CN107564412B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置，该显示装置包括：基底，具有第一像素区域、具有比第一像素区域小的面积的第二像素区域以及围绕第一像素区域和第二像素区域的外围区域，第二像素区域连接到第一像素区域；第一像素和第二像素，分别位于第一像素区域和第二像素区域处；第一线，连接到第一像素，第二线，连接到第二像素；虚设单元，在外围区域中，虚设单元与第一线和第二线中的至少一种叠置，虚设单元被构造为补偿第一线的负载值与第二线的负载值之间的差，其中，虚设单元包括彼此间隔开的至少两个子虚设单元。

Description

显示装置

本申请要求于2016年6月30日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0083128号韩国专利申请的优先权，该专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的一方面涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括具有不同面积的区域的显示装置。

背景技术

显示装置包括具有显示元件的多个像素。线和连接到线以驱动显示元件的多个晶体管被设置在每个像素中。线可以根据线的长度具有不同的负载值。由负载值之间的差引起的亮度差会出现在由显示装置提供的最终的图像中。

发明内容

本公开的实施例的方面是针对一种显示装置，该显示装置具有均匀的亮度，而与区域无关。

根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，具有第一像素区域、具有比第一像素区域小的面积的第二像素区域以及围绕第一像素区域和第二像素区域的外围区域，第二像素区域连接到第一像素区域；第一像素和第二像素，分别位于第一像素区域和第二像素区域处；第一线，连接到第一像素，第二线，连接到第二像素；虚设单元，在外围区域中，虚设单元与第一线和第二线中的至少一种叠置，虚设单元被构造为补偿第一线的负载值与第二线的负载值之间的差，其中，虚设单元包括彼此间隔开的至少两个子虚设单元。

在一些实施例中，外围区域具有：第一外围区域，在第一像素区域周围；第二外围区域，在第二像素区域周围；附加外围区域，与第一像素区域和第二外围区域相邻。

在一些实施例中，第一线的长度比第二线的长度大。

在一些实施例中，第一线是用于将扫描信号提供到第一像素的第一扫描线，第二线是用于将扫描信号提供到第二像素的第二扫描线。

在一些实施例中，虚设单元包括：第一子虚设单元，在附加外围区域中；第二子虚设单元，在第二外围区域中。

在一些实施例中，虚设单元包括提供到第二外围区域和附加外围区域的虚设线，虚设线与第二扫描线叠置。

在一些实施例中，第二像素区域具有：第一子区域，与第一像素区域相邻；第二子区域，与第一像素区域间隔开。

在一些实施例中，第一子虚设单元的虚设线的一部分与连接到第一子区域的第二像素的第二扫描线叠置，第二子虚设单元的虚设线的一部分与连接到第二子区域的第二像素的第二扫描线叠置。

在一些实施例中，第二子区域具有与第一子区域相同的宽度。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元补偿的负载值等于通过第二子虚设单元补偿的负载值。

在一些实施例中，第二子区域的宽度随着距第一子区域的距离增加而减小。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元补偿的负载值与通过第二子虚设单元补偿的负载值不同。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元补偿的负载值比通过第二子虚设单元补偿的负载值小。

在一些实施例中，显示装置还包括分别连接到第一像素和第二像素的第一发光控制线和第二发光控制线。

在一些实施例中，第一子虚设单元的虚设线的一部分与连接到第二像素区域的第一子区域中的第二像素的第二发光控制线叠置，第二子虚设单元的虚设线的一部分与连接到第二像素区域的第二子区域中的第二像素的第二发光控制线叠置。

在一些实施例中，基底还具有与第二像素区域间隔开的第三像素区域，第三像素区域连接到第一像素区域。

在一些实施例中，显示装置还包括：第三像素，在第三像素区域处；第三扫描线，将扫描信号提供到第三像素，其中，第三扫描线的长度比第一扫描线的长度小。

在一些实施例中，显示装置还包括与第三扫描线叠置的附加虚设单元，附加虚设单元被构造为补偿第三扫描线的负载值与第一扫描线的负载值之间的差。

在一些实施例中，第二像素区域具有：第一子区域，与第一像素区域相邻；第二子区域，与第一像素区域间隔开；第三子区域，位于第一子区域与第二子区域之间。

在一些实施例中，虚设单元包括：第一子虚设单元，在附加外围区域中，第一子虚设单元被构造为补偿第一子区域的第二线的负载值；第二子虚设单元，在与第二子区域对应的第二外围区域中，第二子虚设单元被构造为补偿第二子区域的第二线的负载值；第三子虚设单元，在与第三子区域对应的第二外围区域中，第三子虚设单元被构造为补偿第三子区域的第二线的负载值。

在一些实施例中，第一子区域、第二子区域和第三子区域具有相同的宽度。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元补偿的负载值、通过第二子虚设单元补偿的负载值以及通过第三子虚设单元补偿的负载值相同。

在一些实施例中，在第一子区域至第三子区域之中，第一子区域的宽度是最大的，第二子区域的宽度是最小的。

在一些实施例中，在通过第一子虚设单元补偿的负载值、通过第二子虚设单元补偿的负载值以及通过第三子虚设单元补偿的负载值之中，通过第二子虚设单元补偿的负载值是最大的，通过第一子虚设单元补偿的负载值是最小的。

根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，具有第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和围绕第一像素区域至第三像素区域的外围区域，第二像素区域和第三像素区域中的每个像素区域具有比第一像素区域小的面积，第二像素区域和第三像素区域连接到第一像素区域，第二像素区域和第三像素区域彼此间隔开；第一像素、第二像素和第三像素，分别位于第一像素区域至第三像素区域处；第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，连接到第一像素至第三像素，以将扫描信号提供到第一像素至第三像素中的每个像素；虚设单元，在外围区域中，虚设单元分别与第二扫描线和第三扫描线叠置，虚设单元被构造为补偿第一扫描线的负载值与第二扫描线的负载值之间的差以及第一扫描线的负载值与第三扫描线的负载值之间的差，其中，虚设单元包括彼此间隔开的至少两个子虚设单元。

在一些实施例中，外围区域具有：第一外围区域，在第一像素区域周围；第二外围区域，在第二像素区域周围；第三外围区域，在第三像素区域周围；附加外围区域，在第一像素区域的一侧中使第二外围区域连接到第三外围区域。

在一些实施例中，第一扫描线具有比第二扫描线和第三扫描线长的长度。

在一些实施例中，虚设单元中的与第二扫描线叠置的虚设单元包括在附加外围区域中的第一子虚设单元和在第二外围区域中的第二子虚设单元，虚设单元中的与第三扫描线叠置的虚设单元包括在附加外围区域中的第三子虚设单元和在第三外围区域中的第四子虚设单元。

在一些实施例中，虚设单元包括提供到第二外围区域、第三外围区域和附加外围区域的虚设线，虚设线与第二扫描线和第三扫描线叠置。

在一些实施例中，第二像素区域和第三像素区域中的每个像素区域具有：第一子区域，与第一像素区域相邻；第二子区域，与第一像素区域间隔开。

在一些实施例中，第一子虚设单元和第三子虚设单元的虚设线的一部分与分别连接到第一子区域的第二像素和第三像素的第二扫描线和第三扫描线叠置，其中，第二子虚设单元和第四子虚设单元的虚设线的一部分与分别连接到第二子区域的第二像素和第三像素的第二扫描线和第三扫描线叠置。

在一些实施例中，第一子区域和第二子区域具有相同的宽度。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元至第四子虚设单元补偿的负载值相同。

在一些实施例中，第二子区域的宽度随着距第一子区域的距离增加而减小。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元和第三子虚设单元补偿的负载值与通过第二子虚设单元和第四子虚设单元补偿的负载值不同。

在一些实施例中，通过第一子虚设单元和第三子虚设单元补偿的负载值比通过第二子虚设单元和第四子虚设单元补偿的负载值小。

在一些实施例中，显示装置还包括分别连接到第一像素至第三像素的第一发光控制线、第二发光控制线和第三发光控制线。

在一些实施例中，第一子虚设单元和第三子虚设单元的虚设线与分别连接到第二像素区域和第三像素区域的第一子区域中的第二像素和第三像素的第二发光控制线和第三发光控制线叠置，第二子虚设单元和第四子虚设单元的虚设线与分别连接到第二像素区域和第三像素区域的第二子区域中的第二像素和第三像素的第二发光控制线和第三发光控制线叠置。

在一些实施例中，第二像素区域和第三像素区域中的每个像素区域具有：第一子区域，与第一像素区域相邻；第二子区域，与第一像素区域间隔开；第三子区域，位于第一子区域与第二子区域之间。

在一些实施例中，虚设单元包括：第一子虚设单元，在附加外围区域中，第一子虚设单元被构造为补偿第一子区域的第二扫描线的负载值；第二子虚设单元，在与第二子区域对应的第二外围区域中，第二子虚设单元被构造为补偿第二子区域的第二扫描线的负载值；第三子虚设单元，在与第三子区域对应的第二外围区域中，第三子虚设单元被构造为补偿第三子区域的第二扫描线的负载值。

在一些实施例中，第一子区域、第二子区域和第三子区域具有相同的宽度，通过第一子虚设单元补偿的负载值、通过第二子虚设单元补偿的负载值以及通过第三子虚设单元补偿的负载值相同。

在一些实施例中，在第一子区域至第三子区域之中，第一子区域的宽度是最大的，第二子区域的宽度是最小的，在通过第一子虚设单元补偿的负载值、通过第二子虚设单元补偿的负载值以及通过第三子虚设单元补偿的负载值之中，通过第二子虚设单元补偿的负载值是最大的，通过第一子虚设单元补偿的负载值是最小的。

根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，具有第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和围绕第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的外围区域，第二像素区域和第三像素区域与第一像素区域的同一侧相邻并且均具有比第一像素区域小的面积；第一像素、第二像素和第三像素，分别位于第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域处；第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，用于分别将扫描信号提供到第一像素、第二像素和第三像素；虚设单元，包括第一子虚设单元、第二子虚设单元和第三子虚设单元，第一子虚设单元至第三子虚设单元在所述外围区域处彼此间隔开，第一子虚设单元至第三子虚设单元分别与第二和第三扫描线叠置，以与第二扫描线和第三扫描线形成寄生电容器，寄生电容器被构造为补偿所述第一扫描线的负载值与第二扫描线的负载值之间的差以及第一扫描线的负载值与第三扫描线的负载值之间的差。

在一些实施例中，第一子虚设单元至第三子虚设单元与第二扫描线和第三扫描线之间的叠置区域不都是相同的，使得寄生电容器不都具有相同的电容。

在一些实施例中，第一子虚设单元位于外围区域的与第一像素区域和第二像素区域之间不存在像素的间隙对应的部分处。

在一些实施例中，第二子虚设单元位于第二像素区域的与第一像素区域相对的一侧处。

在一些实施例中，第一子虚设单元和扫描驱动器位于第二像素区域的相对侧处。

附图说明

现在，将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，而不应被解释为受限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开将是彻底的和完整的，并且将示例实施例的范围充分地传达到本领域技术人员。

在附图中，为了清楚地说明，可以夸大尺寸。同样的参考标记始终表示同样的元件。

图1至图3是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。

图4至图9是示出显示装置的区域的形状的概念图。

图10是示出根据本公开的实施例的显示装置中的像素和驱动器的框图。

图11是示出图10中示出的第一像素的实施例的等效电路图。

图12是详细地示出图10中所示的第一像素的平面图。

图13是沿图12的线I-I'截取的剖视图。

图14是沿图12的线II-II'截取的剖视图。

图15和图16示出了根据本公开的实施例的显示装置，是示出均具有设置在外围区域中的虚设单元的显示装置的平面图。

图17是示出对应于图15的P1的部分的平面图。

图18是示出对应于图15的P2的部分的平面图。

图19是示出对应于图15的P3的部分的平面图。

图20是示出对应于图16的P1'的部分的平面图。

图21是示出对应于图16的P2'的部分的平面图。

图22是示出对应于图16的P3'的部分的平面图。

图23和图24示出了根据本公开的实施例的显示装置，是示出均具有设置在外围区域中的虚设单元的显示装置的平面图。

图25是示出对应于图23的P4的部分的平面图。

图26是示出对应于图23的P5的部分的平面图。

图27是示出对应于图23的P6的部分的平面图。

图28是示出对应于图23的P7的部分的平面图。

图29是示出对应于图24的P4'的部分的平面图。

图30是示出对应于图24的P5'的部分的平面图。

图31是示出对应于图24的P6'的部分的平面图。

图32是示出对应于图24的P7'的部分的平面图。

具体实施方式

参照示出本公开的示例性实施例的附图来在下文中更充分地描述本公开。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为受限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例，使得该公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围充分地传达到本领域技术人员。

在下文中，将参照附图来详细地描述本公开的示例性实施例。

图1至图3是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图4至图9是示出显示装置的区域的形状的概念图。

参照图1至图9，根据实施例的每个显示装置可以包括基底SUB、像素PXL1、PXL2和PXL3(在下文中，称作PXL)、设置在基底SUB上的驱动单元(例如，驱动器)、用于向像素PXL供应电力的电源单元(例如，电源)和用于将像素PXL连接到驱动单元的线单元(例如，多条导线)，其中，驱动单元用于驱动像素PXL。

基底SUB包括多个区域，多个区域之中的至少两个区域可以具有彼此不同的面积。作为示例，基底SUB可以具有两个区域，所述两个区域可以具有彼此不同的面积。另外，作为示例，基底SUB可以具有三个区域。在这种情况下，三个区域中的全部区域可以具有彼此不同的面积，或者三个区域之中的仅两个区域可以具有彼此不同的面积。在实施例中，基底SUB可以具有四个或更多个区域。

在以下实施例中，为了便于描述，将基底SUB包括三个区域(即，第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3)的情况作为示例示出。

可以共同地(例如，同时地)或单独地驱动第一至第三区域A1、A2和A3。

第一至第三区域A1、A2和A3可以具有各种合适的形状。例如，第一至第三区域A1、A2和A3可以以各种形状来设置，诸如闭合形状的多边形或其它闭合曲线(诸如圆、椭圆、半圆和半椭圆等)，其中，闭合形状的多边形包括具有直线的多边形、具有曲边的多边形、既具有直边又具有曲边的多边形。

第一至第三区域A1、A2和A3可以包括像素区域PXA1、PXA2和PXA3(在下文中，称作PXA)以及外围区域PPA1、PPA2和PPA3(在下文中，称作PPA)。像素区域PXA是用于显示图像的像素PXL位于其中的区域。随后将描述每个像素PXL。

像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每个可以包括至少两个子区域，诸如SA1、SA2和SA3。

如图4至图6中所示，像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每个可以包括第一子区域SA1和第二子区域SA2。在第一方向DR1上，第一子区域SA1的宽度可以等于第二子区域SA2的宽度。第一子区域SA1可以是与像素区域PXA1、PXA2和PXA3之中的相邻像素区域相邻的区域。第二子区域SA2可以是与相邻像素区域分隔开的区域。

如图4中所示，第一子区域SA1的宽度可以等于第二子区域SA2的宽度。可选地，如图5中所示，第二子区域SA2的宽度可以随着远离第一子区域SA1(例如，随着与第一子区域SA1的距离增加)而减小。可选地，如图6中所示，第一子区域SA1的宽度可以略大于第二子区域SA2的宽度。这里，不论第二子区域SA2距第一子区域SA1的距离如何，第二子区域SA2的宽度可以是一致的。

另外，如图7至图9中所示，像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每个可以包括第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3。第一子区域SA1可以是与像素区域PXA1、PXA2和PXA3之中的相邻像素区域相邻的区域。第二子区域SA2可以是与相邻像素区域分隔开的区域。第三子区域SA3可以是位于第一子区域SA1与第二子区域SA2之间的区域。

如图7中所示，第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3的宽度可以彼此相等。如图8中所示，第一子区域SA1的宽度可以等于第三子区域SA3的宽度，并且可以大于第二子区域SA2的宽度。这里，第二子区域SA2的宽度可以随着远离第一子区域SA1而减小。如图9中所示，第三子区域SA3的宽度可以随着远离第一子区域SA1而减小，第二子区域SA2的宽度可以随着远离第三子区域SA3(例如，随着与第三子区域SA3的距离增加)而减小。

在实施例中，第一至第三像素区域PXA1、PXA2和PXA3可以大致上具有分别与第一至第三区域A1、A2和A3的形状对应的形状。

外围区域PPA是未设置有像素PXL的区域，并且图像不显示在外围区域PPA中。用于驱动像素PXL的驱动单元、用于向像素PXL供应电力的电源单元和用于将像素PXL结合到驱动单元的线的一部分可以设置在外围区域PPA中。外围区域PPA与最终显示装置中的边框对应，边框的宽度可以基于外围区域的宽度来确定。

第一外围区域PPA1可以设置在第一像素区域PXA1的至少一侧处。在实施例中，第一外围区域PPA1围绕第一像素区域PXA1的外围，但是可以设置在除了设置有随后将描述的第二区域A2和第三区域A3的部分之外的部分处。在实施例中，第一外围区域PPA1可以包括在第一方向DR1上延伸的横向部分和在第二方向DR2上延伸的纵向部分。第一外围区域PPA1的纵向部分可以设置成沿第一方向DR1彼此分隔开并且第一像素区域PXA1置于其间的一对。

第二区域A2可以具有小于第一区域A1的面积。第二区域A2可以包括显示图像的第二像素区域PXA2和围绕第二像素区域PXA2的至少一部分的第二外围区域PPA2。

第二像素区域PXA2可以设置成与第二区域A2的形状对应的形状。在实施例中，第二像素区域PXA2可以具有比第一像素区域PXA1的第一宽度W1小的第二宽度W2。第二像素区域PXA2可以具有比第一像素区域PXA1的第一长度L1小的第二长度L2。第二像素区域PXA2被设置成从第一像素区域PXA1突出的形状，并且可以直接连接到第一像素区域PXA1。换言之，第二像素区域PXA2的一侧可以接触第一像素区域PXA1的一侧。

第二外围区域PPA2可以设置在第二像素区域PXA2的至少一侧处。在实施例中，第二外围区域PPA2围绕第二像素区域PXA2，但是可以不设置在第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2彼此连接的部分处。在实施例中，第二外围区域PPA2也可以包括在第一方向DR1上延伸的横向部分和在第二方向DR2上延伸的纵向部分。第二外围区域PPA2的纵向部分可以设置成在第一方向DR1上彼此分隔开并且第二像素区域PXA2置于其间的一对。

第三区域A3可以具有比第一区域A1小的面积。例如，第三区域A3可以具有与第二区域A2相同的面积。第三区域A3可以包括显示图像的第三像素区域PXA3和围绕第三像素区域PXA3的至少一部分的第三外围区域PPA3。

第三像素区域PXA3可以设置成与第三区域A3的形状对应的形状。在实施例中，第三像素区域PXA3可以具有比第一像素区域PXA1的第一宽度W1小的第三宽度W3。第三像素区域PXA3可以具有比第一像素区域PXA1的第一长度L1小的第三长度L3。第二宽度W2和第三宽度W3可以彼此相等。另外，第二长度L2和第三长度L3可以彼此相等。

第三像素区域PXA3被设置成从第一像素区域PXA1突出的形状，并且可以直接连接到第一像素区域PXA1。换言之，第三像素区域PXA3的一侧可以接触第一像素区域PXA1的一侧。

第三外围区域PPA3可以设置在第三像素区域PXA3的至少一侧处。在实施例中，第三外围区域PPA3围绕第三像素区域PXA3，但是可以不设置在第一像素区域PXA1和第三像素区域PXA3彼此连接的部分处。在实施例中，第三外围区域PPA3也可以包括在第一方向DR1上延伸的横向部分和在第二方向DR2上延伸的纵向部分。第三外围区域PPA3的纵向部分可以被设置成沿第一方向DR1彼此分隔开并且第三像素区域PXA3置于其间的一对。

在实施例中，第三区域A3可以具有与第二区域A2关于第一区域A1的中心线(中心线将第二区域A2和第三区域A3分隔开)线性对称的形状。在这种情况下，除了一些线(例如，一些电源线或信号线)之外，设置在第三区域A3中的组件的布置可以与在第二区域A2中的组件的布置基本上相同。

因此，基底SUB可以具有其中第二区域A2和第三区域A3从第一区域A1在第二方向DR2上突出的形状。另外，因为第二区域A2和第三区域A3被设置为彼此分隔开，所以基底SUB可以具有在第二区域A2与第三区域A3之间被压低的形状。即，基底SUB可以在第二区域A2与第三区域A3之间具有凹槽。

在实施例中，第一外围区域PPA1的纵向部分可以分别连接到第二外围区域PPA2和第三外围区域PPA3的纵向部分中的一些。例如，第一外围区域PPA1的左纵向部分可以连接到第二外围区域PPA2的左纵向部分。第一外围区域PPA1的右纵向部分可以连接到第三外围区域PPA3的右纵向部分。另外，第一外围区域PPA1的左纵向部分和第二外围区域PPA2的左纵向部分可以具有相同的宽度W4。第一外围区域PPA1的右纵向部分和第三外围区域PPA3的右纵向部分可以具有相同的宽度W5。

第一外围区域PPA1和第二外围区域PPA2的左纵向部分的宽度W4可以与第一外围区域PPA1和第三外围区域PPA3的右纵向部分的宽度W5不同。例如，第一外围区域PPA1和第二外围区域PPA2的左纵向部分的宽度W4可以比第一外围区域PPA1和第三外围区域PPA3的右纵向部分的宽度W5小。

在实施例中，基底SUB还可以包括附加外围区域APA。附加外围区域APA可以设置为与第一像素区域PXA1、第二外围区域PPA2和第三外围区域PPA3相邻。例如，附加外围区域APA可以将第二外围区域PPA2连接到第三外围区域PPA3。例如，附加外围区域APA可以将第二外围区域PPA2的右纵向部分连接到第三外围区域PPA3的左纵向部分。即，附加外围区域APA可以设置在第一像素区域PXA1的位于第二区域A2与第三区域A3之间的一侧处。

像素PXL可以设置在基底SUB上的像素区域PXA(即，第一至第三像素区域PXA1、PXA2和PXA3)中。每个像素PXL是用于显示图像的最小单元(例如，可以表示间隔尺寸(granularity))，多个像素PXL可以设置在第一至第三像素区域PXA1、PXA2和PXA3中。像素PXL可以包括发射光的显示元件。例如，显示元件可以是液晶显示(LCD)元件、电泳显示(EPD)元件、电润湿显示(EWD)元件和有机发光显示(OLED)元件中的任何一种。为了便于描述，在下面将OLED元件作为示例来描述。

像素PXL可以发射红色、绿色和蓝色中的一种颜色的光，但本公开不限于此。例如，像素PXL可以发射诸如蓝绿色、品红色、黄色或白色的颜色的光。

像素PXL可以包括布置在第一像素区域PXA1中的第一像素PXL1、布置在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2和布置在第三像素区域PXA3中的第三像素PXL3。在实施例中，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个可以设置成沿在第一方向DR1上延伸的行和在第二方向DR2上延伸的列布置成矩阵形式的多个。然而，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的布置不受特定限制，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3可以布置成各种合适的形式。例如，可以布置第一像素PXL1，使得第一方向DR1变成行方向，但可以布置第二像素PXL2，使得与第一方向DR1不同的方向(例如，与第一方向DR1成对角线的方向)变成行方向。另外，将明显的是，第三像素PXL3可以在与第一像素PXL1和/或第二像素PXL2的方向相同或不同的方向上布置。可选地，在另一实施例中，行方向可以变成第二方向DR2，列方向可以变成第一方向DR1。

在第二区域A2和第三区域A3中，第二像素PXL2和第三像素PXL3的数目可以根据行而改变。例如，在第二区域A2和第三区域A3中，设置在第二子区域SA2中的行的长度可以比设置在第一子区域SA1中的行的长度小。布置在行上的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数目可以随着行的长度缩短而减少。因此，在第二区域A2和第三区域A3中，布置在设置在第二子区域SA2中的行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数目可以比布置在设置在第一子区域SA1中的行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数目小。另外，随着行的长度缩短，用于连接第二像素PXL2和第三像素PXL3的线的长度可以缩短。

驱动单元可以包括用于沿扫描线向每个像素PXL提供扫描信号的扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3(在下文中，被称作SDV)、用于沿发光控制线向每个像素PXL提供发光控制信号的发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3(在下文中，被称作EDV)、用于沿数据线向每个像素PXL提供数据信号的数据驱动器DDV和时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV和数据驱动器DDV。

在实施例中，扫描驱动器SDV可以包括连接到第一像素PXL1的第一扫描驱动器SDV1、连接到第二像素PXL2的第二扫描驱动器SDV2和连接到第三像素PXL3的第三扫描驱动器SDV3。在实施例中，发光驱动器EDV可以包括连接到第一像素PXL1的第一发光驱动器EDV1、连接到第二像素PXL2的第二发光驱动器EDV2和连接到第三像素PXL3的第三发光驱动器EDV3。

第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1中的纵向部分处。因为第一外围区域PPA1的纵向部分被设置成沿第一像素区域PXA1的宽度方向彼此分隔开的一对，所以第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的纵向部分中的至少一侧处。第一扫描驱动器SDV1可以沿第一外围区域PPA1的长度方向纵长地延伸。

以类似的方式，第二扫描驱动器SDV2可以设置在第二外围区域PPA2中，第三扫描驱动器SDV3可以设置在第三外围区域PPA3中。

在实施例中，扫描驱动器SDV可以直接安装在基底SUB上。当扫描驱动器SDV直接安装在基底SUB上时，扫描驱动器SDV可以在形成像素PXL的工艺中与像素PXL一起形成。然而，扫描驱动器SDV的安装位置和形成方法不限于此。例如，扫描驱动器SDV可以在基底SUB上形成在以玻璃上芯片的形式设置的单独芯片上。可选地，扫描驱动器SDV可以安装在印刷电路板上以通过连接构件连接到基底SUB。

与第一扫描驱动器SDV1类似，第一发光驱动器EDV1也可以设置在第一外围区域PPA1中的纵向部分处。第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的纵向部分中的至少一侧处。第一发光驱动器EDV1可以沿第一外围区域PPA1的长度方向纵长地延伸。

以类似的方式，第二发光驱动器EDV2可以设置在第二外围区域PPA2中，第三发光驱动器EDV3可以设置在第三外围区域PPA3中。

在实施例中，发光驱动器EDV可以直接安装在基底SUB上。当发光驱动器EDV直接安装在基底SUB上时，发光驱动器EDV可以在形成像素PXL的工艺中与像素PXL一起形成。然而，发光驱动器EDV的安装位置和形成方法不限于此。例如，发光驱动器EDV可以在基底SUB上形成在以玻璃上芯片的形式设置的单独芯片上。可选地，发光驱动器EDV可以安装在印刷电路板上以通过连接构件连接到基底SUB。

在本公开的实施例中，将扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV彼此相邻并且仅形成在外围区域PPA的一对纵向部分的一侧处的情况作为示例示出，但本公开不限于此。扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV的布置可以以各种合适的方式改变。例如，第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的纵向部分的一侧处，第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的纵向部分的另一侧处。可选地，第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的纵向部分的两侧处，第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的纵向部分的仅一侧处。

数据驱动器DDV可以设置在第一外围区域PPA1中。例如，数据驱动器DDV可以设置在第一外围区域PPA1的横向部分处。数据驱动器DDV可以沿第一外围区域PPA1的宽度方向纵长地延伸。

在实施例中，如果需要，扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV和/或数据驱动器DDV的位置可以改变。

时序控制器可以通过电线以各种合适的方式连接到第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3以及数据驱动器DDV。设置时序控制器的位置不受特定限制。例如，时序控制器可以安装在印刷电路板上以通过柔性印刷电路板连接到第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3和数据驱动器DDV。印刷电路板可以设置在各种合适的位置处，诸如基底SUB的一侧和基底SUB的背侧。

另外，在对应于同一行的第二像素PXL2和第三像素PXL3的扫描线或发光控制线通过扫描线连接单元(例如，扫描线连接器)或发光控制线连接单元(例如，控制线连接器)电连接的构造中，可以省略第二扫描驱动器SDV2和第三扫描驱动器SDV3中的一个以及第二发光驱动器EDV2和第三发光驱动器EDV3中的一个。

第二像素PXL2和第三像素PXL3的扫描线或发光控制线的长度可以根据位置适当地改变。例如，在第二区域A2和第三区域A3中，远离第一区域A1的扫描线或发光控制线的长度可以比靠近第一区域A1的扫描线或发光控制线的长度小。

电源单元可以包括至少一条电源线ELVDD和ELVSS。例如，电源单元可以包括第一电源线ELVDD和第二电源线ELVSS。第一电源线ELVDD和第二电源线ELVSS可以向第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3供应电力。

第一电源线ELVDD和第二电源线ELVSS中的一种(例如，第一电源线ELVDD)可以设置为至少与第一外围区域PPA1的一侧、第二外围区域PPA2的一侧和第三外围区域PPA3的一侧对应。例如，第一电源线ELVDD可以设置在其中设置有第一外围区域PPA1的数据驱动器DDV的区域中。另外，第一电源线ELVDD可以在第一像素区域PXA1的宽度方向上延伸。

第一电源线ELVDD和第二电源线ELVSS中的另一种(例如，第二电源线ELVSS)可以设置为围绕除了设置有第一外围区域PPA1的数据驱动器DDV的区域外的第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3。例如，第二电源线ELVSS可以具有沿第一外围区域PPA1的左纵向部、第二外围区域PPA2、第三外围区域PPA3、附加外围区域APA和第一外围区域PPA1的右纵向部延伸的形状。

在上面，将第一电源线ELVDD被设置成在第一外围区域PPA1中与第一像素区域PXA1的一侧对应并且第二电源线ELVSS被设置在其它外围区域中的情况作为示例来描述，但本公开不限于此。例如，第一电源线ELVDD和第二电源线ELVSS可以设置成围绕第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3。

施加到第一电源线ELVDD的电压可以比施加到第二电源线ELVSS的电压高。

图10是示出根据本公开的实施例的显示装置中的像素和驱动器的框图。

参照图10，根据本公开的实施例的显示装置可以包括像素PXL、驱动单元和线单元。

像素PXL可以包括第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3，驱动单元可以包括第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2、和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3、数据驱动器DDV以及时序控制器TC。在图10中，为了便于描述，设定了第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3、数据驱动器DDV以及时序控制器TC中的每个的位置。当实施实际的显示装置时，第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3、数据驱动器DDV以及时序控制器TC中的每个可以设置在显示装置中的另一位置处。例如，数据驱动器DDV被设置在相比于第一区域A1较靠近于第二区域A2和第三区域A3的区域中，但本公开不限于此。例如，将明显的是，数据驱动器DDV可以设置在与第一区域A1相邻的区域中。

线单元将驱动单元的信号提供到每个像素PXL，并且可以包括扫描线、数据线、发光控制线、电源线和初始电源线(未示出)。扫描线可以包括分别连接到第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的第一至第三扫描线S11至S1n、S21至S2n和S31至S3n，发光控制线可以包括分别连接到第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的第一至第三发光控制线E11至E1n、E21至E2n和E31至E3n。数据线D1至Dm和电源线可以连接到第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3。

第一像素PXL1位于第一像素区域PXA1中。第一像素PXL1可以连接到第一扫描线S11至S1n、第一发光控制线E11至E1n和数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n供应扫描信号时，第一像素PXL1从数据线D1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第一像素PXL1可以控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件流动在第二电源ELVSS中的电流的量。

第二像素PXL2位于第二像素区域PXA2中。第二像素PXL2连接到第二扫描线S21和S22、第二发光控制线E21和E22以及数据线D1至D3。当从第二扫描线S21和S22供应扫描信号时，第二像素PXL2从数据线D1至D3接收数据信号。接收数据信号的第二像素PXL2可以控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件流动在第二电源ELVSS中的电流的量。

此外，在图10中，已经示出的是，六个第二像素PXL2位于通过两条第二扫描线S21和S22、两条第二发光控制线E21和E22以及三条数据线D1至D3限定的第二像素区域PXA2中，但本公开不限于此。即，可以布置多个第二像素PXL2，以与第二像素区域PXA2的尺寸对应，第二扫描线、第二发光控制线和数据线的数目可以对应于第二像素PXL2的数目而进行各种设置。

第三像素PXL3位于通过第三扫描线S31和S32、第三发光控制线E31和E32以及数据线Dm-2至Dm限定的第三像素区域PXA3中。当从第三扫描线S31和S32供应扫描信号时，第三像素PXL3从数据线Dm-2至Dm接收数据信号。接收数据信号的第三像素PXL3可以控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件流动在第二电源ELVSS中的电流的量。

此外，在图10中，已经示出的是，六个第三像素PXL3位于通过两条第三扫描线S31和S32、两条第三发光控制线E31和E32以及三条数据线Dm-2至Dm限定的第三像素区域PXA3中；然而，本公开不限于此。即，可以布置多个第三像素PXL3，以与第三像素区域PXA3的尺寸对应，第三扫描线、第三发光控制线和数据线的数目可以对应于第三像素PXL3的数目而进行各种设置。

第一扫描驱动器SDV1可以响应于来自时序控制器TC的第一栅极控制信号GCS1将扫描信号供应到第一扫描线S11至S1n。例如，第一扫描驱动器SDV1可以将扫描信号顺序地供应到第一扫描线S11至S1n。如果将扫描信号顺序地供应到第一扫描线S11至S1n，第一像素PXL1可以以水平线为单位被顺序地选择。

第二扫描驱动器SDV2可以响应于来自时序控制器TC的第二栅极控制信号GCS2将扫描信号供应到第二扫描线S21和S22。例如，第二扫描驱动器SDV2可以将扫描信号顺序地供应到第二扫描线S21和S22。如果扫描信号被顺序地供应到第二扫描线S21和S22，则第二像素PXL2可以以水平线为单位被顺序地选择。

第三扫描驱动器SDV3可以响应于来自时序控制器TC的第三栅极控制信号GCS3将扫描信号供应到第三扫描线S31和S32。例如，第三扫描驱动器SDV3可以将扫描信号顺序地供应到第三扫描线S31和S32。如果扫描信号被顺序地供应到第三扫描线S31和S32，则第三像素PXL3可以以水平线为单位被顺序地选择。

第一发光驱动器EDV1可以响应于第四栅极控制信号GCS4将发光控制信号供应到第一发光控制线E11至E1n。例如，第一发光驱动器EDV1可以将发光控制信号顺序地供应到第一发光控制线E11至E1n。

这里，发光控制信号可以被设定成具有比扫描信号大的宽度。例如，可以供应被供应到第i(i是自然数)条第一发光控制线E1i的发光控制信号，以与供应到第(i-1)条第一扫描线S1i-1的扫描信号和供应到第i条第一扫描线S1i的扫描信号叠置至少一个周期。

第二发光驱动器EDV2可以响应于第五栅极控制信号GCS5将发光控制信号供应到第二发光控制线E21和E22。例如，第二发光驱动器EDV2可以将发光控制信号顺序地供应到第二发光控制线E21和E22。

第三发光驱动器EDV3可以响应于第六栅极控制信号GCS6将发光控制信号供应到第三发光控制线E31和E32。例如，第三发光驱动器EDV3可以将发光控制信号顺序地供应到第三发光控制线E31和E32。

此外，发光控制信号可以设定为栅极截止电压(例如，高电压)，使得包括在像素PXL中的晶体管可截止，扫描信号可以被设定为栅极导通电压(例如，低电压)，使得包括在像素PXL中的晶体管可导通。

数据驱动器DDV可以响应于数据控制信号DCS将数据信号供应到数据线D1至Dm。供应到数据线D1至Dm的数据信号可以供应到通过扫描信号选择的像素PXL。

时序控制器TC可以向扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV供应基于从外部供应的时序信号产生的栅极控制信号GCS1至GCS6。另外，时序控制器TC可以将数据控制信号DCS供应到数据驱动器DDV。

起始脉冲和时钟信号可以包括在栅极控制信号GCS1至GCS6中的每个信号中。起始脉冲可以控制第一扫描信号或第一发光控制信号的时序。时钟信号可以用于使起始脉冲移位。

源起始脉冲(source start pulse)和时钟信号可以包括在数据控制信号DCS中。源起始脉冲可以控制数据的采样起始时间。时钟信号可以用于控制采样操作。

当显示装置被顺序地驱动时，第一扫描驱动器SDV1可以接收第二扫描驱动器SDV2的最后输出信号作为起始脉冲。在这种情况下，第一扫描驱动器SDV1和第二扫描驱动器SDV2可以共享控制信号。因此，时序控制器TC可以将第二栅极控制信号GCS2供应到第二扫描驱动器SDV2，并且可以不将第一栅极控制信号GCS1供应到第一扫描驱动器SDV1。

相似地，当在第三扫描驱动器SDV3下方添加用于驱动第一像素PXL1的单独的扫描驱动器时，添加的扫描驱动器和第三扫描驱动器SDV3可以共享控制信号。另外，添加的扫描驱动器可以接收第三扫描驱动器SDV3的最后的扫描信号作为起始脉冲。

当显示装置被顺序地驱动时，第一发光驱动器EDV1可以接收第二发光驱动器EDV2的最后的输出信号作为起始脉冲。在这种情况下，第一发光驱动器EDV1和第二发光驱动器EDV2可以共享控制信号。因此，时序控制器TC可以将栅极控制信号GCS5供应到第二发光驱动器EDV2，并且可以不将栅极控制信号GCS4供应到第一发光驱动器EDV1。

类似地，当在第三发光驱动器EDV3下方添加用于驱动第一像素PXL1的单独的发光驱动器时，添加的发光驱动器和第三发光驱动器EDV3可以共享控制信号。另外，添加的发光控制器可以接收第三发光驱动器EDV3的最后的发光控制信号作为起始脉冲。

图11是示出图10中所示的第一像素的实施例的等效电路图。为了便于描述，将在图11中示出连接到第m条数据线Dm和第i条第一扫描线S1i的像素。

参照图11，根据本公开的实施例的第一像素PXL1可以包括有机发光器件OLED、第一至第七晶体管T1至T7以及存储电容器Cst。

有机发光器件OLED的阳极可以经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1，有机发光器件OLED的阴极可以连接到第二电源ELVSS。有机发光器件OLED可以产生与从第一晶体管T1供应的电流的量对应的设定或预设的亮度的光。

第一电源ELVDD可以设定为比第二电源ELVSS高的电压，使得电流可在有机发光器件OLED中流动。

第七晶体管T7可以连接在初始电源Vint与有机发光器件OLED的阳极之间。另外，第七晶体管T7的栅电极可以连接到第i条第一扫描线S1i。第七晶体管T7可以在扫描信号被供应到第i条第一扫描线S1i时导通，以将初始电源Vint的电压供应到有机发光器件OLED的阳极。这里，初始电源Vint可以设定为比数据信号低的电压。

第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1与有机发光器件OLED之间。另外，第六晶体管T6的栅电极可以连接到第i条第一发光控制线E1i。第六晶体管T6可以在发光控制信号被供应到第i条第一发光控制线E1i时截止，否则可以导通。

第五晶体管T5可以连接在第一电源ELVDD与第一晶体管T1之间。另外，第五晶体管T5的栅电极可以连接到第i条第一发光控制线E1i。第五晶体管T5可以在发光控制信号被供应到第i条第一发光控制线E1i时截止，否则可以导通。

第一晶体管(驱动晶体管)T1的第一电极可以经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，第一晶体管T1的第二电极可以经由第六晶体管T6连接到有机发光器件OLED的阳极。另外，第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以对应于第一节点N1的电压控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件OLED在第二电源ELVSS中流动的电流的量。

第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。另外，第三晶体管T3的栅电极可以连接到第i条第一扫描线S1i。第三晶体管T3可以在扫描信号被供应到第i条第一扫描线S1i时导通，以允许第一晶体管T1的第二电极电连接到第一节点N1。因此，第一晶体管T1可以在第三晶体管T3导通时是二极管连接的。

第四晶体管T4可以连接在第一节点N1与初始电源Vint之间。另外，第四晶体管T4的栅电极可以连接到第(i-1)条第一扫描线S1i-1。第四晶体管T4可以在扫描信号被供应到第(i-1)条第一扫描线S1i-1时导通，以将初始电源Vint的电压供应到第一节点N1。

第二晶体管T2可以连接在第m条数据线Dm与第一晶体管T1的第一电极之间。另外，第二晶体管T2的栅电极可以连接到第i条第一扫描线S1i。第二晶体管T2可以在扫描信号被供应到第i条第一扫描线S1i时导通，以允许第m条数据线Dm电连接到第一晶体管T1的第一电极。

存储电容器Cst可以连接在第一电源ELVDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储表示数据信号的电压和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压的总和。

第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个可以用与第一像素PXL1相同的电路来实施。因此，可以不重复对第二像素PXL2和第三像素PXL3的详细描述。

如上所述，根据实施例，像素PXL可以设置在具有不同面积的区域A1、A2和A3中。用于向像素PXL提供信号的扫描线和发光控制线的长度可以根据区域A1、A2和A3(例如，像素区域PXA)的面积而改变。例如，第一像素区域PXA1的第一宽度W1(例如见图1)比第二像素区域PXA2的第二宽度W2(例如，见图1)长。因此，当扫描线和发光控制线在像素区域PXA的宽度方向上延伸时，第一扫描线S11至S1n和第一发光控制线E11至E1n的长度分别比第二扫描线S21和S22和第二发光控制线E21和E22的长度长。扫描线之间的差和发光控制线之间的差会引起扫描线之间的负载值的差以及发光控制线之间的负载值的差。即，第一扫描线S11至S1n的负载值可以大于第二扫描线S21和S22的负载值。另外，第一发光控制线E11至E1n的负载值可以大于第二发光控制线E21和E22的负载值。负载值的差会引起提供到每个像素PXL的数据信号的电压降。数据信号的电压降会引起第一像素区域PXA1的第一像素PXL1与第二像素区域PXA2的第二像素PXL2之间的亮度差。

根据另一实施例，可以彼此不同地设定扫描线和发光控制线的延伸方向。然而，本发明的实施例不限于此，作为示例，在上述实施例中，扫描线和发光控制线沿作为像素区域PXA的宽度方向的第一方向DR1延伸，对于另一示例，扫描线和发光控制线可以沿作为像素区域PXA的长度方向的第二方向DR2延伸。这里，扫描线和发光控制线的长度可以分别设定为与第一长度L1和第二长度L2对应。即使在这种情况下，也会由扫描线之间的长度差和发光控制线之间的长度差造成扫描线之间的负载值的差和发光控制线之间的负载值的差。结果，会引起像素PXL之间的亮度差。

在实施例中，针对每个像素区域PXA设置或不设置用于补偿负载值的差的虚设单元，使得像素区域PXA被构造为具有不同的寄生电容。在下面的实施例中，将使用第一像素PXL1作为示例来首先描述全部像素PXL的结构，然后将主要描述第一像素PXL1与第二像素PXL2之间的差异。在实施例中，可以以与第二像素PXL2相同的形式来设置第三像素PXL3，因此，可以不重复对第三像素PXL3的描述。

图12是详细示出图10中所示的第一像素的平面图。图13是沿图12的线I-I'截取的剖视图。图14是沿图12的线II-II'截取的剖视图。

基于设置在第一像素区域PXA1中的第i行和第j列上的一个第一像素PXL1，在图12至图14中示出了两条第一扫描线S1i-1和S1i、第一发光控制线Eli、电源线PL和数据线Dj。在图12至图14中，为了便于描述，在第(i-1)行上的第一扫描线被称作“第(i-1)条第一扫描线S1i-1”，在第i行上的第一扫描线被称作“第i条第一扫描线S1i”，在第i行上的第一发光控制线被称作“第一发光控制线Eli”，在第j列上的数据线被称作“数据线Dj”，在第j列上的电源线被称作“电源线PL”。

参照图12至图14，显示装置可以包括基底SUB、线单元和像素(例如，第一像素PXL1)。

基底SUB可以包括透明绝缘材料，使得可透射光。基底SUB可以是刚性基底。例如，基底SUB可以是玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。

另外，基底SUB可以是柔性基底。这里，基底SUB可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和/或醋酸丙酸纤维素等中的至少一种。然而，构成基底SUB的材料可以适当地进行各种改变，并且可以包括纤维增强塑料(FRP)等。

线单元将信号提供到每个第一像素PXL1，并且可以包括第一扫描线S1i-1和S1i、数据线Dj、第一发光控制线Eli、电源线PL和初始电源线IPL。

第一扫描线S1i-1和S1i可以在第一方向DR1上延伸。第一扫描线S1i-1和S1i可以包括沿第二方向DR2顺序地布置的第(i-1)条第一扫描线S1i-1和第i条第一扫描线S1i。第一扫描线S1i-1和S1i可以接收扫描信号。例如，第(i-1)条第一扫描线S1i-1可以接收第(i-1)个扫描信号，第i条第一扫描线S1i可以接收第i个扫描信号。第i条第一扫描线S1i可以划分成两条线，被划分的第i条第一扫描线S1i可以分别连接到不同的晶体管。例如，第i条第一扫描线S1i可以包括与第(i-1)条第一扫描线S1i-1相邻的上第i条第一扫描线S1i以及比上第i条第一扫描线S1i远离第(i-1)条第一扫描线S1i-1的下第i条第一扫描线S1i。

第一发光控制线Eli可以在第一方向DR1上延伸。第一发光控制线Eli被设置成在第i条第一扫描线S1i之间与所述两条第i条第一扫描线S1i分隔开。第一发光控制线Eli可以接收发光控制信号。

数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸。数据线Dj可以接收数据信号。

电源线PL可以在第二方向DR2上延伸。电源线PL可以设置成与数据线Dj分隔开。电源线PL可以接收第一电源ELVDD。

初始电源线IPL可以沿第一方向DR1延伸。初始电源线IPL可以设置在下第i条第一扫描线S1i与下一行上的像素的第(i-1)条第一扫描线S1i-1之间。初始电源线IPL可以接收初始电源Vint。

每个第一像素PXL1可以包括第一至第七晶体管T1至T7、存储电容器Cst和有机发光器件OLED。

第一晶体管T1可以包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和连接线CNL。

第一栅电极GE1可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3和第四晶体管T4的第四漏电极DE4。连接线CNL可以连接在第一栅电极GE1与第三漏电极DE3和第四漏电极DE4之间。连接线CNL的一端可以通过第一接触孔CH1连接到第一栅电极GE1，连接线CNL的另一端可以通过第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。

在实施例中，第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体层形成。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂有掺杂剂的半导体层形成，有源图案ACT1可以由未掺杂的半导体层形成。

第一有源图案ACT1可以在设定或预设方向上具有条形形状，并且可以具有沿延伸方向多次弯曲的形状。第一有源图案ACT1在平面上观察时可以与第一栅电极GE1叠置。当第一有源图案ACT1形成长的时，第一晶体管T1的沟道区域可形成长的。因此，施加到第一晶体管T1的栅极电压的驱动范围变宽。因此，可不断(minutely)控制从有机发光器件OLED发射的光的灰度级。

第一源电极SE1可以连接到第一有源图案ACT1的一端。第一源电极SE1可以连接到第二晶体管T2的第二漏电极DE2和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。第一漏电极DE1可以连接到第一有源图案ACT1的另一端。第一漏电极DE1可以连接到第三晶体管T3的第三源电极SE3和第六晶体管T6的第六源电极SE6。

第二晶体管T2可以包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2以及第二源电极SE2和第二漏电极DE2。

第二栅电极GE2可以连接到上第i条第一扫描线S1i。第二栅电极GE2可以设置为上第i条第一扫描线S1i的一部分，或者可以设置成从上第i条第一扫描线S1i突出的形状。在实施例中，第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体形成。例如，第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂有掺杂剂的半导体形成，第二有源图案ACT2可以由未掺杂的半导体层形成。第二有源图案ACT2对应于与第二栅电极GE2叠置的部分。第二源电极SE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二源电极SE2的另一端可以通过第六接触孔CH6连接到数据线Dj。第二漏电极DE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二漏电极DE2的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。

第三晶体管T3可以设置成双栅极结构，从而减小或防止漏电流。即，第三晶体管T3可以包括第3a晶体管T3a和第3b晶体管T3b。第3a晶体管T3a可以包括第3a栅电极GE3a、第3a有源图案ACT3a、第3a源电极SE3a和第3a漏电极DE3a。第3b晶体管T3b可以包括第3b栅电极GE3b、第3b有源图案ACT3b、第3b源电极SE3b和第3b漏电极DE3b。在下文中，第3a栅电极GE3a和第3b栅电极GE3b被称作第三栅电极GE3，第3a有源图案ACT3a和第3b有源图案ACT3b被称作第三有源图案ACT3，第3a源电极SE3a和第3b源电极SE3b被称作第三源电极SE3，第3a漏电极DE3a和第3b漏电极DE3b被称作第三漏电极DE3。

第三栅电极GE3可以连接到上第i条第一扫描线S1i。第三栅电极GE3可以设置为上第i条第一扫描线S1i的一部分，或者可以设置成从上第i条第一扫描线S1i突出的形状。例如，第3a栅电极GE3a可以设置成从上第i条第一扫描线S1i突出的形状，第3b栅电极GE3b可以设置为上第i条第一扫描线S1i的一部分。

第三有源图案ACT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体层形成。例如，第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂有掺杂剂的半导体层形成，第三有源图案ACT3可以由未掺杂的半导体层形成。第三有源图案ACT3对应于与第三栅电极GE3叠置的部分。第三源电极SE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三源电极SE3的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第六晶体管T6的第六源电极SE6。第三漏电极DE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三漏电极DE3的另一端可以连接到第四晶体管T4的第四漏电极DE4。另外，第三漏电极DE3可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。

第四晶体管T4可以设置成双栅极结构，从而减小或防止漏电流。即，第四晶体管T4可以包括第4a晶体管T4a和第4b晶体管T4b。第4a晶体管T4a可以包括第4a栅电极GE4a、第4a有源图案ACT4a、第4a源电极SE4a和第4a漏电极DE4a，第4b晶体管T4b可以包括第4b栅电极GE4b、第4b有源图案ACT4b、第4b源电极SE4b和第4b漏电极DE4b。在下文中，第4a栅电极GE4a和第4b栅电极GE4b被称作第四栅电极GE4，第4a有源图案ACT4a和第4b有源图案ACT4b被称作第四有源图案ACT4，第4a源电极SE4a和第4b源电极SE4b被称作第四源电极SE4，第4a漏电极DE4a和第4b漏电极DE4b被称作第四漏电极DE4。

第四栅电极GE4可以连接到第(i-1)条第一扫描线S1i-1。第四栅电极GE4可以设置为第(i-1)条第一扫描线S1i-1的一部分，或者可以设置成从第(i-1)条第一扫描线S1i-1突出的形状。例如，第4a栅电极GE4a可以设置为第(i-1)条第一扫描线S1i-1的一部分。第4b栅电极GE4b可以设置成从第(i-1)条第一扫描线S1i-1突出的形状。

第四有源图案ACT4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体层形成。例如，第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂有掺杂剂的半导体层形成，第四有源图案ACT4可以由未掺杂的半导体层形成。第四有源图案ACT4对应于与第四栅电极GE4叠置的部分。

第四源电极SE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四源电极SE4的另一端可以连接到在第(i-1)行上的第一像素PXL1的初始电源线IPL和在第(i-1)行上的第一像素PXL1的第七晶体管T7的第七漏电极DE7。辅助连接线AUX可以设置在第四源电极SE4与初始电源线IPL之间。辅助连接线AUX的一端可以通过第九接触孔CH9连接到第四源电极SE4。辅助连接线AUX的另一端可以通过在第(i-1)行上的第一像素PXL1的第八接触孔CH8连接到第(i-1)行上的初始电源线IPL。第四漏电极DE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四漏电极DE4的另一端可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3。另外，第四漏电极DE4可以通过第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。

第五晶体管T5可以包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。

第五栅电极GE5可以连接到第一发光控制线E1i。第五栅电极GE5可以设置为第一发光控制线Eli的一部分，或者可以设置成从第一发光控制线E1i突出的形状。第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体层形成。例如，第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂有掺杂剂的半导体层形成，第五有源图案ACT5可以由未掺杂的半导体层形成。第五有源图案ACT5对应于与第五栅电极GE5叠置的部分。第五源电极SE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五源电极SE5的另一端可以通过第五接触孔CH5连接到电源线PL。第五漏电极DE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五漏电极DE5的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第二晶体管T2的第二漏电极DE2。

第六晶体管T6可以包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。

第六栅电极GE6可以连接到第一发光控制线E1i。第六栅电极GE6可以设置为第一发光控制线Eli的一部分，或者可以设置成从第一发光控制线E1i突出的形状。第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体层形成。例如，第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂有掺杂剂的半导体层形成，第六有源图案ACT6可以由未掺杂的半导体层形成。第六有源图案ACT6对应于与第六栅电极GE6叠置的部分。第六源电极SE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六源电极SE6的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第三晶体管T3的第三源电极SE3。第六漏电极DE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六漏电极DE6的另一端可以连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7。

第七晶体管T7可以包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。

第七栅电极GE7可以连接到下第i条第一扫描线S1i。第七栅电极GE7可以设置为下第i条第一扫描线S1i的一部分，或者可以设置成从下第i条第一扫描线S1i突出的形状。第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由未掺杂或掺杂有掺杂剂的半导体层形成。例如，第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由掺杂有掺杂剂的半导体层形成，第七有源图案ACT7可以由未掺杂的半导体层形成。第七有源图案ACT7对应于与第七栅电极GE7叠置的部分。第七源电极SE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七源电极SE7的另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第七漏电极DE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七漏电极DE7的另一端可以连接到初始电源线IPL。另外，第七漏电极DE7可以连接到在第(i+1)行上的第一像素PXL1的第四晶体管T4的第四源电极SE4。第七漏电极DE7可以通过辅助连接线AUX、第八接触孔CH8和第九接触孔CH9连接到在第(i+1)行上的第一像素PXL1的第四晶体管T4的第四源电极SE4。

存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以形成为第一晶体管T1的第一栅电极GE1。

上电极UE与第一栅电极GE1叠置，并且在平面上观察时可以覆盖下电极LE。当上电极UE和下电极LE的叠置区域变宽时，存储电容器Cst的电容可以增大。上电极UE可以在第一方向DR1延伸。在实施例中，具有与第一电源ELVDD相同的电平的电压可以被施加到上电极UE。上电极UE可以在包括第一接触孔CH1的区域中具有开口OPN，其中，第一栅电极GE1和连接线CNL通过第一接触孔CH1彼此接触。

有机发光器件OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD和设置在第一电极AD与第二电极CD之间的发光层EML。

第一电极AD可以设置在与每个像素PXL1对应的发光区域中。第一电极AD可以通过第七接触孔CH7和第十接触孔CH10连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7和第六晶体管T6的第六漏电极DE6。桥接图案BRP可以设置在第七接触孔CH7与第十接触孔CH10之间。桥接图案BRP可以将第一电极AD连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。

在下文中，将参照图12至图14根据堆叠顺序来描述根据本公开的实施例的显示装置的结构。

有源图案ACT1至ACT7(在下文中，被称作ACT)可以设置在基底SUB上。有源图案可以包括第一至第七有源图案ACT1至ACT7。第一至第七有源图案ACT1至ACT7可以由半导体材料形成。

缓冲层可以设置在基底SUB与第一至第七有源图案ACT1至ACT7之间。

栅极绝缘层GI可以设置在其上形成有第一至第七有源图案ACT1至ACT7的基底SUB上。

第(i-1)条第一扫描线S1i-1、第i条第一扫描线S1i、发光控制线E1i和第一至第七栅电极GE1至GE7可以设置在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GE1可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与上第i条第一扫描线S1i一体地形成。第四栅电极GE4可以与第(i-1)条第一扫描线S1i-1一体地形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与发光控制线E1i一体地形成。第七栅电极GE7可以与下第i条第一扫描线S1i一体地形成。

第一层间绝缘层IL1可以设置在其上形成有第(i-1)条第一扫描线S1i-1等的基底SUB上。

存储电容器Cst的上电极UE和初始电源线IPL可以设置在第一层间绝缘层IL1上。上电极UE可以覆盖下电极LE。上电极UE和下电极LE可以与第一层间绝缘层IL1一起构成存储电容器Cst。

第二层间绝缘层IL2可以设置在其上设置有上电极UE和初始电源线IPL的基底SUB上。

数据线Dj、电源线PL、连接线CNL、辅助连接线AUX和桥接图案BRP可以设置在第二层间绝缘层IL2上。

数据线Dj可以通过穿过第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅极绝缘层GI的第六接触孔CH6连接到第二源电极SE2。电源线PL可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4连接到存储电容器Cst的上电极UE。

电源线PL还可以通过穿过第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅极绝缘层GI的第五接触孔CH5连接到第五源电极SE5。

连接线CNL可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第一接触孔CH1连接到第一栅电极GE1。另外，连接线CNL可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。

辅助连接线AUX可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第八接触孔CH8连接到初始电源线IPL。另外，辅助连接线AUX可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第九接触孔CH9连接到第四源电极SE4和在第(i-1)行上的第一像素PXL1的第七漏电极DE7。

桥接图案BRP可以是被设置为在第六漏电极DE6与第一电极AD之间将第六漏电极DE6连接到第一电极AD的中间件的图案。桥接图案BRP可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。

保护层PSV可以设置在其上形成有数据线Dj等的基底SUB上。

有机发光器件OLED可以设置在保护层PSV上。有机发光器件OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD和设置在第一电极AD与第二电极CD之间的发光层EML。

第一电极AD可以设置在保护层PSV上。第一电极AD可以通过穿过保护层PSV的第十接触孔CH10连接到桥接图案BRP。因为桥接图案BRP通过第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7，所以第一电极AD可以最终连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。

划分发光区域以对应于每个像素PXL的像素限定层PDL可以设置在其上形成有第一电极AD等的基底SUB上。像素限定层PDL可以沿着像素PXL的外围从基底SUB突出，同时暴露第一电极AD的顶表面。

发光层EML可以设置在由像素限定层PDL围绕的发光区域中，第二电极CD可以设置在发光层EML上。覆盖第二电极CD的密封层SLM可以设置在第二电极CD上。

第一电极AD和第二电极CD中的一个电极可以是阳极电极，第一电极AD和第二电极CD中的另一个电极可以是阴极电极。例如，第一电极AD可以是阳极电极，第二电极CD可以是阴极电极。

另外，第一电极AD和第二电极CD中的至少一个电极可以是透射电极。例如，当有机发光器件OLED是底发射有机发光器件时，第一电极AD可以是透射电极，第二电极CD是反射电极。当有机发光器件OLED是顶发射有机发光器件时，第一电极AD可以是反射电极，第二电极CD可以是透射电极。当有机发光器件OLED是双发射发光器件时，第一电极AD和第二电极CD两者可以是透射电极。在该实施例中，将有机发光器件OLED是顶发射有机发光器件并且第一电极AD是阳极电极的情况作为示例来描述。

第一电极AD可以包括能够反射光的反射层和设置在反射层之上或之下的透明导电层。透明导电层和反射层中的至少一层可以连接到漏电极DE。

反射层可以包括能够反射光的材料。例如，反射层可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)和/或它们的合金等中的至少一种。

透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺杂氟的氧化锡(FTO)构成的组中选取的至少一种透明导电氧化物。

像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷类树脂和/或硅烷类树脂等中的至少一种。

发光层EML可以设置在第一电极AD的被暴露的表面上。发光层EML可以具有至少包括光产生层(LGL)的多层薄膜结构。例如，发光层EML可以包括用于注入空穴的空穴注入层(HIL)、具有优异的空穴传输性质的空穴传输层(HTL)、用于通过注入的电子和空穴的复合发射光的LGL、用于抑制在LGL中未被结合的空穴的运动的空穴阻挡层(HBL)、将电子平稳地传输到LGL的电子传输层(ETL)以及用于注入电子的电子注入层(EIL)，其中，HTL用于通过抑制在LGL中未结合的电子的运动来增加空穴和电子被复合的机会。

在LGL中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色，但本公开不限于此。例如，在发光层EML的LGL中产生的光的颜色也可以是品红色、蓝绿色和黄色中的一种颜色。

HIL、HTL、HBL、ETL和EIL可以是在彼此相邻的光发射区域中被连接的共用层。

第二电极CD可以是半透射反射层。例如，第二电极CD可以是具有可透射通过发光层EML发射的光的厚度的薄金属层。第二电极CD可以通过其透射从发光层EML发射的光的一部分，并且可以反射从发光层EML发射的光的剩余部分。

第二电极CD可以包括具有比透明导电层低的逸出功的材料。例如，第二电极CD可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的合金中的至少一种。

从发光层EML发射的光的一部分可以不透射穿过第二电极CD，从第二电极CD反射的光可以从反射层再次反射。即，从发光层EML发射的光可以在反射层与第二电极CD之间共振。有机发光器件OLED的光提取效率可通过光的共振改善。

反射层与第二电极CD之间的距离可以根据从发光层EML发射的光的颜色而改变。即，反射层与第二电极CD之间的距离可以根据从发光层EML发射的光的颜色而被调整为与共振距离对应。

密封层SLM可减少或防止氧和湿气渗透到有机发光器件OLED中。密封层SLM可以包括多个无机层和多个有机层。例如，密封层SLM可以包括具有无机层和设置在无机层上的有机层的多个密封层。另外，无机层可以设置在密封层SLM的最上部处。无机层可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和/或氧化锡等中的至少一种。

在实施例中，设置在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2和设置在第三像素区域PXA3中的第三像素PXL3具有与第一像素PXL1基本相同的像素结构，因此，可以不重复它们的描述。

图15和图16示出了根据本公开的实施例的显示装置，图15和图16是示出均具有设置在外围区域PPA中的虚设单元DMP1或DMP2的显示装置的平面图。图17是示出对应于图15的P1的部分的平面图。图18是示出对应于图15的P2的部分的平面图。图19是示出对应于图15的P3的部分的平面图。图20是示出对应于图16的P1'的部分的平面图。图21是示出对应于图16的P2'的部分的平面图。图22是示出对应于图16的P3'的部分的平面图。为了便于描述，在图15至图22中示出了与一个像素对应的扫描线和发光控制线。

参照图15至图22，为了针对每个像素区域补偿负载值的差，将虚设单元DMP1、DMP2、DMP1'或DMP2'提供到或未提供到对应于每个像素区域的外围区域(例如，位于对应于每个像素区域的外围区域处，或者不位于对应于每个像素区域的外围区域处或位于对应于每个像素区域的外围区域的外部)，从而采用具有不同寄生电容的结构。即，为了补偿在第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2中的扫描线之间的负载值的差，虚设单元DMP1、DMP2、DMP1'或DMP2'未设置在与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，虚设单元DMP1可以设置在与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2和附加外围区域APA中。

在实施例中，第一扫描线S1i-1和S1i以及第一发光控制线E1i的端部部分可以设置在第一外围区域PPA1中，第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p(p是不同于i的自然数)以及第二发光控制线E2i和E2p的端部部分可以设置到第二外围区域PPA2或附加外围区域APA。虚设单元DMP1或DMP1'未提供到第一扫描线S1i-1和S1i以及第一发光控制线E1i的端部部分，而可以提供到与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p的端部部分对应的区域。

虚设单元DMP1或DMP1'可以包括至少两个子虚设单元DMP11或DMP11'和DMP12或DMP12'。例如，虚设单元DMP1或DMP1'可以包括第一子虚设单元DMP11或DMP11'和第二子虚设单元DMP12或DMP12'。第一子虚设单元DMP11或DMP11'可以补偿第二像素区域PXA2的第一子区域SA1和第二子区域SA2中的一个区域的负载值，例如，可以补偿第二扫描线S2i-1和S2i以及第二发光控制线E2i的负载值。第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以可以补偿第二像素区域PXA2的第一子区域SA1和第二子区域SA2中的另一区域的负载值，例如，可以补偿第二扫描线S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2p的负载值。

第一子虚设单元DMP11或DMP11'和第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以设置为彼此分隔开。例如，第一子虚设单元DMP11或DMP11'可以设置在附加外围区域APA的与第一子区域SA1相邻的部分处，第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以设置在第二外围区域PPA2的与第二子区域SA2相邻的部分处。因为第一子虚设单元DMP11或DMP11'和第二子虚设单元DMP12或DMP12'被设置为彼此分隔开，所以可以减小第二外围区域PPA2的宽度。

虚设单元DMP1或DMP1'可以与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p叠置。例如，第一子虚设单元DMP11或DMP11'和第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以包括与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p的端部部分叠置的虚设线DML或DML'。即，虚设线DML或DML'可以提供到第二外围区域PPA2和附加外围区域APA。另外，固定电压可以被施加到虚设线DML或DML'。因此，虚设线DML或DML'可以与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p叠置，从而形成寄生电容器。

施加到虚设线DML或DML'的电压具有固定的电平(例如，固定预设电平)，并且不受特定限制。例如，施加到虚设线DML或DML'的固定电压可以是第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和高栅极导通电压Vgh中的一种电压。

虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p叠置，从而形成寄生电容器，虚设线DML或DML'的形成位置或材料不受特定限制。在实施例中，虚设线DML或DML'可以利用相同工艺由与电源线相同或基本相同的材料形成。因此，虚设线DML或DML'可以形成在与电源线相同的层中，并且可以包括与电源线相同或基本相同的材料。虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p叠置，使得可以在虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p之间以及虚设线DML或DML'与第二发光控制线E2i和E2p之间形成寄生电容器。

寄生电容器的寄生电容可以根据虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p的叠置面积而改变。因此，为了增加寄生电容，第(i-1)条第二扫描线焊盘SLP1或SLP1'、第i条第二扫描线焊盘SLP2或SLP2'、第i条第二发光控制线焊盘SLP3或SLP3'、第(p-1)(p≠i)条第二扫描线焊盘SLP4或SLP4'、第p条第二扫描线焊盘SLP5或SLP5'以及第p条第二发光控制线焊盘SLP6或SLP6'可以提供到第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p的相应端部部分。

第(i-1)条第二扫描线焊盘SLP1或SLP1'、第i条第二扫描线焊盘SLP2或SLP2'以及第i条第二发光控制线焊盘SLP3或SLP3'可以分别具有比第(i-1)条第二扫描线S2i-1、第i条第二扫描线S2i和第i条第二发光控制线E2i大的宽度，因此，可增加第(i-1)条第二扫描线S2i-1、第i条第二扫描线S2i和第i条第二发光控制线E2i与虚设线DML或DML'的叠置面积。另外，第(p-1)条第二扫描线焊盘SLP4或SLP4'、第p条第二扫描线焊盘SLP5或SLP5'以及第p条第二发光控制线焊盘SLP6或SLP6'分别具有比第(p-1)条第二扫描线S2p-1、第p条第二扫描线S2p以及第p条第二发光控制线E2p大的宽度，因此，可增加第(p-1)条第二扫描线S2p-1、第p条第二扫描线S2p以及第p条第二发光控制线E2p与虚设线DML或DML'的叠置面积。

这里，虚设线DML或DML'还可以广泛地形成为覆盖第(i-1)条第二扫描线焊盘SLP1或SLP1'、第i条第二扫描线焊盘SLP2或SLP2'、第i条第二发光控制线焊盘SLP3或SLP3'、第(p-1)条第二扫描线焊盘SLP4或SLP4'、第p条第二扫描线焊盘SLP5或SLP5'以及第p条第二发光控制线焊盘SLP6或SLP6'。

因此，在第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p中增加了由通过提供到第二外围区域PPA2的虚设单元DMP另外产生的寄生电容器引起的负载，补偿了第二像素区域PXA2的第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p的负载值。结果，第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2i和E2p的负载值可以与第一扫描线S1i-1和S1i以及第一发光控制线E1i的负载值相等或相似。

为了便于说明，已经利用在第一像素区域PXA1的第i行上的第一像素PXL1、第二像素区域PXA2的第i行上的第二像素PXL2以及第二像素区域PXA2的第p行上的第二像素PXL2来描述这些实施例，但本公开不限于此。例如，虚设单元与连接到第二像素区域PXA2的第k(k≠i且k≠p)行上的第二像素PXL2和第二像素区域PXA2的第h(h≠i，h≠p且h≠k)行上的第二像素PXL2的第二扫描线和第二发光控制线的叠置面积可以改变，从而形成寄生电容。

在实施例中，当第二像素区域PXA2的第二扫描线和第二发光控制线的长度都相同时，通过虚设单元DMP1和DMP1'补偿的负载值可以相同。即，如图15、图18和图19中所示，形成在第一子虚设单元DMP11或DMP11'以及第二子虚设单元DMP12或DMP12'中的寄生电容器的寄生电容可以相同。

另外，当第二像素区域PXA2的第二扫描线和第二发光控制线的长度彼此不同时，通过虚设单元DMP1和DMP1'补偿的负载值可以彼此不同。即，如图21和图22中所示，形成在第一子虚设单元DMP11'和第二子虚设单元DMP12'中的寄生电容器的寄生电容可以彼此不同。例如，如果第一子区域SA1的第二扫描线和第二发光控制线的长度比第二子区域SA2的第二扫描线和第二发光控制线的长度长，则形成在第一子虚设单元DMP11'中的寄生电容器的寄生电容可以比形成在第二子虚设单元DMP12'中的寄生电容器的寄生电容小。

在实施例中，为了补偿在第一像素区域PXA1中的扫描线和发光控制线与在第三像素区域PXA3中的扫描线和发光控制线之间的负载值的差，任何虚设单元未被提供到与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1，并且可以将虚设单元DMP2或DMP2'提供到与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3和附加外围区域APA。

虚设单元DMP2或DMP2'可以包括第三子虚设单元DMP21或DMP21'以及第四子虚设单元DMP22或DMP22'。第三子虚设单元DMP21或DMP21'可以补偿第三像素区域PXA3的第一子区域SA1和第二子区域SA2中的一个子区域的负载值，例如，可以补偿第一子区域SA1的第三扫描线和第三发光控制线的负载值。第四子虚设单元DMP22或DMP22'可以补偿第一子区域SA1和第二子区域SA2中的另一子区域的负载值，例如，可以补偿第二子区域SA2的第三扫描线和第三发光控制线的负载值。

第三子虚设单元DMP21或DMP21'以及第四子虚设单元DMP22或DMP22'可以设置为彼此分隔开。例如，第三子虚设单元DMP21或DMP21'可以设置在附加外围区域APA的与第一子区域SA1相邻的部分处。第四子虚设单元DMP22或DMP22'可以设置在第三外围区域PPA3的与第二子区域SA2相邻的部分处。因为第三子虚设单元DMP21或DMP21'和第四子虚设单元DMP22或DMP22'被设置为彼此分隔开，所以第三外围区域PPA3的宽度可以减小。

这里，通过第三子虚设单元DMP21或DMP21'和第四子虚设单元DMP22或DMP22'补偿的负载值可以等于通过第一子虚设单元DMP11或DMP11'和第二子虚设单元DMP12或DMP12'补偿的负载值。

另外，当第三像素区域PXA3的第三扫描线和第三发光控制线的长度彼此不同时，通过第三子虚设单元DMP21或DMP21'和第四子虚设单元DMP22或DMP22'补偿的负载值可以彼此不同。

在实施例中，如上所述，第一扫描线S1i-1和S1i和第一发光控制线Eli的端部部分可以延伸到第一外围区域PPA1，但本公开不限于此。例如，与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1和S2p、第二发光控制线E2i、第三扫描线以及第三发光控制线的端部部分不同，在第一扫描线S1i-1和S1i中不需要形成任何寄生电容器，因此，第一扫描线S1i-1和S1i和第一发光控制线Eli的端部部分可以不提供到第一外围区域PPA1。

在本公开的实施例中，每个虚设单元以其在提供到每个像素的两条扫描线中形成寄生电容器的形式来实施，但扫描线的数目不限于此。将明显的是，提供到虚设单元的扫描线的数目可以根据在显示装置中实施的像素的结构而改变。

另外，在本公开的实施例中，每个虚设单元以虚设线DML与扫描线叠置的形式来实施，从而形成寄生电容，但本公开不限于此。例如，每个虚设单元可以实施为与扫描线叠置的第一电源线ELVDD或第二电源线ELVSS。

如上所述，根据本公开的实施例的每个显示装置包括虚设单元DMP1或DMP1'和DMP2或DMP2'，使得能够补偿在每个区域中扫描线或发光控制线之间的负载值的差。因此，显示装置可完全地呈现均匀的图像。另外，虚设单元DMP1或DMP1'和DMP2或DMP2'中的每个被划分为多个子虚设单元，使得能够使显示装置中的外围区域的宽度减小。

图23和图24示出了根据本公开的实施例的显示装置，图23和图24是示出均具有设置在外围区域PPA中的虚设单元DMP1和DMP2的显示装置的平面图。图25是示出对应于图23的P4的部分的平面图。图26是示出对应于图23的P5的部分的平面图。图27是示出对应于图23的P6的部分的平面图。图28是示出对应于图23的P7的部分的平面图。图29是示出对应于图24的P4'的部分的平面图。图30是示出对应于图24的P5'的部分的平面图。图31是示出对应于图24的P6'的部分的平面图。图32是示出对应于图24的P7'的部分的平面图。为了便于描述，在图23至图32中示出了与一个像素对应的扫描线和发光控制线。

参照图23至图25，为了针对每个像素区域补偿负载值的差，虚设单元DMP1、DMP2、DMP1'或DMP2'被提供或不提供到对应于每个像素区域的外围区域，使得采用具有不同寄生电容的结构。即，为了补偿第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2中的扫描线之间的负载值的差，虚设单元DMP1、DMP2、DMP1'或DMP2'未提供到对应于第一像素区域PXA1的第一外围区域PPA1，虚设单元DMP1可以设置在对应于第二像素区域PXA2的第二外围区域PPA2和附加外围区域APA中。

在实施例中，第一扫描线S1i-1和S1i以及第一发光控制线E1i的端部部分可以设置在第一外围区域PPA1中，第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k(k是不同于i和p的自然数)以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的端部部分可以提供到第二外围区域PPA2或附加外围区域APA。虚设单元DMP1或DMP1'未提供到第一扫描线S1i-1和S1i以及第一发光控制线E1i的端部部分，而可以提供到与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的端部部分对应的区域。

虚设单元DMP1或DMP1'可以包括多个子虚设单元DMP11或DMP11'、DMP12或DMP12'以及DMP13或DMP13'。例如，虚设单元DMP1或DMP1'可以包括第一子虚设单元DMP11或DMP11'、第二子虚设单元DMP12或DMP12'以及第三子虚设单元DMP13或DMP13'。第一子虚设单元DMP11或DMP11'可以补偿第二像素区域PXA2的第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3中的一个子区域的负载值，例如，可以补偿第一子区域SA1的第二扫描线S2i-1和S2i以及第二发光控制线E2i的负载值。第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以补偿第二像素区域PXA2的第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3中的另一子区域的负载值，例如，可以补偿第二子区域SA2的第二扫描线S2p-1和S2p以及第二发光控制线E2p的负载值。第三子虚设单元DMP13或DMP13'可以补偿第二像素区域PXA2的第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3中的其它子区域的负载值，例如，可以补偿第三子区域SA3的第二扫描线S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2k的负载值。

第一子虚设单元DMP11或DMP11'、第二子虚设单元DMP12或DMP12'和第三子虚设单元DMP13或DMP13'可以设置为彼此分隔开。例如，第一子虚设单元DMP11或DMP11'可以设置在附加外围区域APA的与第一子区域SA1相邻的部分处。第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以设置在第二外围区域PPA2的与第二子区域SA2相邻的部分处，例如，设置在第二外围区域PPA2的横向部分处。第三子虚设单元DMP13或DMP13'可以设置在第二外围区域PPA2的与第三子区域SA3相邻的部分处，例如，设置在第二外围区域PPA2的纵向部分处。因为第一子虚设单元DMP11或DMP11'、第二子虚设单元DMP12或DMP12'以及第三子虚设单元DMP13或DMP13'被设置为彼此分隔开，所以可减小第二外围区域PPA2的宽度。

虚设单元DMP1或DMP1'可以与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k叠置。例如，第一子虚设单元DMP11或DMP11'以及第二子虚设单元DMP12或DMP12'可以包括与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的端部部分叠置的虚设线DML或DML'。即，虚设线DML或DML'可以提供到第二外围区域PPA2和附加外围区域APA。另外，固定电压可以施加到虚设线DML或DML'。因此，虚设线DML或DML'可以与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k叠置，从而形成寄生电容器。

虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k叠置，从而形成寄生电容器，虚设线DML或DML'的形成位置或材料不受特定限制。在实施例中，虚设线DML或DML'可以利用相同的工艺由与电源线相同或基本相同的材料形成。因此，虚设线DML或DML'可以形成在与电源线相同的层中，并且可以包括与电源线相同或基本相同的材料。虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k叠置，使得可以在虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k之间以及在虚设线DML或DML'与第二发光控制线E2i、E2p和E2k之间形成寄生电容器。

寄生电容器的寄生电容可以根据虚设线DML或DML'与第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的叠置面积而改变。因此，为了增加寄生电容，第(i-1)条第二扫描线焊盘SLP1或SLP1'、第i条第二扫描线焊盘SLP2或SLP2'、第i条第二发光控制线焊盘SLP3或SLP3'、第(p-1)(p≠i)条第二扫描线焊盘SLP4或SLP4'、第p条第二扫描线焊盘SLP5或SLP5'、第p条第二发光控制线焊盘SLP6或SLP6'、第(k-1)(k≠i且k≠p)条第二扫描线焊盘SLP7或SLP7'、第k条第二扫描线焊盘SLP8或SLP8'以及第k条第二发光控制线焊盘SLP9或SLP9'可以提供到第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的相应端部部分。

第(i-1)条第二扫描线焊盘SLP1或SLP1'、第i条第二扫描线焊盘SLP2或SLP2'以及第i条第二发光控制线焊盘SLP3或SLP3'分别具有比第(i-1)条第二扫描线S2i-1、第i条第二扫描线S2i以及第i条第二发光控制线E2i大的宽度，因此，可增加第(i-1)条第二扫描线S2i-1、第i条第二扫描线S2i以及第i条第二发光控制线E2i与虚设线DML或DML'的叠置面积。

第(p-1)条第二扫描线焊盘SLP4或SLP4'、第p条第二扫描线焊盘SLP5或SLP5'以及第p条第二发光控制线焊盘SLP6或SLP6'分别具有比第(p-1)条第二扫描线S2p-1、第p条第二扫描线S2p和第p条第二发光控制线E2p大的宽度，因此，可增加第(p-1)条第二扫描线S2p-1、第p条第二扫描线S2p和第p条第二发光控制线E2p与虚设线DML或DML'的叠置面积。

第(k-1)条第二扫描线焊盘SLP7或SLP7'、第k条第二扫描线焊盘SLP8或SLP8'以及第k条第二发光控制线焊盘SLP9或SLP9'分别具有比第(k-1)条第二扫描线S2k-1、第k条第二扫描线S2k和第k条第二发光控制线E2k大的宽度因此，可增加第(k-1)条第二扫描线S2k-1、第k条第二扫描线S2k和第k条第二发光控制线E2k与虚设线DML或DML'的叠置面积。

这里，虚设线DML或DML'还可以广泛地形成为覆盖第(i-1)条第二扫描线焊盘SLP1或SLP1'、第i条第二扫描线焊盘SLP2或SLP2'、第i条第二发光控制线焊盘SLP3或SLP3'、第(p-1)条第二扫描线焊盘SLP4或SLP4'、第p条第二扫描线焊盘SLP5或SLP5'、第p条第二发光控制线焊盘SLP6或SLP6'、第(k-1)条第二扫描线焊盘SLP7或SLP7'、第k条第二扫描线焊盘SLP8或SLP8'以及第k条第二发光控制线焊盘SLP9或SLP9'。

因此，在第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k中增加了通过提供到第二外围区域PPA2的虚设单元DMP另外产生的寄生电容器引起的负载，补偿了第二像素区域PXA2的第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的负载值。结果，第二扫描线S2i-1、S2i、S2p-1、S2p、S2k-1和S2k以及第二发光控制线E2i、E2p和E2k的负载值可以等于或相似于第一扫描线S1i-1和S1i和第一发光控制线E1i的负载值。

在实施例中，当第二像素区域PXA2的第二扫描线和第二发光控制线的长度都相同时，通过虚设单元DMP1和DMP1'补偿的负载值可以相同。即，如图23、图26至图28中所示，形成在第一子虚设单元DMP11或DMP11'、第二子虚设单元DMP12或DMP12'以及第三子虚设单元DMP13或DMP13'中的寄生电容器的寄生电容可以相同。

另外，当第二像素区域PXA2的第二扫描线和第二发光控制线的长度彼此不同时，通过虚设单元DMP1和DMP1'补偿的负载值可以彼此不同。即，如图24和图29至图32中所示，形成在第一子虚设单元DMP11或DMP11'、第二子虚设单元DMP12或DMP12'以及第三子虚设单元DMP13或DMP13'中的寄生电容器的寄生电容可以彼此不同。例如，形成在第一子虚设单元DMP11或DMP11'中的寄生电容器的寄生电容可以是最小的。另外，形成在第二子虚设单元DMP12或DMP12'中的寄生电容器的寄生电容可以是最大的。

在实施例中，为了补偿在第一像素区域PXA1中的扫描线和发光控制线与在第三像素区域PXA3中的扫描线和发光控制线之间的负载值的差，任何虚设单元未被提供到与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1，并且可以将虚设单元DMP2或DMP2'提供到与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3和附加外围区域APA。

虚设单元DMP2或DMP2'可以包括第四子虚设单元DMP21或DMP21'、第五子虚设单元DMP22或DMP22'以及第六子虚设单元DMP23或DMP23'。第四子虚设单元DMP21或DMP21'可以补偿第三像素区域PXA3的第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3中的一个子区域的负载值，例如，可以补偿第一子区域SA1的第三扫描线和第三发光控制线的负载值。第五子虚设单元DMP22或DMP22'可以补偿第三像素区域PXA3的第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3中的另一子区域的负载值，例如，可以补偿第二子区域SA2的第三扫描线和第三发光控制线的负载值。第六子虚设单元DMP23或DMP23'可以补偿第三像素区域PXA3的第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3中的其它子区域的负载值，例如，可以补偿第三子区域SA3的第三扫描线和第三发光控制线的负载值。

第四子虚设单元DMP21或DMP21'、第五子虚设单元DMP22或DMP22'以及第六子虚设单元DMP23或DMP23'可以设置为彼此分隔开。例如，第四子虚设单元DMP21或DMP21'可以设置在附加外围区域APA的与第一子区域SA1相邻的部分处，例如，设置在附加外围区域APA处。第五子虚设单元DMP22或DMP22'可以设置在第三外围区域PPA3的与第二子区域SA2相邻的部分处，例如，设置在第三外围区域PPA3的横向部分处。第六子虚设单元DMP23或DMP23'可以设置在第三外围区域PPA3的与第三子区域SA3相邻的部分处，例如，设置在第三外围区域PPA3的纵向部分处。因为第四子虚设单元DMP21或DMP21'、第五子虚设单元DMP22或DMP22'以及第六子虚设单元DMP23或DMP23'被设置为彼此分隔开，所以可减小第三外围区域PPA3的宽度。

在实施例中，当第三像素区域PXA3的第三扫描线和第三发光控制线的长度都相同时，通过第四子虚设单元DMP21或DMP21'、第五子虚设单元DMP22或DMP22'和第六子虚设单元DMP23或DMP23'补偿的负载值可以相同。

另外，当第三像素区域PXA3的第三扫描线和第三发光控制线的长度彼此不同时，通过第四子虚设单元DMP21或DMP21'、第五子虚设单元DMP22或DMP22'以及第六子虚设单元DMP23或DMP23'补偿的负载值可以彼此不同。

根据本公开，显示装置包括具有不同面积的两个或更多个区域，在各个区域中的亮度可以是均匀的。

将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……下方”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语，以描述如图中所示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了在图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下面”和“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应当相应地解释在此使用的空间相对描述语。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个元件“之间”时，该层可以是位于所述两个元件之间的唯一的层，或者还可以存在一个或更多个中间元件。

在此使用的术语是用于描述具体实施例的目的而不意图对发明构思进行限制。如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在该说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是并不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)而不是修饰该列中的个别元件(要素)。此外，当描述发明构思的实施例时“可以”的使用表示“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”意图表示例子或例示。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“结合到”另一元件或层或者“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层、直接结合到所述另一元件或层或者直接“与”所述另一元件或层相邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”另一元件或层或者“直接与”另一元件或层“相邻”时，不存在中间元件或层。

如在这里使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似的术语而不是程度的术语，并意图解释将被本领域普通技术人员所认识到的测量或计算值中的固有偏差。

如这里使用的，可以认为术语“使用”与术语“利用”同义。

这里已经公开了示例实施例，虽然使用了特定术语，但是它们仅以一般的和描述性的意义而非出于限制的目的来使用和解释。在一些情况下，对截止到本申请提交时的本领域的普通技术人员将是明显的，除非另外明确表明，否则结合具体的实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种合适的改变。

Claims (44)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底，具有第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和外围区域，所述第二像素区域具有比所述第一像素区域小的面积，所述第二像素区域连接到所述第一像素区域，所述第三像素区域与所述第二像素区域间隔开且连接到所述第一像素区域，所述外围区域围绕所述第一像素区域和所述第二像素区域；

第一像素、第二像素和第三像素，分别在所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域处；

连接到所述第一像素的第一线、连接到所述第二像素的第二线以及连接到所述第三像素的第三线；

虚设单元，在所述外围区域中，所述虚设单元与所述第一线和所述第二线中的至少一种叠置，所述虚设单元被构造为补偿所述第一线的负载值与所述第二线的负载值之间的差；

附加虚设单元，与所述第三线叠置，所述附加虚设单元被构造为补偿所述第三线的负载值与所述第一线的负载值之间的差，

其中，所述虚设单元包括彼此分隔开的至少两个子虚设单元。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述外围区域具有：

第一外围区域，在所述第一像素区域周围；

第二外围区域，在所述第二像素区域周围；以及

附加外围区域，与所述第一像素区域和所述第二外围区域相邻。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一线的长度比所述第二线的长度大，并且所述第三线的长度比所述第一线的长度小。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一线是用于将扫描信号提供到所述第一像素的第一扫描线，

其中，所述第二线是用于将扫描信号提供到所述第二像素的第二扫描线，并且

其中，所述第三线是用于将扫描信号提供到所述第三像素的第三扫描线。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述虚设单元包括：

第一子虚设单元，在所述附加外围区域中；以及

第二子虚设单元，在所述第二外围区域中。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述虚设单元包括提供到所述第二外围区域和所述附加外围区域的虚设线，所述虚设线与所述第二扫描线叠置。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二像素区域具有：

第一子区域，与所述第一像素区域相邻；以及

第二子区域，与所述第一像素区域间隔开。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元的所述虚设线的一部分与连接到所述第一子区域的所述第二像素的所述第二扫描线叠置，

其中，所述第二子虚设单元的所述虚设线的一部分与连接到所述第二子区域的所述第二像素的所述第二扫描线叠置。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二子区域具有与所述第一子区域相同的宽度。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值等于通过所述第二子虚设单元补偿的负载值。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二子区域的宽度随着距所述第一子区域的距离增加而减小。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值与通过所述第二子虚设单元补偿的负载值不同。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值比通过所述第二子虚设单元补偿的负载值小。

14.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括分别连接到所述第一像素和所述第二像素的第一发光控制线和第二发光控制线。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元的所述虚设线的一部分与连接到所述第二像素区域的第一子区域中的所述第二像素的所述第二发光控制线叠置，

其中，所述第二子虚设单元的所述虚设线的一部分与连接到所述第二像素区域的第二子区域中的所述第二像素的所述第二发光控制线叠置。

16.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二像素区域具有：

第一子区域，与所述第一像素区域相邻；

第二子区域，与所述第一像素区域间隔开；以及

第三子区域，位于所述第一子区域与所述第二子区域之间。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述虚设单元包括：

第一子虚设单元，在所述附加外围区域中，所述第一子虚设单元被构造为补偿所述第一子区域的所述第二线的负载值；

第二子虚设单元，在与所述第二子区域对应的所述第二外围区域中，所述第二子虚设单元被构造为补偿所述第二子区域的所述第二线的负载值；以及

第三子虚设单元，在与所述第三子区域对应的所述第二外围区域中，所述第三子虚设单元被构造为补偿所述第三子区域的所述第二线的负载值。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一子区域、所述第二子区域和所述第三子区域具有相同的宽度。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值、通过所述第二子虚设单元补偿的负载值以及通过所述第三子虚设单元补偿的负载值相同。

20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，在所述第一子区域至所述第三子区域之中，所述第一子区域的宽度是最大的，所述第二子区域的宽度是最小的。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，在通过所述第一子虚设单元补偿的负载值、通过所述第二子虚设单元补偿的负载值以及通过所述第三子虚设单元补偿的负载值之中，通过所述第二子虚设单元补偿的负载值是最大的，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值是最小的。

22.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底，具有第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和围绕所述第一像素区域至所述第三像素区域的外围区域，所述第二像素区域和所述第三像素区域之中的每个像素区域具有比所述第一像素区域小的面积，所述第二像素区域和所述第三像素区域连接到所述第一像素区域，所述第二像素区域和所述第三像素区域彼此间隔开；

第一像素、第二像素和第三像素，分别位于所述第一像素区域至所述第三像素区域处；

第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，连接到所述第一像素至所述第三像素，以将扫描信号提供到所述第一像素至所述第三像素中的每个像素；以及

虚设单元，在所述外围区域中，所述虚设单元分别与所述第二扫描线和所述第三扫描线叠置，所述虚设单元被构造为补偿所述第一扫描线的负载值与所述第二扫描线的负载值之间的差以及所述第一扫描线的负载值与所述第三扫描线的负载值之间的差，

其中，所述虚设单元包括彼此间隔开且与所述第二扫描线叠置的至少两个子虚设单元。

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述外围区域具有：

第一外围区域，在所述第一像素区域周围；

第二外围区域，在所述第二像素区域周围；

第三外围区域，在所述第三像素区域周围；以及

附加外围区域，在所述第一像素区域的一侧中使所述第二外围区域连接到所述第三外围区域。

24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第一扫描线具有比所述第二扫描线和所述第三扫描线长的长度。

25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述虚设单元中的与所述第二扫描线叠置的虚设单元包括在所述附加外围区域中的第一子虚设单元和在所述第二外围区域中的第二子虚设单元，

其中，所述虚设单元中的与所述第三扫描线叠置的虚设单元包括在所述附加外围区域中的第三子虚设单元和在所述第三外围区域中的第四子虚设单元。

26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述虚设单元包括提供到所述第二外围区域、所述第三外围区域和所述附加外围区域的虚设线，所述虚设线与所述第二扫描线和所述第三扫描线叠置。

27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个像素区域具有：

第一子区域，与所述第一像素区域相邻；以及

第二子区域，与所述第一像素区域间隔开。

28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元和所述第三子虚设单元的虚设线的一部分与分别连接到所述第一子区域的所述第二像素和所述第三像素的所述第二扫描线和所述第三扫描线叠置，

其中，所述第二子虚设单元和所述第四子虚设单元的虚设线的一部分与分别连接到所述第二子区域的所述第二像素和所述第三像素的所述第二扫描线和所述第三扫描线叠置。

29.根据权利要求28所述的显示装置，其中，所述第一子区域和所述第二子区域具有相同的宽度。

30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元至所述第四子虚设单元补偿的负载值相同。

31.根据权利要求28所述的显示装置，其中，所述第二子区域的宽度随着距所述第一子区域的距离增加而减小。

32.根据权利要求31所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元和所述第三子虚设单元补偿的负载值与通过所述第二子虚设单元和所述第四子虚设单元补偿的负载值不同。

33.根据权利要求32所述的显示装置，其中，通过所述第一子虚设单元和所述第三子虚设单元补偿的负载值比通过所述第二子虚设单元和所述第四子虚设单元补偿的负载值小。

34.根据权利要求26所述的显示装置，所述显示装置还包括分别连接到所述第一像素至所述第三像素的第一发光控制线、第二发光控制线和第三发光控制线。

35.根据权利要求34所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元和所述第三子虚设单元的所述虚设线与分别连接到所述第二像素区域和所述第三像素区域的第一子区域中的所述第二像素和所述第三像素的所述第二发光控制线和所述第三发光控制线叠置，

其中，所述第二子虚设单元和所述第四子虚设单元的所述虚设线与分别连接到所述第二像素区域和所述第三像素区域的第二子区域中的所述第二像素和所述第三像素的所述第二发光控制线和所述第三发光控制线叠置。

36.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个像素区域具有：

第一子区域，与所述第一像素区域相邻；

第二子区域，与所述第一像素区域间隔开；以及

第三子区域，位于所述第一子区域与所述第二子区域之间。

37.根据权利要求36所述的显示装置，其中，所述虚设单元包括：

第一子虚设单元，在所述附加外围区域中，所述第一子虚设单元被构造为补偿所述第一子区域的所述第二扫描线的负载值；

第二子虚设单元，在与所述第二子区域对应的所述第二外围区域中，所述第二子虚设单元被构造为补偿所述第二子区域的所述第二扫描线的负载值；以及

第三子虚设单元，在与所述第三子区域对应的所述第二外围区域中，所述第三子虚设单元被构造为补偿所述第三子区域的所述第二扫描线的负载值。

38.根据权利要求37所述的显示装置，其中，所述第一子区域、所述第二子区域和所述第三子区域具有相同的宽度，

其中，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值、通过所述第二子虚设单元补偿的负载值以及通过所述第三子虚设单元补偿的负载值相同。

39.根据权利要求37所述的显示装置，其中，在所述第一子区域至所述第三子区域之中，所述第一子区域的宽度是最大的，所述第二子区域的宽度是最小的，

其中，在通过所述第一子虚设单元补偿的负载值、通过所述第二子虚设单元补偿的负载值以及通过所述第三子虚设单元补偿的负载值之中，通过所述第二子虚设单元补偿的负载值是最大的，通过所述第一子虚设单元补偿的负载值是最小的。

40.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底，具有第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和围绕所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域的外围区域，所述第二像素区域和所述第三像素区域与所述第一像素区域的同一侧相邻并且均具有比所述第一像素区域小的面积；

第一像素，位于所述第一像素区域中，以及第二像素和第三像素，分别位于第二像素区域和所述第三像素区域处；

第一扫描线、第二对扫描线和第三对扫描线，用于分别将扫描信号提供到所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素；以及

虚设单元，包括第一子虚设单元和第二子虚设单元，所述第一子虚设单元和所述第二子虚设单元在所述外围区域处彼此间隔开，所述第一子虚设单元和所述第二子虚设单元分别与所述第二对扫描线和所述第三对扫描线叠置，以与所述第二对扫描线和所述第三对扫描线形成寄生电容器，所述寄生电容器被构造为补偿所述第一扫描线的负载值与所述第二对扫描线的负载值之间的差以及所述第一扫描线的负载值与所述第三对扫描线的负载值之间的差，

其中，所述虚设单元包括彼此间隔开的至少两个第一子虚设单元。

41.根据权利要求40所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元和所述第二子虚设单元与第二对扫描线和第三对扫描线之间的叠置区域不都是相同的，使得所述寄生电容器不都具有相同的电容。

42.根据权利要求40所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元位于所述外围区域的与所述第一像素区域和所述第二像素区域之间不存在像素的间隙对应的部分处。

43.根据权利要求40所述的显示装置，其中，所述第二子虚设单元位于所述第二像素区域的与所述第一像素区域相对的一侧处。

44.根据权利要求40所述的显示装置，其中，所述第一子虚设单元和扫描驱动器位于所述第二像素区域的相对侧处。

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