RU2018103550A - Способ получения двумерного материала - Google Patents

Способ получения двумерного материала Download PDF

Info

Publication number
RU2018103550A
RU2018103550A RU2018103550A RU2018103550A RU2018103550A RU 2018103550 A RU2018103550 A RU 2018103550A RU 2018103550 A RU2018103550 A RU 2018103550A RU 2018103550 A RU2018103550 A RU 2018103550A RU 2018103550 A RU2018103550 A RU 2018103550A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
precursor
substrate
crystalline material
dimensional crystalline
reaction chamber
Prior art date
Application number
RU2018103550A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2718927C2 (ru
RU2018103550A3 (ru
Inventor
Саймон Чарльз Стюарт ТОМАС
Original Assignee
Параграф Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=54258700&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2018103550(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Параграф Лимитед filed Critical Параграф Лимитед
Publication of RU2018103550A publication Critical patent/RU2018103550A/ru
Publication of RU2018103550A3 publication Critical patent/RU2018103550A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2718927C2 publication Critical patent/RU2718927C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/02—Boron; Borides
    • C01B35/023—Boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45529—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/08—Germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/64—Flat crystals, e.g. plates, strips or discs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02392—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02398—Antimonides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/024—Group 12/16 materials
    • H01L21/02403—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Claims (57)

1. Способ получения двумерного кристаллического материала, включающий: обеспечение в реакционной камере подложки, содержащей центры зародышеобразования;
введение в реакционную камеру предшественника через точку входа предшественника, при этом указанный предшественник находится в газовой фазе и/или суспендирован в газе;
нагревание подложки до температуры, которая находится в пределах диапазона разложения предшественника и которая обеспечивает образование двумерного кристаллического материала из вещества, выделяющегося из разлагаемого предшественника; характеризующийся:
охлаждением точки входа предшественника.
2. Способ получения двумерного кристаллического материала, включающий: обеспечение подложки, содержащей центры зародышеобразования, в реакционной камере с плотной сборкой;
введение предшественника в реакционную камеру с плотной сборкой, при этом указанный предшественник находится в газовой фазе и/или суспендирован в газе; и
нагревание подложки до температуры, которая находится в пределах диапазона разложения предшественника и которая обеспечивает образование двумерного кристаллического материала из вещества, выделяющегося из разлагаемого предшественника.
3. Способ по п. 1 или 2, включающий герметизацию реакционной камеры после введения предшественника для минимизации или предотвращения потока предшественника в реакционную камеру с плотной сборкой или из нее.
4. Способ по п. 1 или 2, включающий пропускание потока предшественника поверх нагретой подложки в реакционной камере.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что поток предшественника сталкивается с пограничным слоем подложки, с направления, которое по существу перпендикулярно поверхности подложки.
6. Способ по любому из пп. 1-5, включающий обеспечение равномерного объемного потока предшественника по существу по всей поверхности подложки.
7. Способ по п. 4, 5 или 6, включающий пульсацию потока предшественника, проходящего поверх нагретой подложки.
8. Способ по любому из пп. 1-7, включающий обеспечение первого набора условий в реакторе, способствующего первоначальной адсорбции компонента на подложку с последующим обеспечением второго набора условий в реакторе, способствующего образованию и коалесценции слоя двумерного кристаллического материала.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что обеспечение второго набора условий в реакторе включает изменение температуры подложки и/или изменение давления в реакционной камере и/или изменение скорости потока предшественника поверх подложки.
10. Способ по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что расстояние между поверхностью подложки, на которой получают двумерный кристаллический материал, и точкой, через которую предшественник поступает в камеру, составляет по существу менее 100 мм и более предпочтительно менее или равно 60 мм.
11. Способ по любому из пп. 1-10, отличающийся тем, что расстояние между поверхностью подложки, на которой получают двумерный кристаллический материал, и потолком реакционной камеры с плотной сборкой, расположенным непосредственно напротив подложки, составляет по существу менее 100 мм и более предпочтительно менее или равно 60 мм.
12. Способ по п. 10 или 11, отличающийся тем, что указанное расстояние меньше или по существу равно 20 мм.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что указанное расстояние составляет менее 10 мм.
14. Способ по любому из пп. 1-13, отличающийся тем, что подложка обеспечивает кристаллическую поверхность, на которой получают двумерный кристаллический материал.
15. Способ по любому из пп. 1-14, отличающийся тем, что подложка обеспечивает неметаллическую поверхность, на которой получают двумерный кристаллический материал.
16. Способ по любому из пп. 6-15, отличающийся тем, что смесь предшественника с разбавляющим газом пропускают поверх нагретой подложки.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что разбавляющий газ содержит один или более газов, выбранных из перечня, включающего водород, азот, аргон и гелий.
18. Способ по п. 17, отличающийся тем, что разбавляющий газ содержит водород и/или азот.
19. Способ по любому из пп. 1-18, включающий введение в реакционную камеру с плотной сборкой легирующего элемента и выбор температуры подложки, давления в реакционной камере с плотной сборкой и скорость газового потока для получения легированного двумерного кристаллического материала.
20. Способ по п. 19, отличающийся тем, что предшественник содержит легирующий элемент.
21. Способ по п. 19, отличающийся тем, что второй предшественник, находящийся в газовой фазе и/или суспендированный в газе и содержащий легирующий элемент, пропускают поверх нагретой подложки в реакционной камере с плотной сборкой.
22. Способ по п. 21, отличающийся тем, что поток второго предшественника, проходящий поверх нагретой подложки, подают в пульсирующем режиме.
23. Способ по п. 21 или 22, отличающийся тем, что второй предшественник содержит одно или более соединений, выбранных из одной или более из следующих групп: металлорганического соединения, металлоцена, галогеноуглерода, гидрида и галогена.
24. Способ получения множества выложенных в стопу слоев двумерного кристаллического материала, включающий применение способа по любому из пп. 1-23 для получения первого слоя двумерного кристаллического материала или легированного двумерного кристаллического материала; с последующим изменением температуры подложки и/или изменением давления в реакционной камере и/или изменением скорости потока предшественника с получением дополнительного слоя двумерного кристаллического материала или дополнительного слоя легированного двумерного кристаллического материала на первом слое двумерного кристаллического материала или легированного двумерного кристаллического материала.
25. Способ по п. 24 включает замену предшественника и/или введение второго предшественника, находящегося в газовой фазе и/или суспендированного в газе, с формированием дополнительного слоя двумерного кристаллического материала.
26. Способ по любому из пп. 1-25, отличающийся тем, что двумерный кристаллический материал представляет собой графен и указанное вещество представляет собой углерод.
27. Способ по п. 26, отличающийся тем, что предшественник включает одно или более соединений, выбранных из любой одной или более из следующих групп: углеводорода, гидрида, галогеноуглерода, в том числе галогеналкана и галогенамидов, металлоцена, металлорганического соединения, амина, в том числе алкиламинов, органических растворителей и азосоединений и необязательно азидов, имидов, сульфидов и фосфидов.
28. Способ по п. 27, отличающийся тем, что предшественник включает одно или более соединений, выбранных из любой одной или более из следующих групп:
галогеноуглерода, углеводорода, азосоединения, металлоцена и необязательно металлорганического соединения.
29. Способ по п. 28, отличающийся тем, что предшественник включает бромметан, метан, этан, циклопентадиенил магний, четырехбромистый углерод, азометан, азометан и/или ацетилен.
30. Способ по любому из пп. 1-25, отличающийся тем, что двумерный кристаллический материал представляет собой силицен и указанное вещество представляет собой кремний.
31. Способ получения гетероструктуры, содержащей двумерный кристаллический материал, имеющий поверхность раздела со вторым слоем, включающий: применение способа по любому из пп. 1-30 с первым набором условий в реакторе с получением на подложке двумерного кристаллического материала в реакционной камере с плотной сборкой; и
введение второго предшественника при применении второго набора условий в реакторе с формированием на подложке второго слоя.
32. Способ по п. 31, отличающийся тем, что второй слой содержит пленку.
33. Способ по п. 32, отличающийся тем, что второй слой представляет собой полупроводник.
34. Способ по п. 33, отличающийся тем, что второй слой содержит по меньшей мере одно из следующих веществ: GaN, BN, AlN, AlGaN, SiN.
35. Способ по любому из пп. 31-34, отличающийся тем, что второй слой представляет собой второй двумерный кристаллический материал.
36. Способ по любому из пп. 31-35, отличающийся тем, что разделяющий промежуток между подложкой и потолком камеры реактора, расположенным непосредственно над подложкой, изменяют в интервале между формированием слоя двумерного кристаллического материала и формированием второго слоя.
37. Лист двумерного материала, предпочтительно графена, со средним размером зерен, равным или большим 20 мкм.
38. Лист графена, состоящий из одного или более зерен достаточного размера, который по существу сохраняет целостность без защитного связующего вещества при удалении с подложки, на которой указанный лист графена был сформирован.
39. Гетероструктурный материал, содержащий двумерный кристаллический материал, имеющий поверхность раздела со вторым слоем, отличающийся тем, что указанная поверхность раздела непрерывно проходит по всему материалу.
40. Способ по любому из пп. 1-30, отличающийся тем, что перепад температуры между подложкой и впускным отверстием для предшественника равен или больше 1000°С на метр.
41. Двумерный материал, полученный с применением любого способа по пп. 1-30 и/или 40.
42. Способ получения графена, включающий: обеспечение подложки, содержащей центры зародышеобразования, в реакционной камере с плотной сборкой;
введение предшественника, содержащего углерод, в реакционную камеру с плотной сборкой, при этом указанный предшественник находится в газовой фазе и/или суспендирован в газе; и
нагревание подложки до температуры в пределах диапазона разложения предшественника для выделения из предшественника углерода.
43. Способ получения двумерного кристаллического материала, включающий: обеспечение подложки, содержащей центры зародышеобразования, в реакционной камере;
нагревание подложки до температуры, которая находится в пределах диапазона разложения предшественника и которая обеспечивает образование двумерного кристаллического материала из вещества, выделяющегося из разлагаемого предшественника;
поддержание объема реакционной камеры, который является относительно холодным, для создания температурного градиента, проходящего от поверхности подложки по направлению к объему;
введение предшественника в реакционную камеру через впускное отверстие, при этом указанный предшественник находится в газовой фазе и/или суспендирован в газе; и обеспечение прохождения предшественника из объема вдоль температурного градиента к поверхности подложки.
44. Способ по п. 43, отличающийся тем, что температурный градиент равен 1000°С на метр или более.
45. Способ по п. 43 или 44, отличающийся тем, что разделяющий промежуток между впускным отверстием и поверхностью подложки составляет 100 мм или менее.
RU2018103550A 2015-08-14 2016-07-01 Способ получения двумерного материала RU2718927C2 (ru)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB1514542.8A GB201514542D0 (en) 2015-08-14 2015-08-14 A method of producing graphene
GB1514542.8 2015-08-14
GB1519182.8 2015-10-30
GBGB1519182.8A GB201519182D0 (en) 2015-08-14 2015-10-30 A method of producing graphene
GBGB1523083.2A GB201523083D0 (en) 2015-08-14 2015-12-30 A method of producing a two-dimensional material
GB1523083.2 2015-12-30
GB1610467.1A GB2542454B (en) 2015-08-14 2016-06-15 A Method of Producing a Two-Dimensional Material
GB1610467.1 2016-06-15
PCT/GB2016/052003 WO2017029470A1 (en) 2015-08-14 2016-07-01 A method of producing a two-dimensional material

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018103550A true RU2018103550A (ru) 2019-09-17
RU2018103550A3 RU2018103550A3 (ru) 2020-02-20
RU2718927C2 RU2718927C2 (ru) 2020-04-15

Family

ID=54258700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018103550A RU2718927C2 (ru) 2015-08-14 2016-07-01 Способ получения двумерного материала

Country Status (14)

Country Link
US (4) US10593546B2 (ru)
EP (2) EP3334854B1 (ru)
JP (2) JP7045754B2 (ru)
KR (1) KR102552383B1 (ru)
CN (1) CN108474134B (ru)
AU (2) AU2016307821B2 (ru)
CA (1) CA2995141A1 (ru)
GB (13) GB201514542D0 (ru)
IL (1) IL257456B (ru)
MY (1) MY188994A (ru)
PH (1) PH12018500293A1 (ru)
RU (1) RU2718927C2 (ru)
WO (1) WO2017029470A1 (ru)
ZA (1) ZA201801092B (ru)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201514542D0 (en) * 2015-08-14 2015-09-30 Thomas Simon C S A method of producing graphene
WO2018148424A1 (en) * 2017-02-08 2018-08-16 Northwestern University Electronically abrupt borophene/organic lateral heterostructures and preparation thereof
WO2018182517A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 National University Of Singapore Crystalline material, phototransistor, and methods of fabrication thereof
JP2020531682A (ja) * 2017-08-04 2020-11-05 ザ ガバメント オブ ザ ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ， アズ リプレゼンテッド バイ ザ セクレタリー オブ ザ ネイビー プラズマ化学気相成長法によって調製した単層および多層シリセン
KR102592698B1 (ko) * 2017-11-29 2023-10-24 삼성전자주식회사 나노결정질 그래핀 및 나노결정질 그래핀의 형성방법
KR102018576B1 (ko) * 2017-12-28 2019-09-05 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 줄 히팅을 이용한 그래핀 제조방법
GB2571248B (en) * 2018-01-11 2022-07-13 Paragraf Ltd A method of making Graphene layer structures
GB2570124B (en) * 2018-01-11 2022-06-22 Paragraf Ltd A method of making Graphene structures and devices
GB2570126B (en) * 2018-01-11 2022-07-27 Paragraf Ltd Graphene based contact layers for electronic devices
GB2570128B (en) * 2018-01-11 2022-07-20 Paragraf Ltd A method of making a Graphene transistor and devices
US10941505B1 (en) * 2018-03-12 2021-03-09 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Growing two-dimensional materials through heterogeneous pyrolysis
JP6774452B2 (ja) * 2018-03-22 2020-10-21 株式会社東芝 グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法
GB2572330B (en) * 2018-03-26 2020-09-02 Paragraf Ltd Devices and methods for generating electricity
CN109650384B (zh) * 2019-01-26 2023-08-04 福州大学 一种cvd法常压低温制备石墨烯的方法
CN110182808B (zh) * 2019-05-24 2022-06-10 武汉楚能电子有限公司 一种硅碳烯制备方法及其光分解水蒸气水制备氢气的方法
WO2020248244A1 (zh) * 2019-06-14 2020-12-17 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 一种二维材料及其制备方法、制备装置及用途
US11584509B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Supra Lumina Technologies Inc. Axial flow ducted fan with a movable section
GB2585842B (en) 2019-07-16 2022-04-20 Paragraf Ltd A method of making graphene structures and devices
GB2585845B (en) 2019-07-16 2021-08-25 Paragraf Ltd An electrical generator and method of generating an electrical current
GB2585843B (en) 2019-07-16 2022-04-20 Paragraf Ltd Method for the production of a polymer-coated graphene layer structure and graphene layer structure
GB2585844B (en) 2019-07-16 2022-04-20 Paragraf Ltd Method of forming conductive contacts on graphene
GB2588767B (en) 2019-11-04 2022-01-12 Paragraf Ltd A graphene/graphene oxide diode and a method of forming the same
DE102019129789A1 (de) 2019-11-05 2021-05-06 Aixtron Se Verfahren zum Abscheiden einer zweidimensionalen Schicht sowie CVD-Reaktor
DE102019129788A1 (de) 2019-11-05 2021-05-06 Aixtron Se Verwendung eines CVD Reaktors zum Abscheiden zweidimensionaler Schichten
CN111613697B (zh) * 2020-05-22 2020-11-27 山西穿越光电科技有限责任公司 一种含有石墨烯插层的GaN/AlGaN超晶格薄膜及其制备方法
DE102020122677A1 (de) 2020-08-31 2022-03-03 Aixtron Se Verfahren zum Abscheiden einer zweidimensionalen Schicht
DE102020122679A1 (de) 2020-08-31 2022-03-03 Aixtron Se Verfahren zum Abscheiden einer zweidimensionalen Schicht
GB2599135B (en) 2020-09-25 2022-10-05 Paragraf Ltd Method of forming graphene on a silicon substrate
US11545558B2 (en) 2020-09-28 2023-01-03 Paragraf Limited Method of manufacturing a transistor
GB2599150B (en) * 2020-09-28 2022-12-28 Paragraf Ltd A graphene transistor and method of manufacturing a graphene transistor
WO2022129606A1 (en) 2020-12-18 2022-06-23 Paragraf Limited Method of producing a graphene electronic device precursor
KR20230118683A (ko) 2020-12-18 2023-08-11 파라그라프 리미티드 그래핀 전자 디바이스 프리커서를 제조하는 방법
WO2022171517A2 (en) * 2021-02-09 2022-08-18 Universitaet Der Bundeswehr Muenchen Borophene synthesis
GB2603905B (en) 2021-02-17 2023-12-13 Paragraf Ltd A method for the manufacture of an improved graphene substrate and applications therefor
GB202102692D0 (en) 2021-02-25 2021-04-14 Paragraf Ltd Graphene device for use at elevated temperatures
GB2604377B (en) 2021-03-04 2024-02-21 Paragraf Ltd A method for manufacturing graphene
GB202103040D0 (en) 2021-03-04 2021-04-21 Paragraf Ltd A method of manufacturing a light emitting device and a light emitting device
GB2615867B (en) 2021-03-24 2024-02-14 Paragraf Ltd A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate
CN117120662A (zh) 2021-03-24 2023-11-24 帕拉格拉夫有限公司 用于cvd生长均匀石墨烯的晶片及其制造方法
GB2605211B (en) * 2021-03-24 2024-04-03 Paragraf Ltd A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate
WO2022200083A1 (en) 2021-03-24 2022-09-29 Paragraf Limited A wafer for the cvd growth of uniform graphene and method of manufacture thereof
GB2608810A (en) 2021-07-12 2023-01-18 Paragraf Ltd A graphene substrate and method of forming the same
GB2606203B (en) 2021-04-29 2024-03-27 Paragraf Ltd An electro-optic modulator and methods of forming the same
WO2022229283A1 (en) 2021-04-29 2022-11-03 Paragraf Limited A photodetector and method of forming the same
CN113201726B (zh) * 2021-04-30 2023-05-23 浙江大学杭州国际科创中心 一种二维材料制备方法
GB2606555B (en) 2021-05-13 2023-09-06 Paragraf Ltd Graphene Hall-effect sensor
GB2606716B (en) 2021-05-14 2024-02-28 Paragraf Ltd A method of manufacturing a light emitting device and a light emitting device
JP2022183969A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
GB2610388B (en) 2021-09-01 2024-07-03 Paragraf Ltd Methods for the growth of a graphene layer structure on a substrate and an opto-electronic device
KR20240089651A (ko) 2021-10-21 2024-06-20 파라그라프 리미티드 전자 소자 전구체의 제조 방법
WO2023121714A1 (en) * 2021-12-22 2023-06-29 General Graphene Corporation Novel systems and methods for high yield and high throughput production of graphene
GB2615341B (en) 2022-02-04 2024-05-29 Paragraf Ltd Graphene sensors and a method of manufacture
GB2619255A (en) 2022-02-16 2023-12-06 Paragraf Ltd A transistor and a method for the manufacture of a transistor
GB2617851A (en) 2022-04-21 2023-10-25 Paragraf Ltd A graphene-containing laminate
WO2023230406A1 (en) * 2022-05-24 2023-11-30 Lam Research Corporation Underlayer with bonded dopants for photolithography
WO2023237561A1 (en) 2022-06-08 2023-12-14 Paragraf Limited A thermally stable graphene-containing laminate
WO2024104626A1 (en) 2022-11-15 2024-05-23 Paragraf Limited A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate
WO2024105038A1 (en) 2022-11-15 2024-05-23 Paragraf Limited Methods of forming graphene on a substrate
GB202404128D0 (en) 2024-03-22 2024-05-08 Paragraf Ltd A structure of an electronic device
GB202404130D0 (en) 2024-03-22 2024-05-08 Paragraf Ltd A semiconductor device and method of maufacture thereof

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03222723A (ja) 1990-01-30 1991-10-01 Shitsupu & Ooshiyan Zaidan 金属製フランジ付きの繊維強化プラスチックス製軸の製造方法
US5709745A (en) 1993-01-25 1998-01-20 Ohio Aerospace Institute Compound semi-conductors and controlled doping thereof
GB9411911D0 (en) * 1994-06-14 1994-08-03 Swan Thomas & Co Ltd Improvements in or relating to chemical vapour deposition
JP3222723B2 (ja) * 1995-04-07 2001-10-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6063185A (en) 1998-10-09 2000-05-16 Cree, Inc. Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride: silicon carbide alloy
US7524532B2 (en) * 2002-04-22 2009-04-28 Aixtron Ag Process for depositing thin layers on a substrate in a process chamber of adjustable height
JP2004035971A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Ulvac Japan Ltd 薄膜製造装置
EP1523765A2 (en) 2002-07-19 2005-04-20 Aviza Technology, Inc. Metal organic chemical vapor deposition and atomic layer deposition of metal oxynitride and metal silicon oxynitride
US7192849B2 (en) 2003-05-07 2007-03-20 Sensor Electronic Technology, Inc. Methods of growing nitride-based film using varying pulses
US20050178336A1 (en) 2003-07-15 2005-08-18 Heng Liu Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets
JP4506677B2 (ja) 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US20070277734A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Process chamber for dielectric gapfill
US20080308036A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Hideki Ito Vapor-phase growth apparatus and vapor-phase growth method
US8147791B2 (en) 2009-03-20 2012-04-03 Northrop Grumman Systems Corporation Reduction of graphene oxide to graphene in high boiling point solvents
US20100263588A1 (en) 2009-04-15 2010-10-21 Gan Zhiyin Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials
US8507797B2 (en) * 2009-08-07 2013-08-13 Guardian Industries Corp. Large area deposition and doping of graphene, and products including the same
US10167572B2 (en) 2009-08-07 2019-01-01 Guardian Glass, LLC Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same
WO2011105530A1 (ja) 2010-02-26 2011-09-01 独立行政法人産業技術総合研究所 炭素膜積層体
JP2011207736A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Sekisui Chem Co Ltd グラフェンの形成方法
WO2011156749A2 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Applied Materials, Inc. Graphene deposition
WO2011159922A2 (en) 2010-06-16 2011-12-22 The Research Foundation Of State University Of New York Graphene films and methods of making thereof
JP2012082093A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 炭素薄膜の形成方法
CN102001650B (zh) * 2010-12-28 2013-05-29 上海师范大学 冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法
US8388924B2 (en) 2011-04-21 2013-03-05 The Aerospace Corporation Method for growth of high quality graphene films
CN102586041A (zh) 2011-12-29 2012-07-18 张格尔 一种中性硬质表面顽垢清除剂、其制备方法及应用
CN102560414A (zh) 2012-01-03 2012-07-11 西安电子科技大学 在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法
JP5839571B2 (ja) 2012-02-27 2016-01-06 積水ナノコートテクノロジー株式会社 窒素原子がドープされたグラフェンフィルムを製造する方法
JP5885198B2 (ja) 2012-02-28 2016-03-15 国立大学法人九州大学 グラフェン薄膜の製造方法及びグラフェン薄膜
AU2013362812B2 (en) * 2012-12-19 2017-02-23 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Nutrient composition, process and system for enhancing biogenic methane production from a carbonaceous material
CN105143503A (zh) 2012-12-21 2015-12-09 普拉萨德·纳哈·加吉尔 陶瓷薄膜低温沉积方法
US10546949B2 (en) 2012-12-26 2020-01-28 Agency For Science, Technology And Research Group III nitride based high electron mobility transistors
US10370774B2 (en) 2013-01-09 2019-08-06 The Regents Of The University Of California Chemical vapor deposition growth of graphene
CN203096166U (zh) * 2013-01-31 2013-07-31 杭州五源科技实业有限公司 一种制备纳米薄膜的化学气相沉积设备
US10266963B2 (en) * 2013-03-08 2019-04-23 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Growth of crystalline materials on two-dimensional inert materials
JP6228293B2 (ja) 2013-05-09 2017-11-08 サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成
JP6116004B2 (ja) 2013-08-08 2017-04-19 学校法人中部大学 グラフェン膜の製造方法
KR101513136B1 (ko) 2013-10-07 2015-04-17 한국과학기술연구원 그래핀 필름의 제조방법, 그래핀 필름, 및 이를 포함하는 전자 소자
CN104562195B (zh) 2013-10-21 2017-06-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 石墨烯的生长方法
DE102013111791A1 (de) * 2013-10-25 2015-04-30 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von Nano-Schichten
CN103590100B (zh) 2013-12-03 2016-03-02 西安电子科技大学 用于生长石墨烯的mocvd反应室
US10562278B2 (en) 2014-05-30 2020-02-18 University Of Massachusetts Multilayer graphene structures with enhanced mechanical properties resulting from deterministic control of interlayer twist angles and chemical functionalization
CN104409319B (zh) 2014-10-27 2017-04-05 苏州新纳晶光电有限公司 一种石墨烯基底上生长高质量GaN 缓冲层的制备方法
CN104465724A (zh) 2014-11-27 2015-03-25 国家纳米科学中心 一种非对称双层石墨烯及其制备方法和用途
CN104695012B (zh) 2015-03-24 2017-03-22 山东大学 一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法
GB201514542D0 (en) * 2015-08-14 2015-09-30 Thomas Simon C S A method of producing graphene
JP3222723U (ja) 2019-05-29 2019-08-22 辻　優 蓋付縦置型塵取り

Also Published As

Publication number Publication date
US10593546B2 (en) 2020-03-17
US11217447B2 (en) 2022-01-04
GB2577411A (en) 2020-03-25
GB2542454B (en) 2020-01-22
GB201916537D0 (en) 2019-12-25
JP7383669B2 (ja) 2023-11-20
GB201916538D0 (en) 2019-12-25
AU2016307821B2 (en) 2020-05-21
CA2995141A1 (en) 2017-02-23
GB201916533D0 (en) 2019-12-25
EP3985147A1 (en) 2022-04-20
GB201916528D0 (en) 2019-12-25
GB2572271A (en) 2019-09-25
GB2577412A (en) 2020-03-25
GB201610467D0 (en) 2016-07-27
JP7045754B2 (ja) 2022-04-01
KR102552383B1 (ko) 2023-07-05
GB201514542D0 (en) 2015-09-30
GB2572272B (en) 2020-06-03
GB201907417D0 (en) 2019-07-10
GB2577410A (en) 2020-03-25
US11456172B2 (en) 2022-09-27
CN108474134A (zh) 2018-08-31
EP3334854B1 (en) 2021-12-15
GB2577409B (en) 2020-08-26
GB2542454A (en) 2017-03-22
GB2572272A (en) 2019-09-25
RU2718927C2 (ru) 2020-04-15
GB2577408B (en) 2020-08-26
GB2577410B (en) 2020-08-26
US20200194255A1 (en) 2020-06-18
WO2017029470A1 (en) 2017-02-23
GB2577407B (en) 2020-08-26
ZA201801092B (en) 2021-05-26
JP2021181629A (ja) 2021-11-25
MY188994A (en) 2022-01-17
GB201519182D0 (en) 2015-12-16
US20180308684A1 (en) 2018-10-25
JP2018527471A (ja) 2018-09-20
GB201907412D0 (en) 2019-07-10
GB201916531D0 (en) 2019-12-25
GB2577407A (en) 2020-03-25
PH12018500293A1 (en) 2018-08-13
GB2577409A (en) 2020-03-25
IL257456A (en) 2018-04-30
CN108474134B (zh) 2022-03-22
GB201916536D0 (en) 2019-12-25
GB2577408A (en) 2020-03-25
RU2018103550A3 (ru) 2020-02-20
AU2020220154A1 (en) 2020-09-10
GB2577411B (en) 2020-08-26
GB201523083D0 (en) 2016-02-10
KR20180040593A (ko) 2018-04-20
AU2020220154B2 (en) 2021-10-07
US11848206B2 (en) 2023-12-19
AU2016307821A1 (en) 2018-03-08
EP3334854A1 (en) 2018-06-20
GB201916535D0 (en) 2019-12-25
IL257456B (en) 2022-05-01
US20220399201A1 (en) 2022-12-15
US20220028683A1 (en) 2022-01-27
GB2572271B (en) 2020-04-29
GB2577412B (en) 2020-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018103550A (ru) Способ получения двумерного материала
Gupta et al. MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene
JP2017076784A5 (ru)
JP6362266B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置
RU2018105878A (ru) Выращивание эпитаксиального 3c-sic на монокристаллическом кремнии
Jumaah et al. The Effect of Carrier Gas and Reactor Pressure on Gallium Nitride Growth in MOCVD Manufacturing Process
JP2015216381A5 (ru)
Yu et al. Theoretical study on critical thickness of heteroepitaxial h-BN on hexagonal crystals
TW201829308A (zh) 二維材料製造方法
JP6783722B2 (ja) 窒化ホウ素膜の成長装置および方法
Wang et al. Quantum chemical study of the Co-adsorption of NH3 and MMAl on ideal AlN (0 0 0 1)-Al surfaces
Skibinski et al. Numerical simulations of epitaxial growth in MOVPE reactor as a tool for aluminum nitride growth optimization
Osterwalder et al. Boron nitride and graphene on single-crystal substrates: CVD growth of heterostructures and film transfer
Kotousova Irina et al. ELECTRON DIFFRACTION STUDY OF GRAPHENE LAYERS STRUCTURE ON CONDUCTIVE AND SEMI-INSULATING 6H-SIC (0001) SUBSTRATES
WO2016088500A1 (ja) 金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造方法、金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜及び金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造装置
Wang Modeling and design of halide chemical vapor deposition for silicon carbide epitaxial film growth