TW200914445A - Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same - Google Patents

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same Download PDF

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TW200914445A
TW200914445A TW097129931A TW97129931A TW200914445A TW 200914445 A TW200914445 A TW 200914445A TW 097129931 A TW097129931 A TW 097129931A TW 97129931 A TW97129931 A TW 97129931A TW 200914445 A TW200914445 A TW 200914445A
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Nobuhiro Yabunouchi
Masahiro Kawamura
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Idemitsu Kosan Co
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Description

200914445 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於芳香族胺衍生物及使用其之有機電激發光 (EL)元件’特別是關於使驅動電壓降低且抑制分子之結晶 化’改善有機EL元件之壽命，提高製造有機EL元件時之 良率的芳香族胺衍生物。 【先前技術】 Ο u 有機EL元件係藉由施加電場，利用自陽極佈植之電洞與 自陰極佈植之電子的再結合能量而使螢光性物質發光之原 理的自發光元件。由Eastman Kodak公司之C. W. Tang等人 提出利用積層型元件之低電壓驅動有機EL元件之報告 (C.W. Tang，S.A. Vanslyke，Applied Physics Letters，第 51 卷第913頁、1987年等）以來，正日益盛行地進行關於將 有機材料作為構成材料之有機EL元件的研究。Tang等人 三㈣基啥修用於發光層申，將三苯基二胺衍生物用 於電洞傳輸層中。作為積層結構之優點，可列舉：提高於 毛光層中之電洞的佈植效率、提高阻斷自陰極佈植之電子 藉由再結合而生成之激子的生成效率、封入於發光層内生 成之激子等、。如該例所示，作為有機肛元件之元件結構， =知有.電洞傳輸（佈植）層、電子傳輸發 電洞傳輸（佈植）層、钵出思 ^ 飞考 装^ )層發先層、電子傳輸（佈植）層之3層型 寺。於如此之積層刑έ 子之再社人# i ° ^中，為提高佈植之電洞與電 = 率’已努力研究元件結構或形成方法。 …右於高溫環境下驅動、保管有機肛元件，則產生 133484.doc 200914445 =光色支化、發光效率降低、驅動電壓上 :間化等不良影響。為防止此現象，必需提高 ::::轉移—因此，必需於電洞傳輸材= 行生物有：多之芳香族基(例如，專利文獻〗之芳香族二胺 =用 獻2之芳香族稠環二胺衍生物)，通常可： 好地使用具有8〜12個苯環之結構。 然而’若於分子内具有較多之芳香族基則產生如下之 ㈣等電㈣輸材料形成薄膜製作有姐元件時 易產生結晶化’於蒸鐘中使用，堵塞㈣之出口，產生因 m丨起之薄膜缺陷’導致有姐元件之良率降低 A的化αΓ如下之問題：於分子内中具有較多之芳香族 f的化合物通常係玻璃轉移溫度⑽較高者，昇華溫度 南，產生蒸鍍時分解或蒸鍍形成不均勻等現象，= 短。 1 另-方面’有揭示了非對稱性芳香族胺衍生物之公知文 獻。例如，於專利文獻3中，雖揭示有具有非對稱性結構 之方香族胺衍生物，但並無具體之實施例，且關於非對稱 化合物之特徵並無任何揭示。又，於專利文獻4中雖揭 不有具有菲之非對稱性芳香族胺衍生物作為實施例，但盘 對稱化合物同等地使用，且關於非對稱化合物之特徵並無 任何揭示。又，雖然非對稱化合物必需特殊之合成法，但 於該等專利中並未明示關於非對稱化合物之製造方法的揭 示。進而，於專利文獻5中’雖然對關於具有非對稱性結 構之芳香族胺衍生物的製造法加以揭示，但關於非對稱化 133484.doc 200914445 ’雖然揭示有玻璃 ’但僅例示了具有 合物之特徵並未揭示。於專利文獻6中 轉移/皿度較尚之熱穩定之非對稱化合物 咔唑之化合物。 又，作為具有。塞吩之胺化合物的報告有專利文獻7〜8， 但該等係於二胺化合物之中心骨架具有嗟吩之化合物。 又，於專利文獻7中嗔吩直接與胺鍵結。作為於二胺化合 物之末端具有嗟吩之化合物的報告有專利文獻9〜10，但該 等於胺上直接鍵結噻吩。該等化合物不穩定，且難以純 化’因此並不能提高純度。χ，若㈣與胺直接鍵結，則 胺之電子狀態有較大改變’因此於用作有組元件用材料 之情形時不能獲得充分之性能。另—方面，於專利文獻u ★中揭不有噻吩經由芳基鍵結於胺上之化合物。然而，該 等化合物係於2位或5位包含未經取代之嗟吩之結構。喧吩 之2位或5位的反應性高’電性亦不穩定’因此若於分子内 存在該等則於使用為元件之情形時必需高電壓而欠佳。作 為多聚體胺有專利文獻12，僅為具體例，關於嘆吩經由芳 基與氮鍵結之胺化合物並無任何揭示。作為高分子於專利 文獻13〜22中有揭不但並不能蒸鍍。&，聚合所必需之極 性基使作為元件之壽命等降低而欠佳。 士上所述，一般已知具有噻吩結構之化合物遷移率較 冋’但僅以與胺結構之組合，即使用作有機此元件之材料 亦無法獲付充分之性能。因&，強烈要求開發具有更優異 性能之有機EL元件用材料。 專利文獻1 :美國專利第4,720,432號說明書 133484.doc 200914445 專利文獻2:美國專利第5,〇6 1,569號說明書 專利文獻3 :日本專利特開平8_48656號公報 專利文獻4 :日本專利特開平1丨_丨3 526丨號公報 專利文獻5 :日本專利特開2003-1 71366號公報 專利文獻6:美國專利第6,242,115號說明書 專利文獻 7 : WO 2004-058740 專利文獻8:曰本專利特開平4_3〇4466號公報 專利文獻 9 : WO 2001-053286 專利文獻10 :日本專利特開平7_287408號公報 專利文獻11 :日本專利特開2003-267972號公報 專利文獻丨2 :日本專利特開2004-155705號公報 專利文獻13 :日本專利特開2〇〇5_〇42〇〇4號公報 專利文獻14 :日本專利特開2〇〇5_259441號公報 專利文獻15 :日本專利特開2〇〇5_259442號公報 專利文獻16 :日本專利特開2〇〇5_235645號公報 專利文獻17 :曰本專利特開2〇〇5_235646號公報 專利文獻18 :日本專利特開2〇〇5_〇82655號公報 專利文獻19 :曰本專利特開2〇〇4_28853 1號公報 專利文獻20 :曰本專利特開2〇〇4_199935號公報 專利文獻21 :曰本專利特開2〇〇4_111134號公報 專利文獻22 :曰本專利特開2〇〇2_3 13574號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 本發明係為解決上述課題而成者，其目的在於提供分子 133484.doc 200914445 難以結晶化，使驅動電壓降低且提高製造有機EL元件時之 良率、壽命長之有機EL元件及實現其之芳香族胺衍生物。 解決問題之技術手段 本發明者等人為達成上述目的而不斷進行銳意研究，結 果發現藉由使用下述通式⑴所表示之具有含有嗟吩之特； 取代基的新穎芳香族胺;^生物作為有機el元件用材料，特 別是使用為電洞傳輸材料可達成上述目的，從而完成本發
人，Μ具有^之取代基的胺單元，可發現通式 ⑺、（13)所表示之經具有切結構之芳基取代之胺基較合 j β玄胺單疋具有極性基，因此可與電極相互作用，故變 侍易於佈植電何’及具有噻吩結構，因此遷移率較高，由 此具有降低驅動電懕 分子間之相互作詩/ Γ 具有立體阻礙性，因此 乍用車又小，故具有抑制結晶化，提高製造有 機EL凡件之良率，辦；杯/β
果，特別是藉㈣心：:：有機心件的壽命之效 化與長壽命效果；=合而獲得顯著之㈣ 非對稱性結構之化 ：子讀大之化合物中’具有 時之分解，使其㈣命；^鏟溫度，因此可抑制蒸錢 即’本發明係提 物。 、^ I式（1)所表示之芳香族胺衍生 [化1] I33484.doc -10 - (1)200914445
Ar、 a/ 丨之任 [於通式（1)中，Ar广Ah中之至少一個以下述通式（2)所表 不’進而’ Ar广Ar3中之至少一個以下述通式（3)〜（7) 一者所表示。 [化2]
(7) (於通式⑺〜⑺中’ R2〜Rl........— Μ禾經取代 :核：子數為6〜50之芳基、碳數為W之直鏈或支鏈院 代或未經取代之核原子 為風原子、經取 數為6,之芳基、碳數為卜5〇之直 133484.doc 200914445 c d f h、j為〇〜4之整數e e、g、 鍵或支職基、自 a為0〜2之整數。b、 i為0〜3之整數。 X為硫或氧。 為別獨立表示經取代或未經取代之核原子數 為二。之伸方基。L2〜L3分別獨立表示單鍵、經 經取代之核原子數為6〜50之伸芳基。}
Af 1 ) ^ 中並非通式（2)〜⑺之基分別獨立 為'"取代或未經取代之核原子數為6,之芳基，該芳基之 取代基為核原子數為6〜50之芳基’碳數為㈣之支鏈或直 鍵烧基、自素原子、氰基或下述通式（8)所表示之基/ [化3]
(8) j式中，L7表示經取代或未經取代之核原子數為6〜Μ之伸 芳基。Ar*5〜A。分別獨立為經取代或未經取代之核原子數 為6〜50之芳基或者經取代或未經取代之核原子數為㈠ 雜芳基。}] 又， 衍生物 本發明係提供下述通式(9)训所表示之芳香族胺 [化4] 133484.doc -12- 200914445
(12)
[於通式（9)中，Ar7〜Ar10中之至少一個以下述通式（13)所表 示。進而，Ar7〜Ar1()中之至少一個以下述通式（14)-(18)之 任一者所表示。 於通式（10)中，An !〜Ari 5中之至少一個以下述通式（13) 所表示。進而，An!〜Ar15中之至少一個以下述通式 (14)〜（18)之任一者所表示。 於通式（11)中，Ar16〜Ar21中之至少一個以下述通式（13) 所表示。進而，Ar16〜Ar21中之至少一個以下述通式 133484.doc -13- 200914445 (14)〜（18)之任一者所表示。 於通式（12)中，八匕〜心27中之 所表示。進而，ΑΓ22〜ΑΓ27中< ^二固以下述通式（13) (14)〜（18)之任一者所表示。 ^個以下述通式 [化5]
(18) {於通式（13)〜(】8)中，n 代之核原子數為6〜5〇之芳基、/立為經取代或未經取 基、鹵素原子或氰美。 反為〗〜50之直鏈或支鏈烷 ^ 一 土 R丨及Rl2分別獨立為氫原子、铖取 :或未經取代之核原子數為 鏈或支鏈貌基、齒素原子或氛基。4為"〇之直 相之整數。b、c、d、f、h、M0〜4__g、 133484.doc •14· 200914445 i為〇〜3之整數。 X為硫或氧。 L,及L4〜L6分別獨立表示經取代或未經取代之核原子數 為6〜50之伸芳基。L2〜L3分別獨立表示單鍵、經取代或未 鉍取代之核原子數為6〜50之伸芳基。} 於通式⑼〜（12)中，Ar?〜Ah7中並非通式（14)〜（18)之基分 別獨立為經取代或未經取代之核原子數為6〜50之芳基。
L8〜Ln分別獨立表示經取代或未經取代之核碳數為之 伸芳基。] 又，本發明係提供一種有機EL元件，其係於陰極與陽極 之間夹持有包括至少包含發光層之一層或複數層之有機薄 膜層者，該有機薄膜層之至少一層含有上述芳香族胺衍生 物作為單獨或混合物成分。 發明之效果 本發明之芳香族胺衍生物’分子難 播ρτ _扯 丁難以、，、口日日化，若用作有 機件用材料，則可使驅動電壓降低，獲得壽命長之有 機EL元件，提高製造有機EL元件時之良率。 、 【實施方式】 本發明之芳香族胺衍生物係下述通式（1)所表示者
Al*3
133484.doc -15- 於通式（1)中 示。進而，& 一者所表示。 [化7] ，Ari〜Ar3中之
〜Ar3中之E 至少—個以下述通式（2)所表 至少一J —個以下述通式（3)〜（7)之任
<2)
{於通式（2)〜(7)中，R2〜r
分別 之核原子數為6〜50之芳戎〜別獨立為經取代或未經取代 基、鹵素原子或氰基。汉衩數為1〜5〇之直鏈或支鏈烷 代或未經取代之核眉；丨2分別獨立為氫原子、經取 键B… 為1〜5〇之芳基、碳數為1〜5。之直 鏈或支蚊基、^素原子或g。 -16 - 1 為0〜2之整數。b、e、d、f、h、j為〇〜4之整數。e、g、 i為0〜3之整數。 X為硫或氧。 133484.doc 200914445 1^及1^〜Le分別獨立表示經 為6〜50之伸芳其 、取代或未經取代之核原子數 土。L2〜L3分別獨立砉
經取代之核原子數為6〜50之丄表；早鍵、經取代或未 於通式（1)中，A 為經取代或未經取代：::局並非通式(2)〜⑺之基分別獨立 取代基為核原子數為6〜5。之芳方基，該方基之 鏈烷基、自素原子 數為1〜50之支鏈或直 [化8] 氰基或下述通式⑻所表示之基。
(8) (式中，L7表示經取代或未經 芳基。Ar5〜Ar6分別猶η 代之核原子數為6,之伸 八Q刀别獨立為 為6〜50之芳其七本， 代次未^取代之核原子數
方基或者經取代或未經取代 雜芳基。丨] 〇项于數為6〜50之 不之芳香族胺衍生物，較好的是 ，Ar2與Ar3以上述通式（2)〜(7)之 本發明之通式（1)所表 ΑΓ丨以上述通式（2)所表示 任一者所表示。 較好的是 Αγ3以上述 本毛明之通式⑴所表示之芳香族胺衍生物 於通式⑴中，Ari與Ar2以上述通式⑺所表示 通式（2)〜（7)之任一者所表示。 本發明之通式（1)所表 示之芳香族胺衍生物 較好的是 133484.doc 200914445 於上述通式（2)中，1^為伸苯基、伸聯苯基或伸葬基，Rlg 苯基、萘基或菲基，a為0。 又，本發明之芳香族胺衍生物係下述通式（9)〜（12)所表 示者。 [化9]
(9) (10)
U 1)
[於通式（9)中，Ar?〜An◦中之至少一個以下述通式⑴）所表 丁進而，Ar7〜Ar丨〇中之至少一個以下述通式（14)〜（18)之 133484.doc -18- 200914445 任一者所表示。 於通式（10)中，Arn〜Ar丨5中之至少一個以下述通式（13) 所表示。進而，Arn〜Aru中之至少一個以下述通式 (14)〜（18)之任一者所表示。 於通式（11)中，Ar16〜Ar21中之至少一個以下述通式（13) 所表示。進而，Ar〗6〜Ar2i中之至少一個以下述通式 (14)〜（18)之任一者所表示。 於通式（12)中，Ar22〜Ar27中之至少一個以下述通式（13) 所表示。進而，Ar22〜Ar27中之至少一個以下述通式 (14)〜（18)之任一者所表示。 [化 10] (1 3)
133484.doc •19- 200914445 {於通式（u)〜（18)中，分 代之核原子數為6〜5〇 立為經取代或未經取 Μ之方基、碳數為 基、鹵素原子或氛基。…2分別獨：二鏈或支㈣ 代或未經取代之核原子數為6〜50之芳1為山，原子、經取 鍵或支㈣基' i素原子或氰基。& 為1〜5〇之直 a為0〜2之整數eb、c、d i為〇〜3之整數。 。為。〜4之整數。e、g、 X為硫或氧。 L,及L4〜L6分別獨立表示經取代或未經取代之核 為6〜50之伸芳基。L2〜L3分別獨立表 代 經取代之核原子數為6〜50之伸芳基。} 取代或未 於通式⑼〜〇2)中，Μ〜Ar”中並非通式 別獨立為經取代或未經取代之核原子數為6〜5〇之)芳：： “〜Ll6分別獨立表示經取代或未經取代之核碳數為J〇之 伸芳基。] 本心明之通式（9)所表示之芳香族胺衍生物，較好的是 7” Γ8以上述通式（13)所表*，Αγ9與Ar10以上述通式 (14)〜（18)之任一者所表示。又，較好的是Ar々Ar9以上述 通式（13)所表不’ Α]^Αι^以上述通式（14)〜（18)之任一者 所表示。 本發明之通式（1〇)所表示之芳香族胺衍生物，較好的是 Arn以上述通式（13)所表示’ ^丨3與A。以上述通式 (14)〜（18)之任一者所表示。又較好的是Ar "與以上 述通式(13)所纟示，Ar"以上述通式(14)〜(18)之任—者所 133484.doc -20- 200914445 表示。 本發明之通式（11)户斤+ e μ )厅表不之方香族胺衍生物，較好的是 心與〜以上述通式（13)所表示，〜與〜以上述通式 (14)〜(18)之任—者所表示。又，較好的是〜與^以上 述通式（13)所^料切彳)〜⑽之任一 者所表示。
本發明之通式（12)所表示之芳香族㈣生物較好的是 Am、心24與^26以上述通式（13)所表示，Μ。、&斑 Ah以上述通式⑽〜(18)之任—者所表示。 I 本發明之通式⑼〜(12)所表以料㈣衍生物，較好 的是於上述通式（13)中，W伸苯基、伸聯苯基或伸第 基’R!為苯基、萘基或菲基，3為〇。 本發明之通式（9)〜⑽所表示之芳香族胺衍生物，較好 的是Ar7〜_7分別獨立為苯基、萘基、聯苯基、聯三苯基 或第基。X，較好的是L8〜Ll6分別獨立為伸苯基、伸^ 基、伸聯苯基、伸聯三苯基或伸苐基。 丁 作為於通式⑴〜（i 8)中Arl〜Ar27及R】〜R12中之經取代 經取代之核原子數為6〜5〇之芳基’例如可列舉笨基、i萘 基、2-萘基、丨-葱基、2·葱基、9_葱基、丨_菲基、2_菲基： 3-隸、4-菲基、9_菲基、i祠四笨基、2，四苯基二 四本基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、 A 2_聯苯基、3-聯茉 …聯苯基、對-聯三苯-4-基、對，三苯_3_基、對^ …-基、間-聯三苯_4_基、間_聯三笨_3 ” 2-基、鄰甲笨基、間甲苯基、對甲 -本_ +愚、對-第二丁基笨 133484.doc • 21 · 200914445 基、對-(2-苯基丙基）苯基、3 -甲基_2_萘基、4-曱基_ι_萘 基、4-曱基-1-蒽基、4，-曱基聯苯基、4”-第三丁基_對_聯三 苯-4-基、癸蒽基、苐基等。 該等中較好的是苯基、萘基、聯苯基、聯三苯基、第 基' 菲基。 噻吩化合物之2位與5位之反應性高，因此較理想的是保 濩忒取代位置。作為公知文獻，有Macromol, Rapid
= nimun·’ 22, 266_27q，報告有電性不穩定地進行聚 ^ °作為取代基，較理想的是烧基或芳基，自化合物之穩 定性考慮較好的是芳基，更好的是未經取代之芳基。 原子數」、式(2)〜(18)中Ll〜Ll6之經取代或未經取代之核 作為之伸芳基可列舉上述芳基之例為2價基者。 雜芳式通式（8)中之Ar5〜Af6即經取代或未經取代之6〜50之 嗪基^例如可列舉K 口比略基、2_。比口各基、3“比洛基、吼 哚基、3砒啶基、3_砒啶基、“比啶基、1-吲哚基…引 嗓基、朵基、4_十朵基、5·°引。朵基、6-十朵基、7_„引 基、5、異朵基、2_異十朵基、3_異十朵基、4-異十朵 3_咬。南義D朵基、6·異十朵基、7-異，基、2·咳喃基、 基、笨并咬°南基、3_苯并咳喃基、心苯并咬喃 苯并呋嗝：呋喃基、6_苯并呋喃基、7_苯并呋喃基、卜異 并咳‘6:=Γ:夫喃基、'異笨并咬喃基、5-異苯 3-喹啉a '、本夫喃基、7_異笨并呋喃基、喹啉基、 ㈣基Ή琳基、5-㈣基、6韻基、7_㈣基、8_ 異嗤琳基、3_異4琳基、4_異料基、5_異嗤 133484.doc •22- 200914445 琳基、6 -異喧琳基、7 -異喧琳基、8 -異啥琳基、2 -喹p号琳 基、5-喧崎琳基、6-喧11号琳基、1-°卡。坐基、2-吟。坐基、3-°卡。坐基、4 -11卡σ坐基、9 -。卡。坐基、1 -啡17定基、2 -啡11定基、3 -啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡啶基、9-啡啶基、10-啡啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、Αν 啶基、 9-吖 啶基、 1,7-啡啉-2-基、 1，7-啡啉-3-基、 1，7-啡啉-4-基、1，7-啡啉-5-基、1,7-啡啉-6-基、1,7-啡啉-8-基、1，7-啡啉-9-基、1,7-啡啉-10-基、1，8-啡啉-2-基、1,8-啡啉-3-基、1,8-啡啉-4-基、1，8-啡啉-5-基、1，8-啡啉-6-基、1,8-啡啉-7-基、1，8-啡啉-9-基、1,8-啡啉-10-基、1，9-啡啉-2-基、1,9-啡啉-3-基、1,9-啡啉-4-基、1,9-啡啉-5-基、1，9-啡啉-6-基、1,9-啡啉-7-基、1,9-啡啉-8-基、1,9-啡啉-10-基、1,10-啡啉-2-基、1，10-啡啉-3-基、1,10-啡啉- 4- 基、1,10-啡啉-5-基、2,9-啡啉-1-基、2,9-啡啉-3-基、 2,9-啡啉-4-基、2,9-啡啉-5-基、2,9-啡啉-6-基、2,9-啡啉-7-基、2,9-啡啉-8-基、2,9-啡啉-10-基、2,8-啡啉-1-基、 2,8-啡啉-3-基、2,8-啡啉-4-基、2,8-啡啉-5-基、2,8-啡啉-6-基、2,8-啡啉-7-基、2,8-啡啉-9-基、2,8-啡啉-10-基、 2,7-啡啉-1-基、2,7-啡啉-3-基、2,7-啡啉-4-基、2,7-啡啉- 5- 基、2,7-啡啉-6-基、2,7-啡啉-8-基、2,7-啡啉-9-基、2,7-啡'#-10-基、1-啡嗪基、2-啡嗪基、1-啡噻嗪基、2-啡噻嗪 基、3 -啡°塞嗓基、4-啡。塞嗪基、1 0-啡。塞嗓基、1 - °非崎嗪 基、2-啡吟嗪基、3-啡崎唤基、4-啡吟唤基、10-啡13号。秦 基、2-噚唑基、4-崎唑基、5-哼唑基、2-呤二唑基、5-呤 133484.doc •23- 200914445 二唑基、3_呋吖基、2_噻吩基、3_噻吩基、2_曱基吡咯·卜 基、2-甲基吡咯_3_基、2_曱基吡咯_4•基、2_甲基吡咯·5_ 基、3-甲基吡咯_；!_基、3_甲基吡咯_2_基、弘甲基吡咯_心 基、3-曱基吡咯·5_基、2_第三丁基吡咯_4-基、3_(2_苯基 丙基）吼咯小基、2-甲基_卜弓卜朵基、4_甲基小十朵基、2_ 甲基-3-叫丨n朵基、4_甲基_3_0引n朵基、2_第三丁基+吲哚 基、4·第三丁基小十朵基、2_第三丁基_3_巧丨哚基、4_第三 丁基_3-吲哚基、噻吩基、卜苯基噻吩基、1,4-二苯基噻吩 基、苯并噻吩基、“苯基苯并噻吩基、1-苯基二苯并噻吩 基、二苯并呋喃基、卜苯基二苯并。夫喃基、苯并噻唑基 等。 —該等中較好的是!-苯基噻吩基、“苯基苯并噻吩基、卜 本基一苯并吱喃基、苯并嗟β坐基。 作為通式（1) (18)中R】〜R12之經取代或未經取代之碳數 為1〜50之烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、 正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己 基、正庚基、正辛基、氯甲基、！'氣乙基、2_氯乙基、2_ 乱異丁基、1，2-二氯乙基、Μ·二氯異丙基、2,3_二氣-第 二丁基、1，2,3-二氣丙基、溴曱基、卜溴乙基、2_溴乙基、 2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、丨，％二溴異丙基、2,3-二溴_第 二丁基、1，2,3-二溴丙基、碘甲基、卜碘乙基、2_碘乙基、 2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、丨，3_二碘異丙基、2,3_二碘-第 二丁基、1，2,3-三碘丙基、氰基甲基、卜氰基乙基、2_氰基 乙基、2-氰基異丁基、；!，2_二氱基乙基、丨，3-二氰基異丙 133484.doc -24· 200914445 基、2,3 -二氰基-第三丁基、1，2,3-三氰基丙基、三氟甲 基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、4-甲基環己基、 1 -金剛烷基、2-金剛烷基、1 -降冰片基、2-降冰片基等。 較好的是飽和之鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基，具體而言可 列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異
丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、環 丙基、環丁基、環戊基、;袞己基、4·甲基環己&、i金剛 烷基、2-金剛烷基、降冰片基、2·降冰片基等。 作為通式⑺〜⑺及（13)〜⑽中之Ri〜Ri2之自素原子可 列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 作為通式⑴中之^广ΑΓ3之取代基的 关其、β扣 丁数馮6〜50之 "反數為1〜50之支鏈或直鏈之烷基及自辛原 可分別列舉血上mu Μ占主 I原子之例’ -、上这之方基、烷基、_素原子相
133484.doc -25- 200914445 [化 11]
八A為 (
C
133484.doc -26- 200914445 [化 12]
133484.doc -27- 200914445 [化 13]
C
133484.doc 200914445 [化 14]
133484.doc -29- 200914445 [化 15]
ί
133484.doc -30- 200914445 [化 16]
133484.doc -31 - 200914445 [化π]
133484.doc -32- 200914445 [化 18]
ί， 133484.doc ·33· 200914445 [化 19]
133484.doc 34- 200914445 [化 20]
133484.doc -35- 200914445 [化 21]
本發明之芳香族胺衍生物較好的是有機電激發光元件用 材料。 本發明之芳香族胺衍生物較好的是有機電激發光元件用 電洞傳輸材料。 本發明之有機EL元件係於陰極與陽極之間夾持有包括 少包含發光層之一層或複數層之有機薄膜層者，該有機 膜層之至少-層含有上述芳香族㈣生物作為 物成分。 X此’ 133484.doc -36 - 200914445 本發明之有機EL元件上 傳輸層及/¾雷M 膜層具有電洞 次電洞佈植層，於該電洞傳輸層及/¾ #仿π# 層:含有本㈣之料族胺衍生f ^洞佈植 及：二交好的是上述有機薄膜層具有至少包含電洞傳輸声 之電洞傳輸帶，該電洞傳輪帶中，於未“ 又1連接之層含有本發明之芳香族胺衍生物。 又’較好的是於電洞傳輸層及/或電 發明之芳香族胺衍生物作為主成分。 中3有本 雜有機EL元件較好的是發光層含有營光性推 族化入物雜劑，較好的是自胺系化合物、芳香 一 Q 二（8-羥基喹啉）鋁錯合物等螯合物錯合物、香 :、、：生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙歸基芳烴衍生 物，：―,何生物等中，對應要求之發光色所選擇之化合 別疋可列舉芳基胺化合物、芳基二胺化合物，盆中 =的是苯乙埽基胺化合物、苯乙烯基二胺化合物^香 」二。⑯、芳香族二胺化合物。X ’更好的是縮合多環 Z族化合物（胺化合物除外）。該等榮光性摻雜劑可單獨 使用亦可組合使用。 作為如此之苯乙烯基胺化合物及苯乙稀基二胺化合物， 較好的是下述通式（A)所表示者。 [化 22] 133484.doc -37- 200914445
P 苯基、萘基、聯苯基、 Γ (式中，Ar3係選 _ ' ，'、少.w个您、聯=— 基、二苯乙烯基芳基之基’ Ar4及A，分別係碳：：基、笑 芳香族烴基，W、Ar4及Ar5亦可經取代。Ρ係整Γ 其中較好的是P為W之整數。仏A 之整數， 苯乙稀基之基。進而較好的…係含有 烯基取代。） 或Ar之至夕一個經苯乙 其中，作為碳數為6〜2〇 ^ Λ A 方香姨烴基，可列舉苯基、萘 暴息基菲基、 作為芳香族胺化合物及a 述通式（B)所表示者 、一胺化合物，較好的是下 [化 23] 133484.doc •38.
(式中 ’ Ar、Ar、“_ ΑΓ係經取代或未經取# 二之整數，其中較好的是q:核碳數為5〜40之芳 其令，作為核碳數為5,之芳/為1〜2之整數。） 基、蒽基、菲I 方丞，例如可列舉苯基、萘 基、㈠基、二Γ'籍基、聯笨基、聯三苯基， 基"引料、々吩基、苯㈣吩基、七結、二苯基葱 咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊 拜受恩茂、貧其 土、4基、恍基（chrysenyl)、起基、聯伸三 本基、茹4、苯并蒽基、苯基蒽基、雙蒽基、或下述通式
(c)、（D)所表示之芳基等，較好的是萘基、蒽基、筷基、 芘基、或通式（D)所表示之芳基。 [化 24]
133484.doc •39- 200914445 (於通式（c)中 再者’作為取代上述芳基之較好之取代基，可列舉碳數 為1〜6之烧基（乙基、甲基、異丙基、正丙基、第二丁基、 第三：基、戊基、己基、環戊基、環己基等)、碳數為丨〜6 之烧乳基（乙氧基' 甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、第二 丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環戊氧基、環: 乳基）、核碳數為5〜40之芳基、經核碳數為5〜40之芳基取 代之胺基、具有核碳數為5 η之烧基之醋基、w Λ 、有碳數為 丞亂暴硝基、鹵素原子等。 料縮〇環芳㈣化合物（胺化合物除外），較好的是 奈、恩、非'祐、六苯并苯、聯苯、聯三苯、㈣ 喃、嗟吩、苯并嗟吩m朵"卡唾、 喹啉、丙（二）烯合苐、苯并 本开 ^ v欠％、厄并丙（二）烯合 式、一不嵌苯、孩、酋、聯伸二笨 綜人夕户^去 Ρ子一本rublcene、苯并蒽等 細s夕％方香族化合物及其衍生物。 本發明之有機EL元件，較好的是構成上述電'，同… 哎電洞僂於甩夕々a a t ’问直層及/ =輸層之各層中與陽極相連接之層為含有受體材料 所明文體材料係易還原性有機化合物。 化合物之易還原程度可以還原電位 中，於LV你3 丁而疋。於本發明 中於以飽和甘采（SCE)電極為參考電極
Jf3. ΑΑ θ λ Q Λ. 還原電位中， 疋-·8 V以上，特別好的是具有較 ηΓΓ'ΜΓϊ、^•、甚nr & 最*對'酉昆二甲掠 (TCNQ)之還原電位(約〇 v)更大值的化合物。 几 作為易還原性有機化合物，較好 疋具有吸電子性取代 I33484.doc •40- 200914445 基之有機化合物。具體而言，為酿衍生物"比嘻衍生物、 芳基硼烷衍生物、醯亞胺衍生物等。醌衍生物中包含醌二 甲烧衍生物，二氧化物衍生物，二氧化物衍生物 及酿衍生物等。 本發明之芳香族胺衍生物特別好的是使用於進行藍色系 發光之有機EL元件中。 ' 以下，對本發明之有機EL元件之元件構成加以說明。 (1)有機EL元件之構成 作為本發明之有機EL元件之代表性元件構成，可列舉： (1) 陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞佈植層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子佈植層/陰極 (4) 陽極/電洞佈植層/發光層/電子佈植層/陰極 (5) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子勢壘層/發光層/陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/電子佈植層/陰極 (9) 陽極7受體含有層/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/電子 傳輸層/電子佈植層/陰極 0 0)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (11)陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 02)陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (13)陽極/絕緣層/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/絕緣屛 陰極 3 133484.doc -41 - 200914445 (14)陽極/絕緣層/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/電子佈 植層/陰極 等結構。 於該等中通常較好地使用（8)之構成，但並非限定於該 等。 ’ 本發明之芳香族胺衍生物亦可用於有機El元件之任意有 機薄膜層，可用於發光帶或電洞傳輸帶，較好的是用於電 、洞傳輸帶’特別好的是用於電洞佈植層，藉此使分子難以 結晶化，提高製造有機EL元件時之良率。 於有機薄膜層中含有本發明之芳香族胺衍生物之量，較 好的是3 0~ 1 00莫耳％。 (2) 透光性基板 本發明之有機EL元件於透光性基板上製作，其中所謂透 光性基板係支撐有機EL元件之基板，較好的是於4〇〇〜7〇〇 nm之可見範圍之光的透射率為5〇%以上且平滑之基板。 具體而言，可列舉玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板， 特別是可以列舉鈉約玻璃、含鋇•銷玻璃、錯玻璃、鋁石夕 酸鹽玻璃、硼矽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英等。又，作 為聚合物板’可列舉聚碳酸酯、丙烯酸系、聚對苯二甲酸 乙二酯、聚醚硫醚、聚砜等。 (3) 陽極 本發明之有機EL元件之陽極係具有將電洞佈植至電洞傳 輸層或發光層之功能者’有效的是具有4.5 ev以上之功函 數。作為本發明中使用的陽極材料之具體例，可列舉氧化 133484.doc -42· 200914445 銦錫合金（ITO)、氧化錫（NESA)、銦-辞氧化物（Iz〇)、 金、銀、鉑、銅等。 陽極可藉由將該等電極物質以蒸鍍法或濺鍍法等方法形 成薄膜而製作。 如上所述將來自發光層之發光自陽極取出之情形時，相 對於陽極之發光的透射率較好的是大於10%。又，陽極之 月材電阻較好的疋數百Ω/ 口以下。陽極之膜厚亦取決於材 料，通常為10 rnn〜1 μηι，好的是於1〇〜2〇〇 nm2範圍内 擇。 (4)發光層 有機ELtl件之發光層兼具以下（1)〜(3)之功能。 ⑴佈植功能：於施加電場時可自陽極或電洞佈植層佈 洞’可自陰極或電子佈植層佈植電子之功能 ⑺傳輸功能：以電場力使佈植之電荷（電子與電洞）移動之 功能 (3)發光魏··提供電子與電洞再結合之場以其維 之功能 九 其中，電洞之易佈植程度與電子之易佈植程度亦可不 同；又’電洞與電子之遷移率所表示之傳輸能亦可有大 小，較好的是使任一方之電荷移動。 大 作為形成該發光；s夕·*·、、土 .,, &九層之方法’例如可應用蒸鑛法、旋塗 U二之方法。發光層特別好的是分子沈積膜。 '所α之分子沈積臈’係由氣相狀態之材料化合物沈積 而形成之薄膜，或者由溶液狀態或液相狀態之材料化：物 133484.doc -43 · 200914445 固體化而形忐夕胺 之薄膜(八子二常該分子沈積膜，與藉由㈣形成 之薄膜“子累積祺)，可藉由凝集結構吩 同、或者由其引起之功能性不同而加以區分。° 二：二本專利特開昭57-_號公報㈣示，亦可將 ==材料化合物溶解於溶劑中製成溶液後，藉 “塗法4將其薄膜化，藉此形成發光層。 =發明之化合物用於發光層之情形時，亦可於不損及 本表月之目的之範圍内，視需要於發光層中含有除包含本 發明之芳香族胺衍生物之發光材料以外的其他公知之發光 材料；又’於包含含有本發明之芳香族胺衍生物之發光材 料的發光層中’亦可積層包含其他公知之發光材料的發光 層。 與本發明之化·合4勿組合使用之發光材料主要為有機化合 物，作為可使用之摻雜材料，例如可列舉蒽、萘、菲、 绝稍四本、/、本并苯、疾、螢光素、二萘嵌苯、 phthaloperylene 、naphthaloperylene 、η底瑞酮、 Phthaloperynone、naphthaloperynone、二苯基 丁二稀、四 苯基丁二烯、香豆素、噚二唑、醛連氮（aldazine)、雙笨并 4峻淋、1，4-二苯基_1，3_ 丁二烯、吡嗪、環戊二烯、噎琳 金屬錯合物、胺基喹啉金屬錯合物、苯并喹啉金屬錯入 物、亞胺、二苯乙烯、乙烯基蒽、二胺基咔唑、吡喃、嚷 喃、聚次曱基、部花青素、咪唑螯合物化類咢辛化合物、 喹吖啶酮、紅螢烯及螢光色素等，但並非限定於該等化合 物〇 133484.doc -44 - 200914445 作為可與本發明之化合物組合使用 土體材料，較 疋下述（1)〜(XI)所表示之化合物。 的 下述通式⑴所表示之非對稱蒽。 [化 25]
(式中’ Ar係經取代或未經取代 香族基。 之核碳數為1 〇〜 50之縮合芳 八m往π八汍木矬取代之核碳數為 之方香族基。 X係經取代或未經取代之核碳數為6〜5 〇之芳香扩 ^ 取代或未經取代之核原子數為5〜5()之芳香族雜環基^: 代或未經取代之碳數為丨，之烷基、經取代或 石炭數為1〜5G之絲基 '經取代或未經取代之碳數為6〜50之 方烷基、經取代或未經取代之核原子數為5〜之芳知芙 經取代或未經取代之核原子數為5〜s〇 方巩土、 方、基、經取代或 未經取代之碳數為1〜50之烷氧基羰基、 土吸I、鹵素©早、 虱基、硝基、羥基。 …十 a、b及c分別為〇〜4之整數。 []内可相同亦 η為1〜3之整數。又’ η為2以上之情形時 可不同。） 133484.doc -45 - 200914445 下述通式（π)所表示之非對稱單蒽衍生物。 [化 26]
(式中Ar及Ar力別獨立，係經取代或未經取代之核碳數 為6〜50之芳香族環基，m及η分別為丨〜4之整數。其中， 〇1=11=1且^1與心2之於苯環上之鍵結位置為左右對稱型之 情形時，Ar與Ar並不相同，m或n為2〜4之整數之情形 時，m與η為不同之整數。 R1〜R分別獨立，係氫原子、經取代或未經取代之核碳 數為狀料族環基、經取代或未經取代之核原子數為 5〜50之方香族雜環基、經取代或未經取代之碳數為丨〜”之 燒基、經取代或未經取代之環絲、經取代或未經取代之 碳數為1〜50之烷氧基、經取代或未經取代之碳數為6〜％之 芳烷基、經取代或未經取代之核原子數為5〜50之芳氧基、 經取代或未經取代之核原子數為5〜5〇之芳硫基、經取代或 未經取代之碳數為1〜5〇之烷氧基羰基、經取代或未經取代 之矽烷基、綾基、齒素原子、氰基、硝基、羥基。） 下述通式（iii)所表示之非對稱芘衍生物。 133484.doc -46- 200914445 [化 27]
Γ …山π 、〆〜/·、、、·工τ ,、〜叫叹双局6〜5 〇 之芳香族基。 L及L’分別為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未 、工取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸_基或經取 未經取代之二苯并伸矽雜環戊二烯基。 之整數 m為〇 2之正數，〜4之整數，3為〇〜2之整數，(為〇〜4 ί. 又，L或Ar鍵結於芘 比之1〜5位之任一位置，L，或Ar'鍵結 於祐之6〜10位之任—位置。 其中，n + t為偶數拉 寺，Ar、Ar’、乙、l'滿足下述（1)或 (2)。 (1) Ar 关 Ar'及/或 l=^L7 甘 士 （”中矣表示不同結構之基。） (2) Ar= Ar’且 L= L，時 (2-1) m#s及/或，或者 (2-2) m=s且 n=t 時 133484.doc -47- 200914445 (2-2-1) L及L’、或芘分別鍵結於Ar&Ar，上不同之鍵結 位置，或（2-2-2)L及L’、或芘鍵結於Ar及Ar'上相同之鍵垆 位置之情形時，L及L，或Ar及Ar'之芘的取代位置並非為1 位與6位、或2位與7位。] 下述通式（iv)所表示之非對稱蒽衍生物。 [化 28]
, Ον) (式中，Λ及A2分別獨立 為10〜20之縮合芳 取代或未經取代之核碳數 々胥族環基。
Ar及Ar2分別獨立，係$ 核碳數為6〜5 〇之芳香糝^ '原子或者經取代或未經取代之 、王衣基0 133484.doc -48. 200914445 R R》別獨立’係氫原子、經取代或未經取代之核碳 數為6〜5〇之芳香族環基、經取代或未經取代之核原子數為 5 50之方香族雜環基、經取代或未經取代之碳數為1〜默 =基、經取代或未經取代之環院基、經取代或未經取代之 碳數為1〜5G之院氧基、經取代或未經取代之碳數為6〜50之 芳烷基、經取代或未經取代之核原子數為5~5〇之芳氧基、 經取代或未經取代之核原子數為5〜50之芳硫基、經取代或 未經取代之碳數為1〜50之燒氧基幾基、經取代或未經取代 之石夕院基、絲、自素原子、氰基、@基或經基。
Ar、Ar、R\Ri。分別為複數個，鄰接者可彼此之間形 成飽和或不飽和之環狀結構。 八t > 式⑴中’於中心之蒽之9位及⑺位，並未鍵 、。相對於4葱上顯示之χ_γ轴成為對稱型之基。） 下述通式（ν)所表示之蒽衍生物。 [化 29]
J
v八丁 ，八〜分別獨立表示^ ^ 双不虱原子、烷基、壤烷基、亦s 經取代之芳基、烷氧基、关 方礼基、烧基胺基、稀基、芳） 胺基或亦可經取代之雜環式基，⑷分別表示卜5之; 133484.doc -49. 200914445 數’其等為2以上之情形時，R1之間或r2之間，各自可分 別相同或不同，且R1之間或R2之間亦可鍵結形成環，R3與 R4 ' R5與R6、R7與R8、R9與R1G亦可相互鍵結形成環。表 示單鍵、-Ο-、-S-、-N(R)-(R係烧基或亦可經取代之芳 基）、伸烷基或伸芳基。） 下述通式（vi)所表示之蒽衍生物。 [化 30]
(式中，R11〜R20分別獨立表示氫原子、烷基、環烷基、芳 基、烷氧基、芳氧基、烷基胺基、芳基胺基或亦可經取代 G 之雜環式基，c、d、6及[分別表示1〜5之整數，其等為2以 上之情形時，R11之間、R12之間、R〗6之間或R!7之間，各 • 自可分別相同或不同，且R11之間、R12之間、R10之間或 - Rl7之間亦可鍵結形成環，R13與R14 ' R18與R19亦可相互鍵 結形成環。L2表示單鍵、_〇_、_s_、N(R)-(R係烷基或亦 可經取代之芳基）' 伸烷基或伸芳基。） 下述通式（vii)所表示之螺萍衍生物。 [化 31] 133484.doc -50. 200914445
係經取代或未經取代之聯苯基或 (式中’ A3〜A分別獨立， 經取代或未經取代之萘基 下述通式（viii)所表 [化 32]
U 示之含稠環之化合物
► 21 (viii) 子、碳數為！〜6之烷基、碳數為3〜6 表示氫原 之烧氧基、碳數為5 18之关4其 衣烷基、碳數為丨〜6 反數為5〜18之方氧基、碳數為7〜18之— 基、碳數為5〜16之芳基胺基、硝基、 ^方烷氧 酿基或_素原子，Α9〜Α"中之至少:、兔數為1〜6之 縮合芳香族環之基。） 胃係具有3環以上之 下述通式（ix)所表 示之苐化合物。 [化 33] 133484.doc -51 - 200914445
(式中’心及尺2表示氫原子、經取代或未經取代之烧基、 經取代或未經取代之芳烧基、經取代或未經取代之芳基、 經取代或未經取代之雜環基、經取代之胺基、氰基或鹵素 〇 原子。鍵結於不同之第基上的之間、R2之間，可相同亦 了不同鍵結於相同之苐基上之R!及&可相同亦可不同。 I及R4表示氫原子、經取代或未經取代之烷基、經取代或 未經取代之芳烷基、經取代或未經取代之芳基或經取代或 未經取代之雜環基，鍵結於不同之第基上之R3之間、R4之 間可相同亦可不同，鍵結於相同之苐基上之R3及R4彳相 同亦可不同。Ar】及Ar2表示苯環之合計為3個以上的經取 2或未I取代之縮合多玉裏芳香族基或者苯環與雜環之合計 〇 個以上的經取代或未經取代之碳與荞基鍵結之縮合多 環雜環基，Ar月Δ ^ 1及Al>2可相同亦可不同。η表示1〜10之整 數。） 通式（χ)所表示之具有蒽中心骨架之化合物。 !_化 34] 133484.doc -52- 200914445
，係由經取代或未、經取代之核 之基。上述芳香族環亦可經】 (式（x)中，A]及A2分別獨立 碳數為6〜20之芳香族環衍生 或2以上之取代基取代。 4述自經取代或未經取代之核碳數為6〜5。之 =、、㈣代或未絲狀碳數為 =取代之碳數為3,之環院基、經取代或 二 〜絲代或未絲狀錢仏50之; Hi取代或未經取代之核原子數為5〜5G之芳氧基、經 取代或未經取代之核原子數為5，之芳硫基、經取代或未 經取代之碳數為1〜5G之絲基幾基、經取代或未經取代之 矽烷基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基及羥基。 、上述芳香族環經2個以上取代基取代之情形時，上述取 、D相同亦可不同，鄰接之取代基彼此亦可相互鍵結形 成飽和或不飽和之環狀結構。 8刀別獨立，係選自氫原子、經取代或未經取代之 核碳數為6〜5〇少w 之方基、經取代或未經取代之核原子數為 5〜5 0之雜苦其_ 土、經取代或未經取代之碳數為丨〜5 0之烷基、 133484.doc 53- 200914445 經取代或未經取代之碳數為3〜5〇之環烷基、經取代或未姑 取代之碳數為1〜5G之燒氧基、經取代或未經取代之碳數: 6〜50之方烷基、經取代或未經取代之核原子數為 氧基、經取代或未經取代之核原子數為5〜5〇之芳硫基、智 取代或未絲狀碳數為1〜氧基誠、經取代或未 經取代之残基、m基、_素原+、_、^ 基。） ”有上述通式⑻中a々a2係*同之基的下述通式（ 表示之結構的化合物。 [化 35]
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(式（xi)中、D 乃、 2、R丨〜Rs分別獨立’與通式（χ)相同。 其中，於中心夕一Λ _ 炙恩之9位及10位，並未鍵結相對於該蒽 上顯示之Χ-Υ細屮劣' 罕由成為對稱型之基。） -54- 200914445 θ於以上之主體材料中’較好的是蒽衍生物，$而較好的 是單蒽衍生物，特別好的是非對稱蒽。 包含咔唑環之化合物所形成之適於磷光發光之主體係具 有自其激發態向磷光發光性化合物能量轉移，結果使磷光 發光性化合物發光之功能的化合物。作為主體化合物若 為可使激子能量轉移至碟光發光性化合物的化合物，則並 無特別限制，可視需要適宜選擇。除味唾環以外，亦可具 有任意雜環等。 、 作為如此之主體化合物的具體例’可列舉咔唑衍生物、 ^坐衍生物_生物"？二仙生物、心街生物、 多芳基烧烴衍生物、。比唾琳衍生物“比唾淋嗣衍生物、苯 -胺:生物、芳基㈣生物、經胺基取代之查爾嗣衍生 物苯乙烯基恩竹生物、第鲷衍生物、腺衍生物、民衍生 物、石夕氮烧衍生物、芳香族三級胺化合物、苯乙婦基胺化 合物、芳香族二次甲基系化合物"卜琳系化合物、葱醒二 甲烧何生物、蒽酮衍生物、聯苯酿衍生物、d塞喃二氧化物 何生物、碳化二亞胺衍生物、㈣基甲烷衍生物、二笨乙 稀基吼嗪衍生物、^之雜環四賴酐、料衍生物、 8.絲喧琳衍生物之金屬錯合物或金屬駄菁、以苯并十坐 =并㈣為配位基之金屬錯合物為代表之各種金屬錯合 物聚石夕貌系化合物、平, 聚（N_乙烯基咔唑）衍生物、苯胺系共 1輪…塞吩寡醋、聚嗟吩等導電性高分子寡醋、聚嘆吩衍 聚對本何生物、聚苯乙块衍生物、聚苐衍生物等高 刀子化合物等。主體化合物可單獨使用，亦可併用2種以 133484.doc •55· 200914445
作為具體例，可列舉如下之化合物。 [化 36]
磷光發光性之摻雜劑係可由三重態激子發光之化八物 若由三重態激子發光則並無特別之限定，較好的是包含。 選自Ir、Ru、Pd、Pt、⑴及“所組成之群的至少—種2 的金屬錯合物，較好的是卟啉金屬錯合物或鄰位金屬化2
屬錯合物。作為卟啉金屬錯合物，較好的是卟啉鉑錯2 物。磷光發光性化合物可單獨使用，亦可併用^種以上。 形成鄰位金屬化金屬錯合物之配位基有多種 之配位基可列舉2.苯基^定衍生物、7,8•笨并啥^生 物、2_㈣吩基）_衍生物' 2仆萘基）_衍生物、2 苯基料衍生物等。料衍生物亦可視需要具有取代基。 特別是導入有氟化物、三氟甲基者為藍色系摻雜劑而較 好。進而’亦可具有乙醯基丙闲酸鹽、苦味酸等上述配位 基以外之配位基作為輔助配位基。 133484.doc -56- 200914445 作為磷光發光性摻雜劑於發光層中之含量，並無特別之 限制，可視需要適宜選擇，例如為0. i〜7〇質量％，較好的 是1〜30質量％。若磷光發光性化合物之含量未滿〇 1質量 A，則發光微弱，並不能充分發揮其含有效果於超過 質量％之情形時，被稱為濃度淬滅之現象變顯著，元件性 能降低。 又，發光層亦可視需要含有電洞傳輸材料、電子傳輸材 料、聚合物黏合劑。 ^ 進而發光層之膜厚較好的是5〜50 nm，更好的是7〜5〇 ㈣’最好的是1G〜5G nm。若未滿5 ，則存在發光層之 形成變困難，色度之調整變困難之可能；若超過5〇nm， 則存在驅動電壓上升之可能。 (5)電洞佈植.傳輸層（電洞傳輸帶） 電洞佈植•傳輸層係、有助於電洞佈植至發光層，並傳輪 至發光區域之層，其電洞遷移率大，且離子化能量通常小 至5.6 eV以下。作為如此之電洞佈植·傳輸層，較好的是 以更低之電場強度將電洞傳輸至發光層之材料，進而電= 之遷移率若於施加例如104〜1〇6 v/cm2電場時至少為 cm2/V ·秒則較好。 將本發明之芳香族胺衍生物用於電洞傳輸帶之情形時， 本發明之芳香族胺衍生物可單獨形成電洞佈植、傳輸声， 亦可與其他材料混合使用。 s 作為與本發明之芳㈣胺衍生物混合形成電洞佈植•傳 輸層之材料’若為具有上述較好性質者則並無特別之限 133484.doc -57- 200914445 制’可自先則於導光材料中慣用作電洞之電荷傳輪材 者、或者有機EL元件之電洞佈植·傳輪層中使用之:知= 中選擇任意者而使用。於本發明中，將具有電洞傳輸能， 可用於電洞傳輸帶之材料成為電洞傳輪材料。 】此 作為具體例’可列舉三嗤衍生物（參照美 3，112，197號說明書等）m厅生物（參照美國 3，189,447號說明書等）、咪嗤衍生物（參照日本專 3 一號公報等)、多芳基院烴衍生物(參照美國二: 3,615,402號說明書、美國專利第3,82〇,989號說明書 專利第3,542,544號說明書、日本專利特公昭45_555號^ 報、日本專利特公昭51_1〇983號公報、日本專利特開^ ㈣續公報、日本專利特開昭如⑼號公報、日^ 利特開昭5“148號公報、曰本專利特開隐― 報、曰本專利特開昭55-1 56953缺八相 —號公報等)、心曰本專利特開昭 啉何生物及吡唑啉酮衍生物(來 國專利第3，18G，729號說明書、美國專㈣4,278>746號 說明書、曰本專利特開昭55-88064號公報、曰本專 昭55-嶋5號公報、日 日本專利特開 ,^ +寻扪特開昭49-105537號公報、日 本專利特開昭55-51086號公報、日太直 號八翻a , ^ 曰本專利特開昭56-80051 谠…曰本專利特開昭56，⑷號公 昭57-45545號公報、日^ 利特開 M ^ j特開昭54-112637號公報、η 本專利特開昭55-74546號公報望彳〇 _ 固皇4 f哲 等）、本二胺衍生物（參照美 國專利第3,615,404號說明書、 、 , 曰本專利特公昭51-10105號 日本專利特公昭抓3712號公報、日本專利特公昭 133484.doc -58- 200914445 r 47-25 336號公報、日本專利特公昭54_119925號公報等）、 芳基胺衍生物（參照美國專利第3,567,45〇號說明書、美國 專利第3,240,597號說明書、美國專利第3,658,52〇號說明 書、美國專利第4,232，1〇3號說明書、美國專利第4，175,961 號說明書、美國專利第4,〇12,376號說明書、日本專利特公 日。49-357〇2號公報、日本專利特公昭39_27577號公報、日 本專利特開昭55-144250號公報、日本專利特開昭％_ 119132號公報、日本專利特開昭56_22437號公報、西德專 利第1，110,5 1 8號說明書等）、經胺基取代之查爾嗣衍生物 (參照美國專利第3,526,5()1號說明書等）、十坐衍生物（美國 專利第3,257,203號說明書等中揭示者）、苯乙稀基葱衍生 物（參照日本專利特開昭56_46234號公報等酮衍生物 (參照日本專利特開昭54_⑽37號公報等）、腙衍生物（參 照吳國專利第3,717,462號說明f、日本專利特開昭％ 59143號A報、曰本專利特開昭55_52〇63號公報、日本專 利特開昭55-52064¾八# „ L ^ ,A艮、日本專利特開昭55-46760號公 Γ二：專利特開昭57-11350號公報、曰本專利特開昭 ^9號公報、日本專利特開平2仙591號公報 生物（參照日本專卿開日S61_21G363號公報、日本專利特 開昭第61-228451號公報、曰本專 ， 報寻]特開昭叫4642號公 47_八報 55號公報、日本專利特開昭仏 報、曰本專利特開昭6 利特開2號公報、日本專利^報、日本專 報、日太直如# 兮〜将開昭62-30255號公 寺開昭6"3455號公報、曰本專利特開昭· 133484.doc -59· 200914445 94462號公報、日本專利特開昭6〇_174749號公報、日本專 利特開昭6(M75G52公報等）、石夕氮炫衍生物（美國專利第 4,950,95G號說明書）、聚㈣系（日本專利特開平㈣· 號公報）、苯胺系共聚物（日本專利特開平2_282263號公報 等。 / 作為電洞佈植•傳輸層之材料可使用上述者，較好的是 使用卟啉化合物（日本專利特開昭63_295695號公報等中揭 不者）、芳香族三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物（參照美 國專利第4’127’412號說明書、日本專利特開昭53_27〇33號 公報、曰本專利特開昭54_58445號公報、曰本專利特開昭 55-79450號公報、日本專利特開昭55_14425〇號公報、曰本 專利特開昭56.1 19132公報、日本專利特開昭61_295558號 公報、曰本專利特開昭61_98353號公報、日本專利特開昭 63-295695號公報等），特別是芳香族三級胺化合物。 又，可列舉美國專利第5,061，569號中揭示之於分子内具 有2個縮合芳香族環之例如4,4，-雙（N-(l-萘基）-Ν-苯基胺基） 如苯（以下簡記為NPD)、及曰本專利特開平4_3〇8688號公 報中揭示之二笨基胺單元連結為三星爆型之4,4,，4"-三（N- (3-甲苯基苯基胺基）三苯基胺（以下簡記為MTDATA) 等。 其他可使用於日本專利3571977號中揭示之下述式所表 示之含氮雜環衍生物。 [化 37] 133484.doc 60· 200914445
C o R121
(式中R ~R π別表示經取代或未經取代之烧基、經 取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芳烧基、經 取代或未經取代之雜環基之任一者。其中，尺,2、…26可相 同亦可不同。又，尺121與尺122、r123與r124
R125 與 R 126 尺⑴與11126、Rl22與R123、R124與R126可形成稠環 進而’亦可使用美國專利公開2004/0113547中揭示之下 述式之化合物。 [化 38] 133484.doc -61 - 200914445 R131
(式令，R⑴〜Rn6為 基、幾基、三氣甲美二較好的是氛基、確基、續醯 齓甲基、幽素等吸電子基。） 如該等㈣所代表之，受㈣㈣亦 料。該等之具體例如上所述。 下以佈植材 進而，除例示為發光層之材料的上述芳香族二次 ::物：外’ _Si、等無機化合物亦可用作電洞 佈植•傳輸層之材料。 、電/同佈植.傳輸層可藉由例如真空蒸鍍法、旋塗法、鏵 造法、LB法等公知之方法將本發明之芳香族胺衍生物薄膜 化而形成、。作為電洞佈植·傳輸層之膜厚並無特別之限 1 k吊為5 nm〜5 _。該電洞佈植•傳輸層若於電洞傳 輸帶中含有本發明之芳香族胺衍生物’則可以包含上述材 料之種或一種以上的單層構成，亦可係積層有包含與上 2洞佈植•傳輸層不同種類之化合物的電洞佈植•傳輸 又’亦可设置有機半導體層作為有助於電子佈植至發光 層之層，較好的是具有1〇-10 s/cm以上之導電率者。作為 133484.doc •62· 200914445 如此之有機半導體層之材料，可使用含噻吩寡醋或者日本 專利特開平8·193191號公報中揭示之含芳基胺寡酿等導電 :养醋、含芳基胺樹枝狀聚合物等導電性樹枝狀 等。 (6)電子佈植·傳輸層 繼而，電子佈植層•值 得輸層係有助於電子佈植至 層，且傳輸至發光區域之層，Α " Γ ϋ 善層係包含於該電子佈植声中血=遷移率大，且附著改 料的層。 佈植層中錄極之附著制優良之材 又，已知有機EL元件传發屮夕止丄兩t ，射，因此直接自陽極^由電極（此時為陰極）反 之發光干…： 與經由電極之反射而取出 於數f 用該干涉效果，因此電子傳輸層可 避〜數㈣之膜厚中適宜選擇，特別是臈厚較 較好的是於施加104〜1〜之電場時： 電子遷移率至少為1〇-5cm2/Vs以上。 為電子佈植層中使用之材料，較好的 =之金屬錯合物或者，二。坐衍生物較合適:作= 包或:衍生物之金屬錯合物的具趙例，可使用 屬整合物1/辛化=基啥琳或8.經基唾琳）之整合物的金 佈植材料。 w如二（8-红基t琳m作為電子 另方面，作為气二唾衍生％，可 之電子轉移化合物。 k式所表不 [化 39] 133484.doc •63- 200914445
Are—0—ArlJ^Ars (式中 ’ A—、Ar2、Ar3、Ars、Ar6 、 未經取代之芳基，可互相相同亦 ^別表示經取代或
Ar8表示經取代或未 又’心4、Ar\ 同） 甲方基，可互相相同亦可不 其中，作為芳基可列舉苯基、聯苯基、Μ 基。又，作為伸芳基，可列舉伸苯基、伸蔡基、伸聯= 基^申葱基、伸花基、伸花基等。又，作為取代基，可列 舉碳數為1〜10之烷基、碳數為卜1〇之烷氧基或氰基等。該 電子轉移化合物較好的是薄膜形成性者。 作為上述電子轉移性化合物之具體例，可列舉下述者。 [化 40] 133484.doc -64 - 200914445
進而，作為電子佈植層及電子傳輸層中使用之材料，亦 可使用下述通式（Α)〜(F)所表示之者。 [化 41]
(Α)
(=:、〜分別獨立，係氮原子二。
Ar於⑷式中健取代或未經取代之核碳數為6 基、或'經取代或未經取代之核石炭 ”、、 方 W式中〜係使㈧式之Ar,為2 *二〜之雜芳基，於 子、經取代或未經取代之核•為6〜6^，γ係氮原 未經取代之核碳數為3〜6〇之 ^經取代或 ”方基、經取代或未經取代之 133484.doc -65- 200914445 碳數為1〜20之烷基、或經取代或未經取代之碳數為1〜之 烷氧基、或者其等之2價基。其中，Ar]&Ar2之任一者係 經取代或未經取代之核碳數為1 〇〜6〇之稠環基、或和取代 或未經取代之核碳數為3〜60之單異質稠環基’或者其等之 2價基。 '、 L1、L2及L分別獨立，係單鍵、經取代或未經取代之核 碳數為6〜60之伸芳基、經取代或未經取代之核碳數為3 之異質伸芳基、或經取代或未經取代之伸第基。 R係氫原子、經取代或未經取代之核碳數為6〜6〇之芳 基、經取代或未經取代之核碳數為3〜6〇之雜芳基、麵取代 或未經取代之碳數為卜2〇之院基、或經取代或未經取代之 碳數為1〜20之院氧基，之整數，以上之情形 時，複數個R可相同亦可不同…鄰接之複數個 間亦可鍵結形成碳環式脂肪族環或碳環式芳香族環。 R1係氫原子、經取代或未經取代之核碳數為_之芳
U 基、經取代或未經取代之核碳數為3〜6〇之雜芳基、經取代 或未經取代之碳數為1〜2G之院基、或經取代或未經取代之 碳數為1〜20之烷氧基、或-L_Arl 2 衍生物。 ）所表不之含氮雜環 H Ar-L - Ar 1 (C) (式中，HAr係亦可具有取代昊
Lff單M tTT目 土火數為3〜4〇之含氮雜環， 右早鍵_具有取代基之碳數為㈣之伸芳基 :== 數為™芳基或亦可具有取代基之 糸亦可具有取代基之石炭數為6〜6〇之2價芳香族 133484.doc •66- 200914445 烴基，Ar係亦可具有取美山 具有取代基之石炭數為雜；^為6〜6〇之芳基或亦可 衍生物。 〃 土。）所表不之含氮雜環 [化 42]
(D) (式中，X及Y分別獨立’係碳數為卜6之飽和或不飽和之 烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、經取代或未經取 代之芳基、經取代或未經取代之雜m與Y鍵結而形成 飽和或不飽和之環的結構’ R1〜R4分別獨立，係氫、函素 原子、經取代或未經取代之碳數為丨〜6之烷基、烷氧基、 芳氧基H &基、全1烧氧基、胺基、烧基幾基、芳基 羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰氧基、 芳基羰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、亞磺醯基、 磺醯基、硫基、矽烷基、胺甲醯基、芳基、雜環基、烯 基、炔基、硝基、曱醯基、亞硝基、甲醯基氧基、異氰 基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基 或氰基’或者兩個取代基鄰接之情形時，分別鍵結形成經 取代或未經取代之飽和或不飽和之環的結構。）所表示之 133484.doc -67- 200914445 矽雜環戊二烯衍生物。 [化 43]
(E) (式中Ri~R8&Z2分別獨立表示氫原子、飽和或不飽和之 L基芳香知基、雜環基、經取代之胺基、經取代之氧侧 基、燒氧基或芳氧基，X、丫及21分別獨立表示飽和或不 飽矛之L基、方香族基、雜環基、經取代之胺基、烧氧基 或芳氧基，Z々Z2之取代基亦可相互鍵合形成稠環，η表 不1〜3之整數，以上之情形，&亦可不立中，不 包括。為卜^丫⑽係甲基…係氫原子或經取代之氧 蝴基之情形’以及η為3且2]係甲基之情形。所表… 烧衍生物。 [化 44]
133484.doc -68- 200914445 [式中，Q1及Q2分別獨立表示下述通式（G)所表示之配位 基，L表示鹵素原子、經取代或未經取代之烷基、經取代 或未經取代之環烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代
或未經取代之雜環基、_〇Rl(RW$氫原子、經取代或未L 取代之烷基、經取代或未經取代之環烷基、經取代或未經 取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基。）或〇·〜 Q3(Q4)(Q3及Q4與Q丨及Q2相同）所表示之配位基。] [化 45]
(G)
中，環A1及V係亦可具有取代基之相 芳基環狀結構。] 而成之6員 力Γ:Γ:，作為n型半導體之性㈣，電子佈植能 :而’於形成錯合物時之生成能量低，因此形成之 2屬錯合物之金屬與配位基之鍵合性亦變強固 材料之螢光量子效率亦變大。 Ί先 右列舉形成通式（G)之配位基的環A1及A2之取代基之具 133484.doc -69- 200914445 體例，有氣、溴、碘、氟之鹵素原子，甲基、乙基、丙 基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛 基、十八烷基、三氯曱基等經取代或未經取代之烷基，苯 基、萘基、3-曱基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三 氯曱基苯基、3-三氟曱基苯基、3-硝基苯基等經取代或未 經取代之芳基，甲氧基、正丁氧基、第三丁氧基、三氣曱 氧基、三氟乙氧基、五氟丁氧基、2,2,3,3-四氟丁氧基、 1,1，1,3,3,3-六氟-2-丁氧基、6-(全氟乙基）己氧基等經取代 或未經取代之烷氧基，苯氧基、對硝基苯氧基、對-第三 丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟曱基苯氧基 等經取代或未經取代之芳氧基，曱硫基、乙硫基、第三丁 硫基、己硫基、辛硫基、三氟曱硫基等經取代或未經取代 之烷硫基，苯硫基、對硝基苯硫基、對第三丁基苯硫基、 3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等經取代或 未經取代之芳硫基，氰基，硝基，胺基、曱基胺基、二乙 基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二丁基胺 基、二苯基胺基等單或二取代胺基，雙（乙醯氧基曱基）胺 基、雙（乙醯氧基乙基）胺基、雙（乙醯氧基丙基）胺基、雙 (乙酿氧基丁基）胺基等酿基胺基*赵基，甲砍烧氧基，酿 基，曱基胺曱醯基、二曱基胺曱醯基、乙基胺甲醯基、二 乙基胺曱醯基、丙基胺甲醯基、丁基胺曱醯基、苯基胺曱 醯基等胺甲醯基，羧酸基，磺酸基，亞胺基，環戊基、環 己基等環烷基，苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基、苐 基、芘基等芳基，础σ定基、°比嗪基、D密σ定基、噠。秦基、三 133484.doc -70- 200914445 嗪基、吲哚啉基、喹啉基、吖啶基、吡咯啶基、二噚烷 基、哌啶基、嗎啉基、哌嗪基、咔唑基、呋喃基、噻吩 基、、唑基、气二唑基、苯并，号唑基、噻唑基、噻二唑 基苯并嗟嗤基、二唾基、味唾基、苯并味唾基、咳。南基 等雜環基等。X，以上取代基亦可彼此鍵結進而形成6員 芳基環或雜環。 本發明之有機EL元件之較好形態有於傳輸電子之區域或
陰極與有機層之界面區域含有還原性摻雜劑之元件。其 中’所謂還原性摻雜劑’定義為可還原電子傳輸性化合物 之物質。因此’ ^為具有_定還原性者，則可使用各種 者，例如可適宜使用選自驗金屬、驗土類金屬、稀土類金 屬、鹼金屬之氧化物、驗金屬之函化物、鹼土類金屬之氧 化物、驗土類金屬之_化物、稀土類金屬之氧化物或稀土 類金屬之i化物、驗金屬之有機錯合物、驗土類金屬之有 機錯合物、稀土類金屬之有機錯合物所組成之群的至少一 種物質。 又’更具體而言，作為較好之還原性摻雜劑，可列舉選 自 LK功函數：2.9eV)、Na(功函數：2 36 eV)、K(^ 數：UeV)、Rb(功函數：2.16evmcs(功函數：I% eV)所組成之群的至少_種驗金屬，或者選自 -eV)^Ba(,^^52 eV)所組成之群的至少—種驗土類金屬。 者。其等中，更好之還原性摻雜 一成之群的至少一種驗金屬，進而較好= 133484.doc •71 - 200914445
Rb或Q最好的是〜。其等驗金屬還原能力特別高藉由 ! 量添加至電子佈植域’可實現有機豇元件之發光 π度之提向或長壽命化。又，作為功函數為2 9 ^以下之 f原：扣雜^ ’其等2種以上鹼金屬之組合亦較好，特別 是包含cs之組合，例如㈣Na、㈣κ、㈣Rb
Na與K之組合較好。藉由組合包含^，可有效發揮還原能 力，藉由添加至電子佈植域，可實現有機肛元件之發光亮 度之提高或長壽命化。 於本發明中，於陰極與有機層之間亦可進而設置絕緣體 或半導體所構成之電子佈植層。此時，可有效防止電流茂 漏，提高電子佈植性。作為如此之絕緣體，較好的是使用 選自鹼金屬硫屬化物、鹼土類金屬硫屬化物、驗金屬之齒 化物及驗土類金屬之_化物所組成之群的至少一種金屬化 合物。電子佈植層若由其等鹼金屬硫屬化物等構成，則可 進而提高電子佈植性’於該方面較好。具體而言，作為較 好之鹼金屬硫屬化物，例如可列舉Li2〇、K2〇、Na2S、
Na2Se及Na20 ’作為較好之驗土類金屬硫屬化物，例如可 列舉CaO、BaO、Sr〇、Be〇、BaS及CaSe。又作為較好 之鹼金屬之鹵化物，例如可列舉LiF、NaF、KF、Lici、 KC1及NaCl等。又’作為較好之驗土類金屬之鹵化物，例 如可列舉CaFr Bah、以匕、MgFs及之氟化物或者 氟化物以外之_化物。 又，作為構成電子傳輸層之半導體，可列舉包含如、 Ca、Sr、Yb、A卜 Ga、in、Li、Na、Cd、Mg、以、、 133484.doc -72- 200914445
Sb及Ζη之至少-種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等之 皁獨-種或兩種以上之組合。又，構成電子傳輸層之無機 化口物車乂好的疋微晶或非晶態之絕緣性薄膜。電子傳輸層 右由該等絕緣性薄膜構成，則可形成更均質之薄膜，因此 可減少暗點等像素缺陷。再者，作為如此之無機化合物， 可列舉上述之驗金屬硫屬化物、驗土類金屬硫屬化物、驗 金屬之自化物及鹼土類金屬之齒化物等。 (7)陰極 作為陰極’為將電子佈植至電子佈植.傳輸層或發光 層，使用功函數較小（4eV以下）之金屬、合金、導電性化 合物及其等之混合物作為電極物質。作為如此之電極物質 之具體例，可列舉鈉、鈉· 鉀口金鎮、鐘、鎂•銀合 、氧化紹ϋ合金、銦、稀土類金屬等。 該陰極可藉由如下方法製 等電極物質形成為_。或_等方法將該 Ο 對二:光：Γ取出來1發光層之發光之情形時，陰極相 十於發先之透射率較好的大於10%。 厂又，作為陰極之片材電阻較好的是數百Ω/口以下，膜 厚通常為1Q叫_，較好的U.nm。 (8)絕緣層 元件對超薄膜施加電場，因 去标玖、生> i 々在王田於洩漏或 、成之像素缺陷。為防止此現象 電極間插入絕緣性薄膜層。 β疋於對 作為絕緣層中^委用 中使用之材枓’例如可列舉氧化紹、氟化 133484.doc •73- 200914445 鐘、乳化鐘、氟化鎚、氧化飽、氧化鎂、氟化鎂、氧化 鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化 矽、氮化蝴、氧化鋇、氧化釕、氧化鈒等，亦可使用該等 之混合物或積層物。 (9)有機EL元件之製造方法 可利用以上例示之材料及形成方法形成陽極、發光層、 視需要之電洞佈植•傳輸層、及視需要之電子佈植.傳輸 層’進而形成陰極’藉此製作有機EL㈣。又，亦可自= 極至陽極，按照與上述相反之順序製作有機肛元件。π 以下揭示於透光性基板上順次設置陽極/電洞佈植層/發 光層/電子佈植層/陰極之構成的有機£1^元件之製作例。 百先，於適當之透光性基板上藉由蒸鍍或濺鍍等方法以 成為1 μιη以下、較好的是1〇〜2〇〇 nm之範圍的臈厚之方式 形成包含陽極材料之薄膜’製作陽極。繼而，於該陽極1 設置電洞佈植層。電洞佈植層之形成可如上述方式藉由真 空洛鍍法、旋塗法、鑄造法、LB法等方法形成，但自容易 獲得均質之膜且難以產生針孔等之方面考慮較好的是藉由 真空蒸錢法形成。藉由真空蒸鍍法形成電洞佈植層之情形 時:其蒸鑛條件由於使用之化合物（電洞佈植層之材料）、 目‘電洞佈植層之結構或再結合結構等而不同，較好的是 通*於蒸鍍源溫度5〇〜45〇°C、真空度為1〇-7〜1〇-3 T〇rr亨 鑛速度〇.(H〜50 nm/秒、基板溫度·5〇〜3(ΗΓ(：、臈厚5⑽二 μηι之範圍内適宜選擇。 其-人，於電洞佈植層上設置發光層。發光層之形成亦可 133484.doc -74- 200914445 2用機發光材料’藉由真空蒸鍍法、賤鑛、旋塗 易獲得均質=ΓΓ光材料薄膜化而形成，但自容 由直办一， 王卞孔荨之方面考慮較好的是藉 時：：：：法形成。藉由真空蒸鍍法形成發光層之情形 二=條件因使用之化合物而不同，通常可自與電洞 布植層相同之條件範圍中選擇。 植層鄉先層上設置電子佈植層。較好的是電洞佈 同’因必需獲得均質之臈而藉由真空蒸鑛 法形成。洛鍍條件可自與電洞佈 範圍中選擇。 U層相同之條件 - 之芳香族胺衍生物因於發光帶或電洞傳輸帶之任 …有而不同，於使用真空蒸鍍法之情形時可進行盘 =他材料之共蒸鑛。又’使用旋塗法之情形時，可藉由盘 其他材料混合而含有。 j精由與 最後，積層陰極而可獲得有機EL元件。 陰極係由金屬構成者，可使用蒸鑛法、賤鑛。但是為了 防止成膜基礎有機物層時受損傷’較好的是真空蒸鑛法。 該有機EL元件之製作較好的是藉由一次真空處理而一次 性自陽極製作至陰極。 本發明之有機EL元件之各声 定。可使用先前公知之利用真並無特別之限 方法。本發明之有 卞甲使用之’含有上述通 表示之化合物的有機薄膜層’可藉由利用真空、八 子束蒸鍍法(ΜΒΕ法)或者溶解於溶劑之溶液的浸二、: 133484.doc -75· 200914445 塗法、鑄塑法、棒式塗佈法、輥塗法等塗佈法之公知方法 形成。 本發明之有機EL元件之各有機層之膜厚並無特別之限 制’通常若膜厚過薄’則容易產生針孔等缺陷，相反若過 厚’則必需較高之施加電壓而導致效率變差，因此通常較 好的是數nm〜1 μηι之範圍。 再者，對有機EL元件施加直流電壓之情形時，若使陽極 之極性為+’陰極之極性為-，施加5〜40 V之電壓，則可觀 測到發光。又，以相反之極性施加電壓，則電流不流通， 完全不產生發光。進而’於施加交流電壓之情形時，僅陽 極之極性成為+、陰極之極性成為-時可觀測到均勻之發 光。施加之交流電之波形可為任意者。 實施例 以下’基於合成例及實施例對本發明加以更詳細之說 明。 , 於合成例1〜22中製造之中間體丨〜22之結構式如下戶斤述。 133484.doc -76- 200914445 [化 46] LOS5S.-S-寸 HSE-B-
2觀 Lmi Ψ ^ T T O^Jf οδΕΦ 6顴浞夺
呀 τ I 觀ΕΨ 一雜^夺 9製£Ψ
LOsSH-a-Ηϋκ-θ-εδΪΗ-θ-(Νιδκφ Iss»4- 133484.doc -77- 200914445 [化 47]
ΐζϋΪΕ-δ- 合成例1 (中間體1之合成） 於氬氣流下，於1 000 mL之三口燒瓶中放入4-溴聯苯47 g、蛾23 g、過峨酸2水合物9.4 g、水42 mL、乙酸360 133484.doc -78- 200914445 mL、硫酸11 mL，於65τ下攪拌3〇分鐘後，於9〇r下反應 6小時。將反應物注入至冰水中，進行過濾。以水進行清 洗後，以曱醇進行清洗，藉此獲得67 g之白色粉末。根據 FD-MS(場致脫附質譜）之分析，對於ci2Hi5BrI=359 ’獲得 m/z=3 5 8與360之主波峰，因此鑑定為_間體1。 合成例2(中間體2之合成） 於氬軋流下’於50 L之反應容器中放入苯基硼酸750g、 2-溴噻吩1000 g、四（三苯基膦）鈀（pd(pph3)4)142 g、2M之 碳酸鈉（Na2C03)溶液9 L、二曱氧乙烷15 L之後，於8(TC下 反應8小時。以甲苯/水萃取反應液，以無水硫酸鈉加以乾 燥。將其於減壓下濃縮，管柱純化所得之粗產物，藉此獲 得786 g白色粉末。 於氬氣流下，於20 L之反應容器中放入上述所得之化合 物786 g與DMF(二曱基曱醯胺）8 L之後，緩緩添加NBS(N-溴琥珀醯亞胺）960 g ’於室溫下反應12小時。以己烷/水進 行萃取’以無水硫酸鈉加以乾燥。將其於減壓下濃縮，管 柱純化所得之粗產物，藉此獲得703 g之白色粉末。藉由 FD-MS之分析，鑑定為中間體2。 合成例3(中間體3之合成） 於氬氣流下，於20 L之反應容器中添加中間體2 703 g、 脫水THF(四氫呋喃）7 L，冷卻至-3(TC。放入n-BuLi(1.6 Μ 己院溶液）2.3 L ’使其反應1小時。冷卻至-70°C之後，放 入 Boric Acid Triisopropyl Ester(東京化成公司製造）1658 g。緩緩升溫，於室溫下攪拌1小時。添加1 0°/。鹽酸溶液1.7 133484.doc -79- 200914445 L進行攪拌。以乙酸乙酯與水進行萃取，以水清洗有機 層。以無水硫酸鈉加以乾燥，餾去溶劑。以己烧加以清 洗，藉此獲得白色粉末359 g。 於氬氣流下，於20 L之反應容器中放入上述所得之5_苯 基-2-嗔吩棚酸506 g、4-峨漠苯600 g、四（三苯基膦）|巴 (Pd(PPh3)4) 41 g、2M之碳酸納（Na2C03)溶液2,6 L、二甲 氧乙烷10 L之後，於80。(：下反應8小時。以甲苯/水萃取反 應液’以無水硫酸鈉加以乾燥。將其於減壓下濃縮，管柱 純化所得之粗產物，藉此獲得277 g之白色粉末。藉由fD_ MS之分析，鑑定為中間體3。 合成例4(中間體4之合成） 於氬氣流下’放入苯胺5.5 g、中間體3 15.7 g、第三丁 氧基鈉6.8 g(廣島和光公司製造）、三（二亞苄基丙酮）二鈀 (〇) 〇,46 g(阿爾多裏奇公司製造）及脫水甲苯300 mL，於80 °c下反應8小時。 於冷卻後’添加水500 mL ’以矽藻土過濾混合物，以甲 笨萃取濾'液，以無水硫酸鎮加以乾燥。將其於減壓下濃 縮’以管柱純化所得之粗產物，以甲苯進行再結晶，將其 《 之後加以乾燥’獲得1 0.8 g之淡黃色粉末。藉由F D _ MS之分析，鑑定為中間體4。 合成例5(中間體5之合成） 於氬氣流下，裝入丨_乙醯胺185 g(東京化成公司製造）、 中門體3 3 1 5 g(和光純藥公司製造）、碳酸鉀544 g(和光純 ” a司製造）、銅粉12 5 g(和光純藥公司製造）及十氫萘2 133484.doc 200914445 L，於19〇。(：下反應4日。反應後加以冷卻，添加甲苯2 濾取不溶成分。將濾取物溶解於三氣甲烷4>5 L中，除去不 溶成分之後’進行活性碳處理’加以濃縮。於其中添加兩 酮3 L，濾取析出晶體175 g。藉*FD_MS之分析，鑑定為 中間體5。 合成例6(中間體6之合成）
於氬氣流下，使中間體5懸浮於乙二醇5 L(和光純藥公 司製造）、水5〇1111^中，添加85%氫氧化鉀水溶液21〇吕之 後，於120°C下反應8小時。於反應後，於水1〇 [中注入反 應液’濾取析出晶體’以水、甲醇加以清洗。將所得之結 晶加熱溶解於四氫呋喃3 L中，進行活性碳處理後加以濃 縮’添加丙酮使結晶析出。將其濾取，獲得丨45 g白色粉 末。藉由FD-MS之分析，鑑定為中間體6。 合成例7(中間體7之合成） 於氬氣流下，裝入1-乙醯胺185 g(東京化成公司製造）、 中間體3 315 g(東京化成公司製造）、碳酸鉀544 g(和光純 藥公司製造）、銅粉12.5 g(東京化成公司製造）及十氫萘2 L ’於1 90°C下反應4日。反應後加以冷卻，添加甲苯2 L， 濾取不溶成分。將濾取物溶解於三氣甲烷4.5 L中，除去不 溶成分之後’進行活性碳處理，加以濃縮。於其令添加丙 酮3 L，濾取析出晶體175 g。 於其中裝入4,4’-二碘聯苯120 g(東京化成公司製造）、碳 酸鉀163 g(東京化成公司製造）、銅粉3.8 g(東京化成公司 製造）及十氫萘600 mL，於190。(：下反應4曰。 133484.doc -81 · 200914445 反應後加以冷卻，添加曱苯600 mL，濾取不溶成分。將 渡取物溶解於二氣甲烷丨.4 l中，除去不溶成分，進行活性 石厌處理’加以濃縮。於其中添加丙酮1 L，濾取析出晶體 382 g ° 使其懸浮於乙二醇1.5 L(和光純藥公司製造）、水15 mL 中，添加85%氫孰化鉀水溶液44 g之後，於12(TC下反應8 小時。於反應後’於水10 L中注入反應液，濾取析出晶 體’以水、曱醇加以清洗。將所得之結晶加熱溶解於四氫 咬11南1 L中’進行活性碳處理後加以濃縮，添加丙酮使結 晶析出。將其濾取’獲得13〇 g白色粉末。藉由fd_ms之分 析’鑑定為中間體7。 合成例8(中間體8之合成） 於氬氣流下，放入二苯基胺51 g、中間體丨1〇8 g、第 二丁氧基鈉3 g(廣島和光公司製造）、雙（三苯基膦）氯化鈀 (II) 0.5 g(東厅、化成公司製造）及二甲苯5〇〇 ，於i3(TC下 反應24小時。 於冷卻後，添加水1 〇〇〇 mL，將混合物以矽藻土過濾， 以甲苯萃取濾液，以無水硫酸鎂加以乾燥。將其於減壓下 濃縮，管柱純化所得之粗產物’以曱苯進行再結晶，將其 濾取後，加以乾燥，獲得3.4 g之淡黃色粉末。藉由fd_ms 之分析’鑑定為中間體8。 合成例9(中間體9之合成） 於合成例8中，使用4-碘溴苯代替中間體丨，除此以外以 相同之方式進行反應，獲得2.8 g白色粉末。藉*FD_MS之 133484.doc •82- 200914445 分析，鑑定為中間體9。 合成例10(中間體1 〇之合成） 於氬氣流下’放入市售之4_二苯并呋喃硼酸53 6 g、4_埃 漠苯600 g、四（三苯基膦）鈀（pd(pph3)4) g、2 M之碳酸 鈉（NaC〇3)溶液2.6 L、二曱氧乙烷1〇 L之後，於80°C下反 應8小時。以甲苯/水萃取反應液’以無水硫酸鈉加以乾 知。將其於減壓下濃縮’管柱純化所得之粗產物，藉此獲 得257g白色粉末。藉由FD_MS之分析，鑑定為中間體1 〇。 合成例11 (中間體1丨之合成） 於合成例1 0中，使用硫茚_2_硼酸代替4_二苯并呋喃硼 酸’除此以外以相同之方式進行反應，獲得241 g白色粉 末。藉由FD-MS之分析，鑑定為中間體1 i。 合成例12(中間體12之合成） 於氩氣流下’放入二苯并呋喃丨5〇 g與乙酸1 L，加熱溶 解。滴加溴1 88 g。過濾結晶’以乙酸及水進行清洗後， 以甲醇進行再結晶’藉此獲得溴體97 g。於合成例3中， 使用所得之溴體代替中間體2，除此以外以相同之方式進 仃反應，獲得46 g之白色粉末。藉由FD-MS之分析，鑑定 為中間體12。 合成例13(中間體13之合成） 於合成例9中，使用咔唑代替二苯基胺，除此以外以相 "方式進行反應’獲付g白色粉末。藉由fd-MS之分 析’鑑定為中間體1 3。 合成例14(中間體14之合成） 133484.doc -83- 200914445 於氬氣流下，放入咔唑670 g、碘苯850 kg、二曱苯2〇 L、t-BuONa 460 g、乙酸鈀（Pd(〇Ac)2)，回流8小時。過濾 雜質，於減壓下濃縮濾液，以己烷加以清洗後，進行乾 燥獲知8 2 0 g白色粉末苯基D卡唾。於中間體1之合成中， 使用苯基咔唑代替4-溴苯，除此以外以相同之方式進行反 應，獲得650 g白色粉末。藉由FD_MS之分析，鑑定為中間 體14。 Γ'
合成例1 5 (中間體1 5之合成） 於合成例3中，使用中間體14代替中間體2,除此以外以 相同之方式進行反應’獲得25〇吕白色粉末。藉由 分析’鐘定為中間體1 5。 合成例16(中間體16之合成） ;口成例5中，使用中間體！ 〇代替中間體3，除此以外以 相同之方式進行反應，獲得21〇g白色粉末。藉由FD捕之 分析’鑑定為中間體16。 合成例17(中間體17之合成） ;。成例5中，使用中間體} 6代替乙醯胺，除此以外以 八=之方式進行反應’獲得25G #色粉末。藉由叩⑽之 刀析’鑑定為中間體1 7。 合成例I8(t間體18之合成） 於合成例6中，使用中間體〗7 # 相^ 仗用T間體17代替中間體5，除此以外以 才目问之方式進行反應，獲棋& 分姑 心 3 §白色粉末。藉由FD-MS之 斤’鑑定為中間體1 8。 合成例19(中間體19之合成） I33484.doc -84 - 200914445
分析’鑑定為中間體1 9。 合成例20(中間體20之合成） 八管千間體3，除此以外以 g白色粉末。藉由FD-MS之 ，除此以外以 ，藉由FD-MS之 於合成例7中，使用中間體10代替中間體3 相同之方式進行反應，獲得116 g白色粉末， 分析’鑑定為中間體20。 合成例21 (中間體2 1之合成） 於合成例8中’使用中間體19代替二苯基胺，使用4_碘 演苯代替中間體1 ’除此以外以相同之方式進行反應，獲 得3.5 g白色粉末。藉由fd-MS之分析，鑑定為中間體21。 合成例22(中間體22之合成） 於合成例8中，使用中間體4代替二苯基胺，除此以外以 相同之方式進行反應，獲得2.9 g白色粉末。藉由FD-MS之 分析，鑑定為中間體22。 合成實施例1〜1 8中製造之本發明之芳香族胺衍生物即化 合物H1〜H1 8之結構式如下所述。 133484.doc -85- 200914445
133484.doc -86- 200914445 [化 49]
合成實施例1 (化合物HI之合成） 於氬氣流下，放入中間體6 2.5 g、中 間體10 6.8 g、第 133484.doc -87- 200914445 三丁氧基鈉2.6 g(廣島和光公司製造）、三（二亞苄基丙酮） 二把（0) 92 mg(阿爾多裏奇公司製造）、三第三丁基膦42 mg及脫水甲苯10〇 mL，於80°C下反應M、時。 冷卻後，添加水500 mL，以矽藻土過濾混合物，以甲笨 萃取濾液，以無水硫酸鎂加以乾燥。將其於減壓下濃縮， 管柱純化所得之粗產物，以甲苯進行再結晶，將其漉取之 後，加以乾燥，獲得5.1 g之淡黃色粉末。藉由fd-MS之分 析，鑑定為化合物Η1。 合成實施例2(化合物Η2之合成） 於合成實施例1中，使用6.1 g中間體11代替中間體1〇， 除此以外以相同之方式進行反應，獲得4.3 g淡黃色粉末。 藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物H2。 合成實施例3(化合物H3之合成） 於合成實施例1中’使用6.8 g中間體12代替中間體1〇， 除此以外以相同之方式進行反應，獲得4.1 g淡黃色粉末。 藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物H3。 合成實施例4(化合物H4之合成） 於合成實施例I中，使用6 8 g中間體13代替中間體, 除此以外以相同之方式進行反應，獲得5.3 g淡黃色粉末。 藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物H4。 合成實施例5 (化合物η 5之合成） 於合成實施例1中，传用7 7 ^ «η ,. Τ 便用7·7 g中間體14代替中間體1〇， 除此以外以相同之方4 ;佳仁_ ^ # “ 万式進仃反應，獲得3.2 g淡黃色粉末。 藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物H5。 133484.doc •88- 200914445 合成實施例6(化合物H6之合成） 於合成實施例1中，使用8.4 g中間體15代替中間體1〇 , 除此以外以相同之方式進行反應，獲得44 g淡黃色粉末。 藉由FD-MS之分析’鑑定為化合物H6。 合成實施例7(化合物H7之合成） 於合成實施例1中，使用9.9 g中間體18代替中間體6，使 用4.3 g 1-溴萘代替中間體1〇，除此以外以相同之方式進 打反應，獲得7.9 g淡黃色粉末。藉由FD_MS之分析，鑑定 為化合物H7。 合成實施例8(化合物H8之合成） 於合成實施例7中，使用5.5 g 4_溴_(99_二曱基）g代替 1-溴萘，除此以外以相同之方式進行反應，獲得6 9 §淡黃 色粉末。藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物H8。 合成實施例9(化合物H9之合成） 於合成實施例7中，使用6.5 g 4-溴聯三苯代替丨_溴萘， 除此以外以相同之方式進行反應，獲得7 5 g淡黃色粉末。 藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物H9。 合成實施例1 〇(化合物Η1 0之合成） 於合成實施例7中，使用6.8 g中間體13代替丨_溴萘，除 此以外以相同之方式進行反應，獲得7 8 g淡黃色粉末。藉 由FD-MS之分析，鑑定為化合物Hi〇。 合成實施例11(化合物H11之合成） 於合成實施例7中，使用7.7 g中間體14代替卜溴萘，除 此以外以相同之方式進行反應，獲得4.6 g淡黃色粉末。= 133484.doc •89· 200914445 由FD-MS之分析，鑑定為化合物hi 1。 合成實施例12(化合物H12之合成） 於合成實施例7中’使用8.2 g中間體8代替1-溴萘，除此 以外以相同之方式進行反應，獲得9.8 g淡黃色粉末。藉由 FD-MS之分析，鑑定為化合物H12。 合成實施例U(化合物H13之合成〉 於合成實施例7中，使用6.8 g中間體9代替1-溴萘，除此 以外以相同之方式進行反應，獲得7.3 g淡黃色粉末。藉由 FD-MS之分析，鑑定為化合物H13。 合成實施例14(化合物H14之合成） 於合成實施例1中，使用中間體20代替中間體6，使用中 間體3代替中間體1 〇，除此以外以相同之方式進行反應， 獲得5.2 g淡黃色粉末。藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物 H5。 合成實施例1 5 (化合物Η1 5之合成） 於合成實施例1中，使用中間體22代替中間體1 〇，除此 以外以相同之方式進行反應，獲得1 〇. 1 g淡黃色粉末。藉 由FD-MS之分析，鑑定為化合物H15。 合成實施例16(化合物H16之合成） 於合成實施例1中，使用中間體20代替中間體6，使用中 間體23代替中間體10，除此以外以相同之方式進行反應’ 獲得9.8 g淡黃色粉末。藉由FD-MS之分析，鑑定為化合物 Η1 6 〇 合成實施例17(化合物Η17之合成） 133484.doc •90· 200914445 於合成實施例1中，使用中間體7代替中間體6,使用中 間體18代替中間體1G，除此以外以相同之方式進行反應， 獲得10.4 g淡黃色粉末。藉由FD_MS之分析，鑑定為化合 物 Η1 7 〇 合成實施例1 8 (化合物Η18之合成） 於合成實施例1中，使用三（4_漠苯基）胺48§代替中間體 6,使用15.3 g中間體18代替中間體1〇，除此以外以相同之 方式進行反應，獲得1〇·1 g淡黃色粉末。藉由FD_MS之分 析’鑑定為化合物H1 8。 實施例1 (有機EL元件之製造） 將25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（GEOMATEC公司製造）於異丙醇中進行超音波清洗5分 鐘之後，進行紫外線臭氧清洗3〇分鐘。 將清洗後之附有透明電極列之玻璃基板裝著於真空蒸鍍 裝置之基板座上’首先於形成透明電極列之側的面上，使 用膜厚60 nm之上述化合物H1膜作為電洞傳輸材料進行成 膜以覆蓋上述透明電極。該H1膜作為電洞佈植層發揮功 能。於該H1膜上成膜膜厚20 nm之下述化合物層TBDB。該 膜作為電洞傳輸層發揮功能。進而，蒸鍍成膜膜厚4〇 nm 之下述化合物EM1。同時，使用下述具有苯乙烯基之胺化 合物D1作為發光分子，以使EM1與D1之重量比成為40 : 2 之方式進行蒸鍍。該膜作為發光層發揮功能。 於該膜上成膜膜厚1〇 nm之下述Alq膜。其作為電子佈植 層發揮功能。其後，二元蒸鍍還原性摻雜劑Li(Li源： 133484.doc -91 - 200914445 SAES Getters公司製造）與八^ ’形成A1q : Li膜（膜厚1〇 nm) 作為電子佈植層（陰極）。於該Alq : Li膜上蒸鍍金屬A1形成 金屬陰極，形成有機EL·元件。 又’關於所得之有機EL元件’測定發光效率，觀察發光 色。發光效率使用Minolta公司製造之CS 1000(商品名）測定 冗度’算出於1〇 mA/cm2下之發光效率。進而測定初期亮 度5000 cd/m2、室溫、以dc恆定電流驅動之發光的半衰壽 命，將結果表示於表1。 ° [化 50]
實施例2〜7(有機EL元件之製造） ;、也例1中，使用表1中揭示之化合物代替化合物Η1作 為電洞傳輸材# ’除此之外以相同之方式進行，製作有機 EL元件。 "騎：得之有㈣元件，以與實施例1相同之方式進 丁 '収發光效率，觀察發光色，進而測定初期亮度5000 133484.doc -92- 200914445 cd/m 、室溫、以DC恆定電流驅動之發光的半衰壽命將 結果表示於表1。 比較例1〜11 於實施例1中，使用下述比較化合物1〜11代替化合物H1 作為電洞傳輸材料，除此之外以相同之方式進行，製作有 機EL元件。 又，關於所得之有機EL元件，以與實施例〗相同之方 進仃，測定發光效率’觀察發光色，進而測定初期齐产 5000 cd/m、至溫、以Dc 電流驅動之發光的半^ 命’將結果表示於表丨。 、。 133484.doc 93- 200914445 [化51
^_f\
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p? 02
II#<nq>«JJi oT-H#<oJJRtq=l 133484.doc 94- 200914445 [表i] 表1 實施例 電洞傳輸材料 電壓 (V) 發光色 半哀哥命 (h) 1 H1 6.2 藍色 440 2 H2 6.4 藍色 400 3 H3 6.5 藍色 370 4 H4 6.4 藍色 400 5 H5 6.1 藍色 360 6 H6 6.0 藍色 380 7 H12 6.4 藍色 410 8 H1 6.2 藍色 430 比較例1 比較化合物1 7.1 藍色 280 比較例2 比較化合物2 6.9 藍色 240 比較例3 比較化合物3 6.2 藍色 120 比較例4 比較化合物4 6.6 藍色 150 比較例5 比較化合物5 6.5 藍色 80 比較例6 比較化合物6 6.9 藍色 180 比較例7 比較化合物7 8.2 藍色 130 比較例8 比較化合物8 7.4 藍色 110 比較例9 比較化合物9 8.4 藍色 150 比較例10 比較化合物10 7.9 藍色 200 比較例11 比較化合物11 7.2 藍色 220 比較例12 比較化合物1 7.0 藍色 270 實施例8(有機EL元件之製造） 於實施例1中，使用下述芳基胺化合物D2代替具有苯乙 烯基之胺化合物D 1，除此之外以相同之方式進行，製作有 機EL元件。Me為曱基。 又，關於所得之有機EL元件，以與實施例1相同之方式 進行，測定發光效率，觀察發光色，進而測定初期亮度 5 000 cd/m2、室溫、以DC恆定電流驅動之發光的半衰壽 命，將結果表示於表1。 133484.doc -95- 200914445 [化 52] Ο 比較例12
，使用上述比較化入 竿乂化合物1代替化合 除此之外以相同之 作為
式進行，製作有機EL 關於所得之有機EL元件， 抱& 、、Β1〜 1干以與實施例1相同之方式 進灯 /則又發光效率，觀窣私尖洛 _ 進而測定初期亮度
於實施例8中 電洞傳輸材料， 元件。 ed/m 定電流驅動之發光的半衰壽 命’將結果表示於表1。 產業上之可利用性 如以上詳細說明之，本發明之芳香族胺衍生物，分子難 以結晶化’若使用為有機EL元件用材料，則可降低驅動電 歷’可獲得壽命較長之有機EL元件，提高製造有機EL元 件時之良率。因此，作為實用性高之有機EL元件極其有 用0 133484.doc -96-

Claims (1)

  1. 200914445 十、申請專利範圍： 1. 一種芳香族胺衍生物，其係以下述通式（1)所表示： [化1]
    ΗAr^ ΑΓ3
    [於通式（1)中，Ari〜Ar3中之至少一個以下述通式（2)所表 示；進而，ArrAr;中之至少一個以下述通式（3)〜（7)之任 一者所表示： [化2] %
    (2)
    I33484.doc (7) 200914445 {於通式（2)〜（7)令，r2〜r 之核原子數為6〜50之芳广J t經取代或未經取代 基、南素原子或《其.土石厌數為1〜5〇之直鏈或支鏈烷 ,., "土，R丨及R〗2分別獨立為氫原子、經取 代或未經取代之核原子 ㈣m… 數為6〜50之芳基、碳數為1〜50之 直鍵或支料基、自❹子或氣基； a為0〜2之整數；u . 、、h、j為0〜4之整數；e、 g、1為0〜3之整數，· X為硫或氧； L1及L4〜L6分別獨立表干級兩a斗、| % ^ ^ ，、、&取代或未經取代之核原子數 為6〜50之伸方基；l2〜l，八2丨丨想六主_ 3刀別獨立表示単鍵、經取代或 未經取代之核原子數為6〜50之伸芳基}; 於通式（1)中，Ar丨〜ΑΓ，φ廿井.s a , 、 中並非通式（2)〜(7)之基分別獨 立為經取代或未經取代 <核原子數為6〜5 0之芳基，該芳 基之取代基為核原子數為6 数馮6〜50之方基、碳數為1〜50之支 鍵或直鍵烧基、鹵辛屈工 ^ ^ Q常原子、氰基或下述通式⑻所表示之 基： [化3]
    (8) {式：’ L7表不經取代或未經取代之核原子數為6〜50之 伸芳基；Al>5〜Ar>6分別獨立為經取代或未經取代之核原子 I33484.doc 200914445
    或者經取代或未經取代之核原子數為 6〜50之雜芳基丨]。 句 2. 如叫求項丨之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（！）中， 1以上述通式（2)所表示，Arz與A1·3以上述通式（2)〜（7)之 任一者所表示。 3, 如叫求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（1)中， ΑΓι與Ar2以上述通式（2)所表示，Ah以上述通式（2)〜(7)之 任—者所表示。 4·如請求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（2)中， Li為伸笨基、伸聯苯基或伸苐基，Ri為苯基、萘基或菲 基，a為〇。 5. 一種芳香族胺衍生物，其係以下述通式（9)〜（12)之任一 者所表示： [化4]
    133484.doc 200914445
    [於通式（9)中，Ar7〜Ar10中之至少一個以下述通式（13)所 表示；進而，Ar7〜Ar10中之至少一個以下述通式 (14)〜（18)之任一者所表示； 於通式（10)中，Aril〜Ar15中之至少一個以下述通式 (13) 所表示；進而，Arn〜Ar15中之至少一個以下述通式 (14) 〜（18)之任一者所表示； ί) 於通式（11)中，Ar16〜Ar21中之至少一個以下述通式 (13)所表示；進而，Ar16〜Ar21中之至少一個以下述通式 ' (14)〜（18)之任一者所表示； 於通式（12)中，Ar22〜Ar27中之至少一個以下述通式 (13) 所表示；進而，Ar22〜Ar27中之至少一個以下述通式 (14) 〜（18)之任一者所表示： [化5] 133484.doc -4- 200914445
    (18) Ο (於通式（13)〜（18)中，&〜Rll分別獨立為經取代或未經取 代之核原子數為6〜50之芳基、碳數為⑽之直鏈或支鍵 烧基、齒素原子或氰基；Mb分別獨立為氫原子、 取：或未經取代之核原子數為6〜5〇之芳基、碳數為丨二 之直鏈或支鏈烷基、鹵素原子或氰基； a為〇〜2之整數；b、e、d、f、h，〇 g、i為0〜3之整數； 足数’ e、 X為硫或氧， L丨及L4〜L6分別獨立表 示經取代或未經 取代之核原子數 I33484.doc 200914445 為6〜50之伸芳美.τ 土，h〜L3分別獨立表示簟 未經取代之核原子數為6〜5。之伸芳基「，鍵，代或 於通式（9)〜（12)中， 分別獨立為經取代〜ΑΓ27中並非通式〇4)〜（1 8)之基 A · L r v 次未經取代之核原子數為6〜50之芳 基，L8〜L16分別獨立 之方 6〜5。之伸芳基]。 取代或未經取代之核碳數為 6. 如請求項5之芳香族胺衍 域Μ以上述通 /、中於上述通式⑼中， 〇 4)〜叫之任—者所=所表不，_與上述通式 7. 如請求項5之芳香族 0物)之任—者所1斤表…栽。以上述通式 8. 二:5二 ⑽训之任—者所表斤示表不’ ΑΓ13與〜以上述通式 9.如請求項5之芳香族 Ar,3與Ari以μ + 物’其中於上述通式⑽中， 之任-者所表示。所表不’ Μ】以上述通式 中於上述通式（11)中， ’ Ar18與Ar19w上述通 中於上述通式（11)中， ，Ar,6與Ar21w上述通 10·如請求項5之芳香族胺衍生物，盆 細6與ΑΓ21以上述通式(13)所表： 式㈣〜（18)之任—者所表示。 11·如請求項5之芳香族胺衍生物，其 ^與心19以上述通式（13) ^ 式⑼〜叫之任―者所表示。 133484.doc 200914445 12. 女。月求項5之芳香族胺衍生物， 心22'心24與心26以上述;：上述通“12)， ^上述通式⑽，之任(—=示’如、^與 13. 如請求項5之芳香族胺衍生物，儀中 L,為伸茇Α ^ '、中於上述通式（13)中， 基，a為。 基或㈣基，為苯基、蔡基或菲 从如請求項5之芳香族 中，A 玍物其中於上述通式（9)〜（12) 基或“ ”分別獨立為苯基、蔡基、聯苯基、聯三苯 15:請[求項、芳香族胺衍生物，其中於上述通式⑼〜⑽ 聯三笨基或伸第基。 L基、伸聯本基、伸 士0月求項1或5之芳香族胺衍生物 件用材料。 玍物丨係有機電激發光元 17’Π=5之芳香族胺衍生物，其係有機電激發光元 叶用冤洞傳輸材料。 18. -種有機電激發光元件，其係於 包括至少包含發光層之 W之間夹持有 該有機薄腹居有機薄膜層者， 有機溥膜層之至少一層含有如請求 衍生物作為單獨或混合物成分。 /之方香族胺 19. 如請求項18之有機電激發光元 立 :有電洞傳輪層及/或電洞一 電洞佈植層含有上述著香族胺衍生物。 θ I如請求項18之有機電激發光元件，其中上述有機薄膜層 133484.doc 200914445 具有至少、包含電洞傳輸層及t洞佈植層之電洞傳輸帶， 該電洞傳輸帶中’未與發光層直接接觸之層含有上述芳 香族胺衍生物。 儿如請求項18之有機電激發光元件，其中電㈣輸層及/或 電洞佈植層含有上述芳香族胺魅物作為主成分。 22. ^請求項18之有機電激發光元件，其中於發光層中含有 苯乙烯基胺化合物及/或芳基胺化合物。
    23. 如請求項18之有機電激發光元 植層及/或電洞傳輸層之各層中 體材料者。 件，其中構成上述電洞佈 與陽極接觸之層係含有受 241請求項18之有機電激發光元件，其㈣ 133484.doc 200914445 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
    Ar、 Αΐ2 Αγ3 ⑴ L 133484.doc
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