RU2082283C1 - Способ зажигания свд-плазмы (варианты) - Google Patents

Способ зажигания свд-плазмы (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2082283C1
RU2082283C1 SU925052132A SU5052132A RU2082283C1 RU 2082283 C1 RU2082283 C1 RU 2082283C1 SU 925052132 A SU925052132 A SU 925052132A SU 5052132 A SU5052132 A SU 5052132A RU 2082283 C1 RU2082283 C1 RU 2082283C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microwave
high voltage
pulse
plasma
pulses
Prior art date
Application number
SU925052132A
Other languages
English (en)
Inventor
Крюммель Харальд
Мерзен Эвальд
Паке Фолькер
Фогт Хельге
Вайдманн Гюнтер
Original Assignee
Шотт Глазверке
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шотт Глазверке filed Critical Шотт Глазверке
Application granted granted Critical
Publication of RU2082283C1 publication Critical patent/RU2082283C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Существо изобретения: в реакционной камере плазму зажигают на выходе газа из реакционной камеры посредством по меньшей мере, кратковременно приложенного высокого напряжения. Это позволяет повысить качество покрытия. Используются импульсы высокого напряжения или низкочастотные высокоамплитудные напряжения с частотами в диапазоне 10-100 кГц. Высокое напряжение синхронизируется с микроволновыми импульсами. В другом варианте способа микроволновые импульсы по меньшей мере в их начале кратковременно превышаются. Возможны также периодические превышения микроволновых импульсов. 2 с. и 9, з.п.ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к способу и устройству для зажигания плазм в реакционной камере для соблюдения покрытий на субстрат, согласно которому реакционный газ пропускают через реакционную камеру, в которой плазма, после ее зажигания возбуждается посредством микроволновых импульсов и поддерживается в течение заданного интервала времени. Изобретение относится также к устройству для осуществления указанного способа.
Для соблюдения покрытия на субстрат подложка, в особенности на стеклянных подложках, последние подвергаются действию плазмы в камере нанесения покрытия. В зависимости от вида покрытия подаются соответствующие реакционные газы, которые, однако, различаются по степени воспламеняемости. Под воспламеняемостью понимается малое давление зажигания газа и/или малое давление погасания. Главной особенностью микроволновой плазмы, содержащей газ, который действует, как улавливатель электронов, является низкая воспламеняемость. Наибольшие затруднения при зажигании возникают в газах для импульсных плазм, так как после каждой паузы между импульсами плазму приходится зажигать вновь. Такие виды плазмы были описаны, как плазма Пи Ай Си Ви Ди [1]
Известен способ зажигания микроволновой протекающей плазмы [2] согласно которому реакционные газы возбуждаются в камере, находящейся до реакционной камеры. Зажигание такой плазмы производится на входном для газов конце реакционной камеры посредством подачи высокого напряжения с частотой 1 МГц.
Использование высокой частоты является решением требующим значительных затрат, поскольку стоимость высокочастотных деталей помимо прочего, возрастает с ростом рабочей частоты.
Расположение зажигающего электрода по патенту США 4888088 на входной стороне по ходу газа для описанного случая применения возможно, однако, для других микроволновых способов осаждения, как, например, в способах с использованием плазмы типа Пи Ай Си Ви Ди неприемлемо в том числе, что реакционные газы соединяются друг с другом не на подложке, а на более раннем этапе. Зажигание реакционных газов в области, расположенной перед реакционной камерой приводит к возникновению реакции между газами, что в свою очередь приводит к тому, что часть реакционных газов выпадает в осадок до камеры реакции. Кроме того, образуются неопределенные продукты реакции, например, пыль, которая вызывает помутнение нанесенного на подложку слоя. Образующиеся на стенках сосуда (за счет частичного осаждения из реакционных газов) пленки в основном плохо пристают, и легко отслаиваются, причем их частицы добавочно ухудшают качество покрытия осаждаемого на подложки материала.
Еще один недостаток заключается в том, что несмотря на определенный заданный расход массы реакционных газов, точно выдерживать толщину покрытия становится невозможным, вследствие неопределенного расхода реакционных газов в области поджигающего электрода при зажигании.
Известен способ и устройство для обработки поверхности деталей тлеющим разрядом [3] Чтобы избежать дугового разряда и повреждения деталей, а также не иметь проблем с зажиганием, импульсы напряжения на фронте имеют пики для зажигания тлеющего разряда, которые затем переходят в область импульса для поддержания тлеющего разряда с меньшим напряжением. Этот способ, с помощью которого возможно осуществлять осаждение покрытий, закаливание, отжиг и т.п. отличается от способа, работающего на микроволновых плазмах тем, что деталь используется как катод, а окружающие деталь стенки вакуумного сосуда как анод, который подключен к источнику напряжения от нескольких сот до тысячи вольт. Но для осаждения покрытий, например, на стеклянных подложках этот известный способ неприменим.
Поэтому задачей изобретения является создание способа и устройства для зажигания микроволновой плазмы, которые являлись бы экономичными и позволяли бы избежать появление в реакционной камере нежелательных продуктов реакции, снижающих качество покрытия.
Эта задача решается признаками пункта 1 формулы изобретения на способ и пункта 12 формулы изобретения на устройство. Еще одна форма исполнения изобретения является предметом подчиненных пунктов 10 и 17, где описаны предпочтительные формы исполнения.
Непредвидимый эффект заключается в том, что плазма в камере реакции может быть надежно зажжена с выходной для газа стороны реакционной камеры, хотя реагирующий газ и возбужденные ионы движутся не в сторону камеры для осаждения покрытия, а в противоположную сторону, к вакуумному насосу. Одновременно достигается преимущество, заключающееся в том, что возникающие при поджиге продукты реакции не попадают в камеру осаждения покрытия, а отсасываются.
Другой неожиданный эффект состоит в том, что в противоположность рекомендациям, изложенным в патенте США 4888088, частота поджига не должна составлять как минимум 1 МГц, и что надежное зажигание микроволновой плазмы возможно при значительно меньших частотах. Для надежного зажигания микроволновой плазмы совершенно достаточно высокое напряжение с частотой от 10 до 100 Гц.
Так как по способу Пи Ай Си Ви Ди деятельность микроволновых импульсов является определяющей величиной для толщины и качества покрытия, то при использовании низкочастотного высокого напряжения, предпочтительно с частотой менее 30 кГц, следует иметь в виду, что это низкочастотное высокое напряжение должно быть синхронизировано с микроволновыми импульсами. Если нет жесткой фазовой привязки между низкочастотным высоким напряжением и микроволновыми импульсами, то при использовании частоты, период которой не на много меньше длительности импульса плазмы, получится некоррелированный поджиг относительно начала микроволновых импульсов, что приведет к тому, что длительность импульсов, и, значит и качество, осажденного за один импульс слоя будет статистически колебаться. Синхронизация низкочастотного высокого напряжения и, значит, жесткая фазовая привязка между низкочастотным высоким напряжением и микроволновыми импульсами обеспечивает зажигание плазмы относительно микроволновых импульсов всегда в один и тот же момент времени.
Целесообразно низкочастотное высокое напряжение коммутировать таким образом, чтобы оно включалось одновременно с микроволновыми импульсами. Для этой цели напряжение поджига модулируется импульсами так же, как и генератор микроволновых импульсов. Отключение зажигания в паузах между импульсами дает при этом преимущество в том, что загрязнение газоотвода, а также электродов нежелательными осажденными слоями заметно уменьшается.
Для поджигания трудновоспламеняемых газов, или газов, которые имеют тенденцию к быстрому гашению разряда, выгодно поддерживать напряжение поджига в течение всей длительности микроволновых импульсов. В этом случае во время микроволнового импульса плазма в соответствии с частотой генератора поджига постоянно зажигается. Погасание плазмы во время его микроволнового импульса при этом надежно предотвращается.
Если используется низкочастотное высокое напряжение с частотами выше 30 кГц, то высокое напряжение не требуется синхронизировать с микроволновыми импульсами, и оно может быть включено в ходе всего процесса осаждения покрытия.
Согласно другой формы исполнения, которая особенно подходит для легковоспламеняющихся газов, плазма зажигается по меньшей мере одним импульсом высокого напряжения за один микроволновый импульс, который также целесообразно синхронизировать с микроволновым импульсом. В случае легковоспламеняющихся газов для поджигания газа достаточно иметь кратковременный импульс с тиристора на импульс микроволнового осаждения покрытия. Для поджигания реакционных газов используются импульсы высокого напряжения, длительность которых предпочтительно находится в диапазоне микросекунд.
Импульс высокого напряжения может подаваться одновременно с микроволновым импульсом. Но микроволновый импульс может также иметь задержку по времени относительно импульса высокого напряжения, однако, в этом случае задержка времени τ должна находиться в пределах интервала, в течение которого плазма после зажигания еще не гаснет. В некоторых случаях применения может оказаться также целесообразным, чтобы микроволновый импульс начинался до высоковольтного импульса эажигания. Положение импульса высокого напряжения относительно микроволнового импульса само по себе некритично, если выполняется условие, согласно которому длительность микроволнового импульса после зажигания достаточна для высококачественного покрытия. Величину задержки времени t которая также может быть отрицательной, выбирают в зависимости от давления газа и вида газа. Расстояние от реакционной камеры до точки приложения высокого напряжения зависит от давления и вида газа. Оказалось, что при расстояниях до 50 см газ еще надежно зажигается. Как для низкочастотного высокого напряжения, так и для импульсов высокого напряжения целесообразно выбирать напряжение в диапазоне от 5 до 30 кВ.
Устройство для осуществления способа имеет реакционную камеру с подводом и отводом реакционного газа и микроволновое устройство, которое подключено к блоку питания и к тактовому генератору для генерирования микроволновых импульсов. Для зажигания плазмы добавочно к газоотводу подключен выход коммутируемого высоковольтного источника напряжения. Для передачи высокого напряжения зажигания в газовую полость, высоковольтный выход прибора зажигания через кабель подводится и крепится к диэлектрической стенке газоотвода или в случае металлической стенки, проводится через высоковольтный ввод сквозь стенку в выходной поток газа.
Коммутируемый источник высокого напряжения подключен к тактовому генератору, так что обеспечивается синхронизация импульсов высокого напряжения или низкочастотного высокого напряжения с микроволновыми импульсами. Коммутируемый высоковольтный источник в зависимости от требуемого вида зажигания служит либо для генерирования импульсов высокого напряжения, либо для вырабатывания низкочастотного высокого напряжения.
Если микроволновые импульсы нужно включать с задержкой времени относительно высокого напряжения зажигания, то перед коммутируемым источником высокого напряжения для микроволнового устройства включена схема задержки времени. В случае, если надо задерживать импульс высокого напряжения относительно микроволнового импульса, схема задержки времени соответственно включается перед высоковольтным источником. Согласно еще одной формы исполнения можно полностью отказаться от специального устройства зажигания, если микроволновый импульс будет настолько велик, что превысит напряжение зажигания, причем каждый микроволновый импульс периодически кратковременно превышается, что дает преимущества в случае применения газов с высоким напряжением погасания. При этом оказалось, что микроволновые импульсы с превышением обеспечивают надежное зажигание, в случае, когда превышение составляет от 1,1 до десятикратной величины импульса, которая обычно используется по способу Пи Ай Си Ви Ди для осаждения покрытий.
Устройство для осуществления способа предусматривает, что блок питания для микроволнового устройства должен быть выполнен управляемым таким образом, чтобы во время каждого запускаемого тактовым генератором импульса микроволнового генератора ток питания периодически превышался. Чтобы можно было установить множество превышений за время длительности микроволнового импульса, блок питания желательно выполнять программируемым. Первое превышение импульса выгодно иметь в начале микроволнового импульса.
Чтобы за счет превышений амплитуды микроволнового импульса подложка не нагревалась или нагревалась незначительно, целесообразно, чтобы сумма временных интервалов tii с превышениями была менее 1/10 длительности t микроволнового импульса для осаждения покрытия. При эажигании одиночным импульсом превышения на микроволновый импульс покрытия, при длительности импульса покрытия, равной, например, 1 миллисекунде, длительность импульса превышения предпочтительно ограничить 1 микросекундой.
В дальнейшем изобретение поясняется предпочтительными примерами его осуществления со ссылками на чертежи, на которых: фиг.1 схематически изображает установку для осаждения покрытий с устройством зажигания, фиг.2 - изображает эскиз схемы коммутируемого источника высокого напряжения, фиг.3 - две эпюры импульсных напряжений, фиг. 4 эскиз схемы источника высокого напряжения по еще одной форме исполнения, фиг.5 две эпюры напряжений для еще одного примера исполнения, фиг.6 схематически изображает осаждение покрытий по еще одной схеме исполнения, фиг.7 изображает эпюру напряжения микроволнового импульса.
На фиг. 1 изображена установка для микроволнового осаждения покрытий, снабженная устройством для зажигания плазмы. Подлежащая покрытию подложка /не изображена/ находится в реакционной камере 1, которая имеет газопровод 9, через который она запитывается реакционными газами. Отработанный реакционный газ по газоотводу 10 отводится к вакуумному насосу /не показан/. Над реакционной камерой 1 находится микроволновое устройство, которое имеет антенну 2, блок настройки 3 и источник микроволн 4. Источник микроволн соединен с блоком питания 5а, который подключен к тактовому генератору 7 через блок задержки времени 6.
На выход тактового генератора 7 далее подключен коммутируемый источник высокого напряжения 8a и 8b, выход высокого напряжения которого подключен к газоотводу 10. Для передачи высоковольтного напряжения к газовой полости находящийся под высоким напряжением выход прибора зажигания 8a, 8b через кабель /высоковольтную соединительную линию 15/ закреплен на диэлектрической стенке газоотвода 10, или через высоковольтный проходной изолятор если стенка металлическая вводится в поток выходного газа. Две различные формы исполнения коммутируемого источника высокого напряжения 8a, 8b показаны на фиг.2 и фиг.4 подробнее.
На фиг.2 изображен коммутируемый источник высокого напряжения 8a, который вырабатывает одиночные импульсы высокого напряжения. Идущий от тактового генератора 7 тактовый сигнал проходит инвертор 11 и попадает затем через резистор 12 на ключевой транзистор 13, в цепь коллектора которого включен высоковольтный трансформатор 14. Соединение между вторичной обмоткой высоковольтного трансформатора 14 и газоотводом 10 осуществляется соединительным кабелем 15.
Коммутируемый источник высокого напряжения 8a вырабатывает на выходе импульсы высокого напряжения, которые схематично показаны на фиг.3. На верхней эпюре показано высокое напряжение Uz в зависимости от времени t, а на нижней эпюре мощность микроволнового излучения L в зависимости от времени t. Амплитуда U0 высоковольтных импульсов имеет величину приблизительно 5-30 кВ. Высоковольтные импульсы имеют примерно пилообразную форму и имеют длительность, например, 1 микросекунду.
Так как с выхода тактового генератора 7 те же импульсы поступают на источник питания 5a для микроволнового генератора 4, то одновременно с высоковольтными импульсами также генерируются и микроволновые импульсы. Необходимая задержка во времени t между высоковольтными импульсами и микроволновыми импульсами, получается с помощью схемы задержки времени 6. Время задержки t на фиг. 3 выбрано таким образом, что начало микроволнового импульса находится еще в пределах высоковольтного импульса.
Пример 1.
Реакционный газ, который состоит из одной части TiCl4 и четырех частей O2 пропускается через реакционную камеру и поджигается в газоотводе 10. Давление газа составляет один миллибар. Зажигание производится высоковольтными импульсами с напряжением 15 кВ. Время спада высоковольтного импульса составляет на уровне 1/е примерно 1 мк сек. Задержка времени между высоковольтным и микроволновым импульсом составляет тау 0,1 миллисекунды. Длительность Т микроволнового импульса равна 1 миллисекунде, а время паузы между микроволновыми импульсами составляет 10 миллисекунд.
На фиг. 4 показана еще одна форма выполнения коммутируемого источника высокого напряжения 8b. Вырабатываемые тактовым генератором 7 импульсы попадают сначала на генератор частоты 16, который работает в диапазоне от 10 до 100 кГц. Выход генератора 16 при необходимости через драйверный транзистор подключен к высоковольтному трансформатору 14, вторичная обмотка которого через соединительную линию соединяются с газоотводом 10. Как только выдаваемый тактовым генератором 7 импульс достигает генератора частоты 16, на соединительной линии 15 появляется низкочастотное высокое напряжение.
На фиг. 5 в верхней части показана эпюра низкочастотного высокого напряжения Uz в зависимости от времени t, а в нижней части показана эпюра микроволнового импульса /микроволновая мощность L в зависимости от времени t /. Низкочастотное высокое напряжение с микроволновым импульсом предпочтительно синхронизуется таким образом, что в начале микроволнового импульса низкочастотное высокое напряжение имеет свой максимум. Низкочастотное высокое напряжение поддерживается в течение всей длительности микроволнового импульса Т. Задержка времени t в изображенном случае равна нулю. Однако, также можно низкочастотное высокое напряжение включать до или после начала микроволнового импульса и, таким образом поджигать газ до либо после начала микроволнового импульса.
На фиг.6 схематически представлена еще одна форма выполнения. Отдельное устройство зажигания, которое подключено к газоотводу 10 здесь может отсутствовать, так как источник питания 5b не только включается, но и управляется по мощности от тактового генератора. Коммутируемый источник питания 5b предпочтительно выполнен заранее программируемым, так что микроволновый генератор по меньшей мере в начале микроволнового импульса запитывается большей мощностью, чем обычно требуется во время осаждения покрытия. Таким образом, получают ограниченное во времени превышение мощности импульса, которое используется для зажигания газа в камере реакции1. В случае трудновоспламеняемых газов может также вырабатываться периодическая последовательность таких превышений микроволнового импульса. Это выгодно особенно в том случае, когда работают с газами с высоким напряжением погасания /фиг.7/.
Пример 2.
Реакционный газ из одной части TiCl4 и четырех частей O2 пропускают через камеру реакции 1. Давление газа составляет 1 миллибар. Превышение микроволнового импульса составляет двукратную величину используемого для покрытия микроволнового импульса. Длительность превышения импульса составляет одну микросекунду.

Claims (11)

1. Способ зажигания CBD-плазмы в реакционной камере для осаждения покрытий на субстратах, при котором газ пропускают через реакционную камеру, в которой возбуждают плазму, зажигают ее посредством кратковременно приложенного высокого напряжения и поддерживают в течение заданного интервала времени микроволновыми импульсами, отличающийся тем, что высокое напряжение для зажигания плазмы прикладывают со стороны выхода газа из реакционной камеры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что применяют высокое напряжение от 5 до 30 кВ.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что плазму зажигают по меньшей мере одним высоковольтным импульсом на микроволновый импульс, который синхронизирован с микроволновым импульсом.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что микроволновый импульс подают одновременно или с задержкой относительно высоковольтного импульса или подают до высоковольтного импульса.
5. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что плазму зажигают низкочастотным высоким напряжением.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что низкочастотное высокое напряжение синхронизировано с микроволновым импульсом.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что низкочастотное высокое напряжение подают одновременно с микроволновым импульсом и поддерживают в течение длительности микроволнового импульса.
8. Способ по п. 6 или 7, отличающийся тем, что низкочастотное высокое напряжение отключают в паузах между микроволновыми импульсами.
9. Способ по п. 6, 7 или 8, отличающийся тем, что применяют высокое напряжение с частотой 10 100 кГц.
10. Способ зажигания CBD-плазмы в реакционной камере для осаждения покрытий на субстратах, при котором газ пропускают через камеру, зажигают плазму микроволновыми импульсами и поддерживают ее указанными микроволновыми импульсами в течение заданного интервала времени, отличающийся тем, что периодически кратковременно повышают амплитуду каждого микроволнового импульса в течение его длительности.
11. Способ по п. 10, отличающийся тем, что микроволновые импульсы превышаются в 1,1 10 раз.
SU925052132A 1991-07-06 1992-07-03 Способ зажигания свд-плазмы (варианты) RU2082283C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4122452.3 1991-07-06
DE4122452A DE4122452C2 (de) 1991-07-06 1991-07-06 Verfahren und Vorrichtung zum Zünden von CVD-Plasmen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2082283C1 true RU2082283C1 (ru) 1997-06-20

Family

ID=6435612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU925052132A RU2082283C1 (ru) 1991-07-06 1992-07-03 Способ зажигания свд-плазмы (варианты)

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5308650A (ru)
EP (1) EP0522281B1 (ru)
JP (1) JP3314346B2 (ru)
CN (2) CN1051903C (ru)
CA (1) CA2073236C (ru)
DE (2) DE4122452C2 (ru)
HK (1) HK90297A (ru)
RU (1) RU2082283C1 (ru)

Families Citing this family (281)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565036A (en) * 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
IT1269931B (it) * 1994-03-29 1997-04-16 Spherilene Srl Componenti e catalizzatori per la polimerizzazione di olefine
IT1269837B (it) * 1994-05-26 1997-04-15 Spherilene Srl Componenti e catalizzatori per la polimerizzazione delle olefine
DE19629877C1 (de) * 1996-07-24 1997-03-27 Schott Glaswerke CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Innenbeschichtung von Hohlkörpern
US6566272B2 (en) 1999-07-23 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process
US6335536B1 (en) 1999-10-27 2002-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for low voltage plasma doping using dual pulses
DE10141696A1 (de) * 2001-08-25 2003-03-13 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Erzeugung einer nanostruktuierten Funktionsbeschichtung und damit herstellbare Beschichtung
DE10202311B4 (de) * 2002-01-23 2007-01-04 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von dielektrischen Körpern
DE102006053366A1 (de) 2006-11-10 2008-05-15 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur plasmaunterstützten chemischen Dampfphasenabscheidung
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5555930B2 (ja) * 2011-02-22 2014-07-23 オールテック株式会社 プラスチックボトル内面の処理方法及びプラスチックボトル内面の処理装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
GB2496879A (en) * 2011-11-24 2013-05-29 Creo Medical Ltd Gas plasma disinfection and sterilisation
US8742668B2 (en) * 2012-09-05 2014-06-03 Asm Ip Holdings B.V. Method for stabilizing plasma ignition
GB2505685B (en) * 2012-09-07 2015-11-04 Univ Salford Method of coating and etching
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5883769B2 (ja) * 2012-11-15 2016-03-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10989029B2 (en) 2015-11-05 2021-04-27 Saudi Arabian Oil Company Methods and apparatus for spatially-oriented chemically-induced pulsed fracturing in reservoirs
US10151186B2 (en) 2015-11-05 2018-12-11 Saudi Arabian Oil Company Triggering an exothermic reaction for reservoirs using microwaves
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
CN106086821A (zh) * 2016-08-24 2016-11-09 佛山市思博睿科技有限公司 一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5329076A (en) * 1976-08-31 1978-03-17 Toshiba Corp Plasma treating apparatus of semiconductor substrates
JPS56152973A (en) * 1980-04-30 1981-11-26 Tokuda Seisakusho Ltd Sputter etching device
DE3322341A1 (de) * 1983-06-22 1985-01-03 Siegfried Dr.-Ing. 5135 Selfkant Strämke Verfahren und vorrichtung zur oberflaechenbehandlung von werkstuecken durch glimmentladung
DE3622614A1 (de) * 1986-07-05 1988-01-14 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von elektrisch leitenden formkoerpern durch plasmaaktivierte chemische abscheidung aus der gasphase
US5053244A (en) * 1987-02-21 1991-10-01 Leybold Aktiengesellschaft Process for depositing silicon oxide on a substrate
FI79351C (fi) * 1988-01-18 1989-12-11 Asko Anttila Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material.
US4898748A (en) * 1988-08-31 1990-02-06 The Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University Method for enhancing chemical reactivity in thermal plasma processes
US4888088A (en) * 1989-03-06 1989-12-19 Tegal Corporation Ignitor for a microwave sustained plasma
US5198263A (en) * 1991-03-15 1993-03-30 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High rate chemical vapor deposition of carbon films using fluorinated gases

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. У.ОРТ.СОММ, 8/1987, с.122. 2. Патент США N 4888088, кл. С 23 С 8/36, 1984. 3. Заявка ФРГ N 3322341, кл. С 23 С 8/36, 1987. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1051903C (zh) 2000-04-26
JP3314346B2 (ja) 2002-08-12
DE4122452A1 (de) 1993-01-07
CN1155228A (zh) 1997-07-23
CA2073236C (en) 2000-09-05
US5308650A (en) 1994-05-03
EP0522281A1 (de) 1993-01-13
EP0522281B1 (de) 1994-12-28
HK90297A (en) 1997-08-01
CN1135910C (zh) 2004-01-21
CA2073236A1 (en) 1993-01-07
DE4122452C2 (de) 1993-10-28
DE59201072D1 (de) 1995-02-09
CN1070535A (zh) 1993-03-31
JPH05195229A (ja) 1993-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2082283C1 (ru) Способ зажигания свд-плазмы (варианты)
US6165376A (en) Work surface treatment method and work surface treatment apparatus
KR100397137B1 (ko) 이온 도금 장치 및 이온 도금 방법
US7569256B2 (en) Plasma CVD apparatus and dry cleaning method of the same
US5830330A (en) Method and apparatus for low pressure sputtering
EP0395415B1 (en) Apparatus for and method of processing a semiconductor device using microwave-generated plasma
US5015493A (en) Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge
EP1509332B2 (en) Application of a coating forming material onto at least one substrate
EP2012342A2 (en) Hybrid etch chamber with decoupled plasma controls
US5437895A (en) Plasma CVD process for forming amorphous silicon thin film
JPH08181125A (ja) プラズマ処理方法及びその装置
KR100443471B1 (ko) 플라즈마 처리 방법
JP3424182B2 (ja) 表面処理装置
KR100613195B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법
Hatta et al. Pulse modulated electron cyclotron resonance plasma for chemical vapor deposition of diamond films
WO2002078407A2 (en) Neutral particle beam processing apparatus
RU2238999C1 (ru) Способ импульсно-периодической имплантации ионов и плазменного осаждения покрытий
JPH04174514A (ja) プラズマ処理装置
JP2001207259A (ja) 表面改質方法及び表面改質装置
Salge Plasma-assisted deposition at atmospheric pressure
JPS6014100B2 (ja) 電気的不導体サブストレ−トのためのイオンプレ−ティング方法および装置
RU2073743C1 (ru) Способ нанесения покрытий в вакууме и устройство для его осуществления
JPS58157966A (ja) イオンプレ−テイング装置
JPS6333585A (ja) イオンボンバ−ド洗浄装置
JPH06310439A (ja) 薄膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050704