WO2013129836A1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

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홍성길
천민승
김공겸
장준기
김연환
이동훈
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting device. More specifically, the present invention relates to an organic light emitting device having excellent low voltage, high efficiency, long life, and simple manufacturing process.
  • the organic light emitting phenomenon is an example of converting an electric current into visible light by an internal process of a specific organic molecule.
  • the principle of the organic light emitting phenomenon is as follows. When the organic material layer is positioned between the anode and the cathode, a voltage is applied between the two electrodes, and electrons and holes are injected into the organic material layer from the cathode and the anode, respectively. Electrons and holes injected into the organic material layer recombine to form excitons, and the excitons fall back to the ground to shine.
  • An organic light emitting device using this principle may be generally composed of an organic material layer including a cathode and an anode and an organic material layer disposed therebetween, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.
  • the materials used in the organic light emitting device are pure organic materials or complex compounds in which organic materials and metals are complexed, and according to the purpose, hole injection materials, hole transport materials, light emitting materials, electron transport materials, electron injection materials, etc. It can be divided into.
  • the hole injection material or the hole transport material an organic material having a p-type property, that is, an organic material which is easily oxidized and has an electrochemically stable state during oxidation, is mainly used.
  • the electron injecting material or the electron transporting material an organic material having an n-type property, that is, an organic material which is easily reduced and has an electrochemically stable state at the time of reduction is mainly used.
  • the light emitting layer material a material having a p-type property and an n-type property at the same time, that is, a material having a stable form in both oxidation and reduction states, and a material having high luminous efficiency that converts it to light when excitons are formed desirable.
  • the material used in the organic light emitting device additionally have the following properties.
  • the material used in the organic light emitting device is preferably excellent in thermal stability. This is because joule heating occurs due to the movement of charges in the organic light emitting diode.
  • NPB which is mainly used as a hole transporting material, has a glass transition temperature of 100 ° C. or less, and thus, it is difficult to use in an organic light emitting device requiring a high current.
  • the material used for the organic light emitting device should have an appropriate band gap and HOMO or LUMO energy level.
  • PEDOT PSS, which is currently used as a hole transporting material in organic light emitting devices manufactured by the solution coating method, has a low LUMO energy level compared to the LUMO energy level of the organic material used as the light emitting layer material. There is difficulty.
  • the material used in the organic light emitting device should be excellent in chemical stability, charge mobility, interface characteristics between the electrode and the adjacent layer. That is, the material used in the organic light emitting device should be less deformation of the material by moisture or oxygen. In addition, by having an appropriate hole or electron mobility it should be able to maximize the exciton formation by balancing the density of holes and electrons in the light emitting layer of the organic light emitting device. In addition, for the stability of the device should be able to improve the interface with the electrode containing a metal or metal oxide.
  • a material forming the organic material layer in the device such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc., is supported by a stable and efficient material.
  • a stable and efficient organic material layer for an organic light emitting device has not been sufficiently achieved, and therefore, the development of new materials is continuously required.
  • the present invention is not only excellent in low voltage, high efficiency, long life characteristics, but also to provide an organic light emitting device having a simple manufacturing process.
  • An organic light emitting device comprising an anode, a cathode, and at least one organic material layer disposed between the anode and the cathode,
  • the organic material layer includes a light emitting layer
  • An organic light emitting device including an organic material layer including a compound represented by Formula 1 and an organic material layer including a compound represented by Formula 2 is provided between the anode and the light emitting layer.
  • CY1 and CY2 are the same as or different from each other, and each independently represent a benzene ring or a naphthalene ring,
  • Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; And a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms,
  • Ar4 is a group consisting of a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms. Is selected from,
  • L is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms
  • CY3 to CY4 are the same as or different from each other, and each independently represent a benzene ring or a naphthalene ring,
  • Ar5 to Ar8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; And a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms,
  • At least one of Ar7 and Ar8 is a substituted or unsubstituted fluorene group, or a substituted or unsubstituted naphthyl group,
  • L is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the organic light emitting device includes an exciton blocking layer containing the compound represented by Chemical Formula 1 and thus prevents light leakage due to the exciton being confined in the light emitting layer, thereby achieving an organic electroluminescent device having excellent luminous efficiency.
  • an exciton blocking layer containing the compound represented by Chemical Formula 1 prevents light leakage due to the exciton being confined in the light emitting layer, thereby achieving an organic electroluminescent device having excellent luminous efficiency.
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device consisting of a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8 and a cathode 4. It is.
  • the triplet excitons have a diffusion distance of 100 nm or more, the triplet excitons are out of the light emitting layer having a thickness of 20 to 30 nm, and thus the luminous efficiency may be greatly reduced. Is preferably confined to the light emitting layer.
  • the organic light emitting device includes an anode, a cathode, and one or more organic material layers disposed between the anode and the cathode, the organic material layer includes a light emitting layer, and the compound represented by Formula 1 between the anode and the light emitting layer. It characterized in that it comprises an organic material layer comprising an organic material layer comprising a compound represented by the formula (2) and.
  • a hole transport layer may be included between the anode and the light emitting layer, and the hole transport layer may include a compound represented by Chemical Formula 2.
  • an electron blocking layer may be included between the anode and the light emitting layer, and the electron blocking layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the electron blocking layer may be an organic layer in contact with the emission layer.
  • the electron blocking layer may serve as an exciton blocking layer by including the compound represented by Chemical Formula 1.
  • Ar4 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, and a substituted or unsubstituted carbon of 5 to 30 Heteroaryl groups. That is, in the definition of Ar4, a substituted or unsubstituted fluorene group, and a substituted or unsubstituted naphthalene group are excluded.
  • halogen group examples include fluorine, chlorine, bromine and iodine, but are not limited thereto.
  • the alkyl group may be linear or branched chain, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group and heptyl group, but are not limited thereto. .
  • the alkenyl group may be linear or branched, and specific examples thereof include alkenyl groups to which aryl groups such as stylbenyl and styrenyl are connected, but are not limited thereto.
  • the alkoxy group may include a methoxy group, an ethoxy group, an isopropyloxy group, and the like, but is not limited thereto.
  • the aryl group may be monocyclic or polycyclic.
  • Examples of the monocyclic aryl group include phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, stilbene, and the like.
  • Examples of the polycyclic aryl group include naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrene group, pyrenyl group, perrylenyl group and cry Although a cenyl group, a fluorene group, etc. are mentioned, It is not limited to this.
  • the heteroaryl group is a ring group containing O, N, S or P as a hetero atom
  • examples of the heterocyclic group include carbazole group, thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group and oxa
  • diazole group a triazole group, a pyridyl group, a pyrazine group, a quinolinyl group, an isoquinoline group, an acridil group, and the like, and compounds such as the following structural formulas are preferred, but are not limited thereto.
  • substituted or unsubstituted is deuterium, halogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, silyl, arylalkenyl, aryl, heteroaryl, carbazole, arylamine, aryl It means that it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a fluorenyl group and a nitrile group unsubstituted or substituted with a group or does not have any substituent.
  • CY1 to CY4, L, and Ar1 to Ar8 of Chemical Formulas 1 and 2 may be further substituted with additional substituents, and specific examples thereof may include a halogen group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, a silyl group, an aryl alkenyl group, An aryl group, a heteroaryl group, a carbazole group, an arylamine group, a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group, a nitrile group, etc. may be mentioned, but it is not limited to this.
  • Ar3 is preferably a hydrogen or a phenyl group
  • Ar4 is preferably a phenyl group or a biphenyl group, but is not limited thereto.
  • L is preferably a biphenyl group, but is not limited thereto.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 3 to 5.
  • Ar1 to Ar4, and L are the same as defined in Formula 1,
  • At least one of Ar 7 and Ar 8 is a phenyl group, and the rest are hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may be preferably selected from the group consisting of the following structural formulas, but is not limited thereto.
  • the compound represented by Chemical Formula 2 may be preferably selected from the group consisting of the following structural formulas, but is not limited thereto.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except that one or more organic material layers are formed using the above-described compounds.
  • the compounds represented by Chemical Formulas 1 and 2 may be formed of an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in manufacturing an organic light emitting device.
  • the solution coating method means spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying method, roll coating and the like, but is not limited thereto.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer and the like as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers.
  • the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIG. 1, but is not limited thereto.
  • FIG. 1 illustrates an organic light emitting device in which an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8, and a cathode 4 are sequentially stacked on a substrate 1.
  • the structure is illustrated.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the hole transport layer (6).
  • the organic light emitting device uses a metal vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, and has a metal oxide or a metal oxide or an alloy thereof on a substrate. It can be prepared by depositing an anode to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • PVD metal vapor deposition
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
  • the organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure.
  • the organic layer may be prepared by using a variety of polymer materials, and by using a method such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer, rather than a deposition method. It can be prepared in layers.
  • the anode material a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); A combination of a metal and an oxide such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methyl compound), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) compound] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode material is a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is preferably between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organics, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organics, quinacridone-based organics, and perylene-based Organic compounds, anthraquinones and polyaniline and poly-compounds of conductive polymers, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole transporting material a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to be transferred to the light emitting layer is suitable.
  • a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to be transferred to the light emitting layer is suitable.
  • Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.
  • the light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer preferably comprises a blue fluorescent material or a green phosphorescent material.
  • the electron transporting material is a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring the electrons to the light emitting layer.
  • a material having high mobility to electrons is suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type depending on the material used.
  • the organic light emitting device according to the present invention may have a positive structure in which the lower electrode is an anode and the upper electrode is a cathode, or an inverse structure in which the lower electrode is a cathode and the upper electrode is an anode.
  • the compound according to the present invention may also operate on a similar principle to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors, and the like.
  • the organic light emitting device includes an exciton blocking layer containing the compound represented by Chemical Formula 1 and thus prevents light leakage due to the exciton being confined in the light emitting layer, thereby achieving an organic electroluminescent device having excellent luminous efficiency.
  • an exciton blocking layer containing the compound represented by Chemical Formula 1 prevents light leakage due to the exciton being confined in the light emitting layer, thereby achieving an organic electroluminescent device having excellent luminous efficiency.
  • a glass substrate (corning 7059 glass) coated with ITO (indium tin oxide) with a thickness of 1,000 ⁇ was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned. At this time, Fischer Co. was used as a detergent and Millipore Co. was used as distilled water. Secondly filtered distilled water was used as a filter of the product. After the ITO was washed for 30 minutes, the ultrasonic cleaning was repeated twice with distilled water for 10 minutes. After the distilled water was washed, ultrasonic washing with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol and the like was dried and then transferred to a plasma cleaner. In addition, the substrate was dry-cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • ITO indium tin oxide
  • HAT hexanitrile hexaazatriphenylene
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.3 ⁇ 0.8 ⁇ / sec.
  • the lithium fluoride of the negative electrode maintained a deposition rate of 0.3 kPa / sec and aluminum of 1.5 to 2.5 kPa / sec.
  • the degree of vacuum was maintained at 1 to 3 ⁇ 10 ⁇ 7 .
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula EB-4, which was used as an electron blocking layer in Example 1, was replaced with a compound of Formula EB-5.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 1 was replaced with a compound of Formula HT-2.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 2 was replaced with a compound of Formula HT-2.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 3 was replaced with a compound of Formula HT-2.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 4 was replaced with a compound of Formula HT-2.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 2 was replaced with a compound of Formula HT-3.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 3 was replaced with a compound of Formula HT-3.
  • the driving voltage and the luminous efficiency of the organic light emitting device manufactured by the above-described method were measured at a current density of 10 mA / cm 2 , and the time (LT90) of 90% of the initial luminance at a current density of 20 mA / cm 2 was measured. It was. The results are shown in Table 1 below.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula EB-4, which was used as an electron blocking layer in Example 9, was replaced with a compound of Formula EB-1.
  • Example 1 the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer was substituted with the compound of Formula HT-4, and the compound of Formula EB-4 used as the electron blocking layer was substituted with the compound of Formula EB-1. Except for the same device was manufactured.
  • Example 1 the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer was substituted with the compound of Formula HT-5, and the compound of Formula EB-4 used as the electron blocking layer was substituted with the compound of Formula EB-1. Except for the same device was manufactured.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 1 was replaced with a compound of Formula HT-4.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 2 was replaced with a compound of Formula HT-4.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 3 was replaced with a compound of Formula HT-4.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 4 was replaced with a compound of Formula HT-4.
  • Example 2 The same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 1 was replaced with a compound of Formula HT-5.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 2 was replaced with a compound of Formula HT-5.
  • the same device was manufactured except that the compound of Formula HT-1 used as the hole transport layer in Example 3 was replaced with a compound of Formula HT-5.
  • the driving voltage and the luminous efficiency of the organic light emitting device manufactured by the above-described method were measured at a current density of 10 mA / cm 2 , and the time (LT90) of 90% of the initial luminance at a current density of 20 mA / cm 2 was measured. It was. The results are shown in Table 2 below.
  • the organic light emitting device of Examples 1 to 12 has high luminous efficiency and improved device life, and through this, a fluorene group and a hole transport layer material having a structure in which a fluorene group or a naphthylene group are directly connected to the amine Alternatively, it can be seen that the combination of the electron blocking layer material having a structure in which the naphthalene group is not directly connected to the amine can improve the light emission and life characteristics of the device.

Abstract

본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 엑시톤 차단층을 포함하여 엑시톤이 발광층 내에 가두어져 발광 누수가 방지 되므로, 우수한 발광 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라 종래기술에 비하여 제작공정이 단순하고 경제적일 뿐만 아니라 저전압, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.

Description

유기 발광 소자
본 출원은 2012년 2월 27일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0019965호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 저전압, 고효율, 장수명 특성이 우수하고 제작공정이 단순한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 양극과 음극 사이에 유기물 층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 음극과 양극 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공 주입 물질이나 정공 수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자 주입 물질이나 전자 수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.
첫째로 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 열적 안정성이 우수한 것이 바람직하다. 유기 발광 소자 내에서는 전하들의 이동에 의한 줄열(joule heating)이 발생하기 때문이다. 현재 정공 수송층 물질로 주로 사용되는 NPB는 유리 전이 온도가 100℃ 이하의 값을 가지므로, 높은 전류를 필요로 하는 유기 발광 소자에서는 사용하기 힘든 문제가 있다.
둘째로 저전압 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자 내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 용액 도포법에 의해 제조되는 유기 발광 소자에서 정공 수송 물질로 사용되는 PEDOT : PSS의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물의 LUMO 에너지 준위에 비하여 LUMO 에너지 준위가 낮기 때문에 고효율 장수명의 유기 발광 소자 제조에 어려움이 있다.
이외에도 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.
전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 발명은 저전압, 고효율, 장수명 특성 등이 우수할 뿐만 아니라, 제작공정이 단순한 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은
양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고,
상기 양극과 발광층 사이에는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000001
상기 화학식 1에서,
CY1 및 CY2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 나타내고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
Ar4는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이고,
[화학식 2]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000002
상기 화학식 2에서,
CY3 내지 CY4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 나타내고,
Ar5 내지 Ar8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
Ar7 및 Ar8 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고,
L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 엑시톤 차단층을 포함하여 엑시톤이 발광층 내에 가두어져 발광 누수가 방지 되므로, 우수한 발광 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라 종래기술에 비하여 제작공정이 단순하고 경제적일 뿐만 아니라 저전압, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
유기 발광 소자에 있어서, 발광층의 형성시 삼중항 엑시톤은 확산거리가 100nm 이상으로 길기 때문에 두께가 20 ~ 30nm인 발광층을 벗어나게 되어 발광 효율이 크게 떨어질 수 있기 때문에 적절한 엑시톤 차단층을 사용하여 삼중항 엑시톤을 발광층에 가두는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 양극과 발광층 사이에는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층과 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 양극과 발광층 사이에는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 수송층이 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 양극과 발광층 사이에는 전자 차단층을 포함하고, 상기 전자 차단층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 전자 차단층은 상기 발광층과 접하는 유기물층일 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 전자 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 엑시톤 차단층의 역할을 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1 및 2의 치환기들을 보다 구체적으로 설명하면 하기와 같다.
상기 화학식 1에서, Ar4는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 즉, 상기 Ar4의 정의 중 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 및 치환 또는 비치환된 나프탈렌기는 제외된다.
상기 할로겐기로는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 구체적인 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 연결된 알케닐기가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알콕시기는 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 스틸벤 등을 들 수 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페나트렌기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오렌기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 헤테로아릴기는 이종 원자로 O, N, S 또는 P를 포함하는 고리기로서, 헤테로고리기의 예로는 카바졸기, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 아크리딜기 등이 있으며, 하기 구조식과 같은 화합물들이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2013001577-appb-I000003
또한, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 실릴기, 아릴알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
상기 화학식 1 및 2의 CY1 내지 CY4, L, 및 Ar1 내지 Ar8에는 추가의 치환기로 더 치환될 수 있고, 이들의 구체적인 예로는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 실릴기, 아릴알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 니트릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1에서, CY1 및 CY2가 동시에 벤젠 고리인 경우에는 Ar3은 수소 또는 페닐기이고, Ar4는 페닐기 또는 바이페닐기인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1에서, CY1 및 CY2가 동시에 벤젠 고리인 경우에는 L은 바이페닐기인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000004
[화학식 4]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000005
[화학식 5]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000006
상기 화학식 3 내지 5에서,
Ar1 내지 Ar4, 및 L은 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
Ar7 및 Ar8 중 적어도 하나는 페닐기이고, 나머지는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 페닐기이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2013001577-appb-I000007
Figure PCTKR2013001577-appb-I000008
Figure PCTKR2013001577-appb-I000009
Figure PCTKR2013001577-appb-I000010
Figure PCTKR2013001577-appb-I000011
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2013001577-appb-I000012
Figure PCTKR2013001577-appb-I000013
Figure PCTKR2013001577-appb-I000014
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 수송층(6)에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸화합물의), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)화합물의](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리화합물의 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
특히, 본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 발광층은 블루 형광 물질 또는 그린 인광 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 하부 전극이 양극이고 상부전극이 음극인 정구조일 수 있고, 하부전극이 음극이고 상부전극이 양극인 역구조일 수도 있다.
본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 엑시톤 차단층을 포함하여 엑시톤이 발광층 내에 가두어져 발광 누수가 방지 되므로, 우수한 발광 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라 종래기술에 비하여 제작공정이 단순하고 경제적일 뿐만 아니라 저전압, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
<실시예 1> 유기 발광 소자의 제조
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며 증류수로는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 건식 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 화합물인 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene: 이하 HAT라 함)을 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 박막을 형성하였다. 이 박막에 의하여 기판과 정공 주입층 사이의 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 이어서, 상기 박막 위에 화학식 HT-1의 화합물을 800Å의 두께로 증착하여 정공 수송층을 형성하고, 그 위에 하기 화학식 EB-4의 화합물을 200Å의 두께로 증착하여 전자 차단층을 형성하였다. 이어서, 화학식 PH-1의 화합물에 화학식 PD-1의 화합물을 10 중량% 도핑하여 두께 300Å의 발광층을 형성하였다. 그 위에 화학식 HB-1의 화합물을 50Å의 두께로 증착하여 정공 차단층을 형성하고, 이어서 화학식 ET-1의 전자 수송층 물질을 300Å의 두께로 증착하여 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.3 ~ 0.8 Å/sec로 유지하였다. 또한, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 1.5 ~ 2.5 Å/sec의 증착 속도를 유지하였다. 증착시 진공도는 1 ~ 3 × 10-7로 유지하였다.
Figure PCTKR2013001577-appb-I000015
<실시예 2> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 하기 화학식 EB-5의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[EB-5]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000016
<실시예 3> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 하기 화학식 EB-6의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[EB-6]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000017
<실시예 4> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 하기 화학식 EB-7의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[EB-7]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000018
<실시예 5> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 하기 화학식 HT-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[HT-2]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000019
<실시예 6> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 2에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<실시예 7> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 3에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<실시예 8> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 4에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<실시예 9> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 하기 화학식 HT-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[HT-3]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000020
<실시예 10> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 2에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<실시예 11> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 3에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<실시예 12> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 4에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
상술한 방법으로 제조한 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간(LT90)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000021
<비교예 1> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 하기 화학식 EB-1의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[EB-1]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000022
<비교예 2> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 하기 화학식 EB-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[EB-2]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000023
<비교예 3> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 하기 화학식 EB-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[EB-3]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000024
<비교예 4> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 5에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-1의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 5> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 5에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 6> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 5에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 7> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 9에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-1의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 8> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 9에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 9> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 9에서 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 10> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 하기 화학식 HT-4의 화합물로 치환하고, 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-1의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[HT-4]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000025
<비교예 11> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-4의 화합물로 치환하고, 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 12> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-4의 화합물로 치환하고, 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 13> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 하기 화학식 HT-5의 화합물로 치환하고, 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-1의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[HT-5]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000026
<비교예 14> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-5의 화합물로 치환하고, 전자차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-2의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 15> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-5의 화합물로 치환하고, 전자 차단층으로 사용한 화학식 EB-4의 화합물을 화학식 EB-3의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 16> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-4의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 17> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 2에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-4의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 18> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 3에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-4의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 19> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 4에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-4의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 20> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-5의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 21> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 2에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-5의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 22> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 3에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-5의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
<비교예 23> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 4에서 정공 전달층으로 사용한 화학식 HT-1의 화합물을 화학식 HT-5의 화합물로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
상술한 방법으로 제조한 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간(LT90)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure PCTKR2013001577-appb-I000027
실시예 1 내지 12의 유기 발광 소자가 발광 효율이 높고, 소자 수명이 개선되는 것을 확인할 수 있고, 이를 통하여 플루오렌기 또는 나프틸렌기가 아민에 직접 연결되는 구조는 갖는 정공 전달층 재료와 플루오렌기 또는 나프탈렌기가 아민에 직접 연결되지 않는 구조를 갖는 전자 차단층 재료의 조합을 통해 소자의 발광 및 수명 특성을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.

Claims (9)

  1. 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고,
    상기 양극과 발광층 사이에는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000028
    상기 화학식 1에서,
    CY1 및 CY2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 나타내고,
    Ar1 내지 Ar3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    Ar4는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이고,
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000029
    상기 화학식 2에서,
    CY3 내지 CY4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 나타내고,
    Ar5 내지 Ar8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    Ar7 및 Ar8 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고,
    L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 양극과 발광층 사이에는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 수송층이 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 양극과 발광층 사이에는 전자 차단층을 포함하고, 상기 전자 차단층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 전자 차단층은 상기 발광층과 접하는 유기물층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 CY1 및 CY2가 동시에 벤젠 고리이고, Ar3은 수소 또는 페닐기이며, Ar4는 페닐기 또는 바이페닐기인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 CY1 및 CY2가 동시에 벤젠 고리이고, L은 바이페닐기인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    [화학식 3]
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000030
    [화학식 4]
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000031
    [화학식 5]
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000032
    상기 화학식 3 내지 5에서,
    Ar1 내지 Ar4, 및 L은 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
    Ar7 및 Ar8 중 적어도 하나는 페닐기이고, 나머지는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 페닐기이다.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000033
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000034
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000035
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000036
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000037
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000038
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000039
    Figure PCTKR2013001577-appb-I000040
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