TW200527421A - Phase-change information recording medium and process for producing the same, sputtering target, method for using phase-change information recording medium and optical recorder - Google Patents

Phase-change information recording medium and process for producing the same, sputtering target, method for using phase-change information recording medium and optical recorder Download PDF

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TW200527421A
TW200527421A TW093123518A TW93123518A TW200527421A TW 200527421 A TW200527421 A TW 200527421A TW 093123518 A TW093123518 A TW 093123518A TW 93123518 A TW93123518 A TW 93123518A TW 200527421 A TW200527421 A TW 200527421A
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Hiroshi Deguchi
Masaki Kato
Mikiko Abe
Hiroyoshi Sekiguchi
Makoto Harigaya
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Description

200527421 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於可利用照射雷射光使構成相變化記錄層 之材料產生光學變化，而可執行資訊之記錄、再生、刪除 、以及重寫之至少其中之一之相變化型資訊記錄媒體（以 下亦稱.爲「相變化型光資訊記錄媒體」、「光記錄媒體」 、「光資訊記錄媒體」、「資訊記錄媒體」）及該相變化 型資訊記錄媒體之製造方法、濺鍍靶、以及相變化型資訊 記錄媒體之使用方法及光記錄裝置。 【先前技術】 現在，DVD系之記錄層材料方面，開發以2.5倍速（ 約8.5m/s)之速度進行記錄之系統，然而，卻進一步要以 更高速來進行記錄。因此，針對各種相變化記錄層材料之 檢討亦積極進行。例如，分別有人提出AglnSbTe系材料（ 參照專利文獻1)、GeGaSbTe系材料（參照專利文獻2)、 GelnSbTe系材料（參照專利文獻3)、以及InSbSn系材料（ 參照專利文獻4及5 )等。 其中，DVD + RW所使用之相變化記錄層材料，係改 良以往即使用於CD-RW之 AglnSbTe系材料，而實現高 線速之記錄及刪除者。此A g I n S b T e系材料爲了對應高線 速記錄區域之記錄速度，Sb之含有量大於對應Cd-RW之 記錄材料。然而’高Sb組成比之材料之晶化速度雖然較 快，卻有晶化溫度降低之問題。晶化溫度降低會導致儲存 -5- 200527421 (2) 信賴性之惡化係大家所熟知。此相變化型資訊記錄媒體之 儲存信賴性之問題，利用增加相變化記錄層記錄材料中之 Ag、或添加Ge等之第5元素，至DVD4倍速媒體爲止可 將其抑制於不會造成實用問題之程度。然而，若爲了達成 更高線速記錄而增加S b量，則晶化溫度會急速下降，而 使非晶標示之安定性極度惡化。因此，推測使用 AglnSbTe系材料之局速|己錄媒體之貫用化界限應爲DVD4 倍速程度。 另一方面，亦檢討使用GaSb系材料做爲4倍速以上 之高速記錄用材料。此GaSb系材料除了可實施高速記錄 以外，尙具有優良儲存信賴性。然而，GaSb系材料因爲 融點高達600 °C，而有記錄感度較低，在實施高速記錄時 需要高功率之缺點。又，利用GaSb系材料實現高速化時 ，必須利用增加Sb量來加快晶化速度速。然而，Sb量爲 90原子％以上時，Sb會產生分相，而有起始晶化無法均 一執行之問題。起始晶化若無法均一執行，則從首次記錄 開始至1 〇次左右之重複記錄爲止之初期記錄特性會顯著 惡化，而有無法實用化之課題。 因此，以現狀而言，並不存在起始晶化容易、在和 DVD-ROM相同容量下以記錄線速爲1 0倍速以上之高線速 度執行記錄時具有良好記錄感度、以及可重複記錄並具有 優良儲存信賴性之相變化型資訊記錄媒體及其關連技術， 因此，企望能儘快提供前述相關記錄媒體及其相關技術。 [專利文獻1]日本特開2000·339751號公報 200527421 (3) [專利文獻2]日本特開2〇〇2_225437號公報 [專利文獻3]日本特開2002-264515號公報 [專利文獻4]日本特開平9_2 8 6 1 74號公報 [專利文獻5]日本特開平9_2 8 6 1 75號公報 【發明內容】 本發明之目的係在提供一種相變化型資訊記錄媒體、 及以製造該相變化型資訊記錄媒體爲目的之濺鍍靶，起始 晶化十分容易，在和DVD-ROM相同之容量下，以記錄線 速爲1 〇倍速以上之高線速度執行記錄時具有良好記錄感 度，可重複記錄並具有優良儲存信賴性。 又，以 CAV(Constant Angular Velocity:旋轉數一定 )記錄方式將資訊記錄於相變化型資訊記錄媒體時，因爲 記錄線速會因爲半徑位置而不同，故需要在廣泛記錄線速 區域具有良好重複記錄特性之相變化型資訊記錄媒體。因 此，本發明之目的即在提供一種相變化型資訊記錄媒體及 以製造該相變化型資訊記錄媒體爲目的之濺鍍靶、以及相 變化型資訊記錄媒體之使用方法及光記錄裝置，在和 DVD-ROM相同之容量下，在廣泛記錄線速區域具有良好 重複記錄特性。 爲了解決前述課題，本發明者經過審慎檢討，結果， 發現以下之事實，若採用以Sn、Sb、Ga、及Ge爲主要成 份（90原子％以上）之合金做爲構成相變化記錄層之材料’ 可得到良好感度（融點低於GaSb系），例如，採用波長爲 200527421 (4) 660nm、透鏡 ΝΑ = 0·65之 DVD系之記錄系統時，在約 3 5 m/s以上之記錄速度可獲得充分之記錄感度、以及良好 之重寫特性及儲存信賴性，故可提供一種相變化型資訊記 錄媒體，在與DVD-ROM相同之容量下，在廣泛記錄線速 區域具有良好重複記錄特性。 本發明係本發明者依據前述發現所提出之以解決前述 課題爲目的之手段，其內容如下所示。 <1>一種相變化型資訊記錄媒體，其特徵爲具有：基 板；及至少依序或依相反順序配設於該基板上之第1保護 層、相變化記錄層、第2保護層、及反射層；且，前述相 變化記錄層係由下述式1所表示之組成所構成。該< 1 >之 相變化型資訊記錄媒體時，因爲相變化記錄層係由下述式 1所表示之組成所構成，故可獲得具有優良儲存安定性、 在和DVD-ROM相同容量下可以記錄線速爲DVD之3倍 速以上之記錄線速實現重複記錄之相變化型資訊記錄媒體 (式1)
Sna Sb>s Ga7 Ge§Tef -Xr 但，前述式1中，X係表示從Ag、Zn、In、及Cii選 取之至少1元素。αf、7、δ、ε、及C係表示各元 素之組成比率（原子％)，分別爲5 $ α $ 25、40 $ /3 $ 91 、2^7$20、2$δ^20、0$ε$10、及 且 -8- 200527421 (5) α + 冷 +7 +δ+ε + f =100。 <2>相變化記錄層係由下述式1所表示之組成所構成 之前述< 1 >之相變化型資訊記錄媒體。該<2>之相變化型 資訊記錄媒體時’因爲相變化記錄層係由下述式1所表示 之組成所構成，可獲得在和DVD-ROM相同容量下可以記 錄線速爲DVD之10倍速以上之記錄線速實現良好重複記 錄之相變化型資訊記錄媒體。 (式1) S η、S b/s G a r G e δ T e e - X r 但，前述式1中，X係表示和上述相同之意思。a、 yS、r、（5、ε 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子％) ，分別爲 5$α$20、40$;5^85、5$7‘20、5$δ$ 20、0 ^ ε ^ 7 ' 及 0S ( $7，且 〇 < 3 >相變化記錄層係由下述式1所表示之組成所構成 之前述<2>之相變化型資訊記錄媒體。該<3>之相變化型 資訊記錄媒體時，因爲相變化記錄層係由下述式1所表示 之組成所構成，可獲得以DVD之3倍速至8倍速之線速 實現良好重複記錄之資訊記錄媒體。又’因爲在廣泛記錄 線速區域可獲得良好重複記錄’故可以利用記錄線速會因 爲半徑位置而不同之CAV(旋轉速度一定方式）將資訊記錄 於相變化型資訊記錄媒體。 -9 - 200527421 (6) (式i)
Sn a Sb^ Gar Ge5Te£ -Xr 但，前述式1中，X係表示和上述相同之意思。a、 一 /5、7 、6、£ 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子％) 、 ，分別爲 10$α$20、50$^$80、5$7$15、5$δ$ 15、0 ^ ε $7、及 0S Γ $7，且 α+/5+τ+δ+ε+Γ=1〇〇 <4〉相變化記錄層係由下述式2所表示之組成所構成 之前述<1>至<3>之其中任一項之相變化型資訊記錄媒體 (式2)
Sna Sb^ Gar Ge§
但，前述式2中，α、y5、T、及5係表示各元素之 組成比率（原子％)，分別爲5 ‘ α $ 25、40 ‘泠‘ 91、2 $ r $2〇、及 2$δ^2〇，且 a+yg+r+5 + = ioo。 < 5 >相變化記錄層係由下述式2所表示之組成所構成 之前述<4>之相變化型資訊記錄媒體。 (式2)
Sria Sb^ G3.r Oc§ -10- 200527421 (7) 但，前述式2中，α、θ、r、及<5係表示各元素之 組成比率（原子％)，分別爲5S a S 20、40S /3 S 85、5$ 7 $20、及 5$δ$20，且 α+;3+7+δ + =100。 <6>相變化記錄層係由下述式2所表示之組成所構成 之前述<5>之相變化型資訊記錄媒體。 (式2)
Sn〇 Sb/s Gar Geg 但，前述式2中，α、A、7、及5係表示各兀素之 組成比率（原子％)，分別爲1〇‘ α ‘ 20、50‘冷S 80、5 $ 7 $15、及 5$δ$15，且 α+/3+τ+δ + =100。 <7>相變化記錄層會因爲雷射光之照射而產生可逆相 變化來用以執行資訊之記錄、再生、刪除、及重寫之至少 其中之一之前述<1>至<6>之其中任一項之相變化型資訊 記錄媒體。 <8>第1保護層之膜厚爲tKnm)、相變化記錄層之膜 厚爲t2(nm)、第2保護層之膜厚爲t3(nm)、反射層之膜厚 爲t4(nm)、及雷射光之波長爲A(nm)時，滿足下式0.070 ^t]/A ^0.160' 0.015^ t2/A 0.032 ^ 0.005^ ί3/λ ^0.040 、及0.100S t4/又之關係之前述<7>之相變化型資訊記錄 媒體。該<8>之相變化型資訊記錄媒體時，第1保護層、 相變化記錄層、第2保護層、及反射層之適當膜厚範圍可 利用與雷射波長又（nm)之關係來規定，只要決定相變化型 -11 - 200527421 (8) 資訊記錄媒體之記錄再生所使用之雷射光波長’即可依據 前述諸式來選擇適當膜厚範圍進行媒體設計。 <9>第1保護層及第2保護層含有ZnS及Si02之混合 物之前述<1>至<8>之其中任一項之相變化型資訊記錄媒 _ 體。 ， <1〇>反射層含有Ag及Ag合金之其中之一之前述<1> 至<9>之其中任一項之相變化型資訊記錄媒體。 <11>相變化記錄層及第1保護層之間具有界面層之前 φ 述<1：>至<1〇>之其中任一項之相變化型資訊記錄媒體。 <12>界面層含有Si〇2，該界面層之厚度爲2〜l〇nm 之前述<11 >之相變化型資訊記錄媒體。 <13>第2保護層及反射層之間具有第3保護層之前述 <1>至<12>之其中任一項之相變化型資訊記錄媒體。 <14>一種濺鍍靶’其特徵爲：由下述式1所表示之組 成所構成，使用於相變化記錄層之製造。 (式1)
SiiaSb/sGarGesTef-Xr 但，前述式1中，X係表示從Ag、Zn、In、及Cl!選 取之至少1元素。^、0、7、5、£、及（係表示各元 、 素之組成比率（原子％)，分別爲5 S α $ 25、40 ^沒$ 91 、2^Τ^20、2^δ$20、0^ε^10、及 5^:^1〇，且 α + /? +7 +δ+ε + f =1〇〇。 -12- 200527421 (9) <15〉由下述式1所表示之組成所構成之前述<14>之 濺鍍靶。 (式1)
Sna Sb/5 Gar GesTe£ -Xr 但，前述式1中，X係表示和上述相同之意思。a、 冷、7 、5、ε 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子％) ，分別爲 5$aS20、40SySS85、5Sr$20、5g5S 20、0 ^ ε ^ 7 ' 及 0 ‘ C ‘ 7，且 α+^+7+δ+ε+(=100 〇 <16>由下述式1 ’所表示之組成所構成之前述<15>之 濺鍍靶。 (式1)
Sna Sb 石 Gar Ge5Te£ -Xr 但，前述式1中，X係表示和上述相同之意思。α、 冷、7 、（5、ε 、及r係表示各元素之組成比率（原子％) ，分別爲 10$aS20、50S/3S80、5Sr$15、5S5 $15、0S ε $7、及 0‘Γ^7，且 a+yS+r+δ+ε+Γ = 100° < 1 7>由下述式2所表示之組成所構成，使用於相變化 記錄層之製造之前述<14>至<16>之其中任一項之濺鍍靶 -13- 200527421 (10) (式2) 但，前述式2中，a、/3、7 、及6係表示各元素之 組成比率（原子％)，分別爲5S a S 25、40$ Θ S 91、2$ 7*$20、及2^6$20，且 a+yS+7+5 = 100。 <18>由下述式2所表示之組成所構成之前述〈17>之 濺鍍靶。 (式2)
Sna Sb^ Gar G e δ 但，前述式2中，α、/3、7、及6係表示各元素之 組成比率（原子。/〇)，分別爲5 S α ‘ 20、40 SS 85、5 ‘ r $20、及 5$ 5 ^20，且 a+y5+r+5 = 100。 <19>由下述式2所表示之組成所構成之前述<18>之 濺鍍靶。 (式2)
Sn« Sb/s Ga r Ge5 但，前述式2中’ a、/3、r、及（5係表示各元素之 -14- 200527421 (11) 組成比率（原子％)，分別爲10 € a S 20、50 S万$ 80、5 S 7 $15、及 5$ 5 $15，且 α+/5+7+δ = 100。 <20>—種相變化記錄媒體之製造方法，係用以製造基 板上至少依序或依相反順序配設著第1保護層、相變化記 錄層、第2保護層、及反射層之相變化型資訊記錄媒體， •其特徵爲，含有用以利用前述<14>至<19>之其中任一項 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層之相變化記錄層形成 步驟。 <2 1>含有使相變化型資訊記錄媒體以10〜21 m/s之範 圍内之一定線速度旋轉並以功率密度爲15〜40mW//z m2 實施起始晶化之起始晶化步驟之前述<20>之相變化型資訊 記錄媒體之製造方法。 <22>—種相變化型資訊記錄媒體之使用方法，其特徵 爲：從前述<1 1>至<13>之其中任一項之相變化型資訊記 錄媒體之第1保護層側照射雷射光來用以執行資訊之記錄 、再生、删除、及重寫之至少其中之一。 <2 3 >—種光記錄裝置，係利用光源對相變化型資訊記 錄媒體照射雷射光來對該相變化型資訊記錄媒體執行資訊 之記錄、再生、刪除、及重寫之至少其中之一，其特徵爲 :前述相變化型資訊記錄媒體係前述<1>至<13>之其中任 一項之相變化型資訊記錄媒體。 本發明之相變化型資訊記錄媒體之使用方法係利用對 前述本發明之相變化型資訊記錄媒體照射雷射光來執行資 訊之記錄、再生、刪除、及重寫之至少其中之一。結果， -15- 200527421 (12) 可有效率地實現安定且確實之資訊之記錄、再生、刪除、 及重寫之其中之一。 本發明之光記錄裝置在利用光源對相變化型資訊記錄 媒體照射雷射光來對該相變化型資訊記錄媒體執行資訊之 記錄、再生、刪除、及重寫之至少其中之一之光記錄裝置 時，可將本發明之相變化型資訊記錄媒體當做前述相變化 型資訊記錄媒體使用。本發明之光記錄裝置時，可安定且 確實執行資訊之記錄、再生、刪除、及重寫之至少其中之 【實施方式.】 (相變化型資訊記錄媒體） 本發明之相變化型資訊記錄媒體具有：基板；及至少 依序或依相反順序配設於該基板上之第1保護層、相變化 記錄層、第2保護層、及反射層；且，必要時，具有其他 層。此時，前述相變化型資訊記錄媒體係利用從第1保護 層側照射雷射光來用以執行資訊之記錄、再生、刪除、及 重寫之至少其中之一。 本發明時，爲了實現優良儲存安定性、在和DVD-ROM相同容量下可以記錄線速爲DVD之3倍速以上之記 錄線速實現重複記錄，前述相變化記錄層必須由下述式.1 所表示之組成所構成。 200527421 (13) (式l)
Sn〇 Sbys Gar GesTef -Xr 但，前述式1中，X係表示從Ag、Zn、In、及Cu選 取之至少1元素。α、/3、7、5ε 、及r係表示各元 素之組成比率（原子％)，分別爲 5 $ a S 25、40 $ 0 $ 91 、2^τ‘20、2^(5^20、〇^ε^ΐ〇、及 0$Γ^1〇, 且 α+/3+7 +δ+ε + f=100。 此時，前述相變化記錄層最好能由下述式2所表示之 組成所構成。 (式2)
Sna Sbyg Gar Ges 但，前述式2中，α、卢、7、及（5係表示各元素之 組成比率（原子％)，分別爲5$ a S 25、40$ /3 S 91、2$ r $20、及 2$ (5 €20，且 a+/3+r+5 = 100。 此時，因爲Sn5()Sb5()化合物之融點爲較低之42 5 °C且 晶化速度極快，應可能可以實現記錄感度良好之高速記錄 媒體。然而，因爲Sn5()Sb5()化合物之晶化速度極快，甚至 在室溫時應會晶化，故現在之DVD + RW用評估裝置無法 使其非晶化，故無法單獨使用 SnsoSbso化合物做爲 DVD + RW之相變化記錄層。因此，以Sn5GSb5()化合物爲 母相進行組成改良，探索可重複記錄且具有優良儲存安定 -17- 200527421 (14) 性之材料。結果，同時對Sn5()Sb5()化合物添加具有可使晶 化較爲容易且使非晶化較爲容易之效果之Ga、及具有儲 存安定性之效果之Ge之2種類，可提供可重複記錄且具 有優良儲存安定性之光記錄媒體。只添加Ga時，長期保 存後，晶相之反射率會降低，儲存安定性評估項目之一之 儲架特性（長期間放置後之記錄再生特性）會惡化。另一方 面，只添加Ge時，非晶標示長度會產生誤差，而無法獲 得良好之抖動特性。 又’因爲Ga及Ge具有減緩Sn5〇Sb5〇化合物之晶化 速度之效果，故調整Ga + Ge之原子％可改變晶化速度。例 如，Ga + Ge = 20原子％以上時，低速之記錄特性特別良好 ，相對於此，Ga + Ge=10〜15原子％之範圍時，8倍速以上 之高速記錄特性特別良好。 因此，前述相變化記錄層係由下述式1所表示之組成 所構成。因此，可獲得具有優良儲存安定性、實現在和 DVD-ROM相同容量下可以記錄線速爲DVD之3倍速以上 之記錄線速執行重複記錄之相變化型資訊記錄媒體。 (式1)
Sna Sb；s Ga7 GesTe^ -Xr 但，前述式1中，X係表示從Ag、Zn、In、及Cu選 取之至少1元素。α、/3、r、6£ 、及（係表示各元 素之組成比率（原子％)，分別爲5 S α € 2 5、4 0 $冷$ 9 1 -18- 200527421 (15) 、2^r$20、2^5^20、0$ε^10、及 Ο^Γ^ΙΟ, 且 a + /3 +7 +δ+5 + f =100。 此時，前述（3：、石、7、6、6、及：分別爲 ^ 20 ^ 40 ^ β ^ 85 ' 5 ^ r ^ 20 > 5S ά $20、 0 ^ ε $7、 及 0S Γ $7 且 α+/3+7+δ+ε+(=100 更佳。 前述α、冷、τ、5、ε、及Γ分別爲1〇$α$20 、50S/3S80、5Sr$15、5$5S15、0SeS7、及 0 $ Γ $7 且 α+/3+7+δ+£+(=100 最好。 又，前述相變化記錄層最好係由下述式2所表示之組 成所構成。 (式2)
Sn a Sb/9 Gar Ges 但，前述式1中，a、/3、r、及6係表示各元素之 組成比率（原子％)，分別爲5 g a S 25、40 $ /3 S 91、2 S 7 2^5^20» 且 α+石 +7+δ = 100。 此時，前述α 、石、r 、及占分別爲 5SaS20、40 S /3 $85、5S r $20、及 5S 5 $20 且 a+yS + 7+5 = 100 更佳。 前述α 、/3 、7 、及占分別爲 l〇Sa$20、50S/3 $80、5S 7 $15、及 5$ <5 $15 且 α+/3+γ+δ = 100 最佳 〇 前述式1及式2所表示之組成中，Sn若爲5原子％ -19- 200527421 (16) 以下，則融點會變高而降低感度，Sn若超過25原子％， 則晶化速度會太快而無法非晶化。又，Sb若爲4〇原子％ 以下，則融點會變高而降低感度。另一方面，Sb若超過 9 1原子％，則非晶標示之儲存信賴性會降低。又，Ga及 Ge若爲2原子％以下，則儲存信賴性會降低。另一方面， Ga及Ge若超過20原子％，則晶化溫度會過高而難以實 現起始晶化。 又，相變化記錄層應添加從Ag、Zn、In、及Cu選取 之至少1元素。可使其具有更佳之儲存信賴性。這些元素 之添加量應爲〇〜1 〇原子％，最好爲〇〜7原子％。前述添 加量若超過1 〇原子％，則晶化溫度會過高而難以實現起 始晶化。 又，相變化記錄層應進一步添加Te。Te之添加量應 爲0〜1 0原子％，最好爲〇〜7原子％。可使起始晶化更爲 容易而容易得到均一之結晶狀態，可降低初次至1 〇次程 度爲止之重複記錄所導致之抖動上昇。 又，本發明時，若第1保護層之膜厚爲t^nm)、相變 化記錄層之膜厚爲t2(nm)、第2保護層之膜厚爲t3(nm)、 反射層之膜厚爲t4(nm)、及雷射光之波長；I (nm)，應滿足 下式 O.iHOSq/AS 0.160、0.015$ ί2/λ$ 0.032、0.005 ί3/λ $0.040、及 0.100St4/A 之關係。 以波長630〜680 nm之DVD系爲例，爲了保持DVD· ROM之再生相容性，光記錄媒體之反射率必須爲18%以 上。爲了滿足上述光學條件，例如，以相變化記錄層及第 -20- 200527421 (17) 1保護層之膜厚爲主來進行控制，並使第2保護層及反射 層之膜厚位於滿足上述膜厚條件之範圍即可。前述相變化 記錄層之膜厚若太薄，則記錄層之光吸收能力會降低，膜 厚若太厚，則記錄感度會降低。因此，相變化記錄層之膜 厚應爲〇.〇15St2/A S0.032之範圍。 此處，將前述相變化記錄層之膜厚設定成0 . 〇 1 5 S t2/ 又^〇.〇32之範圍，滿足上述光學條件之第1保護層之膜 厚條件除了 0.070 S t"又$ 0.160之第1膜厚範圍以外， 尙有膜厚較大之第2膜厚範圍及第3膜厚範圍。然而，前 .述第2及第3膜厚範圍之膜厚若大於第1膜厚範圍，貝IJ 1 片之製造時間會變長，故從相變化型資訊記錄媒體之製造 觀點而言，第1膜厚範圍有利於低成本碟片之實現。因此 ，第1保護層之膜厚在雷射光之波長爲λ時，應滿足下式 O.CHOStWA $0.160 之關係。 又，第2保護層除了具有暫時蓄積上述相變化型資訊 記錄媒體内所吸收之光能（吸收主體爲相變化記錄層材料） 之熱鬆弛所產生之熱之機能以外，尙具有將其傳送至反射 層並進行散熱之機能。因此，第2保護層應不要太厚，最 好爲0.00 5 S t3/ λ S 0·〇4〇。若大於前述厚度，則相變化記 錄層會蓄積熱而使記錄標示變得模糊，進而導致記錄特性 降低，尤其是抖動特性變差。，前述抖動特性係利用相對 於通道週期Tw之標示邊緣之誤差or /Tw來進行評估。另 一方面，前述第2保護層之膜厚若小於前述厚度，則會蓄 積相變化記錄層吸收之光能，在成爲可發揮熔解相變化記 -21 - 200527421 (18) 錄層來形成記錄標示之相變化記錄原理之熱量之前，已被 散熱至反射層，會產生無法獲得充分記錄特性之問題。 又，因爲雷射光束之功率密度會因爲記錄系統所使用 之波長而改變，故必須變更前述第2保護層之膜厚，然而 ，只要使膜厚位於滿足前述光學膜厚之條件之範圍内即可 解決。此點亦可應用於其他層之膜厚條件。 其次，參照本發明之相變化型資訊記錄媒體之層構成 之實例圖面進行說明。 第1圖係本發明之相變化型資訊記錄媒體之實例之槪 略剖面圖，係由基板1、以及依序積層於該基板1上之第 1保護層2、相變化記錄層3、第2保護層4、第3保護層 5、及反射層6所構成。又，圖上未標示，相變化記錄層 3及第1保護層2之間最好具有界面層。此外，亦可以利 用旋轉塗布在反射層上形成由紫外線（UV)硬化樹脂所構成 之保護層，或者，配合需要，在該保護層上貼合以進一步 補強或保護相變化型資訊記錄媒體爲目的之其他基板。 -基板- 前述基板上之材料通常係採用玻璃、陶瓷、及樹脂等 ，然而，以成形性及成本之觀點而言，以樹脂型基板爲佳 。該樹脂可以爲例如聚碳酸酯樹脂、丙烯樹脂、環氧樹脂 、聚苯乙烯樹脂、丙烯-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚 丙烯樹脂、矽樹脂、氟樹脂、A B S樹脂、以及胺甲酸乙酯 樹脂等。其中，以成形性、光學特性、以及成本之觀點而 -22- 200527421 (19) 言，以聚碳酸酯樹脂及丙烯樹脂最佳。 前述基板上之厚度並無特別限制，通常由使用之雷射 波長及拾波透鏡之集光特性來決定。波長7 8 0nm之CD系 採用1 .2mm之基板厚度，波長65 0〜6 65 nm之DVD系則 採用0.6mm之板厚之基板。 前述基板係例如表面具有尋軌用之導引溝之直徑 12cm、厚度0.6mm之碟片形狀，以具有優良加工性及光 學特性之聚碳酸酯樹脂基板爲佳。尋軌用之導引溝以間距 0.74±0.03//m、溝深度 22 〜40nm、溝寬 0.2 〜0.4//m 範 圍之蛇行溝爲佳。尤其是採用較深之溝，可降低相變化型 資訊記錄媒體之反射率而擴大調變度。 又，以貼合寫入資訊信號之基板1及貼合用基板爲目 的之黏結層，可以爲在基底膜兩側黏結劑之兩面黏結性之 薄片，或者，利用熱硬化性樹脂或紫外線硬化樹脂形成。 前述黏結層之膜厚通常爲50//m程度。 前述貼合用基板（虛擬基板）若採用黏結性薄片或熱硬 化性樹脂做爲黏結層，雖然不必透明，然而，該黏結層若 採用紫外線硬化樹脂，則應使用可透射紫外線之透明基板 。前述貼合用基板之厚度通常應和寫入資訊信號之透明基 板1相同之0.6mm。 -第1保護層- 前述第1保護層2和基板及相變化記錄層之密合性應 良好且具高耐熱性，此外，爲了使其具有以使相變化記錄 -23- 200527421 (20) 層可有效率進行光吸收爲目的之光干涉層之功能，故應具 有適合高線速之重複記錄之光學特性。 前述第1保護層之材料可採用例如：SiO、Si〇2、 ZnO、S η Ο 2 Λ ΑΙ2Ο3、Ti〇2、Ι112Ο3、MgO、Zr〇2 等之金屬 氧化物；Si3N4、AIN、TiN、BN、ZrN 等之氮化物；ZnS 、In2S3、TaS4 等之硫化物；SiC、TaC、B4C、WC、TiC、 ZrC等之碳化物及鑽石狀碳；或其混合物。其中，又以 ZnS及Si02之混合物爲佳。前述ZnS及Si 02之混合莫耳 比（ZnS: Si〇2)應爲50〜90: 50〜10，最好爲60〜90: 40 〜1 〇 〇 前述第1保護層2之形成方法可以採用例如真空蒸鍍 法、濺鍍法、電漿CVD法、光CVD法、離子鍍法、以及 電子束蒸鍍法等各種汽相生長法。其中，以量產性及膜質 等觀點而言，以濺鍍法爲佳。濺鍍條件應爲例如成膜氣體 爲Ar氣體、施加電力爲3kW、Ar氣體壓力（成膜室氣壓） 爲 2 X l〇-3Torr。 前述第1保護層之膜厚（t!)應爲50〜90nm，雷射光之 波長爲λ時，應滿足下式Ο.ίΠΟ^η/λ $0.160。若小於此 範圍，則無法具有耐熱保護層之機能，若大於此範圍，則 界面容易發生剝離。 -相變化記錄層- 如上面所述，前述相變化記錄層3係由式1所表示之 組成所構成，最好以由式2所表示之組成所構成。 -24- 200527421 (21) 如上面所述，前述相變化記錄層之膜厚（t2)在雷射光 之波長爲λ時，應滿足下式0.015St2/A $0.032。若相變 化記錄層之膜厚小於此範圍，則光吸收能會降低而喪失相 變化記錄層之機能，若大於此範圍，則記錄感度會變差。 前述相變化記錄層之形成方法可以採用例如真空蒸鍍 法、濺鍍法、電漿CVD法、光CVD法、離子鍍法、以及 電子束蒸鍍法等各種汽相生長法。其中，以量產性及膜質 等觀點而言，以濺鑛法爲佳。濺鍍條件應爲例如成膜氣體 爲Ar氣體、施加電力爲3kW、Ar氣體壓力（成膜室氣壓） 爲 2 X 1 (T3Torr。 -第2保護層- 前述第2保護層4和相變化記錄層及反射層之密合性 應良好且具高耐熱性，此外，爲了使其具有使相變化記錄 層可有效率進行光吸收爲目的之光干涉層之功能，故應具 有適合高線速之重複記錄之光學特性。 前述第1保護層之材料可採用例如：SiO、Si02、 Zn〇、S η Ο 2 ' Al2〇3、Ti〇2、Ιιΐ2〇3、MgO、Zr〇2 等之金屬 氧化物；Si3N4、AIN、TiN、BN、ZrN等之氮化物；以及 ;ZnS、In2S3、TaS4 等之硫化物；SiC、TaC、B4C ' WC 、TiC、ZrC等之碳化物及鑽石狀碳；或其混合物。其中 ，又以ZnS及Si02之混合物爲佳。前述ZnS及Si022之 混合莫耳比（ZnS: Si02)應爲50〜90: 50〜10，最好爲60 〜90 : 40 〜1〇 〇 -25- 200527421 (22) 前述第2保護層4之形成方法可以 法、濺鍍法、電漿CVD法、光CVD法 電子束蒸鍍法等各種汽相生長法。其中 等觀點而言，以濺鍍法爲佳。濺鍍條件 爲Ar氣體、施加電力爲3kW、Ar氣儀 爲 2 X 1 (T3Torr。 前述第2保護層之膜厚（t3)應爲6 述，雷射光之波長爲λ時，應滿足下 〇.〇40。若前述第2保護層之膜厚小於 度會變差，若大於此範圍，則會蓄積太 -反射層_ 前述反射層除了具有光反射層之功 熱層之功能，用以釋放記錄時因雷射光 化記錄層之熱。依據散熱之冷卻速度會 成產生很大影響，故反射層之選擇對高 資訊記錄媒體很重要。 前述反射層6係採用例如Al、An、 金屬材料、或其合金等。又，添加至金 Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Ta 等。其 Ag合金之其中之一。因爲構成前述相 體之反射層，以通常用以調整依據記錄 之冷卻速度之熱傳導性觀點、以及利用 生信號之對比之光學觀點而言，應爲ϋ 採用例如真空蒸鍍 、離子鍍法、以及 ’以量產性及膜質 應爲例如成膜氣體 !壓力（成膜室氣壓） 〜20nm，如上面所 式 0.005 $ t3/ λ S 此範圍，則記錄感 多熱。 能以外，尙具有散 照射而施加於相變 對非晶質標示之形 線速對應相變化型 Ag、Cu、Ta 等之 屬材料之元素使用 中，應含有Ag及 變化型資訊記錄媒 時所產生之熱而定 干涉效果來改善再 5熱傳導率/高反射 -26- 200527421 (23) 率之金屬，故採用熱傳導率爲極高之427W/m· K之純Ag 或A g合金，記錄時，可實現相變化記錄層達到高溫後立 即形成非晶標示之急冷構造。 又，若只考慮高熱傳導率性，則以純銀爲最佳，然而 ，若考慮耐蝕性，則亦可添加C u。此時，爲了不損失a g 之特性，銅之添加量範圍應爲0 · 1〜1 0原子％之程度，最 好爲0.5〜3原子％。添加過多的銅，會降低Ag之高熱傳 導率性。 前述反射層6係利用例如真空蒸鍍法、濺鍍法、電漿 CVD法、光CVD法、離子鍍法、以及電子束蒸鍍法等各 種汽相生長法形成。其中’以量產性及膜質等觀點而言， 以嫌鍍法爲佳。灘鍍條件應爲例如成膜氣體爲Ar氣體、 施加電力爲5kW、Ar氣體壓力（成膜室氣壓）爲2 X 1〇-3Torr。 基本上，前述反射層之散熱能力係與層之厚度成比例 ，然而，反射層之膜厚只要爲60nm以上即可得到良好之 碟片特性。此時，較厚一方並沒有界限値，然而，以碟片 之製造成本之觀點而言，應爲容許範圍内之膜厚，故以約 3 0 0nm以下爲佳，如上面所述，前述反射層之膜厚（t4)在 雷射光之波長爲又時，應滿足下式0.100gt4/A。前述反 射層之膜厚小於此範圍時，將無法獲得散熱效果。 又，前述反射層6上可配合需要而進一步配設樹脂保 護層。該樹脂保護層在步驟内及成爲製品時具有保護相變 化記錄層之作用，通常，係利用紫外線硬化性樹脂形成。 -27- 200527421 (24) 前述樹脂保護層之膜厚爲2〜5#m。 -第3保護層- 前述第2保護層4及前述反射層6之間應配設著第3 保護層5。 第3保護層5之材料可採用例如：Si、SiC、SiN、 Si02、TiC、Ti〇2、TiC-Ti〇2、NbC、Nb〇2、NbV-Nb02、 Ta205、A1203、ITO、GeN、Zr02 等，其中，TiC-Ti02、 Si或SiC因爲隔離性較高，故特別適合。 反射層若使用純Ag或Ag合金，而使用如含有硫黃 之ZnS及Si02之混合物做爲保護層時，硫黃會擴散至Ag 而產生碟片缺陷（Ag之硫化反應）。因此，用以防止此種 . 反應之第3保護層，應從（1)防止Ag之硫化反應之隔離能 力、（2)相對於雷射光爲光學透明、（3)可形成非晶標示之 之低熱傳導率、（4)保護層及反射層具有良好密合性、（5) 容易形成等觀點來選擇適當之材料，故採用以滿足上述要 件之TiC-Ti〇2、Si或SiC爲主要成份之材料做爲第3保 護層之構成材料。 前述第3保護層之膜厚應爲2〜20nm，最好爲2〜 lOnm。前述膜厚若爲2nm以下，則有時無法實現隔離層 之機能’若超過20nm，則會導致調變度之降低。 -界面層- 前述第1保護層2及相變化記錄層3之間配設著界面 -28- 200527421 (25) 層。該界面層應含有Si02，其厚度爲2〜10nm。因此，以 局功率記錄時，可減少基板所承受之破壞，而在高功率記 錄具有良好重複記錄特性，並擴大記錄功率容限。前述界 面層之厚度爲2nm以下時，不易形成均—之si〇2膜，若 超過1 0 n m，則容易發生膜剝離。 以上’係針對本發明之相變化型資訊記錄媒體進行詳 細說明，然而，本發明並未受限於上述實施形態，只要不 背離本發明之要旨範圍，可進行各種變更。例如，不採用 D V D系使用之貼合用基板，而利用樹脂保護層貼合2片 相同或不同相變化型資訊記錄媒體之相變化型資訊記錄媒 體等，亦可適用本發明。 (濺鍍靶）. 本發明之濺鍍靶，由下述式1所表示之組成所構成， 使用於相變化記錄層之製造。 (式1)
Sna Sb；g Gar GesTe£ -Xf 但’前述式1中，X係表示從Ag、Zn、In、及Cu選 取之至少1元素。α0、7、5、ε、及（係表示各元 素之組成比率（原子％)，分別爲5 S a S 25、40 Sg 91 、2$7^20、2$(5^20、0$ε$10、及 Ο^Γ$1〇, 且 a + 万 +7 +δ+β + f =ι〇〇。 -29- 200527421 (26) 此時’前述α、0、7、ό、ε '及（分別爲 $20、40^ β ^ 85 ' 5^7^20、5^5^20' ε 7 > 及 0$ ( $7，且 α+^+7+δ+ε+Γ=1〇〇。 前述a、A、r、δ、ε、及（最好分別爲 ι〇$α $20、50^/3^80、5$ r €15、5$5$15、0S ε $7、 及 Γ $7 且 α+/3+7+δ+ε+Γ=100。 又，前述濺鍍靶係由下述式2所表示之組成所構成， 特別適合使用於相變化記錄層之製造。 (式2)
Snfl Sb；s Gar Ge6 但，前述式2中，αθ、r、及（M系表示各元素之 組成比率（原子％)，分別爲a S 25、40$ yS S 91、2$ r $20、2$ 5 $20，且 α+)5+7+δ = 100。 此時，前述α、yS、r、及（5應分別爲5SaS20、 40S/3S85、5$r‘20、及 5^(5^20 且 α+yS+r + δ = 1 0 0 〇 前述α 、万、7 、及<5最好分別爲10€aS20、50 S 冷 $80、5S 7 $15、及 5S 5 S15 且 a+/3+r+5 = 100 ο 前述濺鍍靶之製作方法並無特別限制，可配合目的進 行適當選擇，ί平取預定之摻入量並置於玻璃安飯中進行加 熱熔解。其後，取出並利用粉碎機進行粉碎’將得到之粉 •30- 200527421 (27) 末進行加熱燒結，得到圓盤形狀之濺鍍靶。 依據本發明，可提供起始晶化十分容易、在和DVD-ROM相同容量下以記錄線速爲1 〇倍速以上之高線速度執 行記錄時具有良好記錄感度、以及可重複記錄並具有優良 儲存信賴性之相變化型資訊記錄媒體。 又依據本發明，可提供在和DVD-ROM相同容量下 在廣泛記錄線速區域具有良好重複記錄特性之相變化型資 訊記錄媒體、及以製造相變化型資訊記錄媒體爲目的之濺 鍍靶。 (相變化記錄媒體之製造方法） 本發明之相變化記錄媒體之製造方法，至少含有相變 化記錄層形成步驟，必要時，可進一步含有起始晶化步驟 等其他步驟。 -相變化記錄層形成步驟- 前述相變化記錄層形成步驟係利用本發明之前述濺鑛 靶以濺鍍法形成相變化記錄層之步驟。 前述濺鍍法並無特別限制，可配合目的從公知之方法 進行適當選擇，例如，成膜氣體爲Ar氣體、施加電壓爲 1〜5kW、成膜氣體流量爲1〇〜40sccm。濺鍍中之處理室 內之Ar氣體壓力爲7.0X l(T3Torr(mbar)以下。 -起始晶化步驟- -31 - 200527421 (28) 前述起始晶化步驟係使相變化型資i 〜21 m/s之範圍内之一定線速度進行旋轉 15〜40m W//z m2實施起始晶化之步驟。 具體而言，前述起始晶化係使相變化 以特定之線速度、或特定之定角速度進行 板側經由物鏡照射半導體雷射（例如，600 波長）等記錄用之光。相變化記錄層會吸 部之溫度上昇，例如，產生凹洞來改變其 資訊之記錄。如上面所述，已記錄之資訊 化型資訊記錄媒體以特定之線速度進行旋 保護層側照射雷射光，再檢測其反射光。 (相變化型資訊記錄媒體之使用方法） 本發明之相變化型資訊記錄媒體之使 本發明之相變化型資訊記錄媒體之第1保 光，用以執行資訊之記錄、再生、刪除、 中之一。 此時，前述雷射光之波長應爲400〜 630〜680nm 〇 (光記錄裝置） 本發明之光記錄裝置係從光源對相變 體照射雷射光而將資訊記錄於該相變化型 記錄裝置，應用本發明之前述相變化型資 i記錄媒體以10 ，並以功率密度 型資訊記錄媒體 旋轉，同時從基 〜720nm之振盪 收照射光並使局 光學特性，實施 之再生係使相變 轉，同時從第1 用方法係從前述 護層側照射雷射 及重寫之至少其 780nm，最好爲 化型資訊記錄媒 資訊記錄媒體光 記錄媒體做爲 -32- 200527421 (29) 前述相變化型資訊記錄媒體。 前述光記錄裝置並無特別限制，可配合目的進行適當 選擇，例如，具有：用以射出雷射光之半導體雷射等光源 之雷射光源、用以將雷射光源射出之雷射光集光於裝設於 轉軸之光記錄媒體之集光透鏡、用以將雷射光源射出之雷 射光導引至集光透鏡及雷射光檢測器之光學元件、以及用 以檢測雷射光之反射光之雷射光檢測器，亦可配合需要增 設其他手段。 前述光記錄裝置，利用光學元件將雷射光源射出之雷 射光導引至集光透鏡，利用該集光透鏡使雷射光集光照射 於相變化型資訊記錄媒體，執行針對光記錄媒體之記錄。 此時，光記錄裝置將雷射光之反射光導引至雷射光檢測器 ’依據雷射光檢測器之雷射光檢測量控制雷射光源之光量 〇 前述雷射光檢測器將檢測到之雷射光檢測量變換成電 壓或電流，並將其視爲檢測量信號執行輸出。 前述之其他手段係例如控制手段等。前述控制手段只 要爲用以控制前述各手段之動作即可，並無特別限制，可 配合目的進行適當選擇，例如，以照射掃描強度經過調變 之雷射光爲目的之定序器、及電腦等機器。 以下，利用實施例針對本發明進行具體說明，然而， 本發明並未受限於這些實施例。 (實施例1) -33- 200527421 (30) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 相變化型資訊記錄媒體（碟片）係以如下所示之方法製 作。又，濺鍍法係利用逐片式濺鍍裝置（Unaxis公司製、 Big Sprinter)，在Ar氣體環境中、施加電力爲1〜5kW、 Αι*氣體壓力爲2 X l(T3T〇rr之條件執行。 準備軌距 0.74// m、溝深 27nm、直徑 12cm、厚度 0.6mm之聚碳酸酯樹脂型基板。 首先，使用由（ZnS)8〇(Si02)2〇之組成（莫耳％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述基板上形成膜厚爲80 nm之第 1保護層。 其次，使用由Sn5Sb75Ga13Ge7之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述第1保護層上形成膜厚爲 2 0 n m之相變化記錄層。 其次，使用由（ZnS)8G(Si02)2()之組成（莫耳％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述相變化記錄層上形成膜厚爲 14nm之第2保護層。 其次，使用由SiC所構成之濺鍍靶，在第2保護層上 以濺鍍法形成膜厚爲4nm之第3保護層。 其次，使用由Ag所構成之濺鍍靶，在前述第3保護 層上以濺鍍法形成膜厚爲180nm之反射層。 其次，利用旋轉器以膜厚爲5〜1 0 // m之方式將丙嫌 系硬化樹脂塗布於前述反射層上後，實施紫外線硬化而形 成有機保護層。 最後，在有機保護層上以黏結劑貼合直徑1 2cm、厚 -34- 200527421 (31) 度〇.6mm之聚碳酸酯樹脂製基板。如上所示，製成實施 例1之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例2) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn25Sb56Ga99Ge1()之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 1相同，製成實施例2之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例3) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn24Sb41Ga18Ge17之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 1相同，製成實施例3之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例4) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sni〇Sb78Ga8Ge4之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成實施例4之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例5) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn19Sb67Ga2Ge12之組成（原子％)所構成之 -35- 200527421 (32) 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例j 相同，製成實施例5之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例6) •相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由S η 2 2 S b 5 5 G a】8 G e 5之組成（原子％ )所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成實施例6之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例7) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn16Sb72Ga1()Ge2之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成實施例7之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例8) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn22Sb55Ga4Ge19之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成實施例8之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例1) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn3Sb6GGa】8Ge19之組成（原子％)所構成之 -36- 200527421 (33) 濺鍍靶濺鍍法因此相變化記錄層以外，其餘與實施例1相 同，製成比較例1之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例2) -相變化型資訊記錄媒體之製作― 除了使用由Sn27Sb67Ga4Ge2之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成比較例2之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例3 ) 相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn24Sb39Ga18Ge19之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 1相同，製成比較例3之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例4) •相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn^Sb^Ga'en之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成比較例4之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例5) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn13Sb52Ga21Ge14之組成（原子％)所構成 200527421 (34) 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 1相同，製成比較例5之相變化型資訊記錄媒體製作 (比較例6) -相變化型資訊記錄媒體之製作― 除了使用由Sn18Sb61Ga2GGei之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成比較例6之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例7) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn15Sb61Ga3Ge21之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例1 相同，製成比較例7之相變化型資訊記錄媒體。 <起始晶化> 利用波長爲8 1 Onm之半導體雷射對所得到之各相變 化型資訊記錄媒體執行起始晶化。具體而言，使相變化型 資訊記錄媒體以一定線速20m/s進行旋轉，利用束寬爲 75ym之光讀寫頭，照射在半徑方向以50//m/r移動之功 率密度爲25mW//z m2之雷射光，執行起始晶化。 <評估> 記錄再生之評估係利用具有波長660nm、數値孔徑 200527421 (35) ΝΑΟ.65之拾波頭之光碟評估裝置（PULSTEC公司製、 DDU_ 1 000)來執行。記錄線速爲10.5m/s(相當於DVD3倍 速）、28m/s(相當於DVD8倍速），記錄功率對應線速而改 變。偏功率爲〇.2mW、刪除功率爲2〜1 5mW，分別實施 最佳化。 針對各相變化型資訊記錄媒體檢測實施3 T之1 0次重 複記錄時之C/N比[利用光譜分析器檢測雜訊（N)位準及信 號強度（C :載波）之比]。表3係實施例1〜8之結果，表4 係比較例1〜7之結果。 又，實現重寫型光碟系統之C/N比，至少爲45dB以 上。 [表1]
S n ( a t % ) S b ( a t % ) G a (a t %) G e ( a t %) 實 施 例 1 5 75 13 7 施 例 2 25 56 9 10 實 施 例 3 24 4 1 18 17 實 施 例 4 10 78 8 4 實 施 例 5 19 67 2 12 實 施 例 6 22 55 18 5 施 例 7 16 72 10 2 實 施 例 8 22 55 4 19 -39· 200527421 (36) [表2]
Sn(at%) Sb(at%) Ga(at°/〇) Ge(at%) 比較例1 3 60 18 19 比較例2 27 6 7 4 2 比較例3 24 39 18 19 比較例4 20 66 1 13 比較例5 13 52 2 1 14 比較例6 18 61 20 1 比較例7 15 61 3 2 1 [表3 ] 3TDO W 10次: 後之 C/N比 記錄線速：1 〇 .5 m/s 記錄 線速：28m/s 實 施 例 1 5 3 49 實 施 例 2 5 1 48 實 施 例 3 52 46 實 施 例 4 49 50 實 施 例 5 47 5 1 實 施 例 6 50 47 實 施 例 7 48 52 實 施 例 8 5 1 47 200527421 (37) 由表3之結果可知，實施例1〜8之相變化型資訊記 錄媒體在以相當於DVD3倍速之記錄線速10.5 m/s實施重 複記錄時、以相當於DVD8倍速之記錄線速28m/s實施重 複記錄時，皆可得到45 dB以上之C/N比。 [表4] 3TDO W 10次: 後之 C/N比 記錄線速：1 〇, .5 m/s 記錄 線速：2 8 m / s 比 較 例 1 5 1 37 比 較 例 2 36 39 比 較 例 3 42 38 比 較 例 4 4 1 39 比 較 例 5 40 38 比 較 例 6 42 4 1 比 較 例 7 40 4 1
由表4之結果可知，比較例1〜7中，以記錄線速 10.5m/s及記錄線速28m/s執行重複記錄時之C/N比，除 了比較例1之記錄線速10· 5m/s時以外，全部爲45 dB以 下。 (實施例9) _相變化型資訊記錄媒體之製作- -41 - 200527421 (38) 相變化型資訊記錄媒體（碟片）係以如下所示之方法製 作。又，濺鍍法係利用逐片式濺鍍裝置（Unaxis公司製、 Big Sprinter)，在Ar氣體環境中、施加電力爲1〜5kW、 Ar氣體壓力爲2 X l(T3T〇rr之條件執行。 準備軌距 〇.74//m、溝深 27nm、直徑12cm、厚度 0.6mm之聚碳酸酯樹脂製基板。 首先，使用由（ZnS)8〇(Si02)2〇之組成（莫耳％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述基板上形成膜厚爲70nm之第 1保護層。 其次，使用由SmsSb^GaHGe^之組成（原子％)所構 成之濺鍍靶，以濺鍍法在前述第1保護層上形成膜厚爲 18nm之相變化記錄層。 其次，使用由（ZnS)8()(Si02)2()之組成（莫耳％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述相變化記錄層上形成膜厚爲 10nm之第2保護層。 其次，使用由SiC所構成之濺鍍靶，以濺鍍法在第2 保護層上形成膜厚爲4nm之第3保護層。 其次，使用由Ag所構成之濺鍍靶，以濺鍍法在前述 第3保護層上形成膜厚爲14 Onm之反射層。 其次，利用旋轉器以膜厚爲5〜10//m之方式將丙烯 系硬化樹脂塗布於前述反射層上後，實施紫外線硬化而形 成有機保護層。 最後，在前述有機保護層上以黏結劑貼合直徑1 2cm 、厚度0.6mm之聚碳酸酯樹脂製基板。如上所示，製成 -42- 200527421 (39) 實施例9之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例10) -相變化型資訊記錄媒體之製作- ^ 除了使用由Sn19Sb5〇Ga14Ge17之組成（原子％)所構成 : 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 9相同，製成實施例1 0之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例1 1) -相變化型資訊記錄媒體之製作· 除了使用由Sn17Sb59Ga12Ge12之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 .9相同，製成實施例1 1之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例12) -相變化型資訊記錄媒體之製作- · 除了使用由Sni6Sb5〇Ga16Ge13Ag5之組成（原子％)所構 成之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施 · 例9相同，製成實施例1 2之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例1 3) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn^Sb^GaioGe^Ins之組成（原子％)所構 成之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施 -43· 200527421 (40) 例9相同，製成實施例1 3之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例1 4) -相變化型資訊記錄媒體之製作- < 除了使用由Sn15Sb7GGa5Ge8Zn2之組成（原子％)所構成 ： 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 9相同，製成實施例1 4之相變化型資訊記錄媒體。 (實施例15) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Sn15Sb7〇Ga3Ge8Cu4之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 9相同，製成實施例1 5之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例8)
-相變化型資訊記錄媒體之製作- H 除了使用由Ag3In4Sb75Te18之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例9 相同，製成比較例8之相變化型資訊記錄媒體。 (比較例9) -相變化型資訊記錄媒體之製作― 除了使用由Ge5Ga4Sb8〇Teil之組成（原子％)所構成之 濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例9 -44- 200527421 (41) 相同，製成比較例9之相變化型資訊記錄媒體。 <起始晶化> 利用波長爲8 1 Onm之半導體雷射對所得到之各相變 化型資訊記錄媒體執行起始晶化。具體而言，使相變化型 資訊記錄媒體以一定線速20m/s進行旋轉，利用束寬爲 7 5 // m之光讀寫頭，照射在半徑方向以50 // m/r移動功率 密度爲25mW//z m2之雷射光，執行起始晶化。 〈評估〉 記錄再生之評估係利用具有波長 660nm、數値孔徑 NA0.65之拾波頭之光碟評估裝置（PULSTEC公司製、 DDU- 1 000)來執行。記錄線速爲 17.5m/s、24.5m/s、及 3 5 .Om/s，記錄功率對應線速而改變。偏功率爲〇.2mW、 刪除功率爲2〜1 5m W，分別實施最佳化。分別實施記錄 策略之最佳化。再生皆以線速3.5m/s、功率0.7mW執行 〇 抖動係以檢測窗寬Tw實施data to clock jitter σ之 規格化之値。表6係評估結果。 <儲存安定性之評估> 儲存安定性係對各樣本寫入記錄標示，保存於8 0 °C -85%RH之恒溫槽中300小時後，利用抖動之上昇程度依 據下述基準來評估儲存安定性。表6係其結果。 -45- 200527421 (42) [評估基準] 〇：抖動之上昇爲1%以下 △:抖動之上昇爲1%以上、3%以下 X :抖動之上昇爲3%以上 <再生光安定性之評估> 再生光安定性係對各樣本寫入記錄標示’以線速 3.5m/s、功率1 .OmW照射1 0分鐘之再生光後，利用抖動 之上昇程度依據下述基準來評估再生光安定性。表6係其 結果。 [評估基準] 〇：抖動之上昇爲1%以下 △:抖動之上昇爲1%以上、 X :抖動之上昇爲3%以上 3 %以下 -46 - 200527421 (43) [表5 ]
S η (at%) Sb (at%) Ga (at%) Ge (at%) 其他元素 (at%) 實施例 9 18 55 11 16 實施例 10 19 50 14 17 實施例 11 17 59 12 12 實施例 12 16 50 16 13 Ag ： 5 實施例 13 10 62 10 13 In : 5 實施例 14 15 70 5 8 Zn : 2 實施例 15 15 7 0 3 8 Cu · 4 A g ( a t % ) In(at%) Sb(at%) Te(at%) 其他元素 (at%) 比較例8 3 4 75 18 讎
Ag (at%) In (at%) Sb (at%) Te (at%) 其他元素 (at%) 比較例9 5 4 80 11 -47- 200527421 (44) [表6]
記錄線速 記錄功率 重寫後之抖動(％) 保存安 再生光 (m/s) (mW) 首次 100次 1000 次 定性 安定性 實施例9 17.5 18 7.8 7.8 8.5 〇 〇 24.5 24 7.6 7.7 8.6 〇 〇 35.0 34 7.5 7.9 8.8 〇 〇 實施例1.0 17.5 18 7.7 7.6 8.9 〇 〇 24.5 24 7.4 7.7 8.9 〇 〇 35.0 34 7.3 7.9 9.1 〇 〇 實施例11 17.5 18 7.4 7.8 8.8 〇 〇 24.5 24 7.5 8.1 9.2 〇 〇 35.0 34 7.9 8.2 9.3 〇 〇 實施例12 17.5 18 7.4 7.6 7.9 〇 〇 24.5 24 7.5 7.7 8.1 〇 〇 35.0 34 7.3 7.7 8.1 〇 〇 實施例13 17.5 18 7.2 7.2 7.5 〇 〇 24.5 24 7.5 7.7 7.9 〇 〇 35.0 34 7.2 7.3 7.9 〇 〇 實施例14 17.5 18 7.3 7.8 8.3 〇 〇 24.5 24 7.6 7.9 8.5 〇 〇 35.0 34 7.8 7.9 8.6 〇 〇 實施例15 17.5 18 7.2 7.6 8.2 〇 〇 24.5 24 7.5 7.8 8.4 〇 〇 35.0 34 7.5 7.8 8.5 〇 〇 比較例8 17.5 20 8.9 9.5 10.6 〇 Δ 24.5 26 8.8 9.3 10.7 〇 Δ 35.0 38 13.4 15.1 19.9 Δ X 比較例9 17.5 18 8.2 9.3 15.3 △ 〇 24.5 24 9.2 10.8 18.2 X 〇 35.0 34 18.8 >20 >20 X Δ -48- 200527421 (45) 由表6之結果可知，實施例9〜1 5之相變化型資訊記 錄媒體之起始晶化較爲容易，反射率在圓周内爲均一。又 ，融點爲400〜600 °C之間’記錄線速爲I7.5m/s、24.5m/s 、及35.0m/s時，重寫1 000次後，抖動仍爲10%以下， 可得到記錄感度良好且儲存安定性良好之相變化型資訊記 錄媒體。又’各樣本之調變度在重寫1〇〇〇次後，仍爲 60%以上，儲存安定性試驗後幾乎沒有變化。尤其是，實 施例1 2及實施例1 3之相變化型資訊記錄媒體保存於8〇 。(：-8 5 %RH之恒溫槽6 0 0小時後，仍無變化。又，反射率 在重寫1〇〇〇次後仍爲20%以上，儲存安定性試驗後幾乎 沒有變化。 相對於此，比較例8需要大於實施例9〜1 5之記錄功 率。線速爲35.0m/s時，即使以使用之雷射二極體（LD)之 界限之38mW執行寫入，初次之抖動爲較高之1 3.4%，調 變亦爲較低之50%。記錄線速爲17.5 m/s及記錄線速爲 24.5 m/s時，儲存安定性良好，然而，記錄線速爲35 .Om/s 時，因爲無法充分形成非晶標示，故劣化應十分快速。 又，比較例9在記錄線速爲17.5m/S時，至重寫1〇〇 次爲止之抖動爲10%以下，然而，1〇〇〇次時之抖動則上 昇至1 5 · 3 %。儲存安定性方面，抖動之上昇爲3 %以下。 又，反射率方式，保存試驗前之抖動爲2 3 %，然而’保存 試驗後之抖動則降至1 6%，儲存安定性有問題。再生光安 定性良好。記錄線速爲35.Om/s，初次抖動爲較高之 1 8 . 8 %，應該是因爲晶化速度較慢，故以此記錄線速無法 -49- 200527421 (46) 充分執行標示寫入。 (實施例1 6 ) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 相變化型資訊記錄媒體（碟片）係以如下所示之方法製 作。又，縣鍍法係利用逐片式潑鍍裝置（Unaxis公司製、
Big Sprinter)，在Ar氣體環境中、施加電力爲1〜5k W、
Ar氣體壓力爲2 X l(T3T〇rr之條件執行。 φ 準備軌距0.74 // m、溝深27nm、直徑12cm、厚度 0.6 mm之聚碳酸酯樹脂製基板。 首先，使用由（ZnS)8〇(Si02)2〇之組成（莫耳％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述基板上形成膜厚爲60nm之第 1保護層。 其次，使用由Sn18Sb69Ga6Ge7之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述第1保護層上形成膜厚爲 1 6nm之相變化記錄層。 Φ 其次，使用由（ZnS)8G(Si02)2〇之組成（莫耳％)所構成 之濺鍍靶，以濺鍍法在前述相變化記錄層上形成膜厚爲 8nm之第2保護層。 . 其次，使用由SiC所構成之濺鍍靶，以濺鑛法在第2 保護層上形成膜厚爲4 nm之第3保護層。 其次，使用由Ag所構成之濺鍍靶，以濺鍍法在前述 第3保護層上形成膜厚爲140nm之反射層。 其次，利用旋轉器以膜厚爲5〜10//m之方式將丙烯 -50- 200527421 (47) 系硬化樹脂塗布於前述反射層上後，實施紫外線硬化而形 成有機保護層。 最後，在前述有機保護層上以黏結劑貼合直徑1 2cm 、厚度〇.6mm之聚碳酸酯樹脂型基板。如上所不’製成 實施例1 6之相變化型資訊記錄媒體。 <起始晶化> 使所得到之相變化型資訊記錄媒體以一定線速20m/s 進行旋轉，利用束寬爲75 // m之光讀寫頭，照射在半徑 方向以50/rm/r移動之功率密度爲25mW///m2之雷射光 ，執行起始晶化。 <評估> 記錄再生之評估係利用具有波長660nm、數値孔徑 NA0.65之拾波頭之光碟評估裝置（PULSTEC公司製、 DDU- 1 000)來執行。記錄線速爲 10.5m/S(3倍速）、 14m/s(4倍速）、21m/s(6倍速）、及28m/s(8倍速），記錄 功率對應線速而改變。偏功率爲〇.2mW、刪除功率爲5〜 10mW，分別實施最佳化。 第2圖係從初次至重複記錄1 000次爲止之抖動。由 第2圖之結果可知，全部記錄線速下，抖動皆爲丨〇%以下 。又，實現重寫型光碟系統之抖動，至少爲10%以下。 (實施例17) -51 - 200527421 (48) -相變化型資訊記錄媒體之製作- 除了使用由Ga6Sb67Sn18Ge6Te3之組成（原子％)所構成 之濺鍍靶以濺鍍法形成相變化記錄層以外，其餘與實施例 1 6相同，製成實施例1 7之相變化型資訊記錄媒體（碟片） <起始晶化> 使所得到之相變化型資訊記錄媒體以一定線速1 5m/s 進行旋轉，利用束寬爲75 // m之光讀寫頭，照射在半徑 方向以 50 // m/r移動之功率密度爲20mw/ // m2之雷射光 ，執行起始晶化。 <評估> 針對所得到之相變化型資訊記錄媒體實施和實施例 1 6相同之評估。第3圖係其結果。由第3圖之結果可知 ，尤其是，從初次至重複記錄1 0次爲止之抖動良好’係 DVD之規格値之抖動9%以内。 (實施例18) -相變化型資訊記錄媒體之製作_ 除了在第1保護層及相變化記錄層之間配設由S丨0 2 所構成之膜厚爲2 nm之界面層以外’其餘與實施例1 6相 同，製成實施例1 8之相變化型資訊記錄媒體（碟片）° -52- 200527421 (49) <起始晶化> 使所得到之相變化型資訊記錄媒體及實施例1 6之相 變化型資訊記錄媒體以一定線速20m/s進行旋轉’利用束 寬75 // m之光讀寫頭，照射在半徑方向以50 m/r移動之 功率密度爲25m W/ // m2之雷射光，執行起始晶化。 <評估> 針對所得到之相變化型資訊記錄媒體，實施記錄線速 爲28m/s(相當於8倍速）、記錄功率爲28mW、30mW、 32mW、34mW、36mW、及38mW時之重複記錄特性評估 〇 第4圖係實施例1 6之結果。又，第5圖係實施例1 8 之結果。 由第4圖及第5圖之結果可知，實施例16及實施例 18在最佳功率時，抖動爲9%以内。尤其是，實施例18 在36mW以上之高功率時，重複記錄1000次目之抖動亦 爲9 %以内。配設由Si02所構成之界面層，高功率記錄時 可獲得良好重複記錄特性，確認可擴大記錄功率容限。 本發明之相變化型資訊記錄媒體，起始晶化十分容易 ，在和DVD-ROM相同之容量下，以記錄線速爲10倍速 以上之高線速度執行記錄時具有良好記錄感度，可重複記 錄並具有優良儲存信賴性，可廣泛應用於各種相變化型資 訊記錄媒體，尤其是，可廣泛應用於DVD-RAM、DVD-RW、DVD + RW等之DVD系光記錄媒體。 -53- 200527421 (50) 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之相變化型資訊記錄媒體之實例剖面 圖。 第2圖係實施例1 6之相變化型資訊記錄媒體之初次 至重複記錄1000次爲止之抖動圖。 第3圖係實施例1 7之相變化型資訊記錄媒體之初次 至重複記錄1 000次爲止之抖動圖。 第4圖係實施例1 6之相變化型資訊記錄媒體之重複 記錄特性圖。 第5圖係實施例1 8之相變化型資訊記錄媒體之重複 記錄特性圖。 [主要元件符號說明] 1 基板 2 第1保護層 3 相變化記錄層 4 第2保護層 5 第3保護層 6 反射層 -54-

Claims (1)

  1. 200527421 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種相變化型資訊記錄媒體，其特徵爲具有：基板 •，及至少依序或依相反順序配設於該基板上之第1保護層 、相變化記錄層、第2保護層、及反射層；且，前述相變 化錄層係由下述式1所表不之組成所構成·· (式1)
    Sna Sb/s Gar GesTef -Xr 其中，前述式.1中，又係表示從八§、211、111、及（：11 選取之至少1元素；<3：、；9、7/、5、€、及（係表不各 元素之組成比率（原子。/〇)，分別爲5 S a S 25、40 ‘ yS S 92^7^20、2^5^20、及 〇^Γ^1〇 ，且 α+^+7+δ+ε+:=1〇〇。 2 ·如申請專利範圍第1項之相變化型資訊記錄媒體，
    其中 相變化記錄層係由下述式1所表示之組成所構成： (式1) Sn〇： Sbyg Gar Ge§Tec -Xf 其中，前述式1中，X係表示和上述相同之意思；α 、冷、r、6e 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子 %)，分別爲 5SaS20、40^^^85、5$r$20、5$(5 -55- 200527421 (2) €20、OS ε 4 1、及 OS f $7，且 α+/?+7+δ+ε+( =1 Ο Ο 〇 3 ·如申請專利範圍第2項之相變化型資訊記錄媒體， 其中 相變化記錄層係由下述式1所表示之組成所構成： (式"
    Sna Sb；s Gar Ge5Te£ -Xr 其中，前述式1中，X係表示和上述相同之意思；α 、石、75ε 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子 %)，分別爲 10$ β $20、5 0^ β ^ 8 0 Ν 5^7 $15、5 ^ 5 $15、0S ε $7、及 ( $7，且（2+)δ+7*+δ+ε+Γ = 100。
    4.如申請專利範圍第1項至第3項之其中任一項之相 變化型資訊記錄媒體，其中 相變化記錄層係由下述式2所表示之組成所構成j (式2) Sna Sb/s Gar Ge5 其中，前述式2中，α、yj、7 、及3係表示各元素 之組成比率（原子％)，分別爲5$ α $25、40$石$91、2 ‘ 7 $20、及 2S 5 $20，且 α+；3+γ+δ = 100。 -56- 200527421 (3) 5 ·如申請專利範圍第4項之相變化型資訊記錄媒體 其中 相變化記錄層係由下述式2所表示之組成所構成： (式2) Sria Sb^ G3.7 Gc§
    其中，前述式2中，α、θ7、及5係表示各元素 之組成比率（原子％)，分別爲5$ α $ 20、40$ /3 $ 85、5 S r $20、及 5i(5 $20，且 α+/3+7+δ = 100。 6 ·如申請專利範圍第5項之相變化型資訊記錄媒體， 其中 相變化記錄層係由下述式2所表示之組成所構成： (式2) Sn〇 Sbys Gar Ges 其中，前述式2中，α、/3、r、及5係表示各元素 之組成比率（原子％)，分別爲10S α $ 20、50$石$ 80、 5‘ 7 $15、及 5S 5 ‘15，且 α+/3+7+δ = 100。 7 ·如申請專利範圍第1項至第6項之其中任一項之相 變化型資訊記錄媒體，其中 相變化記錄層會因爲雷射光之照射而產生可逆相變化 ，用以執行資訊之記錄、再生、刪除、及重寫之至少其中 -57- 200527421 (4) 之一。 8 .如申請專利範圍第8項之相變化型資訊記錄媒體， 其中 第1保護層之膜厚爲tKnm)、相變化記錄層之膜厚 t2(nm)、第2保護層之膜厚爲t3(nm)、反射層之膜厚爲 t4(nm)、及雷射光之波長爲A(nm)時，滿足下式0.070S ti/λ ^0.160^ 0.015^ ί2/λ ^ 0.032 ' 0.005^ t3/A ^0.040 、及0.100$ t4/又之關係。 9.如申請專利範圍第1項至第8項之其中任一項之相 變化型資訊記錄媒體，其中 第1保護層及第2保護層含有ZnS及Si〇2之混合物 〇 1 〇.如申請專利範圍第1項至第9項之其中任一項之 相變化型資訊記錄媒體，其中 反射層含有Ag及Ag合金之其中之一。 1 1 .如申請專利範圍第1項至第1 0項之其中任一項之 相變化型資訊記錄媒體，其中 相變化記錄層及第1保護層之間具有界面層。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之相變化型資訊記錄媒體 ，其中 界面層含有Si02,該界面層之厚度爲2〜10nm° 1 3 ·如申請專利範圍第1項至第1 2項之其中任一項之 相變化型資訊記錄媒體，其中 第2保護層及反射層之間具有第3保護層° -58- 200527421 (5) 14. 一種濺鍍靶，其特徵爲： 由下述式1所表示之組成所構成’使用於相變化記錄 層之製造： (式1) Sna Sb^ Gar Ge6Te£ -Xr 其中，前述式1中，X係表示從Ag、Zn、In、及Cu 選取之至少1元素；0、々、7、（5、6、及（係表示各 元素之組成比率（原子％ )，分別爲5 S a S 2 5、4 0 $ /3 $ 91、2SrS20、2$5S20、0SeS10、及 〇$Γ$1〇 ，且 +δ+ε + f=i〇〇。 15·如申請專利範圍第i4項之濺鍍靶，其中 係由下述式1所表示之組成所構成： (式" S η α S b 石 G a 7 G e δ T e ε · X r 其中’前述式1中，χ係表示和上述相同之意思；a 、卢、7 6、ε 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子 %)，分別爲 5Sa$20、40SySS85、5^7^20、5S5 $20、0$ε$7、及 0^($7，且〇+/5+7+5+£+( = 10 0° 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之濺鍍靶，其中 -59- 200527421 (6) 係由下述式1所表示之組成所構成： (式1) Sria Sbys G^r Gc§Tc£ 其中’前述式1中，X係表示和上述相同之意思；a 、石、7 6e 、及Γ係表示各元素之組成比率（原子 °/〇)，分別爲 10SaS20、50SySS80、5$rS15、5g 5$15、0$ε^7、及 且 = 10 0° 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項至第1 6項之其中任一項 之濺鍍靶，其中 係由下述式2所表示之組成所構成，使用於相變化記 錄層之製造： (式2) Sn〇 Sb/s Gar Ges 其中’前述式2中，α、/3、7、及δ係表示各元素 之組成比率（原子％)，分別爲5SaS25、40$ySS91、2 S r $20、及 2$ 5 $20，且 α+/5+τ+δ = 100。 1 8 ·如申請專利範圍第17項之濺鍍靶，其中 係由下述式2所表示之組成所構成： •60- 200527421 (7) (式2) Sna Sb β Ga7 Ges 其中，前述式2中，αΘT、及5係表: 之組成比率（原子％)，分別爲5 $ a S 2 0、4 0 S /3 S 7 $20、及 5$ 占 $20，且 冷 +7+δ = 100。 19·如申請專利範圍第18項之濺鍍靶，其中 係由下述式2所表示之組成所構成·· (式2) Sna Sb^ Gar Ge5 . 其中’前述式2中，a、y5、r、及5係表 之組成比率（原子％),分別爲10 $ a S 20、50 ‘ 5S r $15、及 5$ <5 $15，且 α+θ+7+δ = 100。 20·—種相變化記錄媒體之製造方法，係用 板上至少依序或依相反順序配設著第1保護層、 錄層、第2保護層、及反射層之相變化型資訊記 其特徵爲 含有相變化記錄層形成步驟，用以利用如申 圍第1 4項至第1 9項之其中任一項之濺鍍靶以濺 相變化記錄層。 21.如申請專利範圍第20項之相變化型資訊 之製造方法，其中 各元素 S 85、5 各元素 $ 80、 製造基 變化記 媒體， 專利範 法形成 錄媒體 -61 - 200527421 (8) 含有起始晶化步驟，用以使相變化型資訊記錄媒體以 10〜2 lm/s之範圍内之一定線速度旋轉並以功率密度爲15 〜40mW///m2實施起始晶化。 22 . —種相變化型資訊記錄媒體之使用方法，其特徵 爲· 從如申請專利範圍第1項至第i 3項之其中任一項之 相變化型資訊記錄媒體之第1保護層側照射雷射光來用以 執行資訊之記錄、再生、刪除、及重寫之至少其中之一。 23 · —種光記錄裝置，係利用光源對相變化型資訊記 錄媒體照射雷射光來對該相變化型資訊記錄媒體執行資訊 之記錄、再生、删除、及重寫之至少其中之一，其特徵爲 前述相變化型資訊記錄媒體係如申請專利範圍第1項 至第1 3項之其中任一項之相變化型資訊記錄媒體。 -62-
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