具体实施方式
图1A为本发明的电子系统示意图。如图所示,电子系统100包括,电压转换装置110以及显示面板120。电压转换装置110将输入电压VIN,转换成输出电压VOUT。显示面板120接收输出电压VOUT,并呈现图像。在本实施例中,输出电压VOUT为直流(DC)电压。
本发明并不限制输入电压VIN的种类。在其它可能实施例中,输入电压VIN为交流(AC)电压或是直流电压。另外,电子系统100可为个人数字助理(PDA)、移动电话(cellular phone)、数字相机、电视、全球定位系统(GPS)、车用显示器、航空用显示器、数字相框(digital photo frame)、笔记本型计算机或是桌上型计算机。
显示面板120包括,电源线(power line)121、参考线122、像素单元P1、P2以及电源供应装置123。电源线121具有节点N1及N2。在本实施例中,电源线121具有起始端NPS,接收电源供应装置123所提供的操作电压PVDD。如图所示,节点N2至起始端NPS之间的距离大于节点N1至起始端NPS之间的距离。
参考线122具有节点N3及N4。在本实施例中,参考线122具有起始端NRS,接收电源供应装置123所提供的参考电压Vref或GND。如图所示,节点N4至起始端NRS之间的距离小于节点N3至起始端NRS之间的距离。另外,参考线122具有一结束端,其可接收一接地电压。在本实施例中,接地电压等于参考电压GND。
像素单元P1包括驱动晶体管MD1以及电容C1。驱动晶体管MD1耦接节点N1。电容C1耦接于驱动晶体管MD1的栅极与节点N3之间。像素单元P2包括驱动晶体管MD2以及电容C2。驱动晶体管MD2耦接节点N2。电容C2耦接于驱动晶体管MD2的栅极与节点N4之间。在本实施例中,驱动晶体管MD1及MD2均为P型晶体管,但并非用以限制本发明。
电源供应装置123撷取节点N1及N2的一者的电压,并根据撷取结果,提供参考电压Vref或GND予参考线122。在本实施例中,电源供应装置123撷取节点N2的电压,但并非用以限制本发明。在其它实施例中,电源供应装置123可撷取节点N1的电压。
图1B显示多个像素单元P11~Pmn的排列方式以及像素单元P11~Pmn与电源线121和参考线RL1~RLn之间的连接关系。在本实施例中,像素单元P11~Pmn是以阵列方式排列,但并非用以限制本发明。
在图1B中,显示面板120还包括一驱动装置124。驱动装置124包括,栅极驱动器(gate driver)125以及源极驱动器(source driver)126。栅极驱动器125提供扫描信号予栅极线(gate line)GL1~GLn。源极驱动器126提供数据信号予数据线(data line)DL1~DLm。在一可能实施例中,电源供应装置123的所有元件或是部分元件,可与驱动装置124集成成一集成电路(integrated circuit;IC)。
另外,在本实施例中,电源供应装置123仅根据电源线121的节点NP11的电压,产生控制信号SC以及参考信号Vref予栅极驱动器125。栅极驱动器125根据控制信号SC,选择性地输出参考信号Vref或GND予参考线RL1~RLn。在其它实施例中,电源供应装置123可根据电源线121上的不同节点的电压,产生不同的参考信号予栅极驱动器125。栅极驱动器125再选择性地将相对应的参考信号输出至参考线RL1~RLn。
举例而言,假设,第一列(row,水平方向)的像素单元P11~Pm1耦接到参考线RL1,第二列的像素单元P12~Pm2耦接到参考线RL2。在此例中,电源供应装置123可根据不同节点(如NP11及NP12)的电压,产生不同的参考电压予栅极驱动器125。栅极驱动器125再选择性地将相对应的参考线RL1及RL2。
图2A为本发明的像素单元的一可能实施例。由于像素单元P11~Pmn的结构均相同,故仅以像素单元P11为例,说明像素单元P11的电路结构。如图所示,像素单元P11包括,切换晶体管MS11、电容C11、驱动晶体管MD11以及发光元件200。
在本实施例中,切换晶体管MS11为一N型晶体管,其栅极耦接栅极线GL1,用以接收扫描信号,其漏极耦接数据线DL1,用以接收数据信号,其源极耦接驱动晶体管MD11的栅极。电容C11耦接于节点NR11与驱动晶体管MD11的栅极之间。
驱动晶体管MD11可为一P型晶体管,其源极耦接节点NP11,其漏极耦接发光元件200。发光元件200的另一端接收电压PVEE。发光元件200可为一发光二极管(LED)或是一有机发光二极管(OLED),但并非用以限制本发明。本发明并不限制发光元件200的种类。
请配合图1B,在一第一期间,栅极驱动器125提供扫描信号予栅极线GL1~GLn,并且源极驱动器126亦提供数据信号予数据线DL1~DLm。此时,电源供应装置123提供操作电压PVDD予电源线121。
在一第二期间,电源供应装置123撷取节点NP11的电压,并根据撷取后的结果,产生参考电压Vref以及控制信号SC。栅极驱动器125根据控制信号SC,通过参考线RL1,传送参考电压Vref予像素单元P11~Pm1。因此,节点NR11的电压为参考电压Vref。在此期间,由于栅极线GL1上的扫描信号导通切换晶体管MS11,故节点Nb的电压等于数据线DL1上的数据信号VDATA。
在一第三期间,栅极线GL1上的扫描信号不导通切换晶体管MS11。因此,节点Nb的电压仍等于数据信号VDATA(假设为3V)。此时,节点NR11的电压仍等于参考电压Vref(假设为1V)。
在一第四期间,栅极驱动器125根据控制信号SC,使参考线RL1传送参考电压GND予像素单元P11~Pm1。因此,节点NR11的电压将由参考电压Vref变化至参考电压GND。由于电容C11的耦合效应,故节点Nb的电压也会下降Vref。因此,节点Nb的电压VNb=VDATA-Vref。
由于电源线121的等效阻抗所造成的压降可能会影响驱动晶体管MD11的源极与栅极之间的跨压,故可通过控制参考线RL1~RLn的电压电平,补偿因电源线121的等效阻抗所造成的压降,因而恢复驱动晶体管MD11的源极与栅极之间的跨压。
举例而言,在第一期间,操作电压PVDD等于5V,数据线DL1上的数据信号VDATA等于3V。因此,驱动晶体管MD11的源极与栅极之间的跨压(VG-VS)等于2V(5V-3V)。
假设,电源线121的等效电阻造成1V的压降。因此,在第二期间,故节点NP11的电压(即驱动晶体管MD11的源极电压)为4V(5V-1V)。电源供应装置123根据节点NP11的电压得知电源线121的等效电阻造成1V的压降,故将参考电压Vref设定成1V。因此,在第二期间,节点NR11的电压为1V。由于节点Nb的电压仍为3V,故驱动晶体管MD11的源极与栅极之间的跨压将由原先的2V变化成1V(4V-3V)。
在第三期间,由于节点NR11的电压仍为1V,并且节点Nb的电压仍为3V,故驱动晶体管MD11的源极与栅极之间的跨压仍维持在1V。
在第四期间,节点Nb的电压VNb=VDATA-Vref(即3V-1V)。由于节点NP11的电压为4V,而节点Nb的电压VNb=2V,故驱动晶体管MD11的源极与栅极之间的跨压由1V恢复成2V。
图2B为本发明的像素单元的另一可能实施例。图2B相似图2A,不同之处在于,图2B多了控制晶体管MC11。在本实施例中,控制晶体管MC11为一N型晶体管,其栅极接收发光信号SEM,其漏极耦接驱动晶体管MD11的漏极,其源极耦接发光元件200。
本发明并不限制像素单元的内部结构。只要像素单元具有一驱动晶体管以及一电容,便可作为本发明所述的像素单元,其中该像素单元内的驱动晶体管是耦接到一电源线,并且该像素单元内的电容是耦接在一参考线以及该驱动晶体管的栅极之间。
图3为本发明的电源供应装置123的一可能实施例。如图所示,电源供应装置123包括处理单元310以及电压产生单元330。处理单元310撷取电源线121上的任一节点的电压,并根据撷取结果,产生控制信号SC。在本实施例中,处理单元310撷取节点NP11的电压VNP11。另外,节点NP11至电源线121的起始端NPS之间的距离大于节点NP12至电源线121的起始端NPS之间的距离。
在本实施例中,处理单元310包括,减法器(subtraction)311以及比较器(comparator)312。减法器311计算操作电压PVDD与该被撷取的电压(即节点NP11的电压VNP11)之间的差值。在本实施例中,减法器311所计算的差值是作为参考电压Vref。
比较器312根据减法器311所计算的差值(Vref)以及参考信号Sref,产生控制信号SC。在本实施例中,当减法器311所计算的差值小于参考信号Sref时,控制信号SC为一禁能状态;当减法器311所计算的差值大于参考信号Sref时,则控制信号SC为一致能状态。
电压产生单元330输出控制信号SC以及参考电压Vref予栅极驱动器125,其中参考电压Vref为减法器311所计算的差值。在一可能实施例中,参考电压GND小于参考电压Vref。
在本实施例中,当控制信号SC为致能状态时,栅极驱动器125提供参考电压Vref予参考线RL1~RLn;当控制信号SC为禁能状态时,栅极驱动器125提供参考电压GND予参考线RL1~RLn。在一可能实施例中,电压产生单元330可集成于图1B所示的栅极驱动器125之中。在此例中,栅极驱动器125具有多个电压产生单元330,用以分别控制参考线RL1~RLn的电平。
在本实施例中,电压产生单元330包括晶体管331及332。晶体管331可为一P型晶体管。晶体管332可为一N型晶体管。当控制信号SC为致能状态时,晶体管331传送参考电压Vref予参考线RL1~RLn。当控制信号SC为禁能状态时,晶体管332传送参考电压GND予参考线RL1~RLn。
另外,在本实施例中,电源供应装置123还包括电压产生单元350。电压产生单元350提供操作电压PVDD予电源线121的起始端NPS。在一可能实施例中,处理单元310根据操作电压PVDD与该被撷取的电压(即VNP11),产生控制信号SC。
图4为本发明的控制方法的一可能流程图。本发明的控制方法适用于图1A所示的像素单元P1及P2。因此,以下以图1A的符号,说明本发明的控制方法的一可能流程。
首先,提供操作电压PVDD予电源线121,并撷取节点N1及N2的一者的电压,用以产生参考电压Vref(步骤S410)。在一可能实施例中,参考电压Vref可为操作电压PVDD与该被撷取的电压之间的差值。
在本实施例中,是撷取节点N2的电压。节点N2至一电源供应装置(如图1A所示的符号123)之间的距离大于节点N1至电源供应装置123之间的距离。另外,操作电压PVDD可由电源供应装置123所提供。
接着,提供一扫描信号以及一数据信号予该第一或第二像素单元,并提供参考电压Vref予参考线122(步骤S430)。以图1A的像素单元P1为例,此时,驱动晶体管MD1的栅极电压约等于数据信号,而节点N4的电压约等于参考电压Vref。
然后,停止提供该扫描信号,继续提供参考电压Vref(步骤S450)。此时,驱动晶体管MD1的栅极电压仍约等于数据信号,而节点N4的电压亦约等于参考电压Vref。
最后,提供参考电压GND予参考线122(步骤S470)。此时,节点N4的电压约等于参考电压GND。在本实施例中,参考电压GND小于参考电压Vref。根据电容C2的特性,当节点N4的电压由原先的Vref下降至GND时,驱动晶体管MD1的栅极电压将会下降Vref。因此,便可补偿因电源线121的阻抗所造成的压降。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。