FI79351C - Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material. - Google Patents
Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material. Download PDFInfo
- Publication number
- FI79351C FI79351C FI880203A FI880203A FI79351C FI 79351 C FI79351 C FI 79351C FI 880203 A FI880203 A FI 880203A FI 880203 A FI880203 A FI 880203A FI 79351 C FI79351 C FI 79351C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- magnetic field
- capacitor
- coating
- coil
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003398 denaturant Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
Description
79351
MENETELMÄ JA LAITTEISTO MATERIAALIN PINNOITTAMISEKSI - FÖR-FARANDE OCH ANORDNING FÖR YTBELÄGGNING AV MATERIAL
Tämän keksinnön kohteena on menetelmä ja laitteisto materiaalin pinnoittamiseksi.
Timantti- ja timantinkaltaisilla kalvoilla on ominaisuuksia, jotka muistuttavat vastaavien perinteisten timanttien ominaisuuksia. Ensimmäinen ominaisuus on kovuus. Toinen merkittävä mekaaninen ominaisuus on pieni kitkakerroin. Myös kulu-miskestävyys on erinomainen. Lisäksi tällainen pinnoite pysyy muuttumattomana kaikissa tunnetuissa emäksissä ja hapoissa. Timantinkaltaiset pinnoitteet ja kalvot soveltuvat siten erityisesti kulumiselle ja korroosiolle alttiiden kappaleiden, esimerkiksi voitelemattomien laakereiden, pinnoitukseen. Vielä voidaan mainita timantin suuri valon taitekerroin.
Mikroelektroniikassa voidaan käyttää hyväksi timantti- ja timantinkaltaisten kalvojen suurta lämpökapasiteettia ja lämmönjohtavuutta. Tavoiteltaessa entistä suurempia pakkaustiheyksiä ja nopeuksia on mikropiirien rakenteiden kokoa pienennettävä. Tällöin on sähkövirran synnyttämän lämmön hävittäminen vaikeampaa ja hyvä johtavuus entistä tärkeämpää.
Nykyään timantinkaltaisia kalvoja valmistetaan suoralla io-nisuihkutuksella, joka perustuu ionien energian lisäämiseen. Suorassa ionisuihkukasvatuksessa kalvo kasvatetaan materiaalin pintaan suoraan ionisuihkusta, josta epäpuhtaudet on poistettu erotusmagneetilla. Menetelmän suurimpana ongelmana on riittävän tehokkaan ionilähteen rakentaminen. Nykyään käytetään myös timanttikalvon kasvatusmenetelmää, joka perustuu plasma-avusteiselle kaasufaasipinnoitukselle (PAVCD). Siinä kiteinen timantti kasvaa metaanin ja vedyn seoksesta. Toisin kuin energeettisiin ionisuihkuihin perustuvassa kalvon kasvatuksessa, joka tapahtuu huoneen lämpötilassa, PAVCD
2 79351 vaatii korkean, noin 800°C lämpötilan. Tämä on suuri haitta ajateltaessa tavanomaisten konstruktio- tai työkalumateriaa-lien pinnoittamista.
Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edelläesitetyt epäkohdat. Keksinnön mukaiselle menetelmälle materiaalin pinnoittamiseksi on tunnusomaista se, että materiaalia pinnoitetaan plasmasuihkun avulla kiihdyttämällä ainakin yhdestä elektrodista lähtevää pulssimaista plasmasuihkua magneettikentän avulla sekä taivuttamalla varauksettomien hiukkasten erottamiseksi mainittua plasmasuihkua mainitun magneettikentän avulla, joiden kiihdyttämisen ja taivuttamisen jälkeen mainittu plasmasuihku iskeytyy pinnoitettavan materiaalin pintaan.
Menetelmän etuina ovat sen yksinkertaisuus ja se, että suuriakin pintoja voidaan haluttaessa pinnoittaa.
Keksinnön mukaisen menetelmän eräälle edulliselle sovel-lutusmuodolle on tunnusomaista se, että plasmasuihku muodostuu ainakin yhdestä elektrodista irtoavista hiukkasista.
Keksinnön mukaisen menetelmän vielä eräälle edulliselle so-vellutusmuodolle on tunnusomaista se, että pinnoittaminen tapahtuu tyhjössä.
Keksinnön mukaisen menetelmän vielä eräälle edulliselle so-vellutusmuodolle on tunnusomaista se, että pinnoittamisessa väliaineena käytetään kaasua, joka reagoi varautuneiden hiukkasten kanssa.
Keksinnön mukaisen menetelmän vielä eräälle edulliselle so-vellutusmuodolle on tunnusomaista se, että plasmasuihkua taivutetaan taivutetulla kelalla muodostettavan magneettikentän avulla.
Il 3 79351
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetulle laitteistolle materiaalin pinnoittamiseksi on tunnusomaista se, että materiaalin pinnoittamiseksi laitteistossa on elektrodit, ainakin yksi jännitelähde ja ainakin yksi kondensaattori pulssimaisen plasmasuihkun muodostamiseksi sekä ainakin yksi taivutettu kela, johon muodostettavan magneettikentän avulla kiihdytetään ainakin yhdestä elektrodista lähtevää mainittua plasmasuihkua ja taivutetaan varauksettomien hiukkasten erottamiseksi mainittua plasmasuihkua.
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että jännitteen värähtelyn estämiseksi kondensaattorin rinnalle on kytketty diodi.
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston vielä eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että laitteistossa on ainakin yksi syty-tinpiiri valokaaren synnyttämiseksi elektrodien välille.
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston vielä eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että ainakin yksi elektrodi on sy-linterimäinen.
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston vielä eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että ainakin yksi elektrodi on kokonaan tai osittain kelan sisällä.
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston vielä eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että ainakin yhdessä elektrodissa on ainakin yksi reikä, jonka läpi plasmasuihku ohjataan.
4 79351
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston vielä eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että sytytinpiirissä on kunkin sylinte-rimäisen elektrodin sisällä oleva metallisauva, toinen kondensaattori sekä jännitelähde, joilla muodostetaan sytyttävä valokaari mainitun elektrodin ja mainitun sauvan välille.
Keksinnön mukaisen menetelmän soveltamiseen tarkoitetun laitteiston vielä eräälle edulliselle sovellutusmuodolle on tunnusomaista se, että sytytinpiirissä on ainakin yksi ulkoinen kärkiväli tai kytkin.
Seuraavassa keksintöä selostetaan yksityiskohtaisesti esimerkin avulla viittaamalla oheiseen piirustukseen, jossa esitetty kuvio esittää plasmakiihdytintä sekä pinnoitettavaa kappaletta.
Plasmakiihdyttimellä muodostetaan materiaalin pinnoittamiseksi hiilestä plasmapilvi, ja tätä pilveä kiihdytetään kohti pinnoitettavaa kappaletta ja taivutetaan magneettikentällä, jonka jälkeen plasmasuihku iskeytyy käsiteltävän kappaleen pintaan. Sekä plasmakiihdytin että pinnoitettava kappale sijaitsevat tyhjössä. Plasmakiihdyttimessä on kiinteää hiiltä oleva sylinterinmuotoinen katodi 1, joka on yhdistetty ensimmäisen jännitelähteen 2 —napaan sekä ensimmäisen kondensaattorin ensimmäiseen napaan. Kiekkomainen anodi 3, jonka keskellä on reikä, on kytketty kuparijohtimesta valmistettuun sylinterimäiseen kelaan 4. Kela on taivutettu ja kytketty toisesta päästä ensimmäisen jännitelähteen 2 +-napaan ja ensimmäisen kondensaattorin toiseen napaan. Kondensaattorin napoihin on kytketty myös diodi D sekä säätövastus R. Katodi 1 on osittain ja anodi 3 kokonaan kelan 4 sisällä.
Katodin 1 sisällä on metallisauva 5. Katodi 1 ja sauva 5 muodostavat yhdessä toisen jännitelähteen 6 ja toisen kon-
II
5 79351 densaattorin C2 kanssa sytytinpiirin. Toinen jännitelähde 6 on säädettävä. Katodi 1 on kytketty toisen jännitelähteen 6 +-napaan ja toisen kondensaattorin C2 ensimmäiseen napaan. Metallisauva 5 taas on kytketty toisen jännitelähteen 6 —napaan ja toisen kondensaattorin C2 toiseen napaan.
Metallilevyn 7 pinnoitus plasmakiihdyttimellä tapahtuu seuraavasti. Ensimmäisellä jännitelähteellä 2 varataan sen rinnalle kytkettyä ensimmäistä kondensaattoria C^. Toisella jännitelähteellä 6 varataan sen rinnalle kytkettyä toista kondensaattoria C2, kunnes katodin 1 ja sauvan 5 muodostamassa ilmavälissä tapahtuu ylilyönti, jolloin mainittuun il-maväliin syntyy valokaari. Tämä valokaari purkaa toisen kondensaattorin C2 varauksen ja sytyttää vastaavasti katodin 1 ja anodin 3 välille valokaaren. Tällöin katodista 1 alkaa irrota hiiltä varautuneina ioneina sekä varauksettomina atomeina. Katodin 1 ja anodin 3 välisen valokaaren seurauksena purkautuu ensimmäisen kondensaattorin varaus ja valokaari sammuu kondensaattorin jännitteen pienentyessä pienemmäksi kuin valokaaren palamiseen tarvittava jännite. Näin hiiliatomeista ja -ioneista syntyy pulssimuotoinen plasmasuihku. Pulssin pituus määräytyy ensimmäisen kondensaattorin kapasitanssin perusteella.
Ensimmäisen kondensaattorin rinnalle on kytketty diodi D, jonka tehtävänä on poistaa ensimmäisen kondensaattorin ja käämin 4 muodostaman värähtelypiirin aiheuttama vastakkaismerkkinen jännite ensimmäisen kondensaattorin navoissa, ja säätövastus R, joka suojaa diodia D.
Plasmasuihkua kiihdytetään käämin 4 synnyttämässä magneettikentässä. Koska käämi 4 on taivutettu, kääntyvät anodissa 3 olevan reiän 8 läpi kulkeutuvat varautuneet ionit magneettikentän mukana. Sensijaan varautumattomat hiukkaset kulkevat suoraan kohtaamatta levyä 7 ja erottuvat näin varautuneista ioneista. Pinnoitettava levy 7 sijaitsee käämin 6 79351 4 ensimmäiseen jännitelähteeseen 2 ja ensimmäiseen kondensaattorin kytketyn pään lähellä. Koska käämin 4 synnyttämä magneettikenttä kääntää varautuneita ioneita, mutta ei varautumattomia hiukkasia, pinnoitettavaan levyyn iskeytyy ainoastaan magneettikentän kiihdyttämiä ioneita.
Kun levyn 7 pintaan iskeytyvällä ionilla on magneettikentän aikaansaama riittävän suuri energia, se pystyy tunkeutumaan pinnan sisään. Seuraavan 10”^ s aikana mikroskooppinen alue tunkeutuvan ionin läheisyydessä kokee suuria muutoksia. Merkittävä osa levyn pinnan atomeista on siirtynyt normaaleilta hilapaikoiltaan, ja vakanssien sekä välisija-atomien pitoisuus voi nousta useaan prosenttiin. Atomien liikkuvuus lisääntyy myös huomattavasti. Olosuhteet tällaisen ns. kaska-din sisällä vastaavat usean tuhannen Celsius-asteen lämpötilaa, vaikka ympäristön lämpötila pysyy muuttumattomana. Lisäksi paine kasvaa kaskadin reunoilla. Edelläesitetyn seurauksena syntyy timantinkaltainen kalvo levyn 7 pintaan.
Tyhjön sijasta voidaan käyttää väliaineena sopivaa kaasua, joka reagoi pinnoitettavan materiaalin pinnassa ionien kanssa muodostaen esimerkiksi boorinitridipinnan. Sytytin-piirissä katodin 1 ja metallisauvan 5 välinen valokaari sammuu itsestään toisen kondensaattorin C2 jännitteen laskiessa pienemmäksi kuin valokaaren palamiseen tarvittava jännite Sytytinpiirissä voi olla myös ulkoinen kärkiväli 9 tai kytkin, joka sammuttaa katodin 1 ja metallisauvan 5 välisen valokaaren halutulla hetkellä.
Alan ammattimiehelle on selvää, että keksinnön eri sove-luutusmuodot eivät rajoitu yksinomaan edelläesitettyyn esimerkkiin, vaan ne voivat vaihdella jäljempänä esitettävien patenttivaatimusten puitteissa.
Claims (9)
1. Menetelmä materiaalin pinnoittamiseksi pulssimaisen plasmas uihkun ja magneettikentän avulla, tunnettu siitä, että ainakin yhdestä elektrodista (1) lähtevää pulssi-maista plasmasuihkua kiihdytetään ja taivutetaan varauksettomien hiukkasten erottamiseksi magneettikentän avulla, joiden kiihdyttämisen ja taivuttamisen jälkeen plasmasuihku is-keytyy pinnoitettavan materiaalin (7) pintaan.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pinnoittaminen tapahtuu tyhjössä tai käyttämällä väliaineena kaasua, joka reagoi varautuneiden hiukkasten kanssa.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että plasmasuihkua taivutetaan taivutetulla kelalla (4) muodostettavan magneettikentän avulla.
4. Patenttivaatimuksen 1 soveltamiseen tarkoitettu lait-. . teisto materiaalin pinnoittamiseksi, jossa on elektrodit (1, 3), ainakin yksi jännitelähde (2), ainakin yksi kondensaattori (C^) pulssimaisen plasmasuihkun muodostamiseksi sekä ainakin yksi kela magneettikentän muodostamiseksi, tunnettu siitä, että kela (4) on taivutettu, jolloin sillä muodostettavan magneettikentän avulla ainakin yhdestä elektrodista (1) lähtevää plasmasuihkua kiihdytetään ja taivutetaan varauksettomien hiukkasten erottamiseksi.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että jännitteen värähtelyn estämiseksi kondensaattorin (C1) rinnalle on kytketty diodi (D). β 79351
6. Patenttivaatimuksen 4 tai 5 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ainakin yksi elektrodi (1) on sylinterimäinen.
7. Jonkin patenttivaatimuksen 4-6 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ainakin yksi elektrodi (1,3) on kokonaan tai osittain kelan (4) sisällä.
7 79351
8. Jonkin patenttivaatimuksen 4-7 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteistossa on sytytinpiiri, jossa on kunkin sylinterimaisen elektrodin (1) sisällä oleva metallisauva (5), toinen kondensaattori (C2) sekä jännitelähde (6), joilla muodostetaan sytyttävä valokaari mainitun elektrodin (1) ja mainitun sauvan (5) välille.
9. Jonkin patenttivaatimuksen 4-8 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että sytytinpiirissä on ainakin yksi ulkoinen kärkiväli (9) tai kytkin. Il 9 7935,1 lr
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI880203A FI79351C (fi) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material. |
| AU29331/89A AU2933189A (en) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam |
| AT89901560T ATE139805T1 (de) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | Vorrichtung und verfahren zur beschichtung von materialien durch einen pulsierenden plasmastrahl |
| US07/543,741 US5078848A (en) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam |
| PCT/FI1989/000008 WO1989006708A1 (en) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam |
| JP1501397A JP2749679B2 (ja) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | 基板を被覆する方法及び装置 |
| EP89901560A EP0396603B1 (en) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam |
| DE68926742T DE68926742T2 (de) | 1988-01-18 | 1989-01-18 | Vorrichtung und verfahren zur beschichtung von materialien durch einen pulsierenden plasmastrahl |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI880203A FI79351C (fi) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material. |
| FI880203 | 1988-01-18 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI880203A0 FI880203A0 (fi) | 1988-01-18 |
| FI79351B FI79351B (fi) | 1989-08-31 |
| FI79351C true FI79351C (fi) | 1989-12-11 |
Family
ID=8525737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI880203A FI79351C (fi) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5078848A (fi) |
| EP (1) | EP0396603B1 (fi) |
| JP (1) | JP2749679B2 (fi) |
| AT (1) | ATE139805T1 (fi) |
| AU (1) | AU2933189A (fi) |
| DE (1) | DE68926742T2 (fi) |
| FI (1) | FI79351C (fi) |
| WO (1) | WO1989006708A1 (fi) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4037388A1 (de) * | 1990-11-22 | 1992-05-27 | Scheibe Hans Joachim Dr | Schaltungsanordnung zur stromversorgung fuer gepulst betriebene vakuumboegen |
| DE69226360T2 (de) * | 1991-03-25 | 1999-02-25 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation, Campbell | Makroteilchenfilter in lichtbogenquelle |
| DE4122452C2 (de) * | 1991-07-06 | 1993-10-28 | Schott Glaswerke | Verfahren und Vorrichtung zum Zünden von CVD-Plasmen |
| FI89725C (fi) * | 1992-01-10 | 1993-11-10 | Asko Anttila | Foerfarande och anordning foer anvaendning vid en ytbelaeggningsanordning |
| FR2688974A1 (fr) * | 1992-03-18 | 1993-09-24 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur a plasma et circuit electrique de commande approprie. |
| US5279723A (en) * | 1992-07-30 | 1994-01-18 | As Represented By The United States Department Of Energy | Filtered cathodic arc source |
| US5643343A (en) * | 1993-11-23 | 1997-07-01 | Selifanov; Oleg Vladimirovich | Abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
| AUPM365594A0 (en) * | 1994-02-02 | 1994-02-24 | Australian National University, The | Method and apparatus for coating a substrate |
| US5711773A (en) * | 1994-11-17 | 1998-01-27 | Plasmoteg Engineering Center | Abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
| FI945833A0 (fi) * | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Sitra Foundation | Belaeggningsanordningar |
| US5554853A (en) * | 1995-03-10 | 1996-09-10 | Krytek Corporation | Producing ion beams suitable for ion implantation and improved ion implantation apparatus and techniques |
| US5518597A (en) * | 1995-03-28 | 1996-05-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Cathodic arc coating apparatus and method |
| US5976636A (en) * | 1998-03-19 | 1999-11-02 | Industrial Technology Research Institute | Magnetic apparatus for arc ion plating |
| FI981357A0 (fi) * | 1998-06-12 | 1998-06-12 | Valtion Teknillinen | Kavitaatiota, eroosota ja eroosiokorroosiota kestävän NITI-pinnoitteenvalmistusmenetelmä ja tällä tavalla valmistettujen NITI-pinnoitteiden käyttö |
| JP3555844B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2004-08-18 | 三宅 正二郎 | 摺動部材およびその製造方法 |
| RU2153782C1 (ru) * | 1999-06-02 | 2000-07-27 | Закрытое акционерное общество "Патинор Коутингс Лимитед" | Импульсный источник углеродной плазмы |
| DE10042629C2 (de) * | 2000-08-30 | 2003-08-28 | Angaris Gmbh | Zündvorrichtung für einen Lichtbogenverdampfer |
| US6821189B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article comprising a structured diamond-like carbon coating and method of using same to mechanically treat a substrate |
| WO2002062113A1 (fr) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'patinor Coatings Limited' | Source d'impulsions du plasma de carbone |
| US6758949B2 (en) * | 2002-09-10 | 2004-07-06 | Applied Materials, Inc. | Magnetically confined metal plasma sputter source with magnetic control of ion and neutral densities |
| JP2004138128A (ja) | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 自動車エンジン用摺動部材 |
| US6969198B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-11-29 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding mechanism |
| JP3891433B2 (ja) | 2003-04-15 | 2007-03-14 | 日産自動車株式会社 | 燃料噴射弁 |
| EP1479946B1 (en) * | 2003-05-23 | 2012-12-19 | Nissan Motor Co., Ltd. | Piston for internal combustion engine |
| EP1482190B1 (en) * | 2003-05-27 | 2012-12-05 | Nissan Motor Company Limited | Rolling element |
| JP2005008851A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Nissan Motor Co Ltd | 硬質炭素薄膜付き機械加工工具用切削油及び硬質炭素薄膜付き機械加工工具 |
| JP2004360649A (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | エンジン用ピストンピン |
| JP4863152B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2012-01-25 | 日産自動車株式会社 | 歯車 |
| KR20060039932A (ko) * | 2003-08-06 | 2006-05-09 | 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 | 저마찰 접동 기구, 저마찰제 조성물 및 마찰 감소 방법 |
| JP2005054617A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nissan Motor Co Ltd | 動弁機構 |
| JP4973971B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2012-07-11 | 日産自動車株式会社 | 摺動部材 |
| EP1507088B1 (en) | 2003-08-13 | 2007-08-29 | Nissan Motor Company, Limited | Structure for connecting piston to crankshaft |
| JP4117553B2 (ja) | 2003-08-13 | 2008-07-16 | 日産自動車株式会社 | チェーン駆動装置 |
| US7771821B2 (en) | 2003-08-21 | 2010-08-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same |
| JP4539205B2 (ja) | 2003-08-21 | 2010-09-08 | 日産自動車株式会社 | 冷媒圧縮機 |
| EP1508611B1 (en) * | 2003-08-22 | 2019-04-17 | Nissan Motor Co., Ltd. | Transmission comprising low-friction sliding members and transmission oil therefor |
| US20070144901A1 (en) * | 2004-03-15 | 2007-06-28 | Skotheim Terje A | Pulsed cathodic arc plasma |
| DE102010052971A1 (de) | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Amg Coating Technologies Gmbh | Werkstück mit Si-DLC Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen |
| DE102012007796A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Amg Coating Technologies Gmbh | Beschichtung enthaltend Si-DLC, DLC und Me-DLC und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen |
| DE102012007763A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Ulrich Schmidt | Modularer Rahmen für Steckdosen und Schalter |
| WO2023280951A1 (en) | 2021-07-07 | 2023-01-12 | Lion Alternative Energy PLC | Method and device for producing layered nanocarbon structures |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4452686A (en) * | 1982-03-22 | 1984-06-05 | Axenov Ivan I | Arc plasma generator and a plasma arc apparatus for treating the surfaces of work-pieces, incorporating the same arc plasma generator |
| AT376460B (de) * | 1982-09-17 | 1984-11-26 | Kljuchko Gennady V | Plasmalichtbogeneinrichtung zum auftragen von ueberzuegen |
| US4565618A (en) * | 1983-05-17 | 1986-01-21 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Apparatus for producing diamondlike carbon flakes |
| IL71530A (en) * | 1984-04-12 | 1987-09-16 | Univ Ramot | Method and apparatus for surface-treating workpieces |
| US4490229A (en) * | 1984-07-09 | 1984-12-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamondlike carbon films |
| US4620913A (en) * | 1985-11-15 | 1986-11-04 | Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. | Electric arc vapor deposition method and apparatus |
| EP0334204B1 (de) * | 1988-03-23 | 1995-04-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und Anlage zur Beschichtung von Werkstücken |
-
1988
- 1988-01-18 FI FI880203A patent/FI79351C/fi not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-01-18 AT AT89901560T patent/ATE139805T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-01-18 AU AU29331/89A patent/AU2933189A/en not_active Abandoned
- 1989-01-18 US US07/543,741 patent/US5078848A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-18 EP EP89901560A patent/EP0396603B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-18 JP JP1501397A patent/JP2749679B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-18 DE DE68926742T patent/DE68926742T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-18 WO PCT/FI1989/000008 patent/WO1989006708A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0396603B1 (en) | 1996-06-26 |
| JPH03502344A (ja) | 1991-05-30 |
| DE68926742D1 (de) | 1996-08-01 |
| WO1989006708A1 (en) | 1989-07-27 |
| ATE139805T1 (de) | 1996-07-15 |
| DE68926742T2 (de) | 1996-12-12 |
| EP0396603A1 (en) | 1990-11-14 |
| AU2933189A (en) | 1989-08-11 |
| FI79351B (fi) | 1989-08-31 |
| FI880203A0 (fi) | 1988-01-18 |
| US5078848A (en) | 1992-01-07 |
| JP2749679B2 (ja) | 1998-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI79351B (fi) | Foerfarande och anordning foer ytbelaeggning av material. | |
| EP1867221B1 (en) | Apparatus and process for generating, accelerating and propagating beams of electrons and plasma | |
| US5580429A (en) | Method for the deposition and modification of thin films using a combination of vacuum arcs and plasma immersion ion implantation | |
| US4452686A (en) | Arc plasma generator and a plasma arc apparatus for treating the surfaces of work-pieces, incorporating the same arc plasma generator | |
| US6903500B2 (en) | Field emitter device comprising carbon nanotube having protective membrane | |
| EP0280315A2 (en) | Method of forming a diamond film | |
| Wong et al. | Vacuum spark as a reproducible x‐ray source | |
| Siemroth et al. | High-current arc—A new source for high-rate deposition | |
| JPH05242820A (ja) | ２次放出の高い係数の材料から構成され或いはその材料によって被覆された電離室付イオン発生器 | |
| Novák et al. | Generation of supersonic plasma flow by means of unipolar RF discharges | |
| Metel et al. | Distinctive features of the high-current glow discharge with the hollow cathode at low gas pressures | |
| CA1221468A (en) | Plasma cathode electron beam generating system | |
| Benford et al. | Lowered plasma velocity with cesium iodide/carbon fiber cathodes at high electric fields | |
| RU2159478C2 (ru) | Способ изготовления катода с автоэлектронной эмиссией, катод с автоэлектронной эмиссией и устройство автоэлектронной эмиссии | |
| Gosho et al. | Triggering of dc positive corona by pulsed UV irradiation | |
| RU1706329C (ru) | Способ формирования электронных пучков с помощью взрывоэмиссионной электронной пушки | |
| Okuda et al. | Graphite-Nanofiber Field Emitter for Relativistic-Electron-Beam Sources for Pumping KrF Lasers | |
| Guo et al. | Characteristics of large-area cold atmospheric discharges from radio-frequency microdischarge arrays | |
| Cross et al. | Fast cathode processes in conditioning of vacuum electrodes | |
| Schultrich | Special arc modes with reduced macroparticle emission | |
| Kozlov et al. | Small–sized sealed–off TEA–CO 2 laser with a high energy pumping density | |
| Takahashi et al. | Laser-induced breakdown characteristics of nonuniform DC corona discharge fields | |
| Maskrey et al. | Performance of a glow discharge microbeam electron gun | |
| JP2004146579A (ja) | ガスレーザ装置及びその主放電電極の製造方法 | |
| Ratner | XCI. Experiments on the nature of discharge of electricity through rarefied gases |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: SUOMEN ITSENÄISYYDEN JUHLARAHASTO SITRA |
|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: SUOMEN ITSENAEISYYDEN JUHLARAHASTO SITRA |