CN107118111B - 一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用，涉及有机光电材料技术领域。该化合物是一种以芴的衍生物作为母核结构，并以芳香胺对芴的9位进行修饰，得到的一系列芳香胺衍生物。该类化合物结构稳定，成膜性能优良，具有更高的光取出效率和较好的空穴传输能力，可作为光取出层用于OLED器件中，也还可以同时作为空穴传输层进行应用，不仅能够提高OLED器件的发光效率，还能够有效节约成本。本发明还提供一种芳香胺衍生物的制备方法，该制备方法简单、原料易得。

Description

一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是一种新型的平面显示器件，它具有节能、响应速度快、颜色稳定、环境适应性强、无辐射、材料选择范围宽、驱动电压低、发光效率和发光亮度高、视角宽、寿命长、质量轻、制作过程相对简单、费用低等特点，同时它可以使显示设备实现超薄化、柔性化，符合现在绿色环保的科技发展主题，因此在过去的近20年里得到了迅速的发展，并且被普遍认为将是下一代显示器件的主流。由于近几年光电通讯和多媒体领域的迅速发展，有机光电材料已成为现在社会信息和电子产业的核心。然而，采用现有的发光材料制造的有机电致发光装置仍存在一些不足之处，例如发光效率仍有待提高。
有机电致发光的器件结构主要由电极、空穴传输层、发光层、电子传输层等部分组成，虽然其发光效率已经比其他发光器件(例如LED、TFT等)的发光效率要高出很多，其内量子效率已经接近100％，但是外量子效率却仅在20％左右。研究发现，在传统器件结构中引入光取出层，可以改变OLED器件的表面折射率，同时去除基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素对光的限制，从而减少光的损失，提高器件的光取出效率，在一定程度上提高了OLED的发光效率。但是可作为光取出层的材料种类有限，目前急需OLED工作者们研发出更多种类的光取出材料。
发明内容
有鉴于此，本发明为解决现有技术中光取出材料不能满足OLED性能要求的技术问题，而提供一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用。
本发明提供了一种芳香胺衍生物，结构式如式(I)所示：
其中，Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6-C24的芳基或取代或未取代的C6-C24的杂芳基。
优选的，Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6-C18的芳基或取代或未取代的C6-C18的杂芳基。
更进一步优选的，所述芳香胺衍生物选自TM1-TM32中的任意一种：
本发明还提供一种所述芳香胺衍生物的制备方法，包括：
将中间体(D)与含Ar1取代基的芳香胺化合物反应，得到中间体(E)；然后将中间体(E)与含Ar2取代基的溴化物反应，得到式(I)所示的芳香胺衍生物：
其中，Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6-C24的芳基或取代或未取代的C6-C24的杂芳基。
本发明还提供了上述芳香胺衍生物在有机电致发光器件中的应用。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、有机物层和光取出层；所述光取出层中含有所述的芳香胺衍生物。
优选的，所述有机物层中含有空穴传输层；光取出层和空穴传输层同时含有所述的芳香胺衍生物。
本发明还提供一种显示装置，含有所述有机电致发光器件。
本发明的有益效果：
本发明提供一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用，所述芳香胺衍生物具有式(Ⅰ)所示结构，其结构稳定、成膜性能优良，作为光取出材料用于OLED器件上，可以改善半透射电极的透过率，降低金属电极的表面等离子体效应，同时可以调节出光方向和出光效率，提高OLED器件的外量子效率，从而能够有效提高器件的发光效率，使可见光范围内透过率达80％以上。所述芳香胺衍生物还具有较好的空穴传输能力，可以同时应用于有机物层的空穴传输层中，不仅可以提高器件的发光效率，还能节约成本。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的阐述，但本发明并不限于以下实施方式。
本发明首先提供一种芳香胺衍生物，结构式(I)如下：
其中，Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6-C24的芳基或取代或未取代的C6-C24的杂芳基。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，例如可选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替换得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，例如可选自吡啶基、喹啉基、咔唑基、噻吩基、苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咪唑基或苯并咪唑基等，但不限于此。
按照本发明，所述取代的芳基和取代的杂芳基中，所述取代基优选自卤素、氰基、C1-C10的烷基、C1-C10的烷氧基、C6-C12的芳基或C5-C12杂环基中的一种或几种，更优选为F、氰基、C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基、C6-C12的芳基或C5-C12杂环基中的一种或几种，所述取代基的个数优选为1或2个，这些取代基可任选地进一步被选自这类基团的取代基取代。
按照本发明，所述Ar1、Ar2优选为独立地选自取代或未取代的C6-C18的芳基或取代或取代或未取代的C6-C18的杂芳基；更优选的，Ar1、Ar2可独立的选自如下结构：
具体的，所述芳香胺衍生物优选选自如下TM1-TM32所示结构中的任意一种：
本发明还提供了所述芳香胺衍生物的制备方法，包括：
以1,3-二溴-2-(2,6-二溴苯基)苯为起始原料，与氯甲酸甲酯反应得到中间体(A)；中间体(A)经过还原反应，得到中间体(B)；将中间体(B)甲烷基化得到中间体(C)；中间体(C)与二溴甲烷发生成环反应，得到中间体(D)：
将中间体(D)与含Ar1取代基的芳香胺化合物反应，得到中间体(E)；然后将中间体(E)与含Ar2取代基的溴化物反应，即可得到式(I)所示的芳香胺衍生物：
其中，Ar1、Ar2为取代或未取代的C6-C24的芳基或取代或未取代的C6-C24的杂芳基。
本发明对上述各类反应没有特殊的限制，采用本领域技术人员所熟知的反应即可，该制备方法简单，原料易得。
本发明进一步提供了所述的芳香胺衍生物在有机电致发光器件中的应用。优选所述的有机电致发光器件包括阳极、阴极、有机物层和光取出层，所述光取出层中含有所述的芳香胺衍生物；所述有机物层优选包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；更优选所述有机层中含有空穴传输层，所述光取出层和空穴传输层同时含有所述的芳香胺衍生物。
采用的器件结构优选的，具体为：ITO透明玻璃作为阳极；NPB或所述芳香胺衍生物(TM1-TM32中的任意一种)作为空穴传输层；TCTA作为发光层，或作为主体材料与磷光材料掺杂(掺杂的质量浓度为0.5～30.0％)作为发光层；TPBI作为电子传输层；Al层作为阴极；所述的芳香胺衍生物(TM1-TM32中的任意一种)作为光取出层蒸镀在上述阴极上。上述器件采用了本发明所述的芳香胺衍生物(TM1-TM32中的任意一种)作为光取出层或同时作为光取出层和空穴传输层，较传统器件发光效率得到了显著提高：上述器件的发光效率在42cd/A～53cd/A之间，而传统器件的发光效率为30cd/A。
所述有机电致发光器件可用于平板显示器、照明光源、指示牌、信号灯等应用领域。
本发明更进一步提供了一种显示装置，包括所述的有机电致发光器件。
通过以下实施例，更详尽地解释本发明，但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上，本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物。
实施例1：中间体A的制备
将65g(140mmol)的1,3-二溴-2-(2,6-二溴苯基)苯和16g(168mmol)的氯甲酸甲酯溶于120ml的无水四氢呋喃中，然后滴加140ml的正丁基锂1.6M正己烷溶液，室温搅拌过夜。反应结束后，抽滤，并用乙醇洗涤，烘干，得到固体38g(112mmol)，即为中间体A，产率为78％。
实施例2：中间体B的制备
将38g(112mmol)中间体A加入剧烈搅拌中的600ml甲苯和1200ml乙醇混合溶液中，加入29ml(590mmol)水合肼，然后加入1.8g雷尼镍，加热回流2小时。冷却至室温，减压蒸馏除去溶剂，将残留物溶于590ml温热的氯仿中，通过硅胶过滤得到澄清溶液，浓缩溶液至59ml，加入177ml乙醇，将混合物静置12小时，抽滤得到晶体，在氯仿/乙醇中重结晶两次，得到36g(109mmol)中间体B，产率98％。
实施例3：中间体C的制备
将36g(109mmol)的中间体B溶于570ml干燥的DMSO中，加入42g(434mmol)的叔丁醇钠，加热至80℃，逐滴加入62g(434mmol)的碘甲烷(滴加过程中控制温度不超过90℃，时间约为30分钟)，保持此温度30分钟。反应结束后将混合体系倒入1400ml的冰水中，并搅拌约20分钟，抽滤，并用190ml水和190ml甲醇依次洗涤，烘干，得到37g(104mmol)的中间体C，产率96％。
实施例4：中间体D的制备
将37g(104mmol)中间体C和19g(104mmol)二溴甲烷加入450ml甲苯中，然后加入40g(416mmol)叔丁醇钠和4.8g(5.2mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，加热至65℃，反应18小时。反应结束后，抽滤，减压蒸馏，将残留物在氯仿/乙醇中重结晶两次，得到35g(98mmol)中间体D，产率94％。
实施例5：中间体E-1的制备
氩气氛下，向中间体D(7.1g，20mmol)、苯胺(3.8g，40mmol)、叔丁醇钠(7.6g，80mmol)中添加脱水甲苯200ml，进行搅拌，然后添加醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦(0.08g，0.4mmol)，加热至80℃，反应8小时。反应结束后，冷却至室温，将反应体系通过硅藻土/硅胶过滤，滤液通过减压蒸馏除去溶剂，所剩残渣在甲苯中进行重结晶，过滤，干燥，得到6.4g中间体E-1，产率82％。
实施例6：中间体E-2的制备
将实施例5中的苯胺替换成为等摩尔量的对苯基苯胺，其他步骤均与实施例5相同，得到中间体E-2。
实施例7：中间体E-3的制备
将实施例5中的苯胺替换成为等摩尔量的对甲基苯胺，其他步骤均与实施例5相同，得到中间体E-3。
实施例8：中间体E-4的制备
将实施例5中的苯胺替换成为等摩尔量的1-氨基-3,5-二甲苯，其他步骤均与实施例5相同，得到中间体E-4。
实施例9：中间体E-5的制备
将实施例5中的苯胺替换成为等摩尔量的对甲氧基苯胺，其他步骤均与实施例5相同，得到中间体E-5。
实施例10：中间体E-6的制备
将实施例5中的苯胺替换成为等摩尔量的1-萘胺，其他步骤均与实施例5相同，得到中间体E-6。
实施例11：中间体E-7的制备
将实施例5中的苯胺替换成为等摩尔量的2-萘胺，其他步骤均与实施例5相同，得到中间体E-7。
实施例12：化合物TM1的制备
在氩气氛下，向中间体E-1(3.9g，10mmol)、溴苯(3.2g，20mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.28g，0.3mmol)、四氟硼酸三叔丁基膦(0.17g，0.6mmol)、叔丁醇钠(3.8g，40mmol)中加入100ml的无水二甲苯，加热回流8小时。反应结束后，冷却至室温，通过硅藻土/硅胶过滤，将滤液浓缩，所得残渣过硅胶柱，通过减压蒸馏除去有机溶剂，所得固体在甲苯中重结晶，得到固体3g(产率78％)，即为化合物TM1。质谱m/z：540.35(计算值：540.26)。理论元素含量(％)C40H32N2：C,88.85；H,5.97；N,5.18。实测元素含量(％)：C,88.87；H,5.93；N,5.14。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例13：化合物TM2的制备
将实施例12中的溴苯替换成为等摩尔量的4-溴代联苯，其他步骤均与实施例12相同，得到化合物TM2。质谱m/z：692.41(计算值：692.32)。理论元素含量(％)C52H40N2：C,90.14；H,5.82；N,4.04。实测元素含量(％)：C,90.15；H,5.78；N,4.02。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例14：化合物TM3的制备
将实施例13中的中间体E-1替换成为等摩尔量的中间体E-2，其他步骤均与实施例13相同，得到化合物TM3。质谱m/z：844.61(计算值：844.38)。理论元素含量(％)C64H48N2：C,90.96；H,5.73；N,3.31。实测元素含量(％)：C,90.88；H,5.67；N,3.29。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例15：化合物TM4的制备
将实施例12中的溴苯替换成为等摩尔量的4-(4-溴苯基)-二苯并呋喃，其他步骤均与实施例12相同，得到化合物TM4。质谱m/z：872.53(计算值：872.34)。理论元素含量(％)C64H44N2O2：C,88.05；H,5.08；N,3.21；O,3.67。实测元素含量(％)：C,88.08；H,5.03；N,3.17；O,3.66。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例16：化合物TM5的制备
将实施例13中的溴苯替换成为等摩尔量的3-溴联苯，其他步骤均与实施例13相同，得到化合物TM5。质谱m/z：844.49(计算值：844.38)。理论元素含量(％)C64H48N2：C,90.96；H,5.73；N,3.31。实测元素含量(％)：C,90.84；H,5.68；N,3.27。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例17：化合物TM6的制备
将实施例13中的溴苯替换成为等摩尔量的2-溴联苯，其他步骤均与实施例13相同，得到化合物TM6。质谱m/z：844.53(计算值：844.38)。理论元素含量(％)C64H48N2：C,90.96；H,5.73；N,3.31。实测元素含量(％)：C,90.87；H,5.69；N,3.26。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例18：化合物TM7的制备
将实施例12中的中间体E-1替换为等摩尔量的中间体E-3，并将溴苯替换成为等摩尔量的对溴甲苯，其他步骤均与实施例12相同，得到化合物TM7。质谱m/z：596.43(计算值：596.32)。理论元素含量(％)C44H40N2：C,88.55；H,6.76；N,4.69。实测元素含量(％)：C,88.46；H,6.72；N,4.65。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例19：化合物TM8的制备
将实施例12中的溴苯替换成为等摩尔量的对溴甲苯，其他步骤均与实施例12相同，得到化合物TM8。质谱m/z：568.31(计算值：568.29)。理论元素含量(％)C42H36N2：C,88.69；H,6.38；N,4.93。实测元素含量(％)：C,88.67；H,6.33；N,4.86。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例20：化合物TM9的制备
将实施例14中的溴苯替换成为等摩尔量的1-溴-3,5二苯基苯，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM9。质谱m/z：996.57(计算值：996.44)。理论元素含量(％)C76H56N2：C,91.53；H,5.66；N,2.81。实测元素含量(％)：C,91.48；H,5.57；N,2.73。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例21：化合物TM10的制备
将实施例12中的中间体E-1替换成为等摩尔量的中间体E-4，并将溴苯替换为等摩尔量的3,5-二甲基溴苯，其他步骤均与实施例12相同，得到化合物TM10。质谱m/z：652.41(计算值：652.38)。理论元素含量(％)C48H48N2：C,88.30；H,7.41；N,4.29。实测元素含量(％)：C,88.26；H,7.33；N,4.24。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例22：化合物TM11的制备
将实施例12中的中间体E-1替换成为等摩尔量的中间体E-5，并将溴苯替换为等摩尔量的对甲氧基溴苯，其他步骤均与实施例12相同，得到化合物TM11。质谱m/z：660.43(计算值：660.30)。理论元素含量(％)C44H40N2O4：C,79.97；H,6.10；N,4.24；O,9.68。实测元素含量(％)：C,79.93；H,6.06；N,4.22；O,9.61。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例23：化合物TM12的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的4-溴二苯并呋喃，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM12。质谱m/z：872.45(计算值：872.34)。理论元素含量(％)C64H44N2O2：C,88.05；H,5.08；N,3.21；O,3.67。实测元素含量(％)：C,87.98；H,4.96；N,3.17；O,3.64。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例24：化合物TM13的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的3-溴二苯并[B,D]呋喃，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM13。质谱m/z：872.44(计算值：872.34)。理论元素含量(％)C64H44N2O2：C,88.05；H,5.08；N,3.21；O,3.67。实测元素含量(％)：C,87.93；H,4.97；N,3.18；O,3.63。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例25：化合物TM14的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的1-溴二苯并呋喃，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM14。质谱m/z：872.51(计算值：872.34)。理论元素含量(％)C64H44N2O2：C,88.05；H,5.08；N,3.21；O,3.67。实测元素含量(％)：C,87.98；H,4.96；N,3.17；O,3.58。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例26：化合物TM15的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的4-(4-溴苯基)-二苯并呋喃，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM15。质谱m/z：1024.49(计算值：1024.40)。理论元素含量(％)C76H52N2O2：C,89.03；H,5.11；N,2.73；O,3.12。实测元素含量(％)：C,88.96；H,5.08；N,2.66；O,3.07。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例27：化合物TM16的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的9,9-二甲基-2-溴芴，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM16。质谱m/z：924.51(计算值：924.44)。理论元素含量(％)C70H56N2：C,90.87；H,6.10；N,3.03。实测元素含量(％)：C,90.83；H,6.05；N,2.97。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例28：化合物TM17的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的3-溴-N-苯基咔唑，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM17。质谱m/z：1022.56(计算值：1022.43)。理论元素含量(％)C76H54N4：C,89.21；H,5.32；N,5.48。实测元素含量(％)：C,89.11；H,5.28；N,5.43。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例29：化合物TM18的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的4-溴二苯并噻吩，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM18。质谱m/z：904.36(计算值：904.29)。理论元素含量(％)C64H44N2S2：C,84.92；H,4.90；N,3.09；S,7.08。实测元素含量(％)：C,84.88；H,4.84；N,3.01；S,6.93。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例30：化合物TM19的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的3-溴二苯并噻吩，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM19。质谱m/z：904.38(计算值：904.29)。理论元素含量(％)C64H44N2S2：C,84.92；H,4.90；N,3.09；S,7.08。实测元素含量(％)：C,84.86；H,4.83；N,3.02；S,7.03。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例31：化合物TM20的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的4-溴-4'-甲氧基联苯，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM20。质谱m/z：904.33(计算值：904.40)。理论元素含量(％)C66H52N2O2：C,87.58；H,5.79；N,3.09；O,3.54。实测元素含量(％)：C,87.53；H,5.77；N,3.01；O,3.47。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例32：化合物TM21的制备
将实施例18中的对溴甲苯替换成为等摩尔量的4-(4-溴苯基)-二苯并呋喃，其他步骤均与实施例18相同，得到化合物TM21。质谱m/z：900.47(计算值：900.37)。理论元素含量(％)C66H48N2O2：C,87.97；H,5.37；N,3.11；O,3.55。实测元素含量(％)：C,87.93；H,5.31；N,3.01；O,3.49。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例32：化合物TM22的制备
将实施例14中的溴苯替换成为等摩尔量的4-(4-溴苯基)二苯并噻吩，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM22。质谱m/z：1056.50(计算值：1056.36)。理论元素含量(％)C76H52N2S2：C,86.33；H,4.96；N,2.65；S,6.06。实测元素含量(％)：C,86.27；H,4.92；N,2.57；S,6.05。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例33：化合物TM23的制备
将实施例14中的溴苯替换成为等摩尔量的2-溴-9-苯基-9H-咔唑，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM23。质谱m/z：1022.57(计算值：1022.43)。理论元素含量(％)C76H54N4：C,89.21；H,5.32；N,5.48。实测元素含量(％)：C,89.18；H,5.26；N,5.42。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例34：化合物TM24的制备
将实施例14中的溴苯替换成为等摩尔量的4-溴苯腈，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM24。质谱m/z：742.45(计算值：742.31)。理论元素含量(％)C54H38N4：C,87.30；H,5.16；N,7.54。实测元素含量(％)：C,87.24；H,5.11；N,7.46。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例35：化合物TM25的制备
将实施例14中的溴苯替换成为等摩尔量的对溴氟苯，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM25。质谱m/z：728.51(计算值：728.30)。理论元素含量(％)C52H38F2N2：C,85.69；H,5.26；F,5.21；N,3.84。实测元素含量(％)：C,85.63；H,5.21；F,5.18；N,3.76。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例36：化合物TM26的制备
将实施例14中的溴苯替换成为等摩尔量的1-溴化萘，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM26。质谱m/z：792.46(计算值：792.35)。理论元素含量(％)C60H44N2：C,90.87；H,5.59；N,3.53。实测元素含量(％)：C,90.85；H,5.53；N,3.47。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例37：化合物TM27的制备
将实施例32中的中间体E-2替换成为等摩尔量的中间体E-6，其他步骤均与实施例32相同，得到化合物TM27。质谱m/z：1004.42(计算值：1004.33)。理论元素含量(％)C72H48N2S2：C,86.02；H,4.81；N,2.79；S,6.38。实测元素含量(％)：C,85.96；H,4.78；N,2.73；S,6.32。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例38：化合物TM28的制备
将实施例37中的4-(4-溴苯基)二苯并噻吩替换成为等摩尔量的4-(4-溴苯基)二本并呋喃，其他步骤均与实施例37相同，得到化合物TM28。质谱m/z：972.51(计算值：972.37)。理论元素含量(％)C72H48N2O2：C,88.86；H,4.97；N,2.88；O,3.29。实测元素含量(％)：C,88.81；H,4.93；N,2.84；O,3.22。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例39：化合物TM29的制备
将实施例14中的4-溴代联苯替换成为等摩尔量的2-溴代萘，其他步骤均与实施例14相同，得到化合物TM29。质谱m/z：792.27(计算值：792.35)。理论元素含量(％)C60H44N2：C,90.87；H,5.59；N,3.53。实测元素含量(％)：C,90.83；H,5.52；N,3.47。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例40：化合物TM30的制备
将实施例24中的中间体E-2替换成为等摩尔量的中间体E-7，其他步骤均与实施例24相同，得到化合物TM30。质谱m/z：820.44(计算值：820.31)。理论元素含量(％)C60H40N2O2：C,87.78；H,4.91；N,3.41；O,3.90。实测元素含量(％)：C,87.73；H,4.85；N,3.36；O,3.85。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例41：化合物TM31的制备
将实施例40中的3-溴二苯并[B,D]呋喃替换成为等摩尔量的3-溴二苯并噻吩，其他步骤均与实施例40相同，得到化合物TM31。质谱m/z：852.19(计算值：852.26)。理论元素含量(％)C60H40N2S2：C,84.47；H,4.73；N,3.28；S,7.52。实测元素含量(％)：C,84.42；H,4.67；N,3.23；S,7.44。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例42：化合物TM32的制备
将实施例40中的3-溴二苯并[B,D]呋喃替换成为等摩尔量的2-溴-9-苯基-9H-咔唑，其他步骤均与实施例40相同，得到化合物TM32。质谱m/z：970.33(计算值：970.40)。理论元素含量(％)C72H50N4：C,89.04；H,5.19；N,5.77。实测元素含量(％)：C,88.93；H,5.15；N,5.73。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例43：发光器件1的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为60nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀化合物TM3作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。该器件发光效率为32cd/A。
实施例44：发光器件2的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为60nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀化合物TM15作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。该器件发光效率为35cd/A。
实施例45：发光器件3的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为60nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀化合物TM19作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。该器件发光效率为33cd/A。
实施例46：发光器件4的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为60nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀化合物TM23作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。该器件发光效率为34cd/A。
实施例47：发光器件5的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀化合物TM3作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为60nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀化合物TM3作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。该器件发光效率为36cd/A。
对比实施例：发光器件6的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为60nm。最后在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。该器件发光效率为30cd/A。
发光器件 发光效率(cd/A)
1 17.9
2 20.1
3 18.5
4 19.3
5 16.7
6 15.4
以上结果表明，本发明的芳香胺衍生物作为光取出层材料，应用于有机电致发光器件中，发光效率高，是性能良好的有机发光材料。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (5)

1.一种芳香胺衍生物，其特征在于，所述的芳香胺衍生物选自TM1-TM32中的任意一种：
。
2.权利要求1所述的芳香胺衍生物在有机电致发光器件中的应用。
3.根据权利要求2所述的芳香胺衍生物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、有机物层和光取出层；所述光取出层中含有权利要求1中所述的芳香胺衍生物。
4.根据权利要求3所述的芳香胺衍生物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述有机物层含有空穴传输层；所述光取出层和空穴传输层中同时含有权利要求1中所述的芳香胺衍生物。
5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求2-4中任一项所述的有机电致发光器件。
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