CN103827257B - 有机发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机发光二极管及其制造方法。本发明的有机发光二极管包括含有由化学式1所表示的化合物的激子阻挡层以将激子限制于发光层内从而防止光泄露，并且因此具有能够使有机电致发光器件具有优异的发光效率的优点。因此，与根据现有技术制造的相比，所述有机发光二极管可以具有更简单并且更经济的制造方法，并且可以具有低电压、高效率和长寿命。
Description
技术领域
本申请要求2012年2月27日在KIPO提交的第10-2012-0019965号韩国专利申请的优先权，其公开内容全文以引用的方式纳入本申请。
本发明涉及一种有机发光二极管。更具体而言，本发明涉及具有包括低电压、高效率和长寿命和制造方法简单的优异特性的有机发光二极管。
背景技术
有机发光现象是通过特定有机分子的内部过程而将电流转化为可见光的实例。有机发光现象基于以下原理。当将有机材料层置于阳极和阴极之间时，如果在两个电极之间施加电压，则电子和空穴由阴极和阳极注入至有机材料层。注入至有机材料层的电子和空穴再结合以形成激子，然后激子还原为基态而发光。使用该原理的有机发光二极管通常可以由阴极、阳极和置于两者之间的有机材料层组成，所述有机材料层例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。
有机发光二极管中使用的材料主要为纯的有机材料或其中有机材料和金属形成络合物的络合化合物，并且根据其目的可以分类为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。在此，具有P-型特性的有机材料，即容易氧化并且在有机材料被氧化时电化学稳定的有机材料，主要用作空穴注入材料或空穴传输材料。同时，具有n-型特性的有机材料，即容易还原并且在有机材料被还原时电化学稳定的有机材料，主要用作电子注入材料或电子传输材料。作为发光层材料，优选同时具有p-型和n-型特性的材料，即当材料被氧化和被还原时稳定的材料，并且优选当形成激子时具有高的将激子转化为光的发光效率的材料。
此外，优选在有机发光二极管中使用的材料还具有以下特性。
首先，优选在有机发光二极管中使用的材料具有优异的热稳定性。这是因为在有机发光二极管中通过电荷移动而产生焦耳热。近来，作为空穴传输层材料主要使用的是NPB，其玻璃化转变温度为100℃或更低，并且因此存在在需要高电流的有机发光二极管中难以使用NPB的问题。
第二，注入至有机发光二极管的空穴或电子必须平稳地传输至发光层，并且注入的空穴和电子一定不能逸出到发光层外以获得能够在低电压下驱动并且具有高效率的有机发光二极管。为此，在有机发光二极管中使用的材料应具有合适的带隙和HOMO能级或LUMO能级。在目前通过溶液涂覆方法制造的有机发光二极管中，由于用作空穴传输材料的PEDOT:PSS与用作发光层材料的有机材料相比LUMO能级低，因此难以制造具有高效率和长寿命的有机发光二极管。
此外，在有机发光二极管中使用的材料应当具有优异的化学稳定性、电荷迁移率和与电极或相邻层的界面特性。即，在有机发光二极管中使用的材料应遇湿气或氧气几乎不变形。此外，应确保合适的空穴或电子迁移率以使有机发光二极管的发光层中的空穴和电子的密度平衡，由此使激子的形成最大化。此外，应当与含有金属或金属氧化物的电极具有良好的界面以保证二极管的稳定性。
为充分显示出上述有机发光二极管的优异特性，在二极管中形成有机材料层的材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等应事先被稳定的和高效的材料所支持，但是目前仍未充分地开发出用于有机发光二极管的稳定的和高效的有机材料层材料，以致仍需要开发新材料。
发明内容
技术问题
本发明致力于提供具有包括低电压、高效率和长寿命和制造方法简单的优异特性的有机发光二极管。
技术方案
本发明的一个示例性的实施方案提供包括阳极、阴极和一层或多层置于阳极和阴极之间的有机材料层的有机发光二极管，
其中有机材料层包括发光层，并且
含有以下式1所表示的化合物的有机材料层和含有以下式2所表示的化合物的有机材料层包括于阳极和发光层之间。
[式1]
式1中，
CY1和CY2相同或彼此不同，并且各自独立地代表苯环或萘环，
Ar1至Ar3相同或彼此不同，并且各自独立地选自氢；具有6至30个碳原子的取代的或未取代的芳基；和具有5至30个碳原子的取代的或未取代的杂芳基，
Ar4选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的三亚苯基，和具有5至30个碳原子的取代或未取代的杂芳基，
L为具有6至30个碳原子的取代或未取代的亚芳基，
[式2]
式2中，
CY3至CY4相同或彼此不同，并且各自独立地代表苯环或萘环，
Ar5至Ar8相同或彼此不同，并且各自独立地选自氢；具有6至30个碳原子的取代的或未取代的芳基；和具有5至30个碳原子的取代的或未取代的杂芳基，
Ar7和Ar8至少一个为取代或未取代的芴基或取代或未取代的萘基，并且
L为具有6至30个碳原子的取代的或未取代的亚芳基。
有益效果
本发明的有机发光二极管包括含有由式1所表示的化合物的激子阻挡层以将激子限制于发光层以防止发光泄露，并且因此存在实现具有优异的发光效率的有机电致发光二极管的效果。因此，与相关技术相比，可以实现具有简单和经济的制造方法、低电压、高效率和长寿命的有机发光二极管。
附图说明
图1示出由基底1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层7、电子传输层8和阴极4形成的有机发光二极管的实例。
最佳实施方式
在下文中，更详细描述本发明。
在有机发光二极管中，当形成发光层时，由于三重激子的扩散距离为100nm或更长（这是很长的），三重激子偏离出厚度为20至30nm的发光层从而大大降低发光效率，并且因此优选通过使用合适的激子阻挡层而将三重激子限制于发光层。
本发明的有机发光二极管包括阳极、阴极、一层或多层置于阳极和阴极之间的有机材料层，其中有机材料层包括发光层，并且含有由式1所表示的化合物的有机材料层和含有由式2所表示的化合物的有机材料层包括于阳极和发光层之间。
在本发明的有机发光二极管中，空穴传输层可以包括于阳极和发光层之间，并且可以包括由式2所表示的化合物。
在本发明的有机发光二极管中，电子阻挡层可以包括于阳极和发光层之间，并且可以包括由式1所表示的化合物。
在该情况下，电子阻挡层可以为与发光层接触的有机材料层。
在本发明的有机发光二极管中，电子阻挡层可以通过含有式1所表示的化合物而作为激子阻挡层。
在本发明的有机发光二极管中，以下更详细描述式1和式2的取代基。
在式1中，Ar4选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的三亚苯基，和具有5至30个碳原子的取代或未取代的杂芳基。即，在Ar4定义中，排除取代或未取代的芴基，和取代或未取代的萘基。
卤素基团的实例可以包括氟、氯、溴、碘等，但是不限于此。
烷基可以为直链或支链，并且其具体的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基等，但是不限于此。
链烯基可以为直链或支链，并且其具体的实例包括连接至芳基的链烯基如均二苯乙烯基（stylbenyl group）和苯乙烯基（styrenyl group），但是不限于此。
烷氧基的实例可以包括甲氧基、乙氧基、异丙氧基等，但是不限于此。
芳基可以为单环型或多环型。单环芳基的实例可以包括苯基、联苯基、三联苯基、芪基等，多环芳基的实例可以包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基（cryxenyl group）、芴基等，但是不限于此。
杂芳基为杂原子和含有O、N、S或P的环状基团，杂环基的实例包括咔唑基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基（acrydyl group）等，且优选具有以下结构式的化合物，但是不限于此。
此外，在本说明书中，术语“取代或未取代的”是指被一个或多个取代基取代，所述取代基选自重氢、卤素基团、烷基、链烯基、烷氧基、甲硅烷基、芳基链烯基、芳基、杂芳基、咔唑基、芳基胺基以及被芳基取代或未被取代的芴基和腈基，或不存在取代基。
式1和2中的CY1至CY4、L和Ar1至Ar8还可以被另外的取代基所取代，并且其具体的实例可以包括卤素基团、烷基、链烯基、烷氧基、甲硅烷基、芳基链烯基、芳基、杂芳基、咔唑基、芳基胺基、被芳基取代或未被取代的芴基、腈基等，但是不限于此。
在式1中，在CY1和CY2均为苯环的情况下，Ar3优选为氢或苯基并且Ar4优选为苯基或联苯基，但是Ar3和Ar4不限于此。
在式1中，在CY1和CY2均为苯环的情况下，L优选为联苯基，但是不限于此。
由式1所表示的化合物可以由以下式3至5中任一个所表示。
[式3]
[式4]
[式5]
在式3至式5中，
Ar1至Ar4，和L如式1所定义，并且
Ar7和Ar8中至少一个为苯基，并且另一个为氢、具有1至10个碳原子的取代的或未取代的烷基，或苯基。
式1所表示的化合物优选选自以下结构式，但是不限于此。
式2所表示的化合物优选选自以下结构式，但是不限于此。
除通过使用上述化合物形成一层或多层有机材料层之外，根据本发明的有机发光二极管可以通过常规的有机发光二极管的制造方法和材料而制造。
当制造有机发光二极管时，由式1和式2所表示的化合物可以通过真空沉积方法和溶液涂覆方法而形成有机材料层。在此，溶液涂覆方法是指旋涂法、浸涂法、喷墨印刷法、筛网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但是不限于此。
本发明有机发光二极管的有机材料层可以具有单层结构，或两层或多层有机材料层层压的多层结构。例如，本发明有机发光二极管可以具有含有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机材料层的结构。然而，有机发光二极管的结构不限于此，而是可以包括更少数量的有机材料层。
例如，本发明有机发光二极管的结构可以具有图1所表示的结构，但是不限于此。
图1示出了有机发光二极管的结构，其中阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层7、电子传输层8和阴极4顺序层压在基底1上。在上述结构中，式1所表示的化合物可以包括于空穴传输层6中。
例如，根据本发明的有机发光二极管可以通过以下方式而制造：通过使用PVD（物理气相沉积）方法如溅射法或电子束蒸发法而使具有导电性的金属、金属氧化物或其合金沉积在基底上以形成阳极，在其上形成含有空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层，并且将可以用作阴极的材料沉积于其上。除上述方法外，有机发光二极管可以通过将阴极材料、有机材料层和阳极材料顺序沉积于基底上而制造。
有机材料层可以具有含有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等的多层结构，但是不限于此并且可以具有单层结构。此外，可以通过使用各种聚合物材料并且不使用沉积方法而是使用溶剂方法如旋涂法、浸涂法、刮涂法、筛网印刷法、喷墨印刷法或热转移法而制造具有更少层数的有机材料层。
一般而言，优选阳极材料为具有大的功函数的材料以平稳地将空穴注入至有机材料层。可以用于本发明的阳极材料的具体的实例包括金属如钒、铬、铜、锌和金或其合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)，和氧化铟锌(IZO)；金属和氧化物的结合如ZnO:Al或SnO2:Sb；导电聚合物如聚(3-甲基化合物)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)化合物](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺等，但是不限于此。
一般而言，优选阴极材料为具有小的功函数的材料以容易地将电子注入至有机材料层。阴极材料的具体的实例包括金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅，或其合金；多层结构材料如LiF/Al或LiO2/Al等，但是不限于此。
空穴注入材料为在低电压下可以良好地接收来自阳极的空穴的材料，并且优选空穴注入材料的HOMO（最高占有分子轨道）值介于阳极材料功函数与周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体的实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲（hexanitrilehexaazatriphenylene）的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、聚苯胺、基于聚化合物的导电聚合物等，但是不限于此。
空穴传输材料为可以接收来自阳极或空穴注入层的空穴并且将空穴传输至发光层的材料，并且优选为具有大的空穴迁移率的材料。其具体的实例包括基于芳胺的有机材料、导电聚合物、同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但是不限于此。
发光材料为可以接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子，并且将空穴和电子结合以在可见光范围内发光的材料，并且优选对荧光或磷光具有良好的量子效率的材料。其具体的实例包括8-羟基-喹啉铝络合物(Alq3)；基于咔唑的化合物；二聚苯乙烯基化合物；Balq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；基于苯并噁唑、苯并噻唑和苯并咪唑的化合物；基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)的聚合物；螺化合物；和聚芴、红荧烯(rubrene)等，但是不限于此。
特别地，在本发明有机发光二极管中，优选发光层包括蓝色荧光材料或绿色磷光材料。
电子传输材料为可以良好地接收来自阴极的电子并将电子传输至发光层的材料，并且优选为具有大的电子迁移率的材料。其具体的实例包括8-羟基喹啉Al络合物；包含Alq3的络合物；有机基团化合物；羟基黄酮-金属络合物等，但是不限于此。
根据使用的材料，本发明的有机发光二极管可以为顶部发光型、底部发光型或为双侧发光型。此外，本发明的有机发光二极管可以具有下部电极为阳极并且上部电极为阴极的正极结构，或下部电极为阴极并且上部电极为阳极的负极结构。
本发明的化合物甚至可以在有机电子二极管如有机太阳能电池、有机光电导体，和基于与适用有机发光二极管的原理类似的原理的有机晶体管中起作用。
本发明的有机发光二极管包括含有由式1所表示的化合物的激子阻挡层以将激子限制于发光层以防止发光泄露，并且因此存在实现具有优异的发光效率的有机电致发光二极管的效果。因此，与相关技术相比可以实现具有简单的和经济的制造方法、低电压、高效率和长寿命的有机发光二极管。
本发明实施方式
在下文中，描述优选的实施例以辅助理解本发明。然而，提出以下实施例用于解释本发明，但是本发明的范围不限于此。
实施例
<实施例1>制造有机发光二极管
将其上涂覆有厚度为的ITO（氧化铟锡）薄膜的玻璃基底（康宁（corning）7059玻璃）浸入其中溶有去污剂的蒸馏水中，然后使用超声波清洗。在该情况下，此处所用的去污剂是由Fischer Co.市售可得的产品，并且蒸馏水是使用由Millipore Co.市售可得的过滤器二次过滤的蒸馏水。将ITO清洗30分钟，然后通过使用蒸馏水反复进行超声波清洗两次，每次10分钟。用蒸馏水清洗完成后，通过使用溶剂如异丙醇、丙酮和甲醇进行超声波清洗，并且将所得的产品干燥并且传输至等离子体清洗机。此外，基底通过使用氧气等离子体干洗5分钟，并且然后传输至真空沉积机。
下式化合物的六腈六氮杂苯并菲（在下文中，称为“HAT”）在热真空下以的厚度沉积于制备的ITO透明电极上以形成薄膜。基底与空穴注入层之间的界面特性可以通过薄膜而提高。随后，式HT-1化合物以800的厚度沉积于薄膜上以形成空穴透明层，并且下式EB-4化合物以的厚度沉积于空穴透明层上以形成电子阻挡层。随后，将10重量%式PD-1化合物掺杂至PH-1化合物以形成厚度为的发光层。式HB-1化合物以的厚度沉积于发光层上以形成空穴阻挡层，并且随后，式ET-1电子传输层材料以的厚度沉积以形成电子传输层。厚度为的氟化锂(LiF)和厚度为的铝顺序沉积于电子传输层上以形成阴极。
在上述方法中，有机材料的沉积速率保持为0.3至秒。此外，阴极的氟化锂的沉积速率保持为并且铝的沉积速率保持为1.5至/秒。在沉积过程中真空度保持为1至3×10-7。
<实施例2>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被以下式EB-5化合物所替代。
<实施例3>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被以下式EB-6化合物所替代。
<实施例4>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被以下式EB-7化合物所替代。
<实施例5>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被以下式HT-2化合物所替代。
<实施例6>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例2中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-2化合物所替代。
<实施例7>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例3中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-2化合物所替代。
<实施例8>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例4中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-2化合物所替代。
<实施例9>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被以下式HT-3化合物所替代。
<实施例10>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例2中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-3化合物所替代。
<实施例11>制造有机发光二极管制造相同的二极管，不同之处在于实施例3中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-3化合物所替代。
<实施例12>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例4中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-3化合物所替代。
通过上述方法制造的有机发光二极管的驱动电压和发光效率在电流强度为10mA/cm2下测量，并且在电流强度为20mA/cm2下测量亮度为初始亮度90%的时间(LT90)。结果记录于以下表1中。
[表1]
<对比实施例1>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被以下式EB-1化合物所替代。
<对比实施例2>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被以下式EB-2化合物所替代。
<对比实施例3>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被以下式EB-3化合物所替代。
<对比实施例4>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例5中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-1化合物所替代。
<对比实施例5>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例5中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-2化合物所替代。
<对比实施例6>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例5中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-3化合物所替代。
<对比实施例7>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例9中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-1化合物所替代。
<对比实施例8>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例9中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-2化合物所替代。
<对比实施例9>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例9中用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-3化合物所替代。
<对比实施例10>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被以下式HT-4化合物所替代并且用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-1化合物所替代。
<对比实施例11>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-4化合物所替代并且用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-2化合物所替代。
<对比实施例12>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-4化合物所替代并且用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-3化合物所替代。
<对比实施例13>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被以下式HT-5化合物所替代并且用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-1化合物所替代。
<对比实施例14>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-5化合物所替代并且用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-2化合物所替代。
<对比实施例15>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-5化合物所替代并且用作电子阻挡层的式EB-4化合物被式EB-3化合物所替代。
<对比实施例16>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-4化合物所替代。
<对比实施例17>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例2中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-4化合物所替代。
<对比实施例18>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例3中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-4化合物所替代。
<对比实施例19>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例4中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-4化合物所替代。
<对比实施例20>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例1中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-5化合物所替代。
<对比实施例21>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例2中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-5化合物所替代。
<对比实施例22>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例3中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-5化合物所替代。
<对比实施例23>制造有机发光二极管
制造相同的二极管，不同之处在于实施例4中用作空穴传输层的式HT-1化合物被式HT-5化合物所替代。
通过上述方法制造的有机发光二极管的驱动电压和发光效率在电流强度为10mA/cm2下测量，并且在电流强度为20mA/cm2下测量亮度为初始亮度90%的时间(LT90)。结果记录于以下表2中。
[表2]
可以确定实施例1至12的有机发光二极管具有高的发光效率和改善的二极管寿命，并且通过此，可以确定二极管的发光和寿命特性可以通过将具有芴基或萘基直接连接至胺的结构的空穴传输层材料和具有芴基或萘基未直接连接至胺的结构的电子阻挡层材料结合而改善。
Claims (6)
1.一种有机发光二极管，其含有阳极、阴极和一层或多层置于阳极和阴极之间的有机材料层，
其中有机材料层包括发光层，
含有以下式1所表示的化合物的有机材料层和含有以下式2所表示的化合物的有机材料层包括于阳极和发光层之间，
包括式2所表示的化合物的有机材料层是空穴传输层，
包括式1所表示的化合物的有机材料层是电子阻挡层，
电子阻挡层为与发光层接触的有机材料层：
[式1]
其中，
CY1和CY2相同或彼此不同，并且各自独立地代表苯环或萘环，
Ar1至Ar3相同或彼此不同，并且各自独立地选自氢；和具有6至30个碳原子的取代的或未取代的芳基，
Ar4选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、和取代或未取代的三亚苯基，
L为具有6至30个碳原子的取代或未取代的亚芳基，
[式2]
其中，
CY3至CY4相同或彼此不同，并且各自独立地代表苯环或萘环，
Ar5至Ar8相同或彼此不同，并且各自独立地选自氢；和具有6至30个碳原子的取代的或未取代的芳基，
Ar7和Ar8至少一个为取代或未取代的芴基或取代或未取代的萘基，并且
L为具有6至30个碳原子的取代的或未取代的亚芳基。
2.权利要求1的有机发光二极管，其中式1的CY1和CY2均为苯环，Ar3为氢或苯基，并且Ar4为苯基或联苯基。
3.权利要求1的有机发光二极管，其中式1的CY1和CY2均为苯环，并且L为亚联苯基。
4.权利要求1的有机发光二极管，其中式1所表示的化合物由以下式3至5中任一个所表示：
[式3]
[式4]
[式5]
其中，
Ar1至Ar4、和L如式1所定义，并且
Ar7和Ar8中至少一个为苯基，并且另一个为氢、具有1至10个碳原子的取代的或未取代的烷基、或苯基。
5.权利要求1的有机发光二极管，其中式1所表示的化合物选自以下结构式：
6.权利要求1的有机发光二极管，其中式2所表示的化合物选自以下结构式：
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