CN101561992A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

在此公开了一种显示装置，具有像素阵列部分，该像素阵列部分包括：像素电路，每个被提供了驱动晶体管和电光器件，并且被布局以形成矩阵；以及引线，被提供在所述像素电路的每个中用作将所述驱动晶体管连接到电源供应线的线，其中，在靠近向所述电源供应线施加电源电压的源的所述像素电路中，所述引线的电阻相对较大。

Description

显示装置

技术领域

本申请涉及采用每个具有电光器件的像素电路的显示装置。该像素电路也仅称作像素，而电光器件也被称作显示器件或发光器件。为了更详细，本发明涉及这样的显示装置：其中每个像素电路采用电光器件来用作发出具有根据驱动该器件的驱动信号的幅度而变化的亮度的光的电驱动显示器件，并采用用于控制驱动信号的有源元件使得可以驱动显示装置以像素为单位显示图像。

背景技术

存在采用每个具有用作显示器件的电光器件的像素电路的显示装置，该显示器件发出具有根据如下驱动信号的幅度而变化的亮度的光：该驱动信号是被施加到该器件的电压或流经该器件的电流。例如，液晶显示器件是发出具有根据被施加到该器件的电压的幅度而变化的亮度的光的典型的电光器件。另一方面，有机EL(电致发光)器件和OLED(有机发光二极管)每个是发出具有根据流经该器件的电流的幅度而变化的亮度的光的典型电光器件。采用每个包括有机EL器件的像素电路的显示装置被称作有机EL显示装置，其是所谓自发光类型的显示装置。自发光类型的显示装置是采用每个包括自发光类型的电光器件的像素电路的显示装置。

有机EL器件具有有机薄膜，其也被称作由下电极和上电极夹在中间的有机层。该有机层是由有机空穴(hole)传输层和有机发光层组成的薄片层(laminated layer)。有机EL器件是利用当电场被施加到有机薄膜时会发光的现象的电光器件。因此，通过控制流经有机EL器件的电流，能够获得发光颜色的各等级。

由于可以通过诸如不超过10V的电压的相对低的电压来驱动有机EL器件，因此有机EL器件具有低功率消耗。另外，由于有机EL器件是通过其自身发光的自发光器件，因此采用每个具有有机EL器件的像素电路的有机EL显示装置不需要诸如液晶显示装置中所需的背光之类的辅助照明元件。因此容易降低采用每个具有有机EL器件的像素电路的有机EL显示装置的重量和厚度。在此之上，由于有机EL器件的响应速度极高，因此不会产生移动图像显示的余象。有机EL器件的典型响应时间具有几微秒的量级的值。由于有机EL器件提供的如上所述优点，近年来集中并广泛开发采用每个具有有机EL器件作为电光器件的像素电路的平板自发光显示装置。

顺便提及，采用每个具有电光器件的像素电路的显示装置可以采取简单(无源)矩阵方法或者有源矩阵方法作为驱动方法。采用每个具有电光器件的像素电路的显示装置的代表例子是采用每个具有液晶显示器件的像素电路的液晶显示装置和采用每个具有有机EL器件的像素电路的有机EL显示装置。然而，尽管采取简单矩阵方法的显示装置具有简单的结构，但是这种显示装置带来的问题是，难以将该显示装置设计成具有大尺寸的显示装置或高清晰度的显示装置。

为了解决上述问题，近年来集中并广泛地开发了有源矩阵方法。根据有源矩阵方法，通过利用有源器件作为切换器件来控制被供应至在像素电路中所采用的发光器件的像素信号，其中在与发光器件相同的像素电路中采用该有源器件。有源器件的典型例子是通常是TFT(薄膜晶体管)的绝缘栅极FET(场效应晶体管)。

为了驱动这种像素电路的电光器件发光，将输入图像信号供应至在像素电路中采用的作为用于保持输入图像信号的电容器的信号保持电容器。通过视频信号线将输入图像信号供应至在像素电路中所采用的信号保持电容器。在该像素电路中，输入图像信号从视频信号线被供应至用于驱动电光器件的驱动晶体管的栅极电极以及被连接到该栅极电极的信号保持电容器。通过也称作采样晶体管的开关晶体管(switching transistor)将输入图像信号从视频信号线供应至驱动晶体管的栅极电极以及信号保持电容器。以此方式，然后将根据在信号保持电容器中所保持的输入图像信号的电压的驱动信号供应至电光器件。要注意，在以下描述中，驱动晶体管的栅极电极也称作驱动晶体管的控制输入端，而信号保持电容器也称作像素电容器。

在采用每个具有作为电光器件的液晶显示器件的像素电路的液晶显示装置中，液晶显示器件是电压驱动发光型的器件。因此，由根据被保持在信号保持电容器中的输入图像信号的电压信号驱动液晶显示器件。另一方面，在采用每个具有诸如有机EL器件的电流驱动发光器件作为电光器件的像素电路的有机EL显示装置中，由驱动晶体管将根据信号保持电容器中所保持的输入图像信号的电压信号转换成电流信号，并由该电流信号驱动有机EL器件。

以有机EL器件为代表，电流驱动发光型的电光器件是发射具有随着驱动该器件的电流的变化而变化的亮度的光的器件。为了驱动该电光器件发射具有稳定亮度的光，重要的是将稳定的驱动电流供应至电光器件。将驱动电流供应至有机EL器件的方法典型地分为两大类，即恒流驱动方法和恒压驱动方法。然而，由于恒流驱动方法和恒压驱动方法的每个都是基于已知技术的方法，因此在本专利说明书中没有给出对公共可得的参考文献中公开的这些方法。

由于有机EL器件的电压-电流特性具有很大的梯度，因此恒压驱动方法的执行导致由于即使电压的很小变化和/或器件特性中的很小变化引起的很大电流变化。电流中的很大变化于是带来亮度的很大变化。由于此原因，一般需要采取利用处于饱和区中的驱动晶体管的恒流驱动方法。当然，即使在恒流驱动方法的情况下，如果电流存在变化，则这种变化将导致亮度的变化。然而，如果电流的变化很小，则亮度的变化也很小。

相反，即使采取恒流驱动方法，为了使电光器件发射的光的亮度稳定，重要的是将正在信号保持电容器中所保持的驱动信号作为根据输入图像信号的信号维持在固定的幅度。例如，为了使有机EL器件发出的光的亮度稳定，重要的是将流经驱动晶体管的驱动电流作为根据输入图像信号的电流维持在固定的幅度。

顺便提及，制造工艺中的变化不可避免地导致用于驱动电光器件的有源器件的阈值电压和迁移率的变化。另外，诸如有机EL器件的电光器件的特性也随着时间的流逝而改变。用于驱动电光器件的有源器件的这些阈值电压和迁移率变化以及电光器件的特性的这些变化不被期望地具有对由电光器件发射的光的亮度的影响。

由于上述原因，为了将电光器件发射的光的亮度控制为在显示装置的整个显示屏幕上均匀的值，已经研究了各种机制，用于对每个像素电路补偿在像素电路中采用的、作为驱动电光器件的器件的有源器件的阈值电压和迁移率变化以及像素电路的电光器件的特性的变化。

例如，日本专利公开第2007-310311号(下文中称作专利文件1)具有采用有机EL器件的像素电路的三个提出的功能，即阈值电压补偿功能、迁移率补偿功能和自举功能。阈值电压补偿功能是用于即使驱动晶体管的阈值电压随不同的晶体管而变化并且随着时间的流逝而改变、但在给定了恒定的输入图像信号的情况下将由驱动晶体管所产生的驱动电流维持在恒定幅度的功能。迁移率校正功能是用于即使驱动晶体管的迁移率随不同的晶体管而变化并且随着时间的流逝而改变、但在给定了恒定的输入图像信号的情况下将由驱动晶体管产生的驱动电流维持在恒定幅度的功能。自举功能是用于即使有机EL器件的电流-电压特性随着时间的流逝而改变、但在给定了恒定的输入图像信号的情况下将由驱动晶体管产生的驱动电流维持在恒定幅度的功能。

发明内容

然而，在专利文件1所述的机制中，驱动晶体管的漏极电极连接到电源供应线，在垂直扫描操作中脉冲电源电压被施加到该电源供应线。驱动晶体管的漏极电极也称作驱动晶体管的电源供应端或像素电路的电源供应端，而电源供应线是典型的垂直扫描线。由于需要给诸如有机EL器件之类的电源驱动发光的发光器件提供足够大来驱动发光器件发光的电流，因此通过驱动晶体管，将相对较大的电流从电源发生源(power-supply generation source)经过电源供应线流到发光器件。因此，由诸如驱动扫描部分之类的电源发生源产生的并被施加到电源供应线的电源电压下降了如下电压降(drop)：该电压降随着电源供应线上的位置(观察电源电压处)和电源发生源之间的距离而逐渐增加。结果，在驱动晶体管的电源供应端上出现的电势比在电源发生源上出现的电源电压低了一个差值，并且从电源发生源到驱动晶体管的距离越远，该差值越大。

在此情况下，从电源发生源到驱动晶体管的距离越远，出现在驱动晶体管的漏极和源极电极之间的电压越小。也就是说，在驱动晶体管的漏极和源极电极之间出现的电压随着像素电路与电源发生源之间的距离的增加而在不同的像素间逐渐降低。因此，包括晶体管的像素电路受到所谓的早期效应(early effect)的影响。由于此原因，即使采取专利文件1中描述的方法作为用于消除特性变化的方法，由驱动晶体管产生的驱动电流也随着驱动晶体管与电源发生源之间的距离的增加而逐渐降低。因此，由发光器件发射的光的亮度也不被期望地逐渐降低。如果发光器件发射的光的亮度逐渐降低，则不可避免地产生诸如黑斑和串扰之类的亮度不规则性。在彩色显示装置的情况下，亮度不规则性出现在屏幕上作为颜色不规则性。

克服上述问题，本发明的发明人已经创新了能够防止由于在驱动晶体管的电源供应端上出现的电压降而产生的诸如亮度和颜色不规则性之类的显示不规则性的机制。

实现本发明所提供的显示装置的实施例具有像素阵列部分，该像素阵列部分包括：像素电路，每个被提供了驱动晶体管和电光器件，并且被布局以形成矩阵；以及引线，被提供在所述像素电路的每个中用作将所述驱动晶体管连接到电源供应线的线，其中，在靠近向所述电源供应线施加电源电压的源的所述像素电路中，所述引线的电阻相对较大。

例如，在驱动在像素电路中所采用的电光器件发射具有均匀亮度的光的条件下，设置引线的任意一个的长度和宽度中的至少一个，使得在驱动晶体管的电源供应端上出现的电势变得对于所有驱动电路是均匀的。

在具有包括每个采用电流驱动发光的发光器件的像素电路在内的像素阵列部分的显示装置中，以如下方式调整每个被提供在以电源供应线的纵向方向上排列的像素电路之一中的引线中的任意一个的长度和宽度：使得在驱动在像素电路中所采用的发光器件发射具有均匀亮度的光的条件下，在驱动晶体管的电源供应端上出现的电势变得对于所有驱动电路是均匀的。

根据本发明的实施例，通过将引线的任意一个的电阻的至少一个调整为如下变化的值来建立引线以形成像素电路中的布局：使得在在驱动在像素电路中所采用的发光器件发射具有均匀亮度的光的条件下，设置引线的任意一个的长度和宽度中的至少一个，使得在驱动晶体管的电源供应端上出现的电势变得对于所有驱动电路是均匀的。因此，能够防止由于沿着电源供应线的电压降而产生的诸如黑斑和串扰之类的亮度不规则性。结果，可以获得具有高图像质量的显示装置。

附图说明

从以下参考附图给出的优选实施例的描述中，本发明的实施例的这些和其他特征将变得清楚，在附图中：

图1是概略地示出根据本发明的实施例的有源矩阵有机EL显示装置的典型配置的方框图；

图2是示出用于根据该实施例的像素电路的第一典型比较配置的图；

图3A是在描述驱动晶体管和有机EL器件的操作点时将要参考的说明图；

图3B是在描述驱动晶体管和有机EL器件的特性的变化对驱动电流的影响时将要参考的说明图；

图4是示出用于根据该实施例的像素电路的第二典型比较配置的图；

图5是示出根据此实施例的像素电路的图；

图6是示出在描述作为实现该像素电路的实施例的图5所示的实施例的基本驱动定时时将要参考的多个说明时序图的时序图；

图7A是在描述图6的时序图中所示的时段(A)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图7B是在描述图6的时序图中所示的时段(B)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图7C是在描述图6的时序图中所示的时段(C)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图7D是在描述图6的时序图中所示的时段(D)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图7E是在描述图6的时序图中所示的时段(E)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图7F是在描述图6的时序图中所示的时段(F)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图7G是在描述图6的时序图中所示的时段(G)中的像素电路的等效电路和操作状态时将要参考的说明电路图；

图8是在描述由用作电源线的电源供应线的线电阻引起的问题、表现为在全白显示时间时显示图像的操作中产生的问题时将要参考的说明图；

图9A是在描述电源供应线的线电阻的影响时将要参考的说明电路图；

图9B是示出驱动晶体管的Vds-Ids特性的说明图；

图9C是示出在显示窗口样式时观察的现象的说明图；

图10是在描述根据实施例的变化而提供的机制、作为用于压制由在沿着电源供应线的多个点处的电压降引起的显示不规则性的机制时将要参考的说明概念图；

图11A是示出根据各实施例的像素电路和该像素电路的典型比较例子的电路图；

图11B是示出该像素电路的典型比较例子的像素组件布局的图；

图12是用作在描述根据第一实施例的典型布局时将要参考的模型图的说明图，其中该第一实施例通过改变每个像素电路中的第二引线(draw wire)的长度来实现早前通过参考图10说明的基本原理；

图13A是用作在描述根据第二实施例的典型布局时将要参考的模型图的说明图，其中该第二实施例通过改变每个像素电路中的引线的宽度来实现早前通过参考图10说明的基本原理；以及

图13B是用作在描述根据第三实施例的典型布局时将要参考的模型图的说明图，其中该第三实施例通过改变每个像素电路中的第二引线的长度和宽度来实现早前通过参考图10说明的基本原理。

具体实施方式

如下参考附图详细描述本发明的优选实施例。

<整个显示装置的概况>

图1是概略地示出根据本发明的实施例的有源矩阵有机EL显示装置1的典型配置的方框图。下面将要说明的实施例是本发明的实施方式，在该实施方式中，在方框图中所示的典型配置中所包括的每个像素电路中，作为例子，使用电流驱动发光型的有机EL器件作为显示器件，而使用多晶硅TFT(薄膜晶体管)作为用于驱动有机EL器件的有源器件。该实施例实现了通过在已经形成多晶硅TFT的半导体基板上创建有机EL器件而建立的有源矩阵有机EL显示装置。如前所述，在以下描述中，显示器件也称作电光器件或者发光器件，而有源矩阵有机EL显示装置也称作有机EL显示装置或者仅称作显示装置。典型地，TFT是FET(场效应晶体管)。

使用显示装置1作为所有领域中的各种电子装备中的显示部分，该电子装备采用诸如半导体存储器、MD(迷你盘、索尼公司的注册商标)或者盒式磁带之类的记录介质。这种电子装备的例子是便携音乐播放器、数字相机、笔记本个人计算机、诸如蜂窝电话之类的便携终端和摄像机。显示部分是用于将被供应至电子装置的视频信号或者在电子装置中产生的视频信号显示为静止或运动画面(图像)的部分。

要注意，在说明显示装置1的整体配置的以下描述中，使用像素电路的有机EL器件作为该像素电路的显示器件。然而，有机EL器件只是典型的显示器件。也就是说，显示器件不限于有机EL器件。例如，一般可以使用任意的电光器件作为显示器件，只要该电光器件是电流驱动发光的电光器件。另外，在此实施例中使用的显示器件也可以用在稍后描述的所有其他实施例中，或者具体地用在每个实现针对从电源发生源产生的电压到在驱动晶体管的电源供应端上出现的电压的电压降的对策的实施例中。

如图1中的方框图所示，显示装置1采用显示面板部分100、驱动信号产生部分200和视频信号处理部分220。显示面板部分100具有用作主要组件的像素阵列部分102。像素阵列部分102包括被布置以在具有显示高宽比率(display aspect ratio)为X∶Y的有效视频区中形成像素矩阵的多个像素电路P。也称作像素P的像素电路P的每个具有用作图1的方框图中未示出的显示器件的有机EL器件。有效视频区域的显示高宽比率被定义为区域的高度X与区域的宽度Y的比例。显示高宽比率的典型值是9∶16。被称为所谓的定时发生器的驱动信号产生部分200是用于产生控制和驱动显示面板部分100的各种面板信号的面板控制部分的典型例子。驱动信号产生部分200和视频信号处理部分220被嵌入单个芯片IC(集成电路)中。在此实施例的情况下，包括驱动信号产生部分200和视频信号处理部分220的单个芯片IC被安装到显示面板部分100的外部。

在图1的方框图所示的配置的情况下，在显示面板部分100中，上述像素阵列部分102被放在基板101上。垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106被安装在基板101上。垂直方向驱动部分103是用于在垂直方向上扫描像素电路P的部分，而水平方向驱动部分106是用于在水平方向上扫描像素电路P的部分。水平方向驱动部分106也称作水平选择器或者数据线驱动部分。在此之上，用于将显示面板部分100连接到诸如驱动信号产生部分200和视频信号处理部分220之类的外部组件的端子部分108被放置在显示面板部分100一侧的边缘上。端子部分108也称作焊点部分(pad section)。要注意，如果需要，则可以在某些情况下安装用作外部电路与垂直方向驱动部分103之间以及外部电路与水平方向驱动部分106之间的接口的接口(IF)部分。

典型地，垂直方向驱动部分103采用写扫描部分104和驱动扫描部分105。写扫描部分104也称作写扫描器WS。也称作驱动扫描器DS的驱动扫描部分105用作电源扫描器，其具有提供功率的电源。作为例子，由包括写扫描部分104和驱动扫描部分105的垂直方向驱动部分103从像素阵列部分102的一侧或者以图1的方框图中的从左到右的方向彼此分开的两侧作为像素阵列部分102的两侧来驱动像素阵列部分102。由于同样的原因，由水平方向驱动部分106从像素阵列部分102的一侧或者在图1的方框图中的从上到下或者从下到上的方向上彼此分开的两侧作为像素阵列部分102的两侧来驱动像素阵列部分102。

采用写扫描部分104和驱动扫描部分105的垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106形成了用于控制写操作以将信号的电势存储到信号保持电容器中的控制部分109。控制部分109还控制稍后将详细描述的阈值电压补偿操作、迁移率补偿操作和自举操作。因此控制部分109是用于驱动像素阵列部分102的像素电路P的电路。

如上所述，在该实施方式的配置中，诸如垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106之类的外围驱动电路被安装在与像素阵列部分102相同的基板101上。

在图1的方框图所示的典型配置中，用作显示装置1外部的信号源的驱动信号产生部分200通过端子部分108将各种脉冲定时信号供应至显示面板部分100。然而，驱动信号产生部分200也可以被创建为在显示面板部分100上安装的半导体芯片。

如上所述，用作显示装置1外部的信号源的驱动信号产生部分200通过端子部分108将各种脉冲定时信号供应至显示面板部分100。以相同的方式，用作显示装置1外部的信号源的视频信号处理部分220通过端子部分108将视频信号Vsig供应至显示面板部分100。在彩色显示装置1的情况下，视频信号Vsig包括三个颜色的视频信号，即红色视频信号Vsig_R、绿色视频信号Vsig_G和蓝色视频信号Visg_B。

作为例子，从端子部分108输出的垂直写/驱动脉冲信号包括诸如垂直方向移位开始脉冲SPDS和SPWS以及垂直方向扫描时钟信号CKDS和CKWS之类的必需脉冲信号。如果需要，垂直写/驱动脉冲信号也可以包括分别具有与垂直扫描时钟信号CKDS和CKWS的相位相反的相位的垂直扫描时钟信号xCKDS和xCKWS。

由于相同的原因，从端子部分108输出的水平方向驱动脉冲信号包括诸如水平方向开始脉冲SPH和水平方向时钟信号CKH之类的必需脉冲信号。如果需要，水平方向驱动脉冲信号也可以包括具有与水平方向时钟信号CKH的相位相反的相位的水平方向时钟信号xCKH。

端子部分108的端子通过信号线199连接到垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106。如果需要，在通过在端子部分108中嵌入的缓冲器被供应至垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106之前，由在端子部分108中嵌入的电平移位部分典型地调整从驱动信号产生部分200和视频信号处理部分220供应至端子部分108的每个脉冲的电压电平。要注意，图1的方框图中未示出电平移位部分和缓冲器本身。

像素阵列部分102采用二维地排列以形成像素矩阵的像素电路P。每个像素电路P包括用作显示器件的有机EL器件和如稍后将详细描述的用作驱动有机EL器件的驱动晶体管的像素晶体管。图1的方框图中未示出有机EL器件和驱动晶体管本身。对于像素矩阵的每个像素行，提供了一对扫描线104WS和105DSL。由于相同的原因，对于像素矩阵的每个像素列，提供了信号线106HS。

在像素阵列部分102的典型配置中，创建扫描线104WS和105DSL作为在垂直方向扫描操作中使用的扫描线，而创建信号线106HS作为在水平方向扫描操作中使用的视频信号线(或数据线)。在包括垂直方向扫描线104WS和105DSL的垂直方向扫描线对和水平方向扫描操作中使用的视频信号线106HS的每个交叉点处，创建有机EL器件和用作驱动有机EL器件的驱动晶体管的TFT。合并有机EL器件和驱动晶体管以形成像素电路P。如上所述，图1的方框图中未示出有机EL器件和驱动晶体管本身。

具体地，对于被布局以形成像素矩阵的像素电路P，提供了写扫描线104WS_1到104WS_n。更详细地，对于像素矩阵的n个像素行分别提供了写扫描线104WS_1到104WS_n。写扫描线104WS_1到104WS_n的每个是用于传播由写扫描部分104产生的写驱动脉冲WS的线。

由于相同的原因，对于被布局以形成像素矩阵的像素电路P，提供了电源供应线105DSL_1到105DSL_n。更详细地，对于像素矩阵的n个像素行分别提供了电源供应线105DSL_1到105DSL_n。电源供应线105DSL_1到105DSL_n的每个是用于传播由驱动扫描部分105产生的电源驱动脉冲DSL的线。

另一方面，对于被布局以形成像素矩阵的像素电路P，提供了视频信号线106HS_1到106HS_m。更详细地，对于像素矩阵的m个像素列分别提供了视频信号线106HS_1到106HS_m。视频信号线106HS_1到106HS_m的每个是用于传播由水平方向驱动部分106产生的视频信号Vsig的线。

写扫描部分104和驱动扫描部分105的每个被设计为形成锁存器和寄存器的逻辑门的组合。写扫描部分104和驱动扫描部分105的每个选择在像素阵列部分102中采用的像素电路P的矩阵行。也就是说，写扫描部分104根据从驱动信号产生部分200接收的脉冲信号、作为对垂直方向驱动系统而产生的脉冲信号，基于逐个线地顺次选择扫描线104WS_1到104WS_n中的一个。

由于相同的原因，驱动扫描部分105根据从驱动信号产生部分200接收的脉冲信号、作为对垂直方向驱动系统而产生的脉冲信号，基于逐个线地顺次选择电源供应线105DSL_1到105DSL_n中的一个。

以与写扫描部分104和驱动扫描部分105相同的方式，水平方向驱动部分106被设计为形成锁存器和寄存器的逻辑门的组合。然而，水平方向驱动部分106选择在像素阵列部分102中采用的像素电路P的矩阵列。也就是说，水平方向驱动部分106根据从驱动信号产生部分200接收的脉冲信号、作为对水平方向驱动系统而产生的脉冲信号，基于逐个线地顺次选择视频信号线106HS_1到106HS_m中的一个。水平方向驱动部分106对视频信号Vsig的预定电势进行采样，并通过所选择的视频信号线106HS将所采样的电势存储到信号保持电容器中，其中该信号保持电容器被用于与所选择的视频信号线106HS关联的所选矩阵列上提供的每个像素电路P中。

可以基于逐个线地或者逐个点地顺次驱动根据此实施例的显示装置1。更详细地，在垂直方向驱动部分103中采用的写扫描部分104和驱动扫描部分105的每个基于逐个线地、即基于逐个行地顺次扫描像素阵列部分102。与写扫描部分104和驱动扫描部分105实行的扫描操作同步地，水平方向驱动部分106同时将一个像素行的图像信号供应至像素阵列部分102(在逐线驱动操作的情况下)，或者将用于每个像素电路P的图像信号供应至像素阵列部分102(在逐点驱动操作的情况下)。

要注意，显示装置产品不限于作为包括如图1的方框图所示的显示面板部分100、驱动信号产生部分200和视频信号处理部分220的复合组件的模块而建立的显示装置1。例如，能够呈现仅包括显示面板部分100或者仅包括像素阵列部分102的显示装置。

作为典型例子，显示装置1包括密封配置的模块。作为另一个典型例子，显示装置被配置为仅包括通过在像素阵列部分102上附连透明贴面玻璃板而创建的显示面板部分100在内的显示模块。在透明贴面玻璃板上，创建显示层、颜色过滤器、保护膜、遮光膜和其他层/膜。在此实施例的情况下，显示层是有机层，并且在该层的两侧提供了电极。在显示面板部分100的配置的情况下，除了像素阵列部分102以外，在显示面板部分100的边缘提供了电连接端。电连接端是用于将像素阵列部分102电连接到诸如具有被安装的电路的FPC(柔性印刷电路)之类的外部组件的外部连接端。被安装在FPC上的电路具有与垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106相同的功能。如前所述，垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106从外部源接收各种驱动脉冲和视频信号Vsig，并将该驱动脉冲和视频信号Vsig供应至像素阵列部分102。关于其它组件，该显示面板部分100的配置与图1的方框图所示的配置基本相同。

如前所述，在图1的方框图所示的配置中，由包括写扫描部分104和驱动扫描部分105的垂直方向驱动部分103仅从像素阵列部分102的一侧驱动像素阵列部分102。作为替换，也可以由垂直方向驱动部分103从在图1的方框图中的从左到右的方向上彼此分离的两侧作为像素阵列部分102的两侧来驱动像素阵列部分102。在此情况下，两个垂直方向驱动部分103将像素阵列部分102夹在中间。

由于相同的原因，在图1的方框图所示的配置中，由水平方向驱动部分106仅从像素阵列部分102的一侧驱动像素阵列部分102。作为替换，也可以由水平方向驱动部分106从在图1的方框图中的从上到下或者从下到上的方向上彼此分离的两侧作为像素阵列部分102的两侧来驱动像素阵列部分102。在此情况下，两个水平方向驱动部分106将像素阵列部分102夹在中间。

<像素电路的第一典型比较配置>

图2是示出用于根据此实施例的像素电路P的第一典型比较配置的图。要注意，图2的图也示出了写扫描部分104、垂直方向驱动部分103和水平方向驱动部分106，它们位于在显示面板部分100的基板101上所放置的像素阵列部分102的外围。

在像素电路P的第一典型比较配置中所采用的每个晶体管是MOS(金属氧化物半导体)FET(场效应晶体管)。在第一典型比较配置中采用的晶体管之一是驱动晶体管121。驱动晶体管121的栅极电极G用作控制输入端。驱动晶体管121的源极电极S和漏极电极D中的特定一个用作输入端，而源极电极S和漏极电极D中的另一个用作输出端。具体地，用作将驱动电流Ids供应至有机EL器件127的源的驱动晶体管121的源极电极S用作输出端，而驱动晶体管121的漏极电极D用作输入端，该输入端是电源供应端。以下描述说明了具有包括两个晶体管的配置的典型的像素电路P。包括两个晶体管的配置也称作2TR-驱动配置。

由于有机EL器件127是电流驱动发光的发光器件，因此通过控制流经有机EL器件127的驱动电流Ids的幅度来获得所生成的颜色的等级。作为像素电路P的配置的、如图2的图中所示的包括两个晶体管的第一典型比较配置是可想像的最简单的电路。在该第一典型比较配置中，驱动晶体管121是p沟道FET，而也称作写晶体管的采样晶体管125是n沟道FET。在以下描述中，P沟道FET称作Pch-型FET，而n沟道FET称作Nch-型FET。

Pch-型驱动晶体管121的源极电极S连接到电源，而Pch-型驱动晶体管121的漏极电极D连接到有机EL器件127的阳极电极。有机EL器件127的阴极电极连接到通常是地线GND的阴极线Wcath。驱动晶体管121的栅极电极G通过视频信号线106HS和采样晶体管125连接到水平方向驱动部分106。信号保持电容器120连接在电源和驱动晶体管121的栅极电极G之间。

水平方向驱动部分106将视频信号Vsig通过视频信号线106HS和采样晶体管125供应至驱动晶体管121的栅极电极G。通过改变被供应至驱动晶体管121的栅极电极G的视频信号Vsig的电压，可以控制从驱动晶体管121流到有机EL器件127的驱动电流Ids的幅度。如上所述，Pch-型驱动晶体管121的源极电极S连接到电源。驱动晶体管121被设计为工作在饱和区，在该饱和区中，由驱动晶体管121产生的驱动电流Ids具有与出现在驱动晶体管121的漏极和源极电极之间的电压无关的幅度。

假设参考标记Ids表示在工作在饱和区中的驱动晶体管121的漏极和源极电极之间流动的电流，参考标记μ表示驱动晶体管121的迁移率，参考标记W表示驱动晶体管121的沟道宽度(或者栅极宽度)，参考标记L表示驱动晶体管121的沟道长度(或者栅极长度)，参考标记Cox表示驱动晶体管121的栅极电容(或者每单位面积的栅极氧化膜电容)，并且参考标记Vth表示驱动晶体管121的阈值电压。在此情况下，由以下给出的公式(1)表示由用作恒流发生器的驱动晶体管121产生的驱动电流Ids。要注意，等式中使用的符号“^”表示求幂操作符。如从公式(1)很明显，在饱和区中，驱动晶体管121用作恒流发生器，其产生由出现在驱动晶体管121的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压控制的驱动电流Ids。

$\mathrm{Ids}=\frac{1}{2}\mathrm{\&mu;}\frac{W}{L}\mathrm{Cox}(\mathrm{Vgs}-\mathrm{Vth})^2\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(1\right)$

<特性的变化和变化的影响>

图3A和3B在描述像素配置器件(即驱动晶体管121和有机EL器件127)的特性变化和变化的影响时所参考的说明图。更具体地，图3A是在描述驱动晶体管121和有机EL器件127的操作点时所参考的说明图。另一方面，图3B是在描述驱动晶体管121和有机EL器件127的特性变化对驱动电流Ids的影响时所参考的说明图。

<发光器件的I-V特性>

一般而言，如图3B所示，以有机EL器件为代表的电流驱动发光的发光器件的I-V特性随着时间的流逝而恶化。图3B的图中所示的I-V特性是流经以有机EL器件为代表的电流驱动发光的发光器件的电流Iel与施加到该器件的电压Vel之间的关系。实线所示的曲线表示在初始时有机EL器件表现出的Iel-Vel特性。另一方面，虚线所示的曲线表示经过时间后有机EL器件表现出的Iel-Vel特性。

例如，当发光电流Iel正流经用作典型的发光器件的有机EL器件127时，唯一地确定出现在有机EL器件127的阳极和阴极电极之间的阳极-阴极电压Vel。驱动电流Ids是在发光时段中在驱动晶体管121的漏极和源极电极之间流动的电流。驱动电流Ids流到有机EL器件127的阳极电极，作为唯一地确定有机EL器件127的阳极-阴极电压Vel的发光电流Iel。然而，随着时间流逝，即使发光电流Iel被维持在恒定幅度，阳极-阴极电压Vel也变化了图3B的图中所示的差值(Vel2-Vel1)。

由于如上所述有机EL器件127的I-V特性随着时间流逝而变化，作为有机EL器件127的曲线的图3A的图中所示的虚线曲线被移动到左边，也将图3A的图中所示的操作点的位置移动到左边，并改变了图2的图中所示的像素电路P的、与有机EL器件127相同的第一典型比较配置中采用的驱动晶体管121的漏极电极D上出现的电压。然而，由于驱动晶体管121工作在饱和区，因此驱动晶体管121产生的驱动电流Ids具有与在驱动晶体管121的漏极电极D上出现的电压无关的幅度。也就是说，驱动晶体管121产生的驱动电流Ids具有取决于驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs的幅度。然而，由于驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs不随着时间流逝而改变，因此具有不随着时间流逝而改变的幅度的驱动电流Ids持续流向有机EL器件127。因此，有机EL器件127发射的光的亮度也不随着时间流逝而改变。

<像素电路的第二典型比较配置>

图4是示出了根据此实施例的像素电路P的第二典型比较配置的图。要注意，图4也示出了垂直方向驱动部分103的写扫描部分和水平方向驱动部分106，它们位于显示面板部分100的基板101上所放置的像素阵列部分102的外围。

在像素电路P的第二典型比较配置中，采用Nch-型FET作为驱动晶体管用于替换像素电路P的第一典型比较配置的Pch-型驱动晶体管121。由于驱动晶体管121具有与采样晶体管125相同的类型，因此制造像素电路P的工艺变得更简单。然而，像素电路P的第二典型比较配置出现了如下所述的问题。在像素电路P的第二典型比较配置的情况下，驱动晶体管121的漏极电极D连接到电源，而驱动晶体管121的源极电极S连接到有机EL器件127的阳极电极。随着时间流逝，如上所述有机EL器件127的Iel-Vel特性恶化，并且即使发光电流Iel仍然未改变，阳极-阴极电压Vel也变化了图3B的图中所示的差值(Vel2-Vel1)。即使施加到驱动晶体管121的栅极电极G的电压仍然相同，有机EL器件127的I-V特性的变化也改变了图3A的图中所示的操作点的位置和在驱动晶体管121的源极电极S上出现的电压。因此，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs不可避免地变化。由于如从用作特性公式的公式(1)很明显，由驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs确定驱动电流Ids的幅度，因此即使施加到驱动晶体管121的栅极电极G的电压Vg仍然相同，驱动电流Ids的幅度也不可避免地变化。因此，流经有机EL器件127的发光电流Iel也不可避免地变化，不期望地导致有机EL器件127发射的光的亮度随着时间流逝而变化。

如上所述，在具有第二典型比较配置的像素电路P中，由于有机EL器件127的Iel-Vel特性的变化，在用作典型的发光器件的有机EL器件127的阳极电极上出现的电势随着时间流逝而变化。观察到在有机EL器件127的阳极电极上出现的电势随驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs的变化而变化。于是，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs的变化导致漏极电流的变化或者驱动电流Ids的变化。驱动电流Ids的变化导致亮度变化，该亮度变化在不同的像素之间变化，并且根据流逝时间的长度而变化。结果，图像的质量恶化。

<驱动晶体管的V-I特性>

另外，如果驱动晶体管121的特性随不同的像素而改变，如从公式(1)很明显，特性变化对流经驱动晶体管121的驱动电流Ids具有影响。例如，如果驱动晶体管121的迁移率μ和/或阈值电压Vth随不同的像素而改变，或者随着时间流逝而变化，则即使栅极-源极电压Vgs被维持在恒定幅度，流经驱动晶体管121的驱动电流Ids也随不同的像素而改变，或者随着时间流逝而变化。结果，有机EL器件127发射的光的亮度也随不同的像素而改变，或者随着时间流逝而变化。

例如，由于制造驱动晶体管121的工艺的变化，像素电路P中采用的驱动晶体管121的特性可能随不同的像素而改变。于是，即使驱动晶体管121工作在饱和区，并且即使栅极-源极电压Vgs被维持在对于所有像素电路P均匀的幅度，特性的变化也引起随不同像素而产生的漏极电流的变化或者驱动电流Ids的变化。漏极电流的变化或者驱动电流Ids的变化表现为由有机EL器件127发射的光的亮度随不同的像素而改变。要注意，驱动晶体管121的特性包括驱动晶体管121的迁移率μ和阈值电压Vth特性。

如前所述，由公式(1)表示工作在饱和区的驱动晶体管121的驱动电流Ids(或者漏极电流)。驱动晶体管121的阈值电压Vth可以随不同的像素而改变。如果驱动晶体管121的阈值电压Vth随不同的像素而改变，则从公式(1)很明显，即使栅极-源极电压Vgs被维持在对于所有像素电路P均匀的幅度，驱动电流Ids也随不同的像素而改变。也就是说，除非采取针对阈值电压Vth随不同的像素而改变的对策，否则由具有阈值电压Vth1并接收栅极-源极电压Vgs的驱动晶体管121所产生的驱动电流Ids1将不被期望地与由具有不同于阈值电压Vth1的阈值电压Vth2并接收相同的栅极-源极电压Vgs的另一驱动晶体管121产生的驱动电流Ids2不同。

由于相同的原因，驱动晶体管121的迁移率μ可能随不同的像素而改变。如果驱动晶体管121的迁移率μ随不同的像素而改变，则如从公式(1)很明显，即使栅极-源极电压Vgs被维持在对于所有像素电路P均匀的幅度，驱动电流Ids也随不同的像素而改变。也就是说，除非采取针对迁移率μ随不同的像素而改变的对策，否则由具有迁移率μ1并接收栅极-源极电压Vgs的驱动晶体管121产生的驱动电流Ids1将不被期望地与由具有不同于迁移率μ1的迁移率μ2并接收相同的栅极-源极电压Vgs的另一驱动晶体管121产生的驱动电流Ids2不同。

如果由于阈值电压Vth和/或迁移率μ随不同像素有很大变化而引起Vin-Ids特性变化很大(其中参考标记Vin表示施加到驱动晶体管121的栅极电极G的视频信号Vsig的高电平电势)，则即使将相同的信号幅度ΔVin施加到像素电路P的驱动晶体管121，驱动电流Ids以及由此由有机EL器件127发射的光的亮度也随不同的像素而改变。结果，不能获得屏幕亮度均匀性。这是因为，如果在像素电路P中采用的驱动晶体管121的阈值电压Vth和/或迁移率μ随不同的像素而改变，则根据公式(1)驱动电流Ids也随不同的像素而改变，并且发光亮度也随不同的像素而改变。

<阈值电压和迁移率补偿的概念>

通过设置分别针对阈值电压的变化和迁移率的变化的、用于进行阈值电压补偿功能和迁移率补偿功能的定时作为对抗手段，可以压制变化的影响。因此，可以获得屏幕亮度均匀性。稍后将详细描述用于进行阈值电压补偿功能和迁移率补偿功能的定时。

在根据此实施例实现的阈值电压补偿操作和迁移率补偿操作中，可以假设稍后将详细描述的写增益具有理想值1。利用假设具有理想值1的写增益，由表达式“Vin+Vth-ΔV”表示在发光时段中施加到驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs，其中参考标记Vin表示如上所述的视频信号Vsig的高电平电势，而在表达式中使用的参考标记Vth和ΔV分别表示阈值电压补偿操作和迁移率补偿操作中的参数。阈值电压补偿操作的参数Vth的幅度等于驱动晶体管121的阈值电压Vth的幅度。阈值电压补偿操作的参数Vth是用于对驱动晶体管121补偿该驱动晶体管121的阈值电压Vth的变化的参数。另一方面，用作用于对驱动晶体管121补偿该驱动晶体管121的迁移率μ的变化的参数，迁移率补偿操作的参数ΔV具有如下所述设置的幅度。通过实行阈值电压补偿操作和迁移率补偿操作，可以使驱动电流Ids与阈值电压Vth的变化和改变以及迁移率μ的变化和改变无关。结果，即使阈值电压Vth和/或迁移率μ由于制造工艺的变化而变化或者随着时间流逝而改变，给定了施加到驱动晶体管121的恒定栅极-源极电压Vgs，可以将驱动电流Ids维持在恒定幅度，使得也可以将由有机EL器件127发射的光的亮度维持在恒定等级。

实行迁移率补偿处理以将迁移率补偿操作的参数ΔV增加到用于具有较大迁移率μ1的驱动晶体管121的较大值ΔV1，或者将迁移率补偿操作的参数ΔV减小到用于具有较小迁移率μ2的驱动晶体管121的较小值ΔV2。因此，使用迁移率补偿操作的参数ΔV作为与驱动晶体管121的迁移率μ成比例的负反馈量。由于此原因，迁移率补偿操作的参数ΔV也称作负反馈量ΔV。

<根据此实施例的像素电路>

图5是示出根据此实施例的像素电路P的图。要注意，图5的图还示出了垂直方向驱动部分103的写扫描部分104和驱动扫描部分105以及水平方向驱动部分106，它们位于显示面板部分100的基板101上所放置的像素阵列部分102的外围。根据此实施例的像素电路P的配置基于用作驱动晶体管121的Nch-型FET。另外，根据此实施例的像素电路P还包括第一驱动信号稳定电路，用于压制由有机EL器件127随着时间流逝的恶化引起的改变，该恶化表现为流向有机EL器件127的驱动电流Ids的改变。第一驱动信号稳定电路是如下电路：其用于对像素电路P补偿随着时间流逝而出现的、表现为用作典型电光器件的有机EL器件127的电流-电压特性的改变的改变，以便在给定了施加到驱动晶体管121的恒定栅极-源极电压Vgs时，将驱动电流Ids维持在恒定幅度。

第一驱动信号稳定电路采取如下驱动方法：其用于在给定了施加到驱动晶体管121的恒定栅极-源极电压Vgs时，通过实行阈值电压补偿和迁移率补偿功能，以便消除由驱动晶体管121的变化引起的驱动电流变化，将驱动电流Ids维持在恒定幅度。驱动晶体管121的特性的变化是驱动晶体管121的阈值电压和迁移率的变化。根据用于压制随由驱动晶体管121的特性变化即驱动晶体管121的阈值电压和迁移率的变化引起的影响而导致的、由驱动电流Ids呈现的影响的驱动方法，在照原样正使用具有2TR-驱动的配置的像素电路P作为第一驱动信号稳定电路时，通过设计(devise)用于驱动该驱动晶体管121和采样晶体管125的定时来采取针对驱动晶体管121的特性变化的对策。由于2TR-驱动的配置很简单并且器件数量以及线的数量很小，因此可以提高像素电路P的精细度，并且除了改善精细度之外，可以采样视频信号Vsig而不引起恶化。因此，可以获得良好的图像质量。

根据此实施例的像素电路P中的信号保持电容器120的配线连接与第二典型比较配置中的像素电路P中的不同。也就是说，信号保持电容器120连接到根据此实施例的像素电路P中的其它组件以便形成用作典型第二驱动信号稳定电路的自举电路。用作典型第二驱动信号稳定电路的自举电路是用于消除由老化恶化(aging deterioration)引起的驱动电流改变的电路。换句话说，信号保持电容器120被连线在根据此实施例的像素电路P中以便实现自举电路的功能，该自举电路用作即使有机EL器件127的电流-电压特性随着时间流逝改变也将驱动电流Ids维持在恒定幅度的典型第二驱动信号稳定电路。

更具体地，如图5的图中所示，根据此实施例的像素电路P采用Nch-型驱动晶体管121、Nch-型采样晶体管125和用作当驱动电流Ids流向其处时其发光的典型电光器件的有机EL器件127。由于有机EL器件127一般具有整流(rectification)特性，因此利用二极管的符号来示出有机EL器件127。要注意，有机EL器件127具有寄生电容器Cel。在图5的图中，寄生电容器Cel被示出为并联到由二极管的符号表示的有机EL器件127的电容器。

信号保持电容器120连接在驱动晶体管121的源极和栅极电极之间。驱动晶体管121的源极和栅极电极分别用作节点ND121和ND122。驱动晶体管121的源极电极还连接到有机EL器件127的阳极电极A。信号保持电容器120也用作自举电容器。用作参考电势的阴极电势Vcath被供应至有机EL器件127的阴极电极K。用作参考电势的阴极电势Vcath出现在用作对所有像素电路P公用的地线GND的阴极线Wcath上。

采样晶体管125的栅极电极通过写扫描线104WS连接到写扫描部分104，而采样晶体管125的漏极电极通过视频信号线106HS连接到水平线驱动部分106。采样晶体管125的源极电极连接到驱动晶体管121的栅极电极。如上所述，驱动晶体管121的栅极电极用作节点ND122。写扫描部分104将有源-高写驱动脉冲WS供应至采样晶体管125的栅极电极。采样晶体管125可以通过相互交换源极和漏极电极来连接。另外，采样晶体管125可以用作耗尽型晶体管或者增强型晶体管。

驱动晶体管121的漏极电极通过电源供应线105DSL连接到驱动扫描部分105。电源供应线105DSL是具有将驱动扫描部分105产生的功率供应给驱动晶体管121的能力的线。更具体地，驱动扫描部分105采用电源电压切换电路，用于将被供应至驱动晶体管121的漏极电极的电源驱动脉冲DSL从高电平第一电势Vcc切换到低电平第二电势Vss或者反之亦然。在以下描述中，第二电势Vss也称作初始化电势Vini。实际上，通过电源供应线105DSL供应至驱动晶体管121的漏极电极的、用作驱动该漏极电极的脉冲的电源驱动脉冲DSL具有两个电平，即被设置在第一电势Vcc的高电平和被设置在第二电势Vss的低电平。通过将第二电势Vss供应至驱动晶体管121的漏极电极，能够驱动像素电路P以在阈值电压补偿操作之前实现准备用于阈值电压补偿操作的预备操作。

第二电势Vss是足够低于前述偏移电势Vofs的电势，该偏移电势Vofs是出现在视频信号线106HS上的视频信号Vsig的参考电势。更具体地，出现在电源供应线105DSL上的低电平第二电势Vss被设置在使得驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs大于驱动晶体管121的阈值电压Vth的值。栅极-源极电压Vgs是驱动晶体管121的栅极和源极电极之间的电势差。要注意，在阈值电压补偿操作之前的初始化操作期间，偏移电势Vofs被施加到视频信号线106HS，并且也用于预先对视频信号线106HS预充电。

在上述像素电路P中，在驱动有机EL器件127的操作中，第一电势Vcc被供应至驱动晶体管121的漏极电极，并且由于驱动晶体管121的源极电极连接到有机EL器件127的阳极电极，总体上，驱动晶体管121和有机EL器件127形成源极从动器(follower)。

上述像素电路P采取所谓的2TR驱动配置，该配置采用用于扫描操作的驱动晶体管121和开关晶体管125(或采样晶体管125)。另外，通过适当地设置用于将第一电势Vcc或第二电势Vss供应至驱动晶体管121的电源驱动脉冲DSL的定时以及用于将采样晶体管125置于导通和截止状态的写驱动脉冲WS的定时，能够消除有机EL器件127的老化恶化的影响和/或驱动晶体管121的特性变化对驱动电流Ids的影响。如前所述，驱动晶体管121的特性变化典型地是驱动晶体管121的阈值电压和迁移率的变化。

写扫描部分104、驱动扫描部分105和水平方向驱动部分106被提供在像素阵列部分102的外围，用作驱动像素电路P的部分。写扫描部分104、驱动扫描部分105和水平方向驱动部分106形成控制部分109。控制部分109运作为驱动信号稳定电路，用于适当地设置驱动定时以便在给定了施加到驱动晶体管121的恒定栅极-源极电压Vgs的情况下将驱动晶体管121产生的驱动电流Ids维持在恒定幅度。具体地，首先，希望执行用于操作写扫描部分104的控制以将采样晶体管125置于截止状态，以便在与信号幅度ΔVin对应的信息已经被存储在信号保持电容器120中的时间点时停止将视频信号Vsig供应至驱动晶体管121的栅极电极(即控制输入端)的操作。利用被置于截止状态的采样晶体管125，由于信号保持电容器的耦合效应，发生自举操作，作为如下操作：其中在驱动晶体管121的控制输入端上出现的电势以与在源极栅极(即驱动晶体管121的输出端)上出现的电势联锁(interlock)的方式改变。

希望也在采样操作结束后的发光开始的初始部分中操作控制部分109以执行引起自举操作的控制。也就是说，在将视频信号Vsig的高电平电势Vin供应至采样晶体管125的状态中，采样晶体管125被置于导通状态，然后被置于截止状态，使得驱动晶体管121的控制输入端和输出端之间的电势差被维持在恒定幅度。

另外，希望在图6的时序图中所示的作为时段(G)的发光时段中操作控制部分109以执行引起自举操作的执行的控制，使得通过执行自举操作实现用于对像素电路补偿用作电光器件的有机EL器件127的特性的老化恶化的操作。为了实现这种补偿时段，在根据信号保持电容器120中所存储的信息的驱动电流正流向用作电光器件的有机EL器件127的时段中，预先将采样晶体管125置于持续截止状态，使得可以将驱动晶体管121的控制输入端和输出端之间的电势差维持在恒定幅度，以便实现用于对像素电路P补偿有机EL器件127的特性的老化恶化的操作。通过使自举操作发生在发光时段中作为基于信号保持电容器120的耦合效应的自举操作，即使有机EL器件127的电流-电压特性随着时间流逝改变，由于基于信号保持电容器120的耦合效应的自举操作，可以将驱动晶体管121的控制输入端和输出端之间的电势差维持在恒定幅度。因此，可以一直将有机EL器件127发射的光的亮度维持在恒定幅度。

在此之上，希望操作控制部分109以执行对实现阈值电压补偿操作的控制，用于通过在偏移电势Vofs正被供应至采样晶体管125的输入端的时间段期间将采样晶体管125置于导通状态，来将与驱动晶体管121的阈值电压Vth对应的电压保持在信号保持电容器120中。典型地，采样晶体管125的源极电极被用作采样晶体管125的输入端。如果需要，在将与信号幅度ΔVin对应的信息存储在信号保持电容器120中的操作之前的多个水平时段中重复地实行阈值电压补偿操作。通过重复地实行阈值电压补偿操作，与驱动晶体管121的阈值电压Vth对应的电压可以高可靠性地被保持在信号保持电容器120中。

另外，希望操作控制部分109以执行将采样晶体管125置于导通状态的控制，以便在阈值电压补偿操作之前，在偏移电势Vofs正被供应至采样晶体管125的输入端的时间段期间实行准备用于阈值电压补偿操作的预备操作。准备用于阈值电压补偿操作的预备操作包括放电操作和初始化操作。也就是说，在阈值电压补偿操作之前，在驱动晶体管121的控制输入端和输出端之间出现的电势被初始化。更详细地，连接在驱动晶体管121的控制输入端和输出端之间的信号保持电容器120的两端之间的电势差被设置为至少等于驱动晶体管121的阈值电压Vth的电平。

<根据此实施例的像素电路的操作>

图6是示出在描述作为实现像素电路P的实施例的图5的图中所示的实施例的基本驱动定时中所参考的多个说明时序图的时序图。图7A到图7G中的每个是在描述像素电路的等效电路和该等效电路在图6的时序图的底部示出的时段(A)到(G)中的一个中的操作中所参考的说明电路图。

图6的时序图具有水平轴，用作对所有时序图公用的时间轴。图6的各时序图示出了出现在写驱动线104WS上的写驱动脉冲WS、出现在电源供应线105DSL上的电源驱动脉冲DSL、以及出现在视频信号线106HS上的视频信号Vsig的电势改变。另外，图6的时序图还示出了出现在像素行上的每个驱动晶体管121的栅极电极上的栅极电压Vg和出现在驱动晶体管121的源极电极上的源极电压Vs的改变。栅极电压Vg和源极电压Vs的改变与写驱动脉冲WS、电源驱动脉冲DSL和视频信号Vsig的改变并行地发生。

在以下描述中，除非另外指明，否则假设以下描述的写增益具有理想值1，以便使得说明容易理解。因此，以下描述说明了与信号幅度ΔVin的幅度对应的信息被写入、存储或保持在信号保持电容器120中。如果写增益小于理想值1，则具有小于信号幅度ΔVin的幅度的量的信息被写入、存储或保持在信号保持电容器120中。也就是说，通过将信号幅度ΔVin的幅度乘以写增益而获得的乘积对应的信息被写入、存储或保持在信号保持电容器120中。

顺便提及，在本专利说明书中使用参考标记Ginput来表示写增益，其被定义为实际存储在信号保持电容器120中的信息量与信号幅度ΔVin的比率。如下具体说明写增益Ginput。代替仅仅被存储在信号保持电容器120中，信号幅度ΔVin实际上被保持在电容器串联电路中。电容器串联电路包括彼此串联连接的总电容器C1和电容器C2。总电容器C1表示信号保持电容器120和与信号保持电容器120结合形成并联电路的寄生电容器。另一方面，寄生电容器C2是与信号保持电容器120结合形成串联电路的寄生电容器。写增益Ginput表达如下：

Ginput＝C2/(C1+C2)＝1-C1/(C1+C2)＝1-g

在以上等式中，参考标记g表示表达如下的量：

g＝C1/(C1+C2)

另外，在以下简化描述中，除非另外指明，否则假设自举增益Gbst也具有理想值1，以便使得说明容易理解。在包括驱动晶体管121和连接在驱动晶体管121的栅极和源极电极之间的信号保持电容器120在内的像素电路P中，通过采样晶体管125被置于截止状态，可以发生自举操作，作为其中由于信号保持电容器120的耦合效应、在驱动晶体管121的栅极电极上出现的电势以与在驱动晶体管121的源极电极上出现的电势联锁的方式而改变的操作。自举增益Gbst被定义为在自举操作中出现在栅极电压上的栅极电压Vg的增加与在同一自举操作中出现在源极电极上的源极电压Vs的增加的比率。因此，自举增益Gbst指示自举操作的放大倍率(power)。具体地，自举增益Gbst可以由以下等式表达：

Gbst＝(Cs+Cgs)/(Cs+Cgs+Cgd+Cws)

在以上等式中，参考标记Cs表示信号保持电容器120的电容，参考标记Cgs表示存在于驱动晶体管121的栅极和源极电极之间的寄生电容器C121gs的电容，参考标记Cgd表示存在于驱动晶体管121的栅极和漏极电极之间的寄生电容器C121gd的电容，并且参考标记Cws表示存在于采样晶体管125的栅极和源极电极之间的寄生电容器C125gs的电容。

基本上，写扫描线104WS在每个与由图6的时序图中的参考标记1H表示的一个水平扫描时段相等的间隔处周期性地经历相同的操作。由于相同的原因，电源供应线105DSL也在每个等于一个水平扫描时段1H的间隔处周期性地经历相同的操作。水平扫描时段1H的前部分是所谓的视频信号Vsig的无效时段，而水平扫描时段1H的后部分是所谓的视频信号Vsig的有效时段。利用根据此实施例的定时，在视频信号线106HS上出现的视频信号Vsig在无效时段中被设置为偏移电势Vofs，并且在有效时段中被设置为高电平电势Vin(＝Vofs+ΔVin)，其中参考标记ΔVin表示前述的信号幅度。在此实施例中，取一个水平时段作为实行一次阈值电压补偿操作的处理周期。然而，实际上，阈值电压补偿操作可以实行多次。

一个水平时段变成阈值电压补偿操作的处理周期，因为在一个水平时段期间，对于每个像素行，在采样晶体管125采样对应于信号幅度ΔV的信息并将采样的信息存储(或写入)在信号保持电容器120中之前所进行的阈值电压补偿操作之前，进行初始化操作。在初始化操作中，出现在电源供应线105DSL上的电源驱动脉冲DSL被设置为第二电势Vss，并且出现在驱动晶体管121的栅极电极上的电压被设置为偏移电势Vofs。出现在驱动晶体管121的源极电极上的电势也被设置为第二电势Vss。然后，在将在电源供应线105DSL上出现的电源驱动脉冲DSL设置为第一电势Vcc的状态中，并且在偏移电势Vofs正出现在视频信号线106HS上的时间段期间，采样晶体管导通。实行阈值电压补偿操作，以便保持与驱动晶体管121的阈值电压Vth对应的电压。

由于在一个水平时段的结束之前终止作为阈值电压补偿操作的时段的、图6的时序图所示的时段(D)，因此阈值电压补偿操作的时段自然地比一个水平时段短。因此，可能存在这样的情况：由于包括与信号保持电容器120的电容Cs和第二电势Vss的幅度之间的关系有关的原因在内的一些原因，通过在较短的时段中实行阈值电压补偿操作，不能在信号保持电容器120中保持与驱动晶体管121的阈值电压Vth精确对应的电压。为了解决该问题，在此实施例中多次实行阈值电压补偿操作。也就是说，在用于采样对应于信号幅度ΔVin的信息并将采样的信息存储(或写入)在信号保持电容器120的操作之前的多个水平时段的每个中，实行阈值电压补偿操作。因此，在信息采样和存储操作之前的多个各个水平时段中实行同样多次的阈值电压补偿操作，以便以高可靠度将与驱动晶体管121的阈值电压Vth对应的电压保持在信号保持电容器120中。

首先，以对发光时段的说明开始以下描述，在该发光时段中，电源驱动脉冲DSL被设置为第一电势Vcc，视频信号Vsig被设置为高电平电势Vin，并且通过将写驱动脉冲WS设置为低电平WS_L来将采样晶体管125置于如图7A的电路图中所示的截止状态。在该发光时段中，驱动晶体管121被设置为工作在饱和区。因此，从驱动晶体管121流向有机EL器件127的驱动电流Ids具有根据公式(1)由驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs确定的幅度。

然后，当在电源供应线105DSL上呈现的电源驱动脉冲DSL从第一电势Vcc改变到如图7B的电路图所示的、也称作初始化电势Vini的第二电势Vss时，电源驱动脉冲DSL变成驱动晶体管121的源极，并且驱动晶体管121的源极电压Vs变得几乎等于满足以下关系的初始化电势Vini：Vini(＜Vth(el)+Vcath)，其中参考标记Vth(el)表示有机EL器件127的阈值电压，并且参考标记Vcath表示阴极电势Vcath。随着驱动晶体管121的源极电压Vs变得几乎等于初始化电势Vini，有机EL器件127停止发光。

如图7C的电路图所示，当在写扫描线104WS上呈现的写驱动脉冲WS从低电平WS_L改变到高电平WS_H以便将采样晶体管125置于导通状态时，偏移电势Vofs被供应至驱动晶体管121的栅极电极，并且驱动晶体管121的源极电压Vs变得等于如图7C的电路图所示的初始化电势Vini。因此，此时，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs变得等于(Vofs-Vini)。如果(Vofs-Vini)不大于驱动晶体管121的阈值电压Vth，则不能实行阈值电压补偿操作。因此需要将该电压设置为使得满足关系(Vofs-Vini)＞Vth的值。在作为与图7C的电路图对应的时段的图6的图中所示的时段(C)中，在驱动晶体管121的栅极电极上出现的栅极电势Vg被建立在偏移电势Vofs，并且在驱动晶体管121的源极电极上出现的源极电势Vs被建立在初始化电势Vini，使得栅极-源极电压Vgs(＝Vofs-Vini)大于驱动晶体管121的阈值电压Vth。时段(C)被称作上述初始化操作。

然后，出现在电源供应线105DSL上的电源驱动脉冲DSL从初始化电势Vini改变为如图7D的电路图中所示的第一电势Vcc，将驱动晶体管121置于导通状态。随着驱动晶体管121被置于导通状态，驱动电流Ids正流经驱动晶体管121，对有机EL器件127的寄生电容器Cel充电。因此，驱动晶体管121的源极电压Vs升高，并且在经过预先确定的时间后，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs变得等于驱动晶体管121的阈值电压Vth，将驱动晶体管121置于截止状态。将驱动晶体管121设置在驱动晶体管121的阈值电压Vth的操作被称作阈值电压补偿操作。

在写扫描线104WS上出现的写驱动脉冲WS从高电平WS_H改变为低电平WS_L以便将采样晶体管125置于如图7E的电路图所示的截止状态。随着采样晶体管125被置于截止状态，在驱动晶体管121的栅极电极上出现国的栅极电势Vg被置于浮置状态，但是由于驱动晶体管121的栅极-源极电势Vgs等于阈值电压Vth，因此驱动晶体管121仍然处于截止状态，不允许驱动电流Ids流动。

当在写扫描线104WS上呈现的写驱动脉冲WS从低电平WS_L改变为高电平WS_H以便将采样晶体管125置于如图7F的电路图所示的导通状态时，开始用作信号电势写时段/迁移率补偿时段的时段(F)。如图7F的电路图所示，在时段(F)期间，在视频信号线106HS上呈现的视频信号Vsig已经从偏移电势Vofs改变为高电平电势Vin，其等于(Vofs+ΔVin)，如上所述。因此，与ΔVin对应的电势被添加到在驱动晶体管121的栅极电极上出现的、以在所谓的信号电势写操作中被存储在信号保持电容器120中的栅极电压Vg(或者栅极-源极电压Vgs)。由于栅极-源极电压Vgs已经在如上所述的时段(D)中所实行的阈值电压补偿操作中被设置为驱动晶体管121的阈值电压Vth，因此栅极-源极电压Vgs变得等于(ΔVin+Vth)，其大于驱动晶体管121的阈值电压Vth。另外，驱动晶体管121被置于导通状态，而驱动电流Ids从电源供应线105DSL经由驱动晶体管121流向具有电容Cs的信号保持电容器120和被包括在有机EL器件127中作为具有电容Cel的电容器的寄生电容器Cel。因此，驱动晶体管121的源极电压Vs随着时间流逝而升高。

在时段(F)中将高电平电势Vin供应至驱动晶体管121的栅极电极之前，栅极-源极电压Vgs已经被预先设置为阈值电压Vth。流经驱动晶体管121的驱动电流Ids可以反映驱动晶体管121的迁移率μ的变化。更详细地，对于具有大迁移率μ的驱动晶体管121，驱动电流Ids具有大的幅度，并且源极电压Vs上升很快。另一方面，对于具有小迁移率μ的驱动晶体管121，驱动电流Ids具有小的幅度，并且源极电压Vs上升得慢。驱动晶体管121的源极电压Vs升高了电势差ΔV以降低在对于驱动晶体管121补偿迁移率μ的变化的方向上的栅极-源极电压Vgs。经过某段时间后，得到的栅极-源极电压Vgs近似为由于对驱动晶体管121补偿迁移率μ的变化的所谓迁移率补偿操作而获得的电压。因此时段(F)也是驱动晶体管121的迁移率补偿操作的时段。

在写扫描线104WS上出现的写驱动脉冲WS从高电平WS_H改变为低电平WS_L，以便将采样晶体管125置于截止状态，并向用作发光时段的时段(G)跃迁，在该发光时段中，像素电路P被置于图7G的电路图所示的工作状态。由于(Vin-Vofs+Vth-ΔV)的栅极-源极电压Vgs大于驱动晶体管121的阈值电压Vth，即关系(Vin-Vofs+Vth-ΔV)＞Vth成立，则驱动电流Ids流动，进一步提高驱动晶体管121的源极电压Vs。然而，由于采样晶体管125已经被置于截止状态导致驱动晶体管121的栅极电极进入浮置状态，因此由于在驱动晶体管121的源极电压Vs正在升高的同时信号保持电容器120的耦合效应，发生自举操作。因此，在自举操作中，驱动晶体管121的栅极电压也以与源极电压Vs联锁的方式在升高。结果，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs被维持在(Vin-Vofs+Vth-ΔV)，保持向有机EL器件127输出恒定驱动电流Ids的状态，使得有机EL器件127发光。

可以由下述公式(2)表达驱动电流Ids以用作驱动电流Ids与栅极-源极电压Vgs之间的关系。通过假设写增益具有理想值1并且将(Vin-ΔV+Vth)代入公式(1)右边的表达式中作为对Vgs的替换，公式(2)源自早前前作为表示驱动晶体管121的特性的等式给出的公式(1)。公式(2)的右边的表达式中使用的参考标记k表示如下表达的量：

k＝(1/2)(W/L)Cox

Ids＝kμ(Vgs-Vth)^2＝kμ(ΔVin-ΔV)^2…(2)

阈值电压Vth项从公式(2)中消去，清楚地表明被供应至有机EL器件127的驱动电流Ids不取决于驱动晶体管121的阈值电压Vth。基本上，由高电平电势Vin确定驱动电流Ids。严格来讲，由作为采样信号幅度ΔVin的采样操作的结果而被存储在信号保持电容器120中的电压的栅极-源极电压Vgs来确定驱动电流Ids。换句话说，有机EL器件127发出具有根据信号幅度ΔVin的亮度的光。在有机EL器件127的发光状态中，被存储在信号保持电容器120中作为确定驱动晶体管121的驱动电流Ids的信息的电压也已经通过用作上述负反馈量的迁移率补偿操作参数ΔV被校正。迁移率补偿操作的参数ΔV用于仅消除位于公式(2)的右边的表达式中的系数项处的迁移率μ的影响。因此，由驱动晶体管121产生的驱动电流Ids主要仅取决于信号幅度ΔVin。

也就是说，由于如上所述由像素电路P实行的操作，由表达式(Vin-Vofs+Vth-ΔV)确定在发光时段期间出现在驱动晶体管121的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs，该表达式(Vin-Vofs+Vth-ΔV)包括用作用于对驱动晶体管121补偿驱动晶体管121的阈值电压Vth的变化的参数的项Vth，并包括用作用于对驱动晶体管121补偿驱动晶体管121的迁移率μ的变化的项ΔV。表达式(Vin-Vofs+Vth-ΔV)不受驱动晶体管121的源极电压Vs的变化、即出现在有机EL器件127的阳极电极上的电压的变化的影响。这是因为在基于信号保持电容器120的耦合效应的自举操作期间，驱动晶体管121的栅极电压Vg也以与驱动晶体管121的源极电压Vs联锁的方式改变。顺便提及，在有机EL器件127的阳极电极上出现的电压的变化是由有机EL器件127的I-V特性随着时间流逝的改变引起的。因此，能够消除驱动晶体管121的特性的变化以及有机EL器件127的老化恶化。也就是说，通过精确地驱动像素电路P实行操作，能够消除驱动晶体管121的特性的变化以及有机EL器件127的老化恶化。

<问题>

图8和图9A到9C是在描述由根据此实施例的显示面板部分100引起的问题中参考的说明图。更具体地，图8是在描述由用作电源线的电源供应线的线电阻引起的问题、表现为在全白显示时间时显示图像的操作中产生的问题时将要参考的说明图。另一方面，图9A到图9C每个是在描述由用作电源线的电源供应线105DSL的线电阻引起的问题、表现为在窗口样式显示时间时显示图像的操作中产生的问题时所参考的说明图。要注意，图9A到图9C也用于描述如归因于与晶体管的早期影响的关系的原因的、通过参考图8和图9A到9C说明的问题的原因。

如图8的说明图中所示，每个扫描线Lscan位于水平方向上。在以下参考图8的说明图的描述中，取在电源垂直方向扫描操作中使用的电源供应线105DSL作为典型的扫描线Lscan。因此需要考虑由电源供应线105DSL的线电阻引起的问题。

如图5的图中所示，像素电路P被配置以采用两个晶体管、即驱动晶体管121和采样晶体管125，以及一个电容器、即信号保持电容器120。驱动像素电路P以实行阈值电压补偿功能、迁移率补偿功能和自举功能。在此情况下，在用作被连接到驱动晶体管121的漏极电极的电源供应线的电源供应线105DSL上出现的电源驱动脉冲DSL被从第一电势Vcc切换到也称作初始化电势Vini的第二电势Vss，或反之亦然。如图8和图9A的说明图中所示，电源供应线105DSL位于水平方向上，并且与电源供应线105DSL相同像素行上的像素电路P的每个的驱动电流Ids流向被提供以用作对所有像素电路P公用的线路并用作将参考电势供应至所有像素电路P的线路的阴极电线Wcath。典型地，地线GND用作将0参考电势供应至所有像素电路P的阴极电线Vcath。

在上述配置中，由于从像素阵列部分102的控制部分109向靠近控制部分109一侧的像素电路P延伸的扫描线Lscan与从控制部分109向相反侧的像素电路P延伸的扫描线Lscan之间的线电阻的差，靠近像素阵列部分102的控制部分109一侧的电压降小于与靠近控制部分109的一侧相反的那侧的电压降。靠近控制部分109的一侧称作扫描信号输入端侧，其是图8和图9C的说明图中的面板左端侧。另一方面，与靠近控制部分109的一侧相反的那侧称作扫描信号输出端侧，其是图8和图9C的说明图中的面板右端侧。因此，被供应至扫描信号输出端侧的驱动晶体管121的漏极电极(即电源供应端)的电势低于被供应至扫描信号输入端侧的驱动晶体管121的漏极电极的电势。也就是说，驱动晶体管121与驱动扫描部分105之间的距离越远，线电阻越大，因此沿着向驱动晶体管121延伸的电源供应线105DSL电压降越大。因此，驱动晶体管121与驱动扫描部分105之间的距离越远，被供应至驱动晶体管121的漏极电极(即电源供应端)的电势越低。在图8和图9C的说明图中，将线电阻的每个示出为电阻器的符号。

在这样的配置中，随着驱动晶体管121与驱动扫描部分105之间的距离逐渐增加，施加在驱动晶体管121的漏极和源极电极之间的电压逐渐降低。因此，驱动晶体管121受所谓的早期效应的影响。如果受早期效应的影响，则随着驱动晶体管121与驱动扫描部分105之间的距离逐渐增加，即使采取如早前通过参考图6和图7A到图7G说明的用于消除特性变化的方法，驱动晶体管121产生的驱动电流Ids也逐渐降低。

早期效应导致在所显示的图像中出现根据显示样式而变化的现象。图8是在描述在全白显示的情况下发生的现象时所参考的图。在全白显示的情况下，随着驱动晶体管121与驱动扫描部分105之间的距离逐渐增加，沿着向驱动晶体管121延伸的电源供应线105DSL的电压降也如上所述地逐渐增加。图9B是示出驱动晶体管121的特性的图。如从图9B的图中很明显，随着表现为被供应至驱动晶体管121的漏极电极的电势的电源电压降低，代表由有机EL器件127发射的光的亮度的驱动电流Ids逐渐降低。因此，在全白显示的情况下，即使采取应用如早前通过参考图6和图7A到图7G说明的用于消除特性变化的方法的机制，由有机EL器件127发射的光的亮度也逐渐降低。结果，由有机EL器件127发射的光的亮度如图8的方框图所示地逐渐降低，引起所谓的黑斑现象。

另外，如果根据视频样式的流经驱动晶体管121的驱动电流Ids变化，则由于电源供应线105DSL和用作电源线的阴极电线Vcath的线电阻，电源电压沿着位于水平方向上的像素行也随不同的像素电路P而改变。更详细地，电源电压是施加在驱动晶体管121的漏极和源极电极之间的漏极-源极电压Vds。具体地，驱动电流Ids流向同一像素列上的每个像素电路P中的有机EL器件127的阴极电极。因此，同一像素列上的每个像素电路P中的有机EL器件127的阴极电极被浮置在比地电势GND高了等于乘积Rcath×Ids_all的电势差的电势电平，其中参考标记Rcath表示阴极电线Wcath的线电阻，并且参考标记Ids_all表示每个流向同一像素列上的一个像素电路P中的有机EL器件127的阴极电极的驱动电流Ids的总和。结果，施加在驱动晶体管121的漏极和源极电极之间的漏极-源极电压Vds也改变。

如从图9B的图很明显，随着驱动晶体管121的漏极-源极电压Vds由于早期效应而改变，即使驱动晶体管121工作在饱和区中并获取并且驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs被维持在恒定值，驱动晶体管121的驱动电流Ids也改变。典型地，驱动晶体管121的驱动电流Ids的改变最终被认为是如图9C的图中所示的在显示窗口样式的操作中的水平方向串扰。作为针对水平方向串扰的典型对策，例如，需要消除由于电压降引起的电流降低。一般而言，亮度差的识别水平等于或低于1％。因此，需要针对水平方向串扰采取对策以便满足用于亮度差的识别水平的条件。

另外，由于总驱动电流Ids_all引起的、阴极电势被浮置在地电势GND上的状态根据驱动电流Ids、即根据等级而变化。因此，特性也不被期望地随等级不同而变化。结果，在彩色显示的情况下，恐怕存在彩色相位偏移。

以下描述说明了用作解决上述各种问题的机制的、根据实施例提供的机制。

<基本原理>

图10是在描述用作压制由沿着电源供应线105DSL的多个点处的电压降引起的显示不规则性的机制的、根据各实施例提供的机制时所参考的说明概念图。各实施例是稍后描述的第一到第三实施例。

根据实施例的机制的基本概念隐含了用于调整引线121DL的长度和/或宽度的设计方法，其中引线121DL也称作漏极线，其将在每个像素电路P中采用的驱动晶体管121的漏极电极连接到电源供应线105DSL。如前所述，驱动晶体管121的漏极电极也称作驱动晶体管121的电源供应端。根据该设计方法，对于每个像素电路P调整引线121DL的长度和宽度中的至少一个，使得在驱动在沿电源供应线105DSL的纵向方向上布置的每个像素电路P中所采用的有机EL器件127以发射具有均匀亮度的光的条件下，每个出现在像素电路P之一中所采用的驱动晶体管121的漏极电极(即电源供应端)上的电势对于各像素电路P是均匀的。因此，使得每个出现在像素电路P之一中所采用的驱动晶体管121的漏极电极(即电源供应端)上的电势对于各像素电路P非常均匀，以便驱动在每个像素电路P中采用的有机EL器件127以发射具有均匀亮度的光。结果，能够消除由沿着电源供应线105DSL的多个点处的电压降引起的、表现为诸如黑斑和串扰之类的不规则性的亮度不规则性。

具体地，首先，作为先决条件，电源供应线105DSL被设计为具有制作得尽可能厚的部分的线。制作得尽可能厚的部分不包括与其他线交叉的部分，这是因为难以将与其他线交叉的部分制作得厚。通过将除了与其他线交叉的部分之外的部分制作得尽可能厚，能够大量降低由电源供应线105DSL本身的线电阻引起的电压降。在此之上，对于沿电源供应线105DSL的纵向方向上布置的每个像素电路P调整引线121DL的长度和/或宽度，使得为像素电路P中的任意特定一个而提供的引线121DL的线电阻与将特定的像素电路P连接到驱动扫描部分105的电源供应线105DSL的线电阻的总和变得对所有像素电路P均匀。也就是说，通过变化引线121DL的线电阻，可以补偿在沿着电源供应线105DSL的多个点处的变化的电压降。

基本上，为与用作产生电源驱动脉冲DSL(或者具有脉冲形状的电源电压)的源的驱动扫描部分105分隔了较短纵向距离的像素电路P提供的引线121DL的线电阻被制作得相对较大，而为与用作产生电源驱动脉冲DSL的源的驱动扫描部分105分隔了较长纵向距离的像素电路P提供的引线121DL的线电阻被制作得相对较小。纵向距离是电源供应线105DSL的纵向方向上的距离。通过将为像素电路P提供的引线121DL的线电阻设置为这样的值：驱动扫描部分105与像素电路P之间的纵向距离越长(越短)，线电阻越小(越大)，可以通过变化引线121DL的线电阻来补偿在沿着显示面板部分100中的电源供应线105DSL的多个点处的变化的电压降。因此，可以避免黑斑和/或串扰的产生。结果，能够实现具有良好图像质量的显示装置。

图10是示出包括作为具有两个水平方向像素行和三个垂直方向像素列的像素矩阵的、被嵌入像素阵列部分102中的像素电路P的矩阵的典型配置。如图10的方框图所示，像素电路P1、P2和P3被提供在第一像素行。像素电路P1是在靠近驱动扫描部分105的一侧的像素矩阵P，像素电路P2是在像素行的中间处的像素矩阵P，像素电路P3是在靠近显示面板部分100的右端一侧的像素电路P。由于相同的原因，像素电路P4、P5和P6被提供在第二像素行。像素电路P4是在靠近驱动扫描部分105一侧的像素矩阵P，像素电路P5是在像素行的中间处的像素矩阵P，像素电路P6是在靠近显示面板部分100的右端一侧的像素电路P。

在图10的方框图所示的典型配置中，参考标记r表示作为对应于一个像素电路P的每长度单位的线电阻的、由电源供应线105DSL呈现的线电阻。另一方面，参考标记R表示将每个像素电路P中所采用的驱动晶体管121的漏极电极连接到电源供应线105DSL的引线121DL的线电阻。更具体地，图10的方框图所示的参考标记R1、R2、R3、R4、R5和R6的每个表示分别连接像素电路P1、P2、P3、P4、P5和P6的一个中所采用的驱动晶体管121的漏极电极的引线121DL的线电阻。将后缀附于参考标记R以用作与附于参考标记P后的后缀相匹配的后缀，该参考标记P表示包括具有由参考标记R表示的线电阻的引线121DL的像素电路。

在屏幕上示出全白显示的操作中，基本上，对所有像素电路P均匀的驱动电流Ids(＝I)流经每个驱动晶体管121。由于驱动电流I由驱动扫描部分105产生，并且经过为驱动晶体管121提供的电源供应线105DSL和引线121DL而流向任意像素电路P中的驱动晶体管121，在驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势降低了由电源供应线105DSL和引线121DL的电阻引起的电压降。假设图10的方框图中所示的参考标记V1、V2、V3、V4、V5和V6的每个分别表示出现在像素电路P1、P2、P3、P4、P5和P6的一个中所采用的驱动晶体管121的漏极电极上的电势。将后缀附于参考标记R以用作与附于参考标记P后的后缀相匹配的后缀，参考标记P表示包括具有其上出现由参考标记V表示的电势的漏极电极的驱动晶体管121的像素电路。

假设参考标记ΔV1、ΔV2、ΔV3、ΔV4、ΔV5和ΔV6的每个分别表示从在驱动扫描部分105的输出端处出现的电压到在驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V1、V2、V3、V4、V5和V6之一的电压降。在此情况下，电压降ΔV1、ΔV2、ΔV3、ΔV4、ΔV5和ΔV6可以由公式(3)表达如下：

ΔV1＝r×3I+R1×I

ΔV2＝r×3I+r×2I+R2×I

ΔV3＝r×3I+r×2I+r×I+R3×I

ΔV4＝r×3I+R4×I

ΔV5＝r×3I+r×2I+R5×I

ΔV6＝r×3I+r×2I+r×I+R6×I    ...(3)

即使在驱动扫描部分105的输出端处出现的电压下降为在驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V1、V2、V3、V4、V5和V6，如果电压降对所有驱动晶体管121都是均匀的，则在屏幕上不会产生显示不规则性。通过关注如下事实来设计根据此实施例的机制：如果从在驱动扫描部分105的输出端处出现的电压到在驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V1、V2、V3、V4、V5和V6的电压降对所有驱动晶体管121都是均匀的，则在屏幕上不会产生显示不规则性。如果从在驱动扫描部分105的输出端处出现的电压到在驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V1、V2、V3、V4、V5和V6的电压降对所有驱动晶体管121都是均匀的，则可以从公式(3)导出公式(4)如下：

r×3I+R1×I

＝r×3I+r×2I+R2×I

＝r×3I+r×2I+r×I+R3×I

＝r×3I+R4×I

＝r×3I+r×2I+R5×I

＝r×3I+r×2I+r×I+R6×I    ...(4)

调整为每个像素电路P提供的、也称作漏极线的引线121DL的线电阻R，使得满足公式(4)。也就是说，通过求解公式(4)得到线电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6的值。满足公式(4)的线电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6提供了在每个像素电路P中所采用的驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V，作为如由以下公式表达的对所有像素电路P均匀的电势V：

V1＝V2＝V3＝V4＝V5＝V6

通过适当地改变引线121DL的长度和/或宽度，对在电源供应线105DSL的纵向方向上排列的每个像素电路P调整引线121DL的线电阻R。

具体地，通过减少引线121DL的宽度和/或增加引线121DL的长度来增加将在靠近驱动扫描部分的像素电路P中所采用的驱动晶体管121的漏极电极连接到电源供应线105DSL的引线121DL的线电阻R。另一方面，通过增加引线121DL的宽度和/或减少引线121DL的长度来减小将在远离驱动扫描部分的像素电路P中所采用的驱动晶体管121的漏极电极连接到电源供应线105DSL的引线121DL的线电阻R。在像素阵列部分102中设计这种引线，以便提供在每个像素电路P中所采用的驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V，作为对于所有像素电路P均匀的电势V。

通过调整在每个像素电路P中提供的引线121DL的长度和/或宽度并将这种引线设计在像素阵列部分102中，能够提供出现在每个像素电路P中所采用的驱动晶体管121的漏极电极上的电势V，作为对于所有像素电路P均匀的电势V。如之前所述，驱动晶体管121的漏极电极用作驱动晶体管121的电源供应端。即使由于流经电源供应线105DSL和引线121DL的驱动电流Ids，而导致在驱动扫描部分105的输出端处出现的电压下降为在驱动晶体管121的漏极电极上出现的电势V1、V2、V3、V4、V5和V6，如果电压降对所有驱动晶体管121是均匀的，则在显示屏幕上不会产生显示不规则性。

<第一实施例>

图11A、图11B、图12、图13A和图13B的每个是用作在描述实现早前通过参考图10的图说明的基本原理的根据第一实施例的典型布局时所参考的模型图的说明图。更具体地，图11A和图11B每个是用作在描述根据稍后将描述的第一到第三实施例之一的典型布局时所参考的模型图的图。另一方面，图12是用作在描述根据第一实施例的典型布局中所参考的模型图的图。要注意，由于电源供应线105DSL与引线121DL之间的关系是对于根据此实施例的机制最重要的关系，因此通过示出像素电路P以简单的方式显示其它部分。为了清楚，在图11A的电路图中也示出了像素电路P的完整配置。

无论如何，为了降低写扫描线104WS、电源供应线105DSL和视频信号线106HS的电阻，由诸如铝或者钨之类的低电阻率材料制造写扫描线104WS、电源供应线105DSL和视频信号线106HS的每个，并将它们实现在第二配线层L2上。要注意，还为视频信号线106HS提供的、由具有相对较大的电阻的诸如钼之类的不同材料制成的第一配线层L1覆盖了视频信号线106HS与写扫描线104WS的交叉部分以及视频信号线106Hs与电源供应线105DSL的交叉部分。在图11B的图中所示的典型布局中，在视频信号线106HS与写扫描线104WS的交叉部分以及视频信号线106Hs与电源供应线105DSL的交叉部分的每个处，使得视频信号线106HS的一部分穿过为交叉部分所提供的第一配线层L1。

将晶体管的一端连接到扫描线的引线典型地被实现在第一配线层L1或第二配线层L2上，或者实现在不同于第一配线层L1或第二配线层L2的层上。例如，在图11B的图中所示的典型比较布局中，由与在第一配线层L1上实现的视频信号线106HS相同的材料制成的栅极引线125GL被用于将采样晶体管125的栅极电极连接到写扫描线104WS。栅极引线125GL也仅称作栅极线。另一方面，在第三配线层L3上实现的引线121DL被用于将驱动晶体管121的漏极电极连接到电源供应线105DSL。在第三配线层L3上实现的引线121DL由与用于制造第一配线层L1和第二配线层L2上的写扫描线104WS、电源供应线105DSL和视频信号线106HS的材料不同的材料制成。与用于制造第二配线层L2上的写扫描线104WS、电源供应线105DSL和视频信号线106HS的材料相比，用于制造第三配线层L3上的引线121DL的材料具有很大的电阻率。也就是说，对于相同的宽度、相同的长度和相同的厚度，与第二配线层L2相比，在第三配线层L3上实现的引线121DL具有高的电阻。多晶硅层是用于制造在第三配线层L3上实现的引线121DL的材料的典型例子。

在图11B的图中所示的典型比较布局中，引线121DL以相同的方式连接到电源供应线105DSL。引线121DL的线形状对所有像素电路P是均匀的。也就是说，引线121DL具有对所有像素电路P均匀的布局。

另一方面，在图12的图中所示的根据第一实施例的布局中，使得在靠近驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的电阻相对较大，而使得在远离驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的电阻相对较小。如图10的图中所示，靠近驱动扫描部分105的像素电路P是像素电路P1和P4，而远离驱动扫描部分105的像素电路P是像素电路P3和P6。

也就是说，在任意像素电路P上的引线121DL的长度被设置为这样的值：使得驱动扫描部分105与像素电路P的距离越远，引线121DL的电阻越小。具体地，在图12的图中所示的根据第一实施例的布局中，引线121DL包括连接到驱动晶体管121的漏极电极的第一引线121DL_1和连接到电源供应线105DSL的第二引线121DL_2。使得在漏极侧的第一引线DL_1与图11B的图中所示的典型比较布局的引线几乎一致。然而，通过用作延长线的第二引线121DL_2来延长第一引线121DL_1以接触电源供应线105DSL，并且根据包括第一引线121DL_1的像素电路P的位置来调整第二引线121DL_2的长度。以此方式，使得在靠近驱动扫描部分105或者靠近输入端侧的任意像素电路P上的整个引线121DL的长度相对较大，而使得在远离驱动扫描部分105或者远离输入端侧的任意像素电路P上的整个引线121DL的长度相对较小。也就是说，调整任意像素电路P上的整个引线121DL的长度，使得驱动扫描部分105与像素电路P的距离越远，整个引线121DL的长度越小。顺便提及，在离驱动扫描部分105最远的像素电路P上，即在显示面板部分100的右端侧的输出端侧上的像素电路P上，不使用第二引线121DL_2作为延长线，以便使得整个引线121DL的长度最小。

包括第一引线121DL_1和第二引线121DL_2的引线121DL与电源供应线105DSL分离地被实现在与实现电源供应线105DSL的第二配线层L2平行的第三配线层L3上。如之前所述，由诸如多晶硅的材料制造在第三配线层L3上实现的引线121DL。通过以此方式实现引线121DL，引线121DL绝不用作对于其他线的布局的阻碍。则，在根据公式(4)得到引线121DL的电阻R以便对于每个像素电路P确定第二引线121DL_2的长度后，每个第二引线121DL_2连接到之前所述的接触处。在不具有第二引线121DL_2的像素电路P的情况下，第一引线121DL_1直接连接到所述接触处。

另外，引线121DL被实现在第三配线层L3上，并由与用于制造实现电源供应线105DSL的第二配线层L2的材料相比具有大电阻率的材料制成。因此，很容易实现根据公式(4)得到引线121DL的电阻R以便确定第二引线121DL_2的长度的处理。

<第二实施例>

图13是用作在描述实现早前通过参考图10的图说明的基本原理的、根据第二实施例的典型布局时所参考的模型图的说明图。在图10的图中所示的所实现的机制中，使得在靠近驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的电阻相对较大，而使得在远离驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的电阻相对较小。如图10的图中所示，靠近驱动扫描部分105的像素电路是像素电路P1和P4，而远离驱动扫描部分105的像素电路是像素电路P3和P6。

也就是说，对每个像素电路确定在任意像素电路P上的引线121DL的宽度，使得从驱动扫描部分105到像素电路P的距离越远，为像素电路P提供的引线121DL的宽度值被设置得越大。具体地，在根据第二实施例的布局中，代替调整第二引线121DL_2的长度，将在靠近驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的宽度设置在相对较小的值，而将远离驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的宽度被设置在相对较大的值。

在平行于与电源供应线105DSL分离地实现电源供应线105DSL的第二配线层L2的第三配线层L3上、实现引线121DL。如之前所述，在第三配线层L3上实现的引线121DL由诸如多晶硅之类的材料制成。通过以此方式实现引线121DL，引线121DL绝不用作对其他线的布局的障碍。

顺便提及，在远离驱动扫描部分105的像素电路P上，可以将连接到引线121DL的接触处的数量增加到适合于引线121DL所增加的宽度的值。作为替换，可以使得连接到引线121的接触处的数量对于所有像素电路P是均匀的。

<第三实施例>

图13B是用作在描述实现早前通过参考图10的图说明的基本原理的、根据第三实施例的典型布局时所参考的模型图的说明图。在图10的图中所示的所实现的机制中，使得在靠近驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的电阻相对较大，而使得在远离驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的电阻相对较小。如图10的图中所示，靠近驱动扫描部分1056的像素电路是像素电路P1和P4，而远离驱动扫描部分105的像素电路是像素电路P3和P6。

也就是说，对每个像素电路确定在任意像素电路P上的引线121DL的长度和宽度，使得从驱动扫描部分105到像素电路P的距离越远，为像素电路P而提供的引线121DL的长度被设置得越小，并且为像素电路P而提供的引线121DL的宽度值被设置得越大。具体地，在根据通过组合第一和第二实施例而获得的第三实施例的布局中，在靠近驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的长度被设置在相对较大的值，而在靠近驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的宽度被设置在相对较小的值。另一方面，在远离驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的长度被设置在相对较小的值，而在远离驱动扫描部分105的每个像素电路P上的引线121DL的宽度被设置在相对较大的值。

以与第一实施例相同的方式，在平行于与电源供应线105DSL分离地实现电源供应线105DSL的第二配线层L2的第三配线层L3上、实现包括第一引线121DL_1和第二引线121DL_2的引线121DL。如之前所述，在第三配线层L3上实现的引线121DL由诸如多晶硅之类的材料制成。通过以此方式实现引线121DL，第一引线121DL_1和第二引线121DL_2的每个绝不用作对其他线的布局的障碍。

通过根据如上所述的第三实施例调整第二引线121DL_2的长度和宽度两者，引线121DL的电阻的范围变得比每个由第一或第二实施例提供的、作为引线121DL的电阻范围的范围更宽。

通过根据如上所述的第一到第三实施例的任意一个来设计像素布局，能够压制图8的图中所示的黑斑现象和图9C的图中所示的串扰现象。黑斑和串扰现象是由在沿着电源供应线105DSL的多个点处的电压降引起的现象，变成由在图11A和图11B的图中所示的典型比较像素布局引起的问题。因此，在采用每个具有诸如有机EL器件127之类的电流驱动发光的发光器件的像素电路的显示装置中，可以压制黑斑和串扰现象。结果，可以获得良好的图像质量。

本申请包含与2008年4月16日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2008-106456中公开的主题有关的主题，通过引用将其全部内容合并于此。

本领域技术人员应当理解，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种修改、组合、子组合和变更，只要它们在所附权利要求或其等效物的范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，具有：

像素阵列部分，包括：

像素电路，每个被提供了驱动晶体管和电光器件，并且被布局以形成矩阵；以及

引线，被提供在所述像素电路的每个中用作将所述驱动晶体管连接到电源供应线的线，

其中，在靠近向所述电源供应线施加电源电压的源的所述像素电路中，所述引线的电阻相对较大。

2.根据权利要求1的显示装置，其中所述引线的长度和宽度中的至少一个根据包括所述引线的所述像素电路的位置而变化。

3.根据权利要求2的显示装置，其中变化所述引线的长度和宽度中的至少一个，使得在驱动在所述像素电路的一个中所采用的每个所述电光器件以发射对所有所述像素电路均匀的光的条件下，在所述驱动晶体管的电源供应端上出现的电势变得对于所有所述像素电路是均匀的。

4.根据权利要求2的显示装置，其中：

所述引线被建立在与所述电源供应线的电源配线层分离的引线配线层上；以及

在与所述电源供应线的电源配线层平行的所述引线配线层上实现在所述引线中包括的线部分作为如下线部分，其中所述线部分的长度和宽度根据包括所述引线的所述像素电路的位置而变化。

5.根据权利要求1的显示装置，其中用于制造所述引线的线材料具有比用于制造所述电源供应线的线材料的电阻率大的电阻率。

6.根据权利要求1的显示装置，所述显示装置还具有驱动信号稳定电路，用于稳定由所述驱动晶体管产生的驱动电流。

7.根据权利要求6的显示装置，其中

所述像素电路具有

采样晶体管，用于根据预先确定的定时将视频信号传递到所述驱动晶体管以及信号保持电容器，以及

所述驱动信号稳定电路被配置为：

通过将所述视频信号的电势从参考电势切换到信号电势，来将所述视频信号供应至所述采样晶体管，并反之亦然；以及

实现阈值电压补偿功能，以通过在如下时间段期间将所述采样晶体管置于导通状态，来将与所述驱动晶体管的阈值电压对应的电压保持在所述信号保持电容器中，在该时间段期间，与用于致使驱动电流流向所述电光器件的第一电势对应的电压正被施加到所述驱动晶体管的电源供应端，而所述视频信号的所述参考电势正被施加到所述采样晶体管。

8.根据权利要求6的显示装置，其中

所述像素电路具有

采样晶体管，用于将视频信号传递到所述驱动晶体管以及信号保持电容器，以及

所述驱动信号稳定电路被配置以实现

阈值电压补偿功能，以将与所述驱动晶体管的阈值电压对应的电压保持在信号保持电容器中；以及

迁移率补偿功能，以通过在完成所述阈值电压补偿功能的执行后将所述采样晶体管置于导通状态，在将要被存储在所述信号保持电容器中的信号的幅度存储在所述信号保持电容器中作为视频信息的操作中，向要被存储在所述信号保持电容器中的信号添加与所述驱动晶体管的迁移率对应的补偿电压。

9.将权利要求6的显示装置，其中

所述像素电路具有

信号保持电容器，以及

所述驱动信号稳定电路被配置为基于所述信号保持电容器的耦合效应来实现自举功能，其中所述信号保持电容器连接在所述驱动晶体管的控制输入端与所述驱动晶体管的驱动电流输出端之间。

10.一种显示装置，具有：

像素阵列部件，包括：

像素电路，每个被提供了驱动晶体管和电光器件，并且被布局以形成矩阵；以及

引线，被提供在所述像素电路的每个中用作将所述驱动晶体管连接到电源供应线的线，

其中，在靠近向所述电源供应线施加电源电压的源的所述像素电路中，所述引线的电阻相对较大。

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