TW200415012A

TW200415012A - Copper foil for high frequency circuit and method of producing the same

Info

Publication number: TW200415012A
Application number: TW093101827A
Authority: TW
Inventors: Kensaku Shinozaki
Original assignee: Furukawa Circuit Foil
Priority date: 2003-02-12
Filing date: 2004-01-28
Publication date: 2004-08-16
Also published as: CN1530469B; JP2004244656A; US20040154930A1; TWI371368B; EP1455005A2; CN1530469A; EP1455005A3; KR20040073387A

Description

200415012 五、發明說明（l) 【發明所屬之技術領域^ 本發明係有關於一種受黏適合作為特別是高頻用印刷=糖度較小，而及其製造方法。峪的v书材枓之電解鋼箱以本發明的主要用途雖係高 Ϊ Ϊ:ί發明的電解銅羯並不限於此種用途的導電材料， L先珂技術】作為印刷電路用的導電材料黏合至樹脂基板的樹脂基板黏為=足使 ::合強度、電特性、钱亥"生、耐。：：) -步改善其，學性質的處理方；的又黏合面進行粗化、進限電流密度附近進行電解並：：：：以銅泪作陰極’在極被提宰出來卩π 4 & π # 仃&鍍而得到粗糙面的方法攸促木出不（例如參照特公昭4〇、，且，以一般的鍍銅來被覆粗糙面 ^么艮。亚以穩定地固定瘤狀突起群沾七、、+U、、、田表面，利用銅箔面國專利第3 2 93 1 0 9號說明書）。，被提案出來（例如參照美之行美Π:話等的機動性儀器快速普及，隨的銅箔受到要求：口5 #級電腦用、高頻特性相當優異高頻具有趨膚效應，於導俨中— 於磁束變化而在導體中心部；生交流電流動’則由難。此種現象為交流電的頻c致電流流動困、半越W則越顯著，幾乎電流僅 2197-6112-PF(N2).ptd 第5頁

200415012 五、發明說明（2) -- 在表面流動。由此，對於高頻率帶，僅在銅箔的光澤面與受黏合面有電流流動。因此一般認為，若銅箔的光澤面與文黏合面的粗糙度（R z )大則信號的傳送距離變長，而產生信號的衰減或延遲等問題；又認為，對於適合高頻用印刷電路的導電材料之銅箔，適於低斷面銅箔。然而，本發明者為了因應高頻特性優異的銅箔之要求而進行各種貫驗的結果’得到與上述理論不同的結果。第1表係表示對於受黏合面的表面粗糙度作各種改變的銅vl來傳送3 G Η z的高頻時的傳輸衰耗，由此第1表可證貫，受黏合面粗糙度對傳輸衰耗之影響極小。第1袠粗化處理條件〔粗化電流/粗化連度（A _ 分/rn )〕原箔的粗糙度 { m } 粗化處理後的粗糙度 (# m〉黏合強度 3GHz傳輸衰耗 (dB/m) 400 1.70 1. 99 0.74 3.97 400 1. 12 1.33 0. 61 3.98 1000 1. 60 3.77 1. 00 4.03 1000 1.20 1. 72 0.74 4.01 300 4· 5.14 0. 92 3.92 因此’對於蒙受傳輸衰耗的因子進一步研討的結果而查明了’為了在受黏合面析出銅粒子所施行的粗化處理的強度（此處所謂粗化處理的強度，係定義為粗化電流除以粗化速度的A ·分/m之值）有很大的影響。亦即，先前的技術為了得到足夠的黏合強度而必需加強粗化處理（粗化電流大、或粗化時間長），由於實施這

2197-6112-PF(N2).ptd

200415012 五、發明說明（3) 種處理而使傳輸衰耗惡化。因此，一般認為為了冲盖乂由 > 圭、】改善傳輸哀耗而弱化粗化處理 ’粗化電流小、或粗化日卑i：-、 7 ^ ,,., u吋間短），但若弱化粗化處理，則 / v v ’w I从 I ό 工 y_ ， p 無法得到足夠的黏3強度的問題又再度發纟。第2表化處理的強度’以及使原銅箔的粗糙度相同並測人、度、傳輸衰耗等的結果顯*，若粗化處理強則黏合強；：昇，但傳輸衰耗亦受到影響；若粗化處理弱則傳輪衰耗所改善，但黏合強度減低的趨勢。第2表粗化處理條件〔粗化電流/粗化速度（A·分/m>〕原猜的粗趟度 { ^ rci} 1---------- 表面處理後的粗糙度 { ura) 黏合強度 {dB/m} 2600 〇. 83 2.30 1. 07 --—--- 4.38 2000 〇. 83 1.80 0. 95 4. 06 1600 〇. 83 ------------------------------------------ --------- 1. 60 0. 87 4.^00 1300 〇. 83 「1.25 0. 80 此徑超努幾乎所有辖種皆相同，使用受黏合面度較粗糙的；^笔Η主> 97祖^ 粗糙度較二同。㈣，即使使用受黏合面的兩立的“泊’亦無法實現高傳輸特性與高黏合強度變H ? Γ傳輸衰耗之值大大地受到測定環境的影二，^比較測定值，本說明書係在相同環境下進行測疋可比較第1表、第2表、甚或其他的值。、係添：= 來製造銅歸明，此銅電解液韦IL基的化合物以及除此之外的至少1種以上的

2197-6112-PF(N2).ptd 第7頁 200415012 發明說明（4) 機化合物與氣化物離子（參照美國專利第5，8 3 4，丄4 〇號痕）。利用此發明所製造的鋼箔，受黏合面側亦具有光，非常平滑，藉由對此銅箔施行燒鍍等的處理，可製成黏合面具非常低粗糙度而適於精細圖案的銅箱。因而，一般認為先前的理論係光澤面以及受黏合面的糙度若較小，則傳輸衰耗良好，故利用此處所揭露的技而得到的兩面光澤箔具有非常優異的傳輸衰耗特性受到待。’此銅羯為了得到黏合強丨，必須施行強粗化衰耗變= =粗化處理強），其結果，傳輸果，传由於。/、第1表及第2表所示的實驗结果係由於傳輸哀耗比起表面粗輪产、處理的強度。又而5更疋依存於粗化發明内容】本發明基於相關知識，发可能因應印刷電路板的要求f於提供一種近年來儘特性相當優異的電解銅荡、黏合強度、高頻傳輪本發明的銅箔亦可適用作ς衣造方法。的粗糙度小的精細圖案之對^錮ί南黏合強度、受黏合面使用本發明的電解銅箔而古ϋ 自，特別是能夠提供—種精細圖案印刷電路基板。…員傳輪衰耗有所改善的優里之㈣係於電解”，心 /、 // m的凹凸面 2〜4 // m的凹凸而#刀主瘤狀突起所邢成=矣啟在於·由該上述本發明的、曰〕電知鋼箔，苴 --〜、倣在於：最好是和樹脂

¥ 8頁凸而- 化成的表面粗糙度為 200415012 五、發明說明（5) 基板之間的箔，於該未此種粗化處上述本化處理係以酸性電解浴上述本化處理後，上述本化處理後，鍍錄、鍍鋅至少一種以成。本發明是由和樹脂粗糙度為2〜錄、鑛鋅、少一種以上本發明為主成分，種以上的有解液加以電表面粗糖度上述本受黏合處理鈉理係在發明的含有鉬來進行發明的於粗化發明的於粗化、鍛銘· 上的層面之表箔的受電解浴電解鋼、4古、電解。電解鋼處理表電解銅處理表、這些 ’於其面粗糙度為2〜 I占合面上施行中於既定時間箔，其特徵在轉、鐵、鶏以 4 “ m的未處理銅粗化處理而形成’ 施加既定電流。於：最好是前述粗及坤等至少1種的箔，其特徵在於：最好是前述粗面上，再施加箔，其特徵在面上施行鍍銅金屬的合金電上面依需要施鍍銅層。於：最好是前述粗，並於其上面設置錢、絡酸鹽處理專行偶合劑處理而形的電解銅箔係於基板之間的受黏 4 # m的未處理銅鍍鈷、這些金屬的層，再於其上的電解銅箔之製添加具有巯基^ :化合物與氯化 ΐ，製成由表面 ” ^的凹發明的電解銅羯電解銅箔合面之瘤箔，於該的合金電面依需要造方法，化合物以物離子之的一部分凸面之_ 之製造方，其特狀突起受黏合鍍、鉻設置偶其特徵及除此電解液呈瘤狀落。徵在於所形成表面上酸鹽處合劑處在於：之外的，而使突起所 :最好的表面設置鍍理等至理層。以銅作至少1 用此電形成的法，其特徵在於：最

2197-6112-PF(N2).ptd 第9頁 200415012 五、發明說明（6) 错、韓、鐵、鎢以好是施行粗化處理带及…少1種的酸性\解:糸含有麵並且，本發明的電解銅箔之制添加具有巯基之化合物之衣造方法，其特徵在於·· 機化合物與氯化物離子 ^除此之外的至少1種以上的有受黏合面的表面粗糙戶电解’夜，而使用此電解液來製造箔的受黏合面上施行^化，理^ m的電解銅箔，於該電解銅中於既定時間施加既定電二。，此種粗化處理係在電解浴【實施方式】 ^ 本發明的電解銅箔之特徵在瘤狀突起所形成的表面粗糙度為2於4·,:表面的一部分呈銅箔#，、天4曰> 马24//m的凹凸面。該電解具有疏基之化合物以及除此之外的至少1種液以：化合物與氣化物離子之電解液，而使用此電解 1的：解來製A。如此所製成的銅箱和樹脂基板之間所黏口的面（受黏合面）之表面粗糙度可達到2〜4 的平滑面’h且於平滑的受黏合面之一部分形成瘤狀的突起，=处夠提供一種作為高頻傳輸衰耗良好的銅箔。 & 然而，上述電解銅箔欠缺黏合強度，依使用用途之同’更強的點合強度受到要求。為了滿足該項要求，、將上述電解銅箔作為未處理銅箔（原箔），於該未處理鋼箱的受黏合面上施行粗化處理，此粗化處理係在電解浴中於既定時間施加既定電流。對於未處理原箔所施行的粗化處理比起先前的粗化處理，係以弱處理條件來實施。藉由$行弱粗化處理，則能夠提供一種具有與先前同等或更強的=

2197-6112-PF(N2).ptd 五、發明說明（7) 合強度’（黏合面的a u二而局頻傳輸衰耗良好的銅箔。、；、且糙又大則粗化處理弱並且，實施此鉬、鈷、鎳、鐵、较砠化處理的粗化電解浴可使用含有轉以及石申笠Z： , 1 ^ 者，藉由在施行此、至>、1種的酸性電解浴。再 u硬粗化處理沾々々鋅、鍍鈷、這些全M AA A 王的銅泊上實施鍍鎳、鍍龙屬的合+ φ Μ ^ 處理等至少一種，而σ=窀鍍、鉻酸鹽處理以及偶合劑黏合強度。可提昇耐熱性、耐鹽酸性、防鏽力、並且，可製成一種銅銅箔上實施鍍鎳、缺处 /自’其特徵在於··藉由在未處理酸鹽處理以及偶合劑處理=、*、這些金屬的合金電鍍、鉻理的銅箔，表面報二=:、至少一種，則比起實施粗化處度。並且藉由施杆、* 广】’對於某種基材具有高黏合強昇耐熱性、耐鹽酴卜勺電錄以及偶合劑處理而可据装次，顯干：性、防鏽力。 ..... 電解銅箔的制、生玫从為未處理銅箔來施行表 J衣k條件以及將此電解銅箔作明並不限於這些實施^面處理的情形之實施例。但是本發實施例1 ° (1 )電解鋼唸

作為實施本I二二條件以及溶液組成表（以下稱為實施例Α〜鋼-箱製箱條件，利用於第3A〜C 來製作電解銅箔，並且所示的電解液組成·電解條件示的電解液組成· 二作為比較例，利用於第3之D表戶斤電解條件夾制从土 + 所卞水I作未處理銅箔。

2197-6112-PF(N2).ptd 第11頁 200415012 五、發明說明（8) 第3表銅箔製箔條件以及溶if組成

條件銅硫酸 MPS HEC 膠氯電流密度液溫 A 9Gg/l 80g/l 0.Bppm 5ppm 4 Oppm 60A/dm2 60°C B 90g/l 80g/l lppm 5.5ppm 4 Oppm 6〇A/dm2 6Q°C C 90g/l 80g/l lppm 4ppm 2 ppm 4 Oppm 60A/ dm2 60°C D 90g/l 80g/l lppm 3ppm 6ppm 4 Oppm 60A/dm2 60°C 所製作的電解銅箔的性能如第4表、表面狀態如第1〜3 圖的銅箔表面的電子顯微鏡照片所示。第4表銅箔性能條件箔厚光澤面粗糙度受黏合面粗糙度 A 35 ^ m 1.5 m 3.5 // m B 3S um 1. 5 ^ m 3 . 6 μια C 35 μια 1.5 m 2 . 4 ^ m D 35 ^ m 1.5 ^ m 0 . 8 jci m 第1圖係以製箔條件A所作成者，瘤狀突起均勻地分散著。第2圖係以製箔條件B所作成者，瘤狀突起細緻地密集著。第3圖係以製箔條件C所作成者，瘤狀突起小而與第1 圖相較間隙較大並均勻地分散著。 (2 )粗化處理條件以及粗化液組成於上述所製成的電解銅箔A〜D的表面，以如第5表所示的粗化液組成來施行粗化處理。

2197-6112-PF(N2).ptd 第12頁 200415012

五、發明說明（9) 第5表粗化液組成銅硫酸鎳鐵鎢砷 1 25g/l 160g/l 350ppm 4.Og/1 0.2ppm ------ 2 25g/l 160g/l 5 Oppm 8.Og/1 0.4ppm ---— 3 25g/l 160g/l 25 Oppm 2.Og/1 4 25g/l 160g/l 25 Oppm ---- 2_ 〇g/i 5 25g/l 160g/l 350ppm 4.Og/1 ------ 6 25g/l 160g/l 35〇ppm -——— -——- ------___ L--—^ 粗化處理係，作成：粗化電流密度：5〜30A/dm2

處理時間：2〜1 5秒溫度：2 0〜4 0 °C 於本發明的實施例之粗化電流密度：5〜3 0 A / dm2相車λ 、先前所實施的粗化處理電流密度係屬較低的條件。再者\ ; 將處理時間設為2〜1 5秒係因改變陽極的大小來加以處理，於各種溶液組成，線速度為一定。於粗化處理後的銅箔表面，以如第6表所示的條件來施行封囊（capsule)電鍛。第6表封囊電鍍液絛件銅硫酸液溫電流密度處理時閡 65g/l 100g/l 50°C 10·^ 6〇A/ dm2 2~15 秒

於本發明中，有實施複數次粗化處理、封囊電鍍處理的情形。 (3 )粗化處理後的性能（基於同一處理條件的處理）施行粗化處理、封囊電鍍的處理銅箔之性能如第7表所

2197-6112-PF(N2).ptd 第13頁 200415012 五、發明說明（ίο) 示0 第7表未處理銅箔粗化液組成原箔 Rz 粗化後 Rz 與F R- 4之間的黏合強度 A 1 3.5 4. 9 1.54 kgf/ cm2 A 2 3.5 5.2 1.53 kgf/cm2 A 3 3.5 6.2 1.50 kgf/ cm2 A 4 3.5 6.4 1.51 kgf/ cm2 A 5 3.5 7.1 1.62 kgf/cm2 A 6 3.5 7. 1 1.51 kgf/ cm2 C 1 2.4 4. 0 1.52 kgf/cm2 C 2 2.4 4.2 1.50 kgf/cm2 C 3 2. 4 5. 1 1.47 kgf/cm2 C 4 2.4 5.5 1.48 kgf/cm2 C 5 2.4 6. 0 1.60 kgf/cm2 C 6 2.4 6.3 1.51 kgf/cm2 D 1 0. 8 1.1 0.60 kgf/cm2 D 6 0. 8 1.3 0.54 kgf/cm2 由此表可清楚地瞭解，未處理銅箔的不同，亦即，實施例A、 C與比較例D，和F R - 4之間的黏合強度有顯著地不同。本發明係未處理銅箔的表面粗糙度為2〜4 // m，於箔表面的一部分具有瘤狀突起之箔，其效果相當顯著。再者，所製成的未處理銅箔A與B係如第4表所示，由於幾乎顯示相同的性能，故僅對A施行粗化處理，而B則省略粗化處理。再者，藉由在銅箔的電鍍表面施行鍍鎳、鍍鋅、鍍鈷、這些金屬的合金電鍍、鉻酸鹽處理、以及偶合劑處理

第14頁 2197-6112-PF(N2).ptd 200415012 五、發明說明（11)專至y 種的處理，而曰力、黏合強度。 &汁耐熱性、耐鹽酸性(η ί f耗：及剝離值比較 ^ ^ ^ ^ ^ I J ^ tb ^ ^'JD ^ J ^ ^ ^ t >/α/ 離值）。其結果士矣、1定高頻傳輸衰耗與黏合強度（剝禾如弟8表所示。防鏽第 900 400 200 粗化電流/ 粗化速度 2600 貧龅例C Μ施例C 富施例C 比較例D 比較例D 比較例D _粗糙度黏合強度傳輸衰耗表面粗糙度黏合強度傳輸衰耗 _2_：2 口 1.57 4. 45 2.40 1. 07 4.38 _3^95 1. 42 3.7 9 1.25 0.77 3.77 2.90 1.22 3.7 0.90 0.60 3.71 _2^55 1.21 3.62 0. 9G 0.59 3.64 由第8表顯然可知，即使將粗化電流/粗化速度的條件作各種改變，一汁貫施例C的未處理銅箔與比較例D的未處理銅泊幾乎無法看出傳輸衰耗之差。一般認為，如前述傳輸衰耗係依存於處理電流/粗化速度（電流密度、線速度），無論未處理铜箔C或D的任一方，若使處理電流/粗化速度相同的話，則傳輸衰耗並無差異，此實施例可予以證實。另一方面，對於黏合強度，由第8表顯然可知，若比較例D的未處理銅箔之粗化處理/粗化速度變小，則黏合強度減低而無法使用，但本發明實施例C的銅箱，即使粗化處理/粗化速度變小，卻保持高黏合強度，且與未處理銅箔D保有同等的傳輸衰耗特性。

2197-6112-PF(N2).ptd 第15頁 200415012 五、發明說明（12) 如上述，於比較例D，基於弱化粗化處理，可明顯地看出黏合強度降低。雖然利用本發明的實施例C，基於弱化粗化處理而可看出些許黏合強度之減低，但和比較例D 相較仍具有足夠的黏合強度。並且，對於傳輸衰耗，比較例D的值幾乎沒什麼變化。由此，基於利用本發明而可製得傳輸衰耗良好、且具有高黏合強度的銅箔。再者，以本發明所製得的銅箔，由於具有表面粗糙度小、高黏合強度，當然，即使作為高頻用途以外的印刷電路用銅箔也非常合適。實施例2 (1 )未處理銅箔製箔條件·表面電鍍種類以及附著量 (mg /dm2 ) 以實施例1的實施例C與比較例D之未處理銅箔製箔條件以及溶液組成來製作箔厚3 5 // m的未處理銅箔，施行如第9表所示的表面處理。第9表條件縟號鎳鋅銘鈷矽 1 0.30 0. 02 0.03 D 0.005 2 0.30 0.20 0. 03 0.2 0. 005 3 0. 05 0. 02 0. 03 0 0. 005 4 D. 05 0.25 0.03 0 0. 005 5 0.10 0. 04 0.03 0 0. D05 6 0.25 0. 03 0. 03 0. 15 0. 005 7 0. 10 0. 03 0. 03 0 0

2197-6112-PF(N2).ptd 苐16頁 200415012 五、發明說明（13) (2 )性能於第9表施行表面處理的銅箔在處理後的Rz與聚醯亞胺基材之間的黏合強度如第1 0表所示。表 C C D D 條件纈號處理後Rz 〈處理面惻〉聚醯亞胺基材黏合強度處理後Rz (處理面惻）聚醯亞胺基材黏合強度 1 2.4 1.78 kgf/cm2 0.8 1.40 kgf/cm2 2 2.4 0. 40 0.8 0.25 3 2.4 1. 13 0.8 0. 82 4 2.4 0.33 0,8 0.24 5 2.4 1. 69 0. 8 1. 38 6 2.4 1. 83 0. 8 1. 43 7 2.4 0. 80 0. 8 0.55 如此第10表所示，藉由在未處理銅箔上實施鍍鎳、鍍鋅、鍍鈷、這些金屬的合金電鍍、鉻酸鹽處理以及偶合劑處理，而可提昇耐熱性、耐鹽酸性、防鏽力。另一方面，對以上述條件來施行表面處理的銅箔之傳輸衰耗（d B / m )以3 G Η z來加以測定的結果如第1 1表所示。

2197-6112-PF(N2).ptd 第17頁 200415012 五、發明說明（14) 第11表條件號未處理銅箔C 未處理銅箔D 1 3.58 3.60 2 3.56 3.60 3 3.56 3.55 4 3.57 3.58 5 3. 60 3.58 6 3.60 3.58 7 3.58 3.57 由第1 1表顯然可知，即使在未處理銅箔上實施鍍鎳、鍍鋅、鍍鈷、這些金屬的合金電鍍、鉻酸鹽處理以及偶合劑處理，傳輸衰耗並不會隨著實施例C、比較例D而有大幅的改變。如此而能夠提供一種藉由使用以本發明的條件所製造的未處理銅箔，比起以先前技術所製造的銅箔，可無損傳輸特性而具有高黏合強度的銅箔。發明效果：如上述，本發明的銅箔係可提供一種稍微提高表面粗糙度，將和樹脂基材之間的黏合強度作成高黏合強度，且無損高頻特性之優異銅箔，而具有優異效果者。因而，依使用用途之不同，不論表面粗糙度，對於需要高黏合強度的情形亦非常有效，而也非常適合高頻用途之銅箔。

2197-6112-PF(N2).ptd 第18頁 200415012 圖式簡單說明上述本發明的目的以及特徵係藉由有關所附圖面之下述說明，使更為明暸，此處：第1圖係表示本發明之一實施例的銅箔表面之電子顯微鏡照片。第2圖係表示本發明之另一實施例的銅箔表面之電子顯微鏡照片。第3圖係表示本發明之又一實施例的銅箔表面之電子顯微鏡照片。

2197-6112-PF(N2).ptd 第19頁

Claims

200415012 六、申請專利範圍 1. 一種電為的表面之一 // m的凹凸面。 2. 如申請和樹脂基板之度為2〜4 // in的施行粗化處理時間施加既定 3. 如申請粗化處理係以的酸性電解浴 4. 如申請述粗化處理後 5. 如申請述粗化處理後設置鍍錄、鍍理等至少一種而形成。 6. 如申請和樹脂基板之度為2〜4 //m的上設置鍍鎳、處理等至少一處理層。解鋼箔，部分呈瘤專利範圍間的受黏未處理銅而形成，電流。專利範圍含有鉬、來進行電專利範圍，於粗化專利範圍，於粗化鋅、鍍鈷以上的層專利範圍間的受黏未處理銅鍍鋅、鍍種以上的於電解鋼箔，复狀突起所形戍矣破在於：由該銅、又面粗糙度為2〜4 第1項所述的雷合面之瘤狀突起鋼謂’其中係由箔，於該未處形成的表面粗糙此種粗化C的受黏合面上 /、在電解浴中於既定 ί2、項鎳所二的電解铜簿，其中前述解。’、"、鎢以及舛等至少1種 :理或3項所述的電解鋼箔，其中前表面上再施加鍍鋼層。产或^項所述的電解鋼箱，其中前处、+表面上施行鍍鋼，並於其上面 $二金屬的合金電鍍、鉻酸鹽處於其上面依需要施行偶合劑處理第1項所述的電解鋼箔，其中係由二面之瘤狀突起所形成的表面粗錄化’於該未處理銅箔的受黏合表面始、這些金屬的合金電鍍、鉻酸鹽層’再於其上面依需要設置偶合劑

2197-6112-PF(N2).ptd 200415012 六、申請專利範圍 7 · —種主成分’添以上的有機液加以電解面粗糙度具 8 ·如申法，其中施鎢以及砷等 9. 種巯基之化合與氯化物離的表面粗糙合面上施行時間施加既電解銅箔之製造方法，其特徵在於：以銅作為加具有巯基之化合物以及除此之外的至少1種化合物與氯化物離子之電解液，而使用此電解，製成由表面的一部分呈瘤狀突起所形成的表有2〜4 "m的凹凸面之銅箔。請專利範圍第7項所述的電解銅箔之製造方行粗化處理的電解浴係含有鉬、鈷、鎳、鐵、至少1種的酸性電解浴。電解銅箔之製造方法，其特徵在於：添加具有物以及除此之外的至少1種以上的有機化合物子之電解液，而使用此電解液來製造受黏合面度為2〜4 // m的電解銅箔，於該電解銅箔的受黏粗化處理，此種粗化處理係在電解浴中於既定定電流。

2197-6112-PF(N2).ptd 第21頁