之各者之像素電壓Vsig之寫入操作之一時序圖，其中(A)繪示子像素11A之操作，且(B)繪示子像素11B之操作。子像素11A及11B之驅動電晶體DRTr之各自閘極電壓Vg自電壓Vofs增大至像素電壓Vsig(VsigA及VsigB)。相應地，驅動電晶體DRTr之各自源極電壓Vs亦略微增大(圖8之(F)及(I))。此時，源極電壓Vs彼此相等，即，各係一電壓Vavg。明確言之，在此例示性情況中，因為像素電壓VsigA及VsigB之各者高於電壓Vofs，所以子像素11A及11B之各者之驅動電晶體DRTr之閘極至源極電壓Vgs高於臨限值電壓Vth(Vgs>Vth)，且因此開啟驅動電晶體DRTr之各者。因此，子像素11A及11B之驅動電晶體DRTr之各自源極經由各自驅動電晶體DRTr及電力線PL彼此連接，且源極電壓Vs彼此相等，即，各係電壓Vavg。儘管已在此例示性情況中描述兩個子像素11A及11B，然驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs在屬於一線之子像素11中之所有子像素11(其等各具有大於電壓Vofs之像素電壓Vsig)中彼此相等。
在顯示器1中，影像信號處理區段30之校正處理區段40預先執行如稍後所描述之照度資訊之校正處理以防止各子像素11之照度歸因於源極電壓Vs之此等變動而改變。
隨後，在時序t4，掃描線驅動區段23將掃描信號WS之電壓自一高位準改變至一低位準(圖8之(A))。因此，關閉子像素11A及11B之各者之寫入電晶體WSTr，使得各驅動電晶體DRTr之閘極變成一浮動狀態，接著因此維持電容性元件Cs之一終端間電壓，即，驅動電晶體DRTr之閘極至源極電壓Vgs。
隨後，驅動區段20允許子像素11A及11B之各者在時序t5之週期及時序t5後之週期中發射光(發光週期P4)。明確言之，在時序t5，電力控制區段25將電力控制信號DS1之電壓自高位準改變至低位準(圖8之(B))。因此，開啟電力供應電晶體DSTr，且電流Ids流動通過子像 素11A及11B之各者之驅動電晶體DRTr。接著，隨著電流Ids流動通過各驅動電晶體DRTr，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs增大(圖8之(F)及(I))，且驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg相應地增大(圖8之(E)及(H))。當驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs透過此啟動操作而變成大於發光裝置OLED之臨限值電壓Vel與電壓Vcath之總和(Vel+Vcath)時，一電流在發光裝置OLED之陽極與陰極之間流動，且因此發光裝置OLED發射光。換言之，源極電壓Vs增加達對應於發光裝置OLED中之裝置變動之電壓量，且因此發光裝置OLED發射光。
此後，經過一預定週期後，顯示器1自光發射週期P3變換至寫入週期P1(一圖框週期)。驅動區段20驅動各自區段以重複此一系列操作。
(校正處理區段40之操作)
現描述藉由校正處理區段40之照度資訊之校正處理。在描述校正處理之前，首先描述寫入操作，其假定在校正之前基於照度資訊I產生像素電壓Vsig1。
圖10繪示在校正之前基於照度資訊I之寫入操作之一時序圖(像素電壓Vsig1)，其中(A)繪示子像素11A之寫入操作，且(B)繪示子像素11B之寫入操作。在此例示性情況中，將一像素電壓VsigA1寫入至子像素11A，且將一像素電壓VsigB1寫入至子像素11B。像素電壓VsigA1及VsigB1之各者係對應於照度資訊I之一電壓。
在時序t3，當子像素11A及11B之驅動電晶體DRTr之各自閘極電壓Vg自電壓Vofs增大至像素電壓VsigA1及VsigB1時，各自源極電壓Vs相應地開始改變為對應於像素電壓Vsig1之變動之電壓VsA及VsB。明確言之，如在子像素11A及11B之各者具有一所謂的「3Tr2C」組態(稍後所描述之一比較實例之一組態(圖18))之情況中，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs開始改變為對應於各像素電壓Vsig1之一位準。然 而，如上文所描述，自在屬於與子像素11A及11B之線相同之線之子像素11中之所有子像素11(其等各具有大於電壓Vofs之像素電壓Vsig)中開啟驅動電晶體DRTr後，源極電壓Vs彼此相等，即，各係電壓Vavg。電壓Vavg對應於已開啟之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之一平均值。
以此方式，平均化源極電壓Vs。因此，在子像素11A中，如圖10之(A)中所繪示，閘極至源極電壓Vgs減小達對應於一電位差△VA(=Vavg-VsA)之一量。在子像素11B中，如圖10之(B)中所繪示，閘極至源極電壓Vgs增加達對應於一電位差△VB(=VsB-Varg)之一量。明確言之，在此狀態中，子像素11A之照度減小，同時子像素11B之照度增加。顯示器1之校正處理區段40預先判定對應於源極電壓Vs(電位差△VA與△VB之各者)之一偏移之一電壓量，此一電壓偏移可能發生在子像素11之各者中，且藉由對應於電位差之一量預先校正照度資訊，且因此操作以抑制照度之一偏移。
圖11及圖12各繪示藉由校正處理區段40進行之校正處理之一效應，其中圖11繪示在子像素11A中之寫入操作之一時序圖，且圖12繪示在子像素11B中之寫入操作之一時序圖。在圖11及圖12中，(A)繪示基於校正之前之照度資訊I(一像素電壓Vsig1)之寫入操作，而(B)繪示基於校正之後之照度資訊J(一像素電壓Vsig)之寫入操作。
如上文所描述，例如，當子像素11A接收像素電壓VsigA1時，如圖11之(A)中所繪示，閘極至源極電壓Vgs減小達對應於電位差△VA(=Vavg-VsA)之一量。因此，如圖11之(B)中所繪示，校正處理區段40將照度資訊I校正為照度資訊J，使得像素電壓VsigA係比像素電壓VsigA1高對應於電位差△VA之量之一電壓(VsigA1+△VA)。類似地，當子像素11B接收像素電壓VsigB1時，如圖12之(A)中所繪示，閘極至源極電壓Vgs增加達對應於電位差△VB(=VsB-Varg)之一量。因 此，如圖12之(B)中所繪示，校正處理區段40將照度資訊I校正為照度資訊J，使得像素電壓VsigB係比像素電壓VsigB1低對應於電位差△VB之量之一電壓(VsigB1-△VB)。因此，抑制歸因於源極電壓之平均化之各子像素11之照度變動。
換言之，校正處理區段40校正照度資訊以防止一聚焦子像素11之發射照度藉由屬於相同線之任何其他子像素11之照度資訊而改變。明確言之，例如，在子像素11A中，電位差△VA(=Vavg-VsA)藉由屬於相同線之任何其他子像素11之照度資訊而改變。校正處理區段40將子像素11A之照度資訊I校正為照度資訊J，使得像素電壓Vsig改變達對應於子像素11A中之源極電壓Vs之偏移(電位差△VA)之一量。換言之，校正處理區段40校正子像素11A之照度資訊I，以便消除在子像素11A中之源極電壓Vs之偏移。因此，在顯示器1中，可減小一特定子像素11之照度藉由屬於相同線之任何其他子像素11之照度資訊改變之一可能性。
(用於校正處理之校正表達式)
現導出用於藉由校正處理區段40對照度資訊進行校正處理之校正表達式。在此例示性情況中，用「像素電壓Vsig1」代替「校正前之照度資訊I」且用「像素電壓Vsig」代替「校正後之照度資訊J」而便利地描述。在下文中，假定屬於一線之任何子像素11具有高於電壓Vofs(照度位準Lofs)之一像素電壓Vsig1(照度資訊I)而便利地描述。
圖13繪示子像素11之一等效電容。如圖13中所繪示，驅動電晶體DRTr具有在其之閘極與源極之間一等效電容Cgs。等效電容Cgs與電容器Cs並聯連接，且其電容值之總和等於一電容值C1。發光裝置OLED具有在其之陽極與陰極之間之一等效電容Coled。等效電容Coled與一電容器Csub並聯連接，且其電容值之總和等於一電容值C2。在下文中，假定電容值C1無關於子像素11而實質上恆定且電容 值C2亦無關於子像素11而實質上恆定以做出描述。此外，假定屬於一線之子像素11之驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth具有實質上相同值。如稍後所描述，在一製程中，將對應於一線之特定數目個子像素11配置於與ELA單元之一掃描方向D1正交但與離子植入單元之一掃描方向D2相同之一方向上，藉此可抑制屬於該一線之子像素11之驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth之間之變動。
首先，當將一像素電壓Vsig1(i)施加至對應於一線之子像素11中之一第i子像素11之一驅動電晶體DRTr之一閘極時，且當假定未平均化源極電壓時，判定一源極電壓Vs(i)。源極電壓Vs(i)對應於圖11中之VsA或VsB。藉由以下表達式表示源極電壓Vs(i)。
其中α係藉由C1/(C1+C2)表示之一電路參數。
透過源極電壓之平均化而平均化對應於一線之子像素11之源極電壓Vs(i)。藉由基於數值表達式(1)之以下表達式表示在平均化後之所得電壓Vavg。
隨後，判定在校正後之一像素電壓Vsig(i)。如圖11中所繪示，藉由使校正前之一像素電壓Vsig1(i)偏移達對應於源極電壓Vs(i)與電壓Vavg之間之差(電位差△VA或△VB)之一量而給定校正後之像素電壓 Vsig(i)。藉由基於數值表達式(1)及(2)之以下表達式表示像素電壓Vsig(i)。
在數值表達式(3)中，用照度資訊I(i)替代像素電壓Vsig1(i)，且用照度資訊J(i)替代像素電壓Vsig(i)，且因此獲得以下表達式。
校正處理區段40使用以此方式獲得之數值表達式(4)以針對線之各者基於屬於一線之子像素11之數筆照度資訊I(電壓Vsig1(1)至Vsig1(M))而判定數筆照度資訊J(電壓Vsig(1)至Vsig(M))。圖6中所繪示之校正處理區段40之各區塊基於數值表達式(4)執行計算處理。明確言之，平均值獲取區段41及乘法區段42執行數值表達式(4)之第二項之計算，且乘法區段53執行數值表達式(4)之第一項之計算。
儘管已假定屬於一線之所有子像素11之數筆照度資訊I(像素電壓Vsig1)之照度位準之任何者高於照度位準Lofs(電壓Vofs)而便利地描述此例示性情況，然若一些子像素11之數筆照度資訊I(像素電壓Vsig1)之照度位準之各者等於或低於照度位準Lofs(電壓Vofs)，則可期望執行此等計算以排除具有低照度位準之此等子像素11。明確言之，當顯示黑色時，照度資訊I之一照度位準可經調整以等於或低於照度位準Lofs以允許像素電壓Vsig等於或低於電壓Vofs。在此一低像素電壓Vsig所寫入之一子像素11中，驅動電晶體DRTr之閘極至源極電 壓Vgs低於臨限值電壓Vth(Vgs<Vth)；因此，未開啟驅動電晶體DRTr。因此，此一子像素11未促成源極電壓之平均化。藉由校正處理區段40進行之校正處理係校正藉由源極電壓之平均化引起之源極電壓Vs之一偏移，且因此若不促成源極電壓之平均化之一子像素11包含於待計算之子像素中，則可減小校正之精確度。因此，等於或低於照度位準Lofs之照度資訊I可期望地自待經計算用於校正處理之數筆照度資訊排除，使得專門計算促成源極電壓之平均化之子像素11。
明確言之，專門對在對應於一線之子像素11中其各者之照度資訊I之照度位準(一像素電壓Vsig1)高於照度位準Lofs(電壓Vofs)之子像素11執行數值表達式(4)之計算。另一方面，可期望不對其各者之照度資訊I之照度位準等於或低於照度位準Lofs之子像素11執行數值表達式(4)之計算，使得照度資訊I直接至照度資訊J中。對應於此，在圖6中所繪示之校正處理區段40中，平均值獲取區段41在數筆照度資訊I(1)至I(M)中選擇照度資訊I(其展示一照度位準L高於照度位準Lofs(L>Lofs))，且基於所選擇之照度資訊I獲取平均值Avg。黑色顯示判定區段51判定照度資訊I之一照度位準是否大於照度位準Lofs，且取決於此判定而判定是否對照度資訊I執行數值表達式(4)之計算。
以此方式，在顯示器1中，預先校正照度資訊，藉此可改良影像品質。明確言之，在不執行此校正處理之情況中，各子像素11中之閘極至源極電壓Vgs歸因於源極電壓之平均化而自一所要值偏移；因此，子像素11之照度可自一所要值偏移，從而導致影像品質降低之一可能性。相比之下，在顯示器1中，校正處理區段40預先校正照度資訊，以便消除歸因於源極電壓之平均化之源極電壓Vs之偏移；因此，減小照度偏移，藉此可抑制影像品質之降低。
(驅動電晶體DRTr之佈局)
在顯示器1中，如圖2中所繪示，電力供應電晶體DSTr連接至對 應於一線之(M)個子像素11。在對應於一線之子像素11中，驅動電晶體DRTr期望具有實質上相同的臨限值電壓Vth。否則，例如，在時序t3至時序t4之一週期內，對應於一線之子像素11之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs經平均化且因此實質上彼此相等，且因此可干擾先前Vth校正之結果，從而導致影像品質降低之一可能性。
例如，在電晶體之一製程中之多晶矽層140之一形成步驟可極大地影響驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth之間之變動。在形成步驟中，首先，在絕緣層130上形成一非晶矽層(圖4)。接著，使非晶矽層經受藉由ELA單元之退火處理，且因此形成多晶矽層140。接著，藉由離子植入單元將離子植入至多晶矽層140之通道區域141及LDD 142中。此外，藉由一離子摻雜單元將離子植入至接觸區域143中。藉由ELA單元之處理及藉由離子植入單元之處理之各者對驅動電晶體之臨限值電壓Vth之間之變動具有影響。
圖14示意性地繪示藉由ELA單元之處理引起之臨限值電壓Vth之間之變動。圖15示意性地繪示藉由離子植入單元之處理引起之臨限值電壓Vth之間之變動。圖14及圖15各繪示在一大玻璃基板99上提供複數個顯示區段10之一情況。
如圖14中所繪示，ELA單元在掃描方向D1上掃描玻璃基板99，同時以例如約數百赫茲重複開啟或關閉一條形雷射射束(射束LB1)且因此在玻璃基板99之整個表面上方執行處理。此時，每一發(every one shot)可改變雷射能量，且相應地可發生在掃描方向D1上鄰近之電晶體之特性之間之變動。在此一情況中，相較於在與掃描方向D1正交之一方向(圖14中之一橫向方向)上，在掃描方向D1(圖14中之一縱向方向)上可極大地改變電晶體之臨限值電壓Vth。
如圖15中所繪示，離子植入單元在掃描方向D2上掃描玻璃基板99，同時控制一條形雷射射束(射束LB2)連續開啟且因此在玻璃基板 99之整個表面上方執行處理。以此方式，離子植入單元連續輸出雷射射束；因此，不同於在使用上述ELA單元之情況中，在掃描方向D2上鄰近之電晶體之特性之間之變動較不可能發生。另一方面，在條形雷射射束之一主軸方向(與掃描方向D2正交之一方向)上，雷射能量可不均勻，且相應地可發生在主軸方向上鄰近之電晶體之特性之間之變動。在此一情況中，相較於在掃描方向D2(圖15中之一橫向方向)上，在與掃描方向D2正交之方向(圖15中之一總向方向)上可極大地改變電晶體之臨限值電壓Vth。
因此，如圖14及圖15中所繪示，將ELA單元之掃描方向D1與離子植入單元之掃描方向D2設定為彼此正交，藉此可抑制配置於圖14及圖15之各者中之橫向方向上之電晶體之臨限值電壓Vth之間之變動。
圖16繪示在顯示區段10中之子像素11之一佈局與掃描方向D1及D2之間之一關係。圖17繪示子像素11之驅動電晶體DRTr之一佈局與掃描方向D1及D2之間之一關係。
如圖16中所繪示，在顯示區段10中，將對應於個別線之子像素11配置於與掃描方向D1正交但與掃描方向D2相同之一方向(圖17中之一橫向方向)上。明確言之，如圖17中所繪示，將對應於個別線之子像素11之驅動電晶體DRTr配置於與掃描方向D1正交但與掃描方向D2相同之一方向(圖17中之橫向方向)上。安置各驅動電晶體DRTr使得其之一通道寬度(W)方向對應於掃描方向D1，且其之一通道長度(L)方向對應於掃描方向D2。
以此方式，在顯示器1中，將對應於個別線之子像素11配置於與掃描方向D1正交但與掃描方向D2相同之一方向(圖17中之橫向方向)上。此允許對應於一線之子像素11之驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth實質上彼此相等，藉此可減小影像品質降低之一可能性。
(比較實例)
現描述根據一比較實例之一顯示器1R。此比較實例經組態使得各子像素11包含一電力供應電晶體DSTr。
圖18繪示在顯示器1R中之一顯示區段10R之一例示性電路組態。在顯示區段10R中，子像素11R具有由三個電晶體(一寫入電晶體WSTr、一驅動電晶體DRTr及一電力供應電晶體DSTr)及兩個電容器形成之一所謂的「3Tr2C」組態。明確言之，儘管根據上述實施例之顯示區段10(圖2)經組態使得子像素11具有「2Tr2C」組態且針對對應於一線之特定數目個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr，然各子像素11R包含在根據此比較實例之顯示區段10R中之電力供應電晶體DSTr。
以此方式，在根據比較實例之顯示區段10R中，子像素11R之任何者具有所謂的「3Tr2C」組態，藉此導致電晶體數目之一增加。此不利地增加由四個子像素11R形成之一像素Pix之區域，且因此較不可能增加解析度。
相比之下，在根據上述實施例之顯示區段10中，針對對應於一線之特定數目個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr，藉此可減小電晶體之數目。此可減小一像素Pix之區域，藉此導致顯示器1之解析度之一增加。
[有利效果]
如上文所描述，在上述實施例中，針對對應於一線之特定數目個子像素提供一電力供應電晶體，藉此可增加顯示器之解析度。
此外，在上述實施例中，預先校正照度資訊使得消除歸因於源極電壓之平均化之源極電壓之一偏移。此可減小一聚焦子像素之發射照度藉由屬於相同線之另一子像素之照度資訊改變之一可能性，藉此導致影像品質之改良。此時，使其之照度位準高於照度位準Lofs之照 度資訊專門經受校正處理，藉此可提高校正精確度。
此外，在上述實施例中，將屬於個別線之子像素之驅動電晶體配置於與ELA單元之掃描方向正交但與離子植入單元之掃描方向相同之一方向。此允許驅動電晶體之臨限值電壓實質上彼此相等，藉此可抑制影像品質之降低。
[修改例1]
儘管在上述實施例中，影像信號處理區段30執行面板伽瑪轉換，然此並非限制性。替代地，一資料驅動區段27可執行面板伽瑪轉換。現詳細描述修改例1。
圖19繪示根據修改例1之一影像信號處理區段30B及一資料線驅動區段27B之一D/A轉換區段35B。在此例示性情況中，影像信號Sdisp係具有線性伽瑪特性之一影像信號。
影像信號處理區段30B包含一伽瑪轉換區段36B、一逆伽瑪轉換區段37B及一伽瑪設定區段38B。伽瑪轉換區段36B經組態以基於來自伽瑪設定區段38B之一指令而對自信號處理區段32供應之一影像信號執行伽瑪轉換。明確言之，伽瑪轉換區段36B經組態以執行類似於稍後所描述之藉由一面板伽瑪轉換區段39B進行之伽瑪轉換之伽瑪轉換。校正處理區段40經組態以對自伽瑪轉換區段36B供應之一影像信號執行照度資訊之校正處理。逆伽瑪轉換區段37B經組態以對自校正處理區段40供應之一影像信號執行伽瑪轉換(其之轉換特性與藉由伽瑪轉換區段36B進行之伽瑪轉換之特性相反)以產生一影像信號Sdisp2。明確言之，在此例示性情況中，影像信號Sdisp2係具有線性伽瑪特性之一信號。伽瑪設定區段38B經組態以對伽瑪轉換區段36B、逆伽瑪轉換區段37B及稍後描述之面板伽瑪轉換區段39B之各者指示適當伽瑪特性。
D/A轉換區段35B包含面板伽瑪轉換區段39B。如同根據上述實施 例之面板伽瑪轉換區段33，面板伽瑪轉換區段39B經組態以將具有線性伽瑪特性之一影像信號轉換成具有對應於顯示區段10之特性之非線性伽瑪特性之一影像信號。在此例示性情況中，面板伽瑪轉換區段39B連同D/A轉換區段35B一體地提供。明確言之，D/A轉換區段35B包含一梯形電阻網路，且將啟用面板伽瑪轉換之伽瑪特性之一分接頭電壓供應給梯形電路網路之分接頭之各者。基於來自伽瑪設定區段38B之一指令產生分接頭電壓。因此，根據非線性轉換特性，D/A轉換區段35B將照度資訊轉換成像素電壓Vsig。
透過此一組態，校正處理區段33對具有類似於經受面板伽瑪轉換之一信號之非線性伽瑪特性之非線性伽瑪特性之一信號執行照度資訊之校正處理。
[修改例2]
儘管在上述實施例中針對對應於一線之特定數目個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr，然此並非限制性。替代地，例如，可針對配置於一水平方向上之預定數目個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr。現詳細描述針對兩個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr之一例示性情況。
圖20繪示根據修改例2之一顯示區段10C之一例示性組態。如圖2()中所繪示，顯示區段10C包含在一列方向上延伸之電力控制線DSL及電力線PL2。電力控制線DSL之各者經組態以傳輸一電力控制信號DS1，且在其之一端處連接至一電力控制區段25。電力線PL2之各者經組態以傳輸一電力信號DS2，且在其之一端處連接至一電力驅動區段26。在此例示性情況中，針對在一水平(橫向)方向上鄰近之兩個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr。換言之，儘管在上述實施例中針對對應於一線之特定數目個子像素11提供一電力供應電晶體DSTr，然在根據修改例2之顯示區段10C中，針對兩個子像素11提供 一電力供應電晶體DSTr。電力供應電晶體DSTr之閘極連接至電力控制線DSL，其源極連接至電力線PL2，且其汲極連接至兩個子像素11之驅動電晶體DRTr之各自汲極。
當使用具有此一組態之顯示區段10C時，校正處理區段40基於對應於連接至電力供應電晶體DSTr之汲極之兩個子像素11之兩筆照度資訊I(1)及I(2)而獲得該兩筆照度資訊I(1)及I(2)之一平均值Avg，且基於該兩筆照度資訊I(1)及I(2)及該平均值Avg產生兩筆照度資訊J(1)及J(2)。此可減小兩個子像素11之一者之發射照度藉由其他子像素11之照度資訊I改變之一可能性，藉此導致影像品質之改良。
[修改例3]
儘管在上述實施例中使用兩個電晶體(寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr)及兩個電容器Cs及Csub提供具有一「2Tr2C」組態之子像素11，然此並非限制性。如圖21中所繪示，可提供具有無電容器Csub之一所謂的「2Tr1C」組態之一子像素12。在此情況中，例如，發光裝置OLED較佳可發射穿過一彩色濾光器以產生紅色(R)、綠色(R)、藍色(B)及白色(W)之四個色彩之白色光。此無關於子像素12而達成發光裝置OLED之等效電容之一實質上恆定電容值。替代地，可使用不同發光裝置OLED，該等發光裝置OLED具有相同等效電容值，但發射對應於個別子像素12之不同色彩(各發射紅色、綠色、藍色及白色之一者之光)。
在紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之子像素12R、12G、12B及12W之各自發光裝置OLED具有彼此不同的等效電容值之情況中，可期望針對子像素12之色彩之各者執行校正處理。現詳細描述修改例3。
圖22繪示根據修改例3之一顯示區段10E之一例示性電路組態。顯示區段10E包含電力線PLA及PLB及電力供應電晶體DSATr及 DSBTr。在子像素12R及12G所屬之線之各者中，電力線PLA連接至M/2個子像素12R，而電力線PLB連接至M/2個子像素12G。在子像素12W及12B所屬之線之各者中，電力線PLA連接至M/2個子像素12W，而電力線PLB連接至M/2個子像素12B。電力線PLA之一端連接至電力供應電晶體DSATr之汲極，而電力線PLB之一端連接至電力供應電晶體DSBTr之汲極。電力供應電晶體DSATr之源極連接至電力供應電晶體DSBTr之源極及一電力驅動區段26(未展示)，電力供應電晶體DSATr之閘極連接至電力供應電晶體DSBTr之閘極及一電力控制區段25(未展示)，且電力供應電晶體DSATr之汲極連接至電力線PLA。電力供應電晶體DSBTr之源極連接至電力供應電晶體DSATr之源極及電力驅動區段26(未展示)，電力供應電晶體DSBTr之閘極連接至電力供應電晶體DSATr之閘極及電力控制區段25(未展示)，且電力供應電晶體DSBTr之汲極連接至電力線PLB。
在使用具有此一組態之顯示區段10E之情況中，校正處理區段40針對子像素12之色彩之各者執行校正處理。明確言之，校正處理區段40在子像素12R及12G所屬之一線上執行校正處理，該校正處理包含：基於對應於連接至電力供應電晶體DSATr之汲極之M/2個子像素12R之M/2筆照度資訊I獲得該M/2筆照度資訊I之一平均值Avg；基於該數筆照度資訊I及該平均值Avg產生照度資訊J；基於對應於連接至電力供應電晶體DSBTr之汲極之M/2個子像素12G之M/2筆照度資訊I獲得該M/2筆照度資訊I之一平均值Avg；及基於該數筆照度資訊I及該平均值Avg產生照度資訊J。類似地，校正處理區段40在子像素12W及12B所屬之一線上執行校正處理，該校正處理包含：基於對應於連接至電力供應電晶體DSATr之汲極之M/2個子像素12W之M/2筆照度資訊I獲得該M/2筆照度資訊I之一平均值Avg；基於該數筆照度資訊I及該平均值Avg產生照度資訊J；基於對應於連接至電力供應電晶體DSBTr 之汲極之M/2個子像素12B之M/2筆照度資訊I獲得該M/2筆照度資訊I之一平均值Avg；及基於該數筆照度資訊I及該平均值Avg產生照度資訊J。此可減小在M/2個子像素12中之一聚焦子像素12之發射照度藉由另一子像素12之照度資訊I改變之一可能性，從而導致影像品質之改良。
[修改例4]
儘管在上述實施例中，TFT經組態使得閘極電極110提供在多晶矽層140下方，然TFT組態並不限於此。替代地，例如，閘極電極可提供在多晶矽層上方。現詳細描述修改例4。
圖23繪示TFT之一例示性組態，其中(A)繪示一截面圖，且(B)繪示一相關部分平面圖。該TFT包含一閘極電極250及一多晶矽層230。多晶矽層230提供在形成於一基板100上之絕緣層210及220上。例如，絕緣層210可由氮化矽(SiNx)形成，且絕緣層220可由氧化矽(SiO2)形成。如同上述實施例，多晶矽層230係由一通道區域231、LDD 232及一接觸區域233組態。在多晶矽層230上提供一絕緣層240。例如，絕緣層240可由氧化矽(SiO2)形成。在絕緣層240上提供閘極電極250。例如，閘極電極250可由鉬Mo形成。以此方式，在此例示性情況中，將閘極電極250提供在多晶矽層230上方。換言之，TFT具有一所謂的頂部閘極結構。在閘極電極250及絕緣層240上依序提供絕緣層260及270。例如，絕緣層260可由氧化矽(SiO2)形成，且絕緣層270可由氮化矽(SiNx)形成。在絕緣層270上提供一互連280。在對應於多晶矽層230之一接觸區域233之一區域中提供穿過絕緣層240、260及270之一開口。互連280經提供以便經由開口連接至接觸區域233。
[修改例5]
儘管在上述實施例中，各驅動電晶體DRTr經安置使得其之通道長度(L)方向對應於掃描方向D2，然此並非限制性。替代地，例如， 如圖24中所繪示，驅動電晶體DRTr可經安置使得其之通道寬度(W)對應於掃描方向D2。
[2.應用實例]
現描述在上述實施例及修改例中描述之顯示器之各者之應用實例。
圖23繪示應用根據上述實施例及修改例之顯示器之任何者之一電視單元之外觀。電視單元可具有(例如)包含一前面板511及一濾光玻璃512之一影像顯示螢幕區段510。影像顯示螢幕區段510係由根據上述實施例及修改例之顯示器之任何者組態。
根據上述實施例及修改例之任何者之顯示器適用於任何領域中之一電子設備。除電視單元外，電子設備之實例可包含一數位相機、一筆記型個人電腦、一行動終端機單元(諸如一行動電話)、一攜帶型視訊遊戲機及一攝影機。換言之，根據上述實施例及修改例之顯示器適用於任何領域中顯示影像之一電子設備。
儘管已用實施例、修改例及上文電子設備之應用實例描述根據本發明之技術，然該技術並不限於此，且可做出各種修改或變更。
例如，儘管在上述實施例及修改例中，像素Pix係由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11組態，然像素Pix並不限於此。替代地，例如，像素Pix可由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及黃色(Y)之四個子像素11組態，或可由紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三色子像素11組態。
此外，例如，儘管在上述實施例及修改例中，寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr各由一負通道金屬氧化物半導體(NMOS)組態，然電晶體並不限於此。替代地，此等電晶體之一者或兩者可由一正通道金屬氧化物半導體(PMOS)組態。類似地，例如，儘管在上述實施例及修改例中，電力供應電晶體DSTr係由PMOS組態，然電晶體並不限 於此。替代地，電力供應電晶體DSTr可由NMOS組態。
應注意，根據本發明之技術可如以下組態。
(1)一種顯示器，其包含：複數個單元像素；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該複數個單元像素各包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，該控制電晶體安置於該驅動電流至由該複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以獲得對應於該預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊。
(2)根據(1)之顯示器，其中該複數筆照度資訊之各者係具有高於該預定數目筆照度資訊中之一預定照度位準之一照度位準之照度資訊。
(3)根據(1)或(2)之顯示器，其中該校正處理區段使用以下表達式藉由用照度資訊J替代照度資訊I執行校正，J=(1-α)×I+α×Avg
其中Avg表示信號平均值，且α係(含)0至(含)1之一常數。
(4)根據(1)至(3)中任一項之顯示器，其中該單元像素群組係由對應於一像素線之單元像素組態。
(5)根據(1)至(3)中任一項之顯示器，其中該單元像素群組係由對應於一像素線之單元像素中之兩個或兩個以上單元像素組態。
(6)根據(5)之顯示器，其中該兩個或兩個以上單元像素顯示色彩彼此相同。
(7)根據(1)至(6)中任一項之顯示器，其進一步包含一驅動區段，其包含一D/A轉換區段，該D/A轉換區段經組態以透過線性轉換將藉由該校正處理區段校正之該數筆照度資訊之各者轉換成一像素電壓，該數筆照度資訊之各者係一數位信號。
(8)根據(1)至(6)中任一項之顯示器，其進一步包含：一轉換區段，其經組態以對藉由該校正處理區段校正之該數筆照度資訊之各者執行非線性轉換，該數筆照度資訊之各者係一數位信號；及一驅動區段，其包含經組態以在對經受該非線性轉換之該照度資訊執行伽瑪轉換時將該照度資訊轉換成一像素電壓之一D/A轉換區段，其中該非線性轉換具有與該伽瑪轉換之轉換特性相反之轉換特性。
(9)根據(7)或(8)之顯示器，其中該單元像素進一步包含一電容器，及該驅動電晶體包含一閘極，其連接至該電容器之一第一端，一源極，其連接至該電容器之一第二端及該顯示裝置，及一汲極，其連接至該控制電晶體。
(10)根據(9)之顯示器，其中在一第一週期中，該驅動區段將該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者之一閘極電壓設定至一第一電壓，且將該等驅動電晶體之各者之一源極電壓設定至一第二電壓，及在該第一週期之後之一第二週期中，該驅動區段將該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者之該閘極電壓設定至該第一電壓，且開啟該控制電晶體以引起一電流流動通過該單元像素群組中之該等驅 動電晶體之各者以改變該等驅動電晶體之各者之該源極電壓。
(11)根據(10)之顯示器，其中在該第二週期之後之一第三週期中，該驅動區段關閉該控制電晶體，且將該像素電壓施加至該單元像素群組中之該等單元像素之各者之該驅動電晶體之該閘極，該像素電壓對應於該個別單元像素。
(12)一種顯示器，其包含：複數個單元像素；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該複數個單元像素各包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，該控制電晶體安置於該驅動電流至由該複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以校正該單元像素群組中之一聚焦單元像素之照度資訊以防止該聚焦單元像素之照度藉由除該單元像素群組中之該聚焦單元像素外之一單元像素之照度資訊而改變。
(13)一種顯示器驅動電路，其包含：一校正處理區段；及一驅動區段，其中該校正處理區段經組態以獲得對應於一單元像素群組之預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊，該單元像素群組係由各之複數個單元像素中之該預定數目個單元像素形成，各單元像素包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，一控制電晶體安置於該驅動電流至該單元像素群組之一電流路徑上，及 該驅動區段經組態以基於該數筆經校正照度資訊驅動該等單元像素。
(14)一種顯示器驅動方法，其包含：獲得對應於一單元像素群組之預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，該單元像素群組係由複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成，各單元像素包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，一控制電晶體安置於該驅動電流至該單元像素群組之一電流路徑上；基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊；及基於該數筆經校正照度資訊驅動該等單元像素。
(15)一種具有一顯示器及經組態以對該顯示器執行操作控制之一控制區段之電子設備，該顯示器包含：複數個單元像素；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該複數個單元像素各包含一顯示裝置及經組態以將一驅動電流供應至該顯示裝置之一驅動電晶體，該控制電晶體安置於該驅動電流至由該複數個單元像素中之預定數目個單元像素形成之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以獲得對應於該預定數目個單元像素之預定數目筆照度資訊中之複數筆照度資訊之一信號平均值，且基於該信號平均值校正該複數筆照度資訊。
(16)一種顯示器，其包括：複數個像素電路，其等分別包含一顯示元件及經組態以根據一 照度資訊值而將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該控制電晶體安置於將該驅動電流提供至包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於該單元像素群組中之該等像素電路之各者之該等照度資訊值之一函數；及基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正。
(17)根據(16)之顯示器，其中該函數包含該單元像素群組中之該等像素電路之該等照度資訊值之一平均值。
(18)根據(16)或(17)之顯示器，其中該校正處理區段僅針對該單元像素群組中具有高於一預定照度位準之該照度資訊值之該等像素電路執行該校正。
(19)根據(16)至(18)中任一項之顯示器，其中該校正處理區段使用以下表達式藉由用照度資訊J替代照度資訊I執行該校正，J=(1-α)×I+α×Avg
其中Avg表示該平均值，且α係(含)0至(含)1之一常數。
(20)根據(16)至(19)中任一項之顯示器，其中該等像素電路配置成具有列及行之一矩陣，且該單元像素群組係該等像素電路之一列。
(21)根據(16)至(20)中任一項之顯示器，其中該等像素電路配置成具有列及行之一矩陣，且該單元像素群組係該等像素電路之一列之一子集。
(22)根據(16)至(21)中任一項之顯示器，其中該子集中之該等像素電路對應於相同色彩。
(23)根據(16)至(22)中任一項之顯示器，其進一步包括包含一D/A 轉換區段之一驅動區段，該D/A轉換區段經組態以透過線性轉換將藉由該校正處理區段校正之該等照度資訊值之各者轉換成一像素電壓，該等照度資訊值之各者係一數位信號。
(24)根據(16)至(23)中任一項之顯示器，其進一步包括：一轉換區段，其經組態以對藉由該校正處理區段校正之該等照度資訊值之各者執行非線性轉換，該等照度資訊值之各者係一數位信號；及一驅動區段，其包含一D/A轉換區段，該D/A轉換區段經組態以在對經受該非線性轉換之該等照度資訊值執行伽瑪轉換時將該等照度資訊值轉換成一像素電壓，其中該非線性轉換具有與該伽瑪轉換之轉換特性相反之轉換特性。
(25)根據(16)至(24)中任一項之顯示器，其中該等像素電路分別包含一電容器，及該驅動電晶體包含一閘極，其連接至該電容器之一第一端，一源極，其連接至該電容器之一第二端及該顯示元件，及一汲極，其連接至該控制電晶體。
(26)根據(16)至(25)中任一項之顯示器，其中在一第一週期中，該驅動區段將該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者之一閘極電壓設定至一第一電壓，且將該等驅動電晶體之各者之一源極電壓設定至一第二電壓，及在該第一週期以後之一第二週期中，該驅動區段將該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者之該閘極電壓設定至該第一電壓，且開啟該控制電晶體以引起一電流流動通過該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者以改變該等驅動電晶體之各者之該源極電壓。
(27)根據(16)至(26)中任一項之顯示器，其中在該第二週期以後之一第三週期中，該驅動區段關閉該控制電晶體，且將一像素電壓分別施加至該單元像素群組中之該等像素電路之各者之該驅動電晶體之該閘極。
(28)一種顯示器，其包括複數個像素電路，其等分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該控制電晶體安置於將該驅動電流提供至包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以校正該單元像素群組中之一聚焦像素電路之照度資訊值以防止該聚焦像素電路之照度藉由該單元像素群組中之另一像素電路之照度資訊而改變。
(29)一種用於驅動像素電路之顯示器驅動電路，該等像素電路分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體，該顯示器驅動電路包括：一校正處理區段；及一驅動區段，其中該校正處理區段經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組中之該等像素電路之各者之照度資訊值之一函數，其中一控制電晶體安置於將該驅動電流提供至該單元像素群組之一電流路徑上；及基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正，該驅動區段經組態以基於該經校正照度資訊驅動該單元像素群 組中之該等像素電路。
(30)一種用於驅動像素電路之方法，該等像素電路分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體，該方法包括：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組中之該等像素電路之各者之照度資訊值之一函數，其中一控制電晶體安置於將該驅動電流提供至該單元像素群組之一電流路徑上，且基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正；及基於該經校正照度資訊驅動該單元像素群組中之該等像素電路。
(31)一種電子設備，其包括一根據(16)之顯示器及經組態以對該顯示器執行操作控制之一控制區段。
(32)根據(29)之顯示器驅動電路，其中該函數包含該單元像素群組中之該等像素電路之該等照度資訊值之一平均值。
(33)根據(29)或(32)之顯示器驅動電路，其中該校正處理區段僅針對該單元像素群組中具有高於一預定照度位準之該照度資訊值之該等像素電路執行該校正。
(34)根據(31)之電子設備，其中該函數包含該單元像素群組中之該等像素電路之該等照度資訊值之一平均值。
(35)根據(31)或(34)之電子設備，其中該校正處理區段僅針對該單元像素群組中具有高於一預定照度位準之該照度資訊值之該等像素電路執行該校正。
熟習此項技術者應瞭解，各種修改、組合、子組合及變更可取決於設計要求及其他因數而發生，只要該等修改、組合、子組合及變更係在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內。
1‧‧‧顯示器
10‧‧‧顯示區段
11‧‧‧子像素
20‧‧‧驅動區段
22‧‧‧時序產生區段
23‧‧‧掃描線驅動區段
25‧‧‧電力控制區段
26‧‧‧電力驅動區段
27‧‧‧資料線驅動區段
30‧‧‧影像信號處理區段
Pix‧‧‧像素
Sdisp‧‧‧影像信號
Sdisp2‧‧‧影像信號
Ssync‧‧‧同步信號

Claims (20)

  1. 一種顯示器，其包括：複數個像素電路，其等分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值而將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該控制電晶體安置於將該驅動電流提供至包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於該單元像素群組中之該等像素電路之各者之該等照度資訊值之一函數；及基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正。
  2. 如請求項1之顯示器，其中該函數包含該單元像素群組中之該等像素電路之該等照度資訊值之一平均值。
  3. 如請求項1之顯示器，其中該校正處理區段僅針對該單元像素群組中具有高於一預定照度位準之該照度資訊值之該等像素電路執行該校正。
  4. 如請求項2之顯示器，其中該校正處理區段使用以下表達式藉由用照度資訊J替代照度資訊I執行該校正，J=(1-α)×I+α×Avg其中Avg表示該平均值，且α係(含)0至(含)1之一常數。
  5. 如請求項1之顯示器，其中該等像素電路配置成具有列及行之一矩陣，且該單元像素群組係該等像素電路之一列。
  6. 如請求項1之顯示器，其中該等像素電路配置成具有列及行之一 矩陣，且該單元像素群組係該等像素電路之一列之一子集。
  7. 如請求項6之顯示器，其中該子集中之該等像素電路對應於相同色彩。
  8. 如請求項1之顯示器，其進一步包括一驅動區段，其包含一D/A轉換區段，該D/A轉換區段經組態以透過線性轉換將藉由該校正處理區段校正之該等照度資訊值之各者轉換成一像素電壓，該等照度資訊值之各者係一數位信號。
  9. 如請求項1之顯示器，其進一步包括：一轉換區段，其經組態以對藉由該校正處理區段校正之該等照度資訊值之各者執行非線性轉換，該等照度資訊值之各者係一數位信號；及一驅動區段，其包含一D/A轉換區段，該D/A轉換區段經組態以在對經受該非線性轉換之該等照度資訊值執行伽瑪轉換時將該等照度資訊值轉換成一像素電壓，其中該非線性轉換具有與該伽瑪轉換之轉換特性相反之轉換特性。
  10. 如請求項8之顯示器，其中該等像素電路分別包含一電容器，及該驅動電晶體包含一閘極，其連接至該電容器之一第一端，一源極，其連接至該電容器之一第二端及該顯示元件，及一汲極，其連接至該控制電晶體。
  11. 如請求項10之顯示器，其中在一第一週期中，該驅動區段將該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者之一閘極電壓設定至一第一電壓，且將該等驅 動電晶體之各者之一源極電壓設定至一第二電壓，及在該第一週期以後之一第二週期中，該驅動區段將該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者之該閘極電壓設定至該第一電壓，且開啟該控制電晶體以引起一電流流動通過該單元像素群組中之該等驅動電晶體之各者以改變該等驅動電晶體之各者之該源極電壓。
  12. 如請求項11之顯示器，其中在該第二週期以後之一第三週期中，該驅動區段關閉該控制電晶體，且將一像素電壓分別施加至該單元像素群組中之該等像素電路之各者之該驅動電晶體之該閘極。
  13. 一種顯示器，其包括：複數個像素電路，其等分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體；一控制電晶體；及一校正處理區段，其中該控制電晶體安置於將該驅動電流提供至包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組之一電流路徑上，及該校正處理區段經組態以校正該單元像素群組中之一聚焦像素電路之照度資訊值以防止該聚焦像素電路之照度藉由該單元像素群組中之另一像素電路之照度資訊而改變。
  14. 一種用於驅動像素電路之顯示器驅動電路，該等像素電路分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體，該顯示器驅動電路包括：一校正處理區段；及一驅動區段，其中 該校正處理區段經組態以：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組中之該等像素電路之各者之照度資訊值之一函數，其中一控制電晶體安置於將該驅動電流提供至該單元像素群組之一電流路徑上；及基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正，該驅動區段經組態以基於該經校正照度資訊驅動該單元像素群組中之該等像素電路。
  15. 一種用於驅動像素電路之方法，該等像素電路分別包含一顯示元件及經組態以根據一照度資訊值將一驅動電流提供至該顯示元件之一驅動電晶體，該方法包括：獲得一校正因數，該校正因數係分別對應於包含兩個或兩個以上該等像素電路之一單元像素群組中之該等像素電路之各者之照度資訊值之一函數，其中一控制電晶體安置於將該驅動電流提供至該單元像素群組之一電流路徑上，且基於該校正因數對該單元像素群組中之該等像素電路之至少一者執行該照度資訊值之一校正；及基於該經校正照度資訊驅動該單元像素群組中之該等像素電路。
  16. 一種電子設備，其包括一如請求項1之顯示器及經組態以對該顯示器執行操作控制之一控制區段。
  17. 如請求項14之顯示器驅動電路，其中該函數包含該單元像素群組中之該等像素電路之該等照度資訊值之一平均值。
  18. 如請求項14之顯示器驅動電路，其中該校正處理區段僅針對該單元像素群組中具有高於一預定照度位準之該照度資訊值之該等像素電路執行該校正。
  19. 如請求項16之電子設備，其中該函數包含該單元像素群組中之該等像素電路之該等照度資訊值之一平均值。
  20. 如請求項16之電子設備，其中該校正處理區段僅針對該單元像素群組中具有高於一預定照度位準之該照度資訊值之該等像素電路執行該校正。
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