JP5116943B2 - 高周波回路用銅箔及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このうち導体損は、銅箔に直接関連し、信号が高周波化すると表皮抵抗の増加により損失が大きくなる。高い周波数では、表皮効果(導体に交流を流すと磁束変化のために導体中心部に逆起電力が生じ電流が流れ難くなる)により電流は導体表面部分に流れるようになる。そのため、電流の流れる有効断面積が減少して抵抗が上昇する。
このため、銅箔の表面での形状(プロファイル)が伝送損失に大きく影響し、粗度の大きい箔は信号の伝播距離が長くなり、信号の減衰や遅延が問題となってくる。つまり、平滑であるほど導体損は小さくなる。
ICカードはカード内にICを内蔵するので、より高度な判断、複雑な演算が可能であり、記憶容量は磁気カードの100倍程度大きく、情報の読み書きが可能であり安全性が高いという特徴がある。このICカードの情報伝達方法には、接点への物理的接触により交信する接触型以外に、電磁波などを用いて最大数m程度の空間的な距離をあけて交信することのできる非接触型のものもある。
また、非接触型ICカードはその通信距離により、密着型(通信距離〜2mm)、近接型(同10cm)、近傍型(同70cm)、マイクロ波型(同数m)の4タイプに分かれており、通信周波数は密着型では4.91MHz、近接型、近傍型では13.56MHz、マイクロ波型では2.45及び5.8GHzと、MHzからGHz域までにわたっている。
本発明の第1は、粒状層からなる銅箔表面の少なくとも片面に柱状層が形成されている高周波回路用銅箔であって、該銅箔の、粒状層の厚さをA、柱状層の厚さをBとすると
A/(A+B)=40〜99%
である高周波回路用銅箔である。
A/(A+B)=40〜99%
となるように製箔する高周波回路用銅箔の製造方法である。
銅箔に高周波で通電すると表皮効果のため抵抗が極端に増大し、インピーダンスの増大を招き、正常な信号の送受信が不可能となる場合がある。この現象を解析した結果、従来の銅合金圧延材を使用すると、純銅などに比べ導電率が低いため表皮効果での影響が大きく使用できる範囲が極めて狭いことが解った。
Rz、Ra、見かけの表面積と実表面積の比、は例えばキーエンス社の超深度形状測定顕微鏡:型式VK8500を用いて、次の条件で測定することができる。
測定条件:レンズ倍率 2000倍
RUN MODE カラー超深度
感度 白黒 Gamma3
カラー Gamma1
PITCH 0.05μm
即ち A/(A+B)
が40〜99%であることが好ましく、特に50〜99%であることが望ましい、との研究結果を得た。
粒状層と柱状層の作り分けは、電解浴を変えてめっきすることが簡便であるが、同一電解浴にて電流密度を変化させて作り分けても良い。
粗化処理とは、例えば後述する図4に示す装置によりCu又は、CuとCo,Ni,Fe,Crからなる微細粒子、若しくはこれらとV,Mo,Wなどの元素の酸化物との混合物を電析させ、この上に平滑なCuめっきを施し、粉落ちを防止するものであり、通常0.01mg/dm2以上の付着量で樹脂基板との密着力を向上させるものである。
また、電解液A1とA2とを入れ換えることにより、柱状層を形成した上に粒状層を形成した銅箔を製造することができる。
また、アノードの電流密度を上記とは逆にすることで、柱状層を形成した上に粒状層を形成した銅箔を製造することができる。
なお、電極32、35は銅箔の片面にめっき層を析出させる場合にはいずれか所定の電極に通電し、銅箔の両面にめっき層を析出させる場合には両方の電極に通電し、粒状層と柱状層からなる銅箔を製造する。
図3において銅箔を製造するには、電解ドラム1を回転することで連続して粒状層(又は柱状層)から成る銅箔30を製造し、次いで電解槽31に銅箔30を導入してその片面又は両面に柱状層(又は粒状層)を形成する。
なお、符号45はアノードとなる電極で、電極42、45を使い分けることにより、銅箔の何れかの片面、或いは両面に粗化処理等の後処理を行うことができる。
図4に示す装置により、電解ドラム1から剥離された銅箔10は連続してめっき槽41に案内され、めっき槽41でその表面が後処理される。
なお、図3乃至図5は電解ドラム1から剥離された銅箔をインラインで後処理する工程を示したが、電解ドラム1から剥離した銅箔を一旦ボビン等に巻き、その後必要により粗化処理等を施こすことも可能である。
[実施例]
この実施例は、本発明の一般的な説明をする目的で記載するものであり、何ら限定的意味を持つものではない。
(1)粒状層めっき条件
めっき浴:Cu 90g/l
H2SO4 110g/l
3−メルカプト1−プロパンスルホン酸ナトリウム 1ppm
ヒドロキシエチルセルロース 5ppm
低分子量膠(分子量約3000) 5ppm
塩化物イオン 30ppm
電流密度:50A/dm2
めっき浴:Cu 80g/l
H2SO4 100g/l
Cl(塩素イオン) 50ppm
電流密度:30A/dm2
第1処理に続けて第2処理をする。これを2回行う。
第1処理
めっき浴:Cu 20g/l
H2SO4 100g/l
浴温度 :25℃
電流密度:30A/dm2
第2処理
めっき浴:Cu 60g/l
H2SO4 100g/l
浴温度 :60℃
電流密度:15A/dm2
めっき浴:NiSO4・7H2O 300g/l
NiCl2・6H2O 60g/l
H3BO3 40g/l
電流密度:4A/dm2
めっき浴:ZnO 8g/l
NaOH 90g/l
電流密度:0.7A/dm2
処理浴:K2Cr2O7 5g/l
電流密度:0.1A/dm2
3−アミノプロピルトリエトキシシラン 0.2%溶液 塗布
千代田化学製チオライトC−71AT 10%水溶液 浸漬5秒
(1)ピール強度の測定
ピール強度は常温で測定した。
高周波伝送損失の測定は、各銅箔を樹脂基材に積層した後、配線長:1,000mm、線幅:0.16mmのパターンを作成し、ネットワークアナライザー(アジレントテクノロジー(株)8753ET)で85℃、5GHzでの伝送損失を測定した。
#2000バフで平滑研磨したTi製の電解ドラムをカソードとし、粒状層めっきで28μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この光沢面(電解ドラムに接着していた面)に2μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約93%)、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで26μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この光沢面に4μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約87%)、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで24μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この光沢面に6μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約80%)、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで22μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この光沢面に8μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約73%)、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで26μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この光沢面に4μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約87%)、0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで26μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この光沢面に4μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約87%)、0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、ベンゾトリアゾール処理とシランカップリング剤処理を同時に施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで22μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、この両面に4μmの柱状層めっきをそれぞれ施し(粒状層:約73%)、製箔時の光沢面側に0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
実施例1と同様に、粒状層めっきで8μmの銅箔を作成し、電解ドラムから剥離後、このマット面(光沢面と反対の面)に22μmの柱状層めっきを施し(粒状層:約27%)、0.4g/dm2の粗化処理を施した後に、クロメート処理を施した。
平滑研磨したTi製の電解ドラムをカソードとして柱状層めっきで22μmの銅箔を作成し、次いでこのマット面に8μmの粒状層めっきを施し(粒状層:約27%)、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
#2000バフで平滑研磨したTi製の電解ドラムをカソードとし、粒状層めっきで30μmの銅箔を作成し、光沢面にNiめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、ベンゾトリアゾール処理とシランカップリング剤処理を同時に施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.4g/dm2の粗化処理を施した後、クロメート処理を施した。
#2000バフで平滑研磨したTi製の電解ドラムをカソードとし、柱状層めっきで30μmの銅箔を作成し、光沢面にNiめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
また、実施例4では比較例6(柱状層からなる銅箔)と比較して、ピール強度は同程度であるが、伝送損失比が小さくなっている。
実施例6では粒状層26μmの銅箔の光沢面に柱状層を4μmめっきし、0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、ベンゾトリアゾール処理とシランカップリング剤処理を同時に施したものであるが、同様の後処理をした比較例3と比較して、ピール強度が上昇している。
実施例9では柱状層22μmの銅箔のマット面に粒状層を8μmめっきし、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施したものであるが、同様の後処理をした比較例6と比較して、伝送損失比が小さくなっている。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.1g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.2g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.3g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.4g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.6g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.6g/dm2の粗化処理を施した後、Niめっき後Znめっきし、さらにクロメート処理後、ベンゾトリアゾール処理とシランカップリング剤処理を同時に施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.6g/dm2の粗化処理を施した後、Znめっきし、さらにクロメート処理後、シランカップリング剤処理を施した。
比較例1と同様に、30μmの銅箔を作成し、光沢面に0.8g/dm2の粗化処理を施した後、クロメート処理を施した。
表2に上記実施例1乃至8と比較例7乃至14に付き後処理前の銅箔の表面形状(Rz、表面積比)、ピール強度及び伝送損失を測定し、その結果を表2に示した。なお、伝送損失は各比較例に対する伝送損失比として示してある。
また、ピール強度が高くなるほど伝送損失比が小さくなる傾向を示している。
実施例8では粒状層8μmの銅箔の光沢面に柱状層を22μmめっきし、0.4g/dm2の粗化処理を施した後、クロメート処理を施したものであるが、比較例14と比較して伝送損失比が小さくなっている。
2.回転軸
3.給電部
4.めっき槽
5.アノード
6.めっき槽
7.アノード
10.銅箔
31.めっき槽(粗化処理用)
32.電極
33.給電部
35.電極
41.めっき層(粗化処理用)
42.電極
43.給電部
45.電極
Claims (5)
- 粒状層からなる銅箔表面の少なくとも片面に柱状層が形成されている高周波回路用銅箔であって、
該銅箔の、粒状層の厚さをA、柱状層の厚さをBとすると
A/(A+B)=40〜99%
である高周波回路用銅箔。 - 請求項1に記載の銅箔において、少なくとも片面の表面に粗化処理が施されていることを特徴とする高周波回路用銅箔。
- 請求項1または2に記載の銅箔において、少なくとも片面の表面に、Ni、Zn,Cr又はこれらの合金のめっき、あるいはクロメート、有機防錆、シランカップリング剤処理の少なくとも1種の処理が施されていることを特徴とする高周波回路用銅箔。
- 電解槽内に製箔ドラムを浸漬回転し、該製箔ドラム表面に粒状層からなる銅箔を形成した後、その少なくとも片面側に柱状層からなる銅箔をめっきし、
前記銅箔の、粒状層の厚さをA、柱状層の厚さをBとすると
A/(A+B)=40〜99%
となるように製箔する高周波回路用銅箔の製造方法。 - 粒状層用電解槽内と柱状層用電解槽内に製箔ドラムを浸漬回転し、該製箔ドラムに粒状層及び柱状層を連続して電析させ、
銅箔の、粒状層の厚さをA、柱状層の厚さをBとすると
A/(A+B)=40〜99%
となるように製箔する高周波回路用銅箔の製造方法。
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