JP7321113B2 - 触媒容器 - Google Patents
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Description
粒状の触媒が収容され、処理対象ガスが通流可能な触媒容器であって、
前記処理対象ガスが下方から上方に向かって通流する容器本体と、
前記容器本体の下面に接続され、前記処理対象ガスを前記容器本体に供給する供給流路とを備え、
前記容器本体は、
前記供給流路が一部に接続され、前記処理対象ガスが導入される導入部と、
前記導入部に対して上方に位置し、前記粒状の触媒を収容する触媒収容部と、
前記導入部と前記触媒収容部とを区画する仕切り体とを有し、
前記仕切り体は、前記粒状の触媒の前記導入部への落下を阻止するとともに、前記処理対象ガスを前記導入部から前記触媒収容部へと通過させる複数の開口部を有しており、
前記供給流路は、前記導入部と面する前記仕切り体の下面と交差する上下方向に延びており、
前記仕切り体は、前記供給流路が前記導入部に接続された部分の上方に対応する部分において、前記処理対象ガスの通過を阻止する通過阻止領域を有する点にある。
前記仕切り体の前記通過阻止領域には開口部が形成されていない点にある。
前記仕切り体に形成された前記複数の開口部のうち、前記通過阻止領域に対応する複数の開口部を塞ぐ通過阻止部材を備える点にある。
前記仕切り体は板状部材であり、前記通過阻止部材は、前記仕切り体の板状面に沿う板状部材である点にある。
前記通過阻止部材は、液体状態から固体状態に硬化することで前記通過阻止領域に対応する複数の開口部を塞ぐ硬化性部材である点にある。
以下、図面に基づいて、本発明に係る触媒容器を水素含有ガス(燃料ガス)生成用のガス処理装置に適用した場合の実施形態を説明する。
ガス処理装置10の全体構成について図1を用いて説明する。図1に示すように、水素含有ガス生成用のガス処理装置10は、処理対象ガスに所定の処理を施す処理部として、炭化水素系の原燃料ガス(例えば、13A等の天然ガスベースの都市ガス)に対して脱硫処理を施す脱硫器11と、脱硫器11から供給される脱硫後の原燃料ガスを改質して改質ガスを生成する改質器13と、改質ガス中の一酸化炭素ガスを二酸化炭素ガスに変成するCO変成器15と、改質済みの改質ガスに含まれる一酸化炭素ガスを選択的に酸化するCO選択酸化反応器17とを備えている。
なお、本実施形態では、原燃料ガスに硫黄が含まれる場合を例示しており、原燃料ガスを脱硫処理するために脱硫器11が設けられている。
そして、脱硫器11は、脱硫触媒11cを所定の脱硫処理用の脱硫処理温度(例えば200~270℃)に昇温させた状態で、原燃料ガスを脱硫する。この場合、改質器13を経た改質ガスの一部をリサイクルガスとして脱硫器11に供給してもよい。これにより、リサイクルガス中の水素ガスにより原燃料ガス中の硫黄化合物が水素化されると共に、脱硫触媒11cがその水素化物を吸着して脱硫する。なお、脱硫触媒11cは、例えば、ニッケル、コバルト、モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、クロム等の触媒作用させる物質をセラミック製等の多孔質粒状体に担持させて構成される。
改質器13には、脱硫器11により脱硫後の原燃料ガスが供給されるとともに、水蒸気化された改質水が供給される。改質器13は、改質触媒13cを所定の改質処理用の改質処理温度(例えば600~700℃の範囲)に昇温させた状態で、脱硫後の原燃料ガスを水蒸気改質する。
原燃料ガスがメタンガスを主成分とする天然ガスである場合、改質器13は、下記の反応式によりメタンガスを水蒸気と反応させて改質処理することで改質ガスを生成する。下記反応式では、改質ガスには、水素ガス、一酸化炭素ガス及び二酸化炭素ガスが含まれる。なお、改質触媒13cは、ルテニウム、ニッケル、白金等の触媒作用させる物質をセラミック製等の多孔質粒状体に担持させて構成される。
CH4+H2O→CO+3H2
CO変成器15は、変成触媒15cを所定の変成処理用の変成処理温度(例えば150~250℃の範囲)に昇温させた状態で、下記の反応式にて改質ガス中の一酸化炭素ガスを水蒸気と反応させて、二酸化炭素ガスに変成させる。なお、変成触媒15cは、白金、ルテニウム、ロジウム等の触媒作用させる物質をセラミック製等の多孔質粒状体に担持させて構成される。
CO選択酸化反応器17は、選択酸化触媒17cを所定の選択酸化処理用の選択酸化処理温度(例えば、80~100℃の範囲)に昇温させた状態で、変成処理後の改質ガス中に残っている一酸化炭素ガスを選択酸化させる。これにより、CO選択酸化反応器17は、燃料電池20に供給可能な水素含有ガス(燃料ガス)を生成する。水素含有ガスは、一酸化炭素ガス濃度の低い(例えば10ppm以下)水素リッチな水素含有ガスとして生成される。なお、選択酸化触媒17cは、白金、ルテニウム、ロジウム等の触媒作用させる物質をセラミック製等の多孔質粒状体に担持させて構成される。
次に、触媒容器30について説明する。上述の通り脱硫器11、改質器13、CO変成器15及びCO選択酸化反応器17の各処理部は、それぞれ触媒容器30を有しており、各処理部で所定の処理を行うために所定の触媒11c、13c、15c、17cが収容されている。触媒容器30の構成は各処理部で構成が同様であるため、以下では脱硫器11の触媒容器30を例に挙げて説明する。
また、触媒収容部Ruは導入部Rbよりも広い空間に形成されており、より多くの触媒を収容可能となっている。
なお、触媒容器30が備えられた装置の起動及び停止等により触媒容器30に膨張及び収縮の力が加わるが、これにより触媒収容部Ruに収容された触媒が圧壊して細分化し、細分化触媒となる。
具体例としては、例えば複数の孔を形成しない領域を有する仕切り体41の検討例、複数の孔43の一部が板状部材で覆われた仕切り体41の検討例、複数の孔43の一部が硬化性部材で覆われた仕切り体41の検討例が挙げられる。以下に、それぞれについて説明する。
なお、図5~図7に示すように、供給流路31は上下方向に延びており、供給流路31の上端部は容器本体Rの下面に接続されて、導入部Rbと連通している。そして、供給流路31の上下方向と、水平面である仕切り体41の下面とは交差している。
図5では、上下方向に延びた供給流路31の上方において、仕切り体41には孔が形成されておらず、これにより処理対象ガスの通過が阻止される通過阻止領域Iが形成されている。そして、仕切り体41の板状面のうち、通過阻止領域Iを除く部分は、処理対象ガスの通過可能な通過可能領域IIとして形成されている。つまり、仕切り体41は、予め、孔が形成されない通過阻止領域Iと複数の孔43が形成されている通過可能領域IIとを有するように形成できる。
なお、通過阻止領域Iの端部は、触媒容器30の-X方向側の端部に接触して配置されている。これにより、触媒容器30の導入部Rbの-X方向側には、導入部Rbの底面と、-X方向の側面と、-Y方向の側面と、+Y方向の側面と、仕切り体41の通過阻止領域Iとにより閉塞空間が形成されている。そして、供給流路31は、図5等に示すように、触媒容器30の-X方向側に偏った位置に取り付けられており、通過阻止領域Iは、供給流路31の上方を中心に覆うように配置されている。
図6では、上下方向に延びた供給流路31の上方において、仕切り体41には複数の孔43の一部を塞ぐ通過阻止部材45が取り付けられている。通過阻止部材45には孔が形成されていない。よって、通過阻止部材45が取り付けられている部分によって、処理対象ガスの通過が阻止される通過阻止領域Iが形成されている。仕切り体41の板状面のうち、通過阻止領域Iを除く部分は、処理対象ガスの通過可能な通過可能領域IIとして形成されている。よって、仕切り体41に予め形成された複数の孔43の一部を、別部材の通過阻止部材45により後から塞ぎ、通過阻止領域Iを形成できる。
また、仕切り体41及び通過阻止部材45はともに板状部材であるため、通過阻止部材45を仕切り体41に沿わせることで仕切り体41に予め形成された複数の孔43を塞ぐことができる。
その他の構成は図5と同様であり、処理対象ガスの挙動も同様である。
なお、通過阻止部材45は、仕切り体41の上面に設けてもよいし、下面に設けてもよい。
図7では、上下方向に延びた供給流路31の上方において、仕切り体41には複数の孔43の一部を塞ぐように硬化性部材48が配置されており、この硬化性部材48により通過阻止領域Iが形成される。硬化性部材48は、例えば、仕切り体41に対して滴下及び塗布等された液体状態の硬化性材料が、液体状態から固体状態に硬化することで形成される。そして、仕切り体41の板状面のうち、通過阻止領域Iを除く部分は、処理対象ガスの通過可能な通過可能領域IIとなる。よって、仕切り体41に予め形成された複数の孔43の一部を、硬化性部材48により後から塞ぎ、通過阻止領域Iを形成できる。硬化性材料としては、硬化可能な材料であれば特に限定されないが、例えば硬化性樹脂等が挙げられる。
その他の構成は図5と同様であり、処理対象ガスの挙動も同様である。
なお、硬化性部材48は、仕切り体41の上面に設けてもよいし、下面に設けてもよい。
旋回流は、供給流路31から導入部Rbに導入された処理対象ガスが、ある程度流速の速い状態で仕切り体41及び導入部Rbの内壁等と接触することにより生じ易い。この旋回流が導入部Rb内に導入されることで粉粒が導入部Rbに落下し、供給流路31を閉塞させる。そこで、本実施形態では、上述の通り、仕切り体41に通過阻止領域Iを形成する。通過阻止領域Iを形成することにより旋回流が導入部Rb内に導入されるのが抑制できる点について以下に実験結果を示して説明する。
図6の例において、導入部Rbは、L1=65mm、L2=200mm、L3=40mm、L4=160mm、L5=20mm、W1=20mmである。また、仕切り体41の開口率=23%である。
図8の従来の触媒容器60の各部の寸法の一例は、通過阻止領域Iを備えていない点以外、上記図6の例と同様である。
従来の触媒容器60において、供給流路61から処理対象ガスが導入部Rbに導入されているが、流速の速い領域Aの部分が仕切り体71に向かって勢いよく衝突し、領域Eにおいて旋回流が生じている。そして、従来の触媒容器60では、導入部Rbの領域Eにおいて生じた旋回流が、触媒収容部Ru内の-X方向側の領域Gに一部入り込んでおり、領域Gにおいて多数の流跡線が示されている。なお、領域Fは、導入部Rbの空間が領域Eよりも+X及び-X方向において広い。よって、領域Fでは旋回流は生じていない。
なお上述の実施形態(他の実施形態を含む、以下同じ)で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することが可能であり、また、本明細書において開示された実施形態は例示であって、本発明の実施形態はこれに限定されず、本発明の目的を逸脱しない範囲内で適宜改変することが可能である。
30 :触媒容器
31 :供給流路
41 :仕切り体
43 :孔
45 :通過阻止部材
48 :硬化性部材
I :通過阻止領域
II :通過可能領域
R :容器本体
Rb :導入部
Ru :触媒収容部
Claims (5)
- 粒状の触媒が収容され、処理対象ガスが通流可能な触媒容器であって、
前記処理対象ガスが下方から上方に向かって通流する容器本体と、
前記容器本体の下面に接続され、前記処理対象ガスを前記容器本体に供給する供給流路とを備え、
前記容器本体は、
前記供給流路が一部に接続され、前記処理対象ガスが導入される導入部と、
前記導入部に対して上方に位置し、前記粒状の触媒を収容する触媒収容部と、
前記導入部と前記触媒収容部とを区画する仕切り体とを有し、
前記仕切り体は、前記粒状の触媒の前記導入部への落下を阻止するとともに、前記処理対象ガスを前記導入部から前記触媒収容部へと通過させる複数の開口部を有しており、
前記供給流路は、前記導入部と面する前記仕切り体の下面と交差する上下方向に延びており、
前記仕切り体は、前記供給流路が前記導入部に接続された部分の上方に対応する部分において、前記処理対象ガスの通過を阻止する通過阻止領域を有する、触媒容器。 - 前記仕切り体の前記通過阻止領域には開口部が形成されていない、請求項1に記載の触媒容器。
- 前記仕切り体に形成された前記複数の開口部のうち、前記通過阻止領域に対応する複数の開口部を塞ぐ通過阻止部材を備える、請求項1に記載の触媒容器。
- 前記仕切り体は板状部材であり、前記通過阻止部材は、前記仕切り体の板状面に沿う板状部材である、請求項3に記載の触媒容器。
- 前記通過阻止部材は、液体状態から固体状態に硬化することで前記通過阻止領域に対応する複数の開口部を塞ぐ硬化性部材である、請求項3に記載の触媒容器。
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