RU2017126223A - Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов - Google Patents

Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов Download PDF

Info

Publication number
RU2017126223A
RU2017126223A RU2017126223A RU2017126223A RU2017126223A RU 2017126223 A RU2017126223 A RU 2017126223A RU 2017126223 A RU2017126223 A RU 2017126223A RU 2017126223 A RU2017126223 A RU 2017126223A RU 2017126223 A RU2017126223 A RU 2017126223A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive layer
contact hole
paragraphs
upper conductive
contact
Prior art date
Application number
RU2017126223A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2709421C2 (ru
RU2017126223A3 (ru
Inventor
Йохан БОСМАН
Тристрам БЮДЕЛ
Original Assignee
Стихтинг Энергиондерзук Сентрум Недерланд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Стихтинг Энергиондерзук Сентрум Недерланд filed Critical Стихтинг Энергиондерзук Сентрум Недерланд
Publication of RU2017126223A publication Critical patent/RU2017126223A/ru
Publication of RU2017126223A3 publication Critical patent/RU2017126223A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2709421C2 publication Critical patent/RU2709421C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/83—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H10K39/12—Electrical configurations of PV cells, e.g. series connections or parallel connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Claims (23)

1. Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов, включающий этапы
а) обеспечения пакета (1) непрерывных слоев на подложке (8), причем пакет (1) слоев содержит верхний (2) и нижний (3) проводящие слои с расположенным между ними фотоактивным слоем (4);
b) селективного удаления верхнего проводящего слоя (2) и фотоактивного слоя (4) для получения первого отверстия (10) контакта, простирающегося через верхний проводящий слой (2) и фотоактивный слой (4), открывающего нижний проводящий слой (3);
с) печатание тела (4) переднего контакта на верхнем проводящем слое (2) и тела (5) заднего контакта в первом отверстии (10) контакта на нижнем проводящем слое (3) и образование между верхним проводящим слоем (2) и телом (5) заднего контакта первого электроизоляционного зазора, окружающего тело (5) заднего контакта.
2. Способ по п. 1, в котором этап с) содержит печатание переднего и заднего контактов (4, 5) с одной стороны пакета (1) слоев.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором этап с) содержит печатание тел (4, 5) переднего и заднего контактов одновременно.
4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором этап b) дополнительно содержит селективное удаление верхнего проводящего слоя (2) для расширения в нем первого отверстия (10) контакта.
5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором этап b) дополнительно содержит селективное удаление нижнего проводящего слоя (3) для прохождения через него первого отверстия (10) контакта.
6. Способ по п. 5, в котором основная часть первого отверстия (10) контакта, простирающаяся через верхний проводящий слой (2) и фотоактивный слой (4), шире вспомогательной части первого отверстия (10) контакта, простирающейся через нижний проводящий слой (3).
7. Способ по любому из пп. 1-6, в котором этап b) способа дополнительно содержит селективное удаление верхнего проводящего слоя (2) и фотоактивного слоя (4) для получения второго отверстия (11) контакта, смежного с первым отверстием (10) контакта.
8. Способ по п. 7, в котором этап b) способа дополнительно содержит селективное удаление верхнего проводящего слоя (2) для получения второго электроизоляционного зазора (12), окружающего второе отверстие (11) контакта, при этом второй электроизоляционный зазор (12) простирается через верхний проводящий слой (2), открывая фотоактивный слой (4).
9. Способ по любому из пп. 1-8, в котором этап с) дополнительно содержит образование тела (4, 5) переднего и заднего контактов одинаковой высоты и/или одинаковой ширины.
10. Способ по любому из пп. 1-9, в котором этап с) дополнительно содержит печатание тела (5) заднего контакта так, что оно простирается выше верхнего проводящего слоя (2).
11. Способ по любому из пп. 1-10, в котором этап b) селективного удаления верхнего проводящего слоя (2) и фотоактивного слоя (4) содержит селективную лазерную абляцию.
12. Способ по любому из пп. 1-11, в котором этап с) содержит трафаретную печать или струйную печать тел (4, 5) переднего и/или заднего контактов.
13. Способ по любому из пп. 1-12, в котором этап с) содержит печатание тел (4, 5) переднего и заднего контактов с использованием печатного соединения, содержащего по меньшей мере одно из серебра, углерода и углеродных нанотрубок.
14. Способ по любому из пп. 1-13, в котором каждый из верхнего (2) и нижнего (3) проводящих слоев содержит проводящий полимер, и в котором фотоактивный слой (4) содержит органический материал и/или перовскит.
15. Способ по любому из пп. 1-14, в котором подложка (8) является гибкой подложкой, содержащей полимерную пленку.
16. Тонкопленочный органический фотоэлемент, содержащий пакет (1) слоев, расположенный на гибкой подложке (8), причем пакет (1) слоев содержит верхний (2) и нижний (3) проводящие слои с расположенным между ними фотоактивным слоем (4); первое отверстие (10) контакта в пакете (1) слоев, простирающееся через верхний проводящий слой (2) и фотоактивный слой (4); и токоотводящую сетку, содержащую тело (4) переднего контакта, расположенное на верхнем проводящем слое (2), и тело (5) заднего контакта, расположенное на нижнем проводящем слое (3) в первом отверстии (10) контакта, при этом первое отверстие (10) контакта между верхним проводящим слоем (2) и первым отверстием (10) контакта окружено электроизоляционным зазором.
17. Тонкопленочный органический фотоэлемент по п. 16, в котором тело (4) переднего контакта и тело (5) заднего контакта одинаковы по ширине и/или высоте.
18. Тонкопленочный органический фотоэлемент по любому из пп. 16-17, в котором фотоэлемент (16) содержит второе отверстие (11) контакта, смежное с первым отверстием (10) контакта, причем второе отверстие (11) контакта простирается через верхний проводящий слой (2) и фотоактивный слой (4).
19. Тонкопленочный органический фотоэлемент по любому из пп. 16-18, в котором первое отверстие (10) контакта простирается через нижний проводящий слой (3), и тело (5) заднего контакта расположено на подложке (8) в адгезионном сцеплении с ней.
20. Тонкопленочный органический фотоэлемент по любому из пп. 16-19, содержащий второй электроизоляционный зазор (12), окружающий тело (5) заднего контакта между верхним проводящим слоем (2) и телом (5) заднего контакта.
RU2017126223A 2014-12-23 2015-12-17 Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов RU2709421C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2014040A NL2014040B1 (en) 2014-12-23 2014-12-23 Method of making a curent collecting grid for solar cells.
NL2014040 2014-12-23
PCT/NL2015/050877 WO2016105186A1 (en) 2014-12-23 2015-12-17 Method of making a current collecting grid for solar cells

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017126223A true RU2017126223A (ru) 2019-01-24
RU2017126223A3 RU2017126223A3 (ru) 2019-05-21
RU2709421C2 RU2709421C2 (ru) 2019-12-17

Family

ID=52472532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017126223A RU2709421C2 (ru) 2014-12-23 2015-12-17 Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11581502B2 (ru)
EP (1) EP3238285A1 (ru)
CN (1) CN107210317B (ru)
NL (1) NL2014040B1 (ru)
RU (1) RU2709421C2 (ru)
TW (1) TWI695500B (ru)
WO (1) WO2016105186A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018159799A1 (ja) * 2017-03-02 2019-12-26 積水化学工業株式会社 太陽電池及び太陽電池の製造方法
FR3069706B1 (fr) * 2017-07-25 2019-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Cellule photovoltaique ewt de type organique ou perovskite et son procede de realisation
CN212303684U (zh) * 2020-05-19 2021-01-05 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触太阳电池组件

Family Cites Families (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243432A (en) * 1978-09-25 1981-01-06 Photon Power, Inc. Solar cell array
US4315096A (en) * 1980-07-25 1982-02-09 Eastman Kodak Company Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses
US4668840A (en) * 1984-06-29 1987-05-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US4697041A (en) * 1985-02-15 1987-09-29 Teijin Limited Integrated solar cells
US4667058A (en) * 1985-07-01 1987-05-19 Solarex Corporation Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby
US4726849A (en) * 1985-08-07 1988-02-23 Sanyo Electric Co., Ltd Photovoltaic device and a method of manufacturing thereof
DE3604917A1 (de) * 1986-02-17 1987-08-27 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellen
US4872925A (en) * 1987-10-29 1989-10-10 Glasstech, Inc. Photovoltaic cell fabrication method and panel made thereby
US4948436A (en) * 1988-02-05 1990-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Thin-film solar cell arrangement
US5322572A (en) * 1989-11-03 1994-06-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Monolithic tandem solar cell
AU8872891A (en) * 1990-10-15 1992-05-20 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
JP3035565B2 (ja) * 1991-12-27 2000-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜太陽電池の作製方法
US5501744A (en) * 1992-01-13 1996-03-26 Photon Energy, Inc. Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals
US5538902A (en) * 1993-06-29 1996-07-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating a photovoltaic device having a three-dimensional shape
US5385848A (en) * 1993-09-20 1995-01-31 Iowa Thin Film Technologies, Inc Method for fabricating an interconnected array of semiconductor devices
US5637156A (en) * 1994-09-22 1997-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resin Composition and an electronic device using the same
US6265652B1 (en) * 1995-06-15 2001-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
US5716459A (en) * 1995-12-13 1998-02-10 Hughes Aircraft Company Monolithically integrated solar cell microarray and fabrication method
US5994642A (en) * 1996-05-28 1999-11-30 Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. Method for preparing CdTe film and solar cell using the same
RU2190901C2 (ru) * 1996-09-26 2002-10-10 Акцо Нобель Н.В. Способ производства фотоэлектрической фольги и фольга, полученная этим способом
JPH10321883A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 太陽電池およびその作製方法
US6468828B1 (en) * 1998-07-14 2002-10-22 Sky Solar L.L.C. Method of manufacturing lightweight, high efficiency photovoltaic module
JP4168413B2 (ja) * 1998-07-27 2008-10-22 シチズンホールディングス株式会社 太陽電池の製造方法
AU731869B2 (en) * 1998-11-12 2001-04-05 Kaneka Corporation Solar cell module
NL1010635C2 (nl) * 1998-11-23 2000-05-24 Stichting Energie Werkwijze voor het vervaardigen van een metallisatiepatroon op een fotovoltaïsche cel.
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6274804B1 (en) * 1999-07-28 2001-08-14 Angewandte Solarenergie - Ase Gmbh Thin-film solar module
EP1089346B1 (en) * 1999-09-28 2011-03-02 Kaneka Corporation Method of controlling manufacturing process of photoelectric conversion apparatus
JP4329183B2 (ja) * 1999-10-14 2009-09-09 ソニー株式会社 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法
US6300593B1 (en) * 1999-12-07 2001-10-09 First Solar, Llc Apparatus and method for laser scribing a coated substrate
JP4776748B2 (ja) * 1999-12-22 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池
US6706963B2 (en) * 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
US6525264B2 (en) * 2000-07-21 2003-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film solar cell module
US6566159B2 (en) * 2000-10-04 2003-05-20 Kaneka Corporation Method of manufacturing tandem thin-film solar cell
US6632993B2 (en) * 2000-10-05 2003-10-14 Kaneka Corporation Photovoltaic module
JP4201241B2 (ja) * 2001-05-17 2008-12-24 株式会社カネカ 集積型薄膜光電変換モジュールの作製方法
WO2003001602A2 (en) * 2001-06-21 2003-01-03 Akzo Nobel N.V. Manufacturing a solar cell foil connected in series via a temporary substrate
US6559411B2 (en) * 2001-08-10 2003-05-06 First Solar, Llc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
JP2003273383A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Sharp Corp 太陽電池素子およびその製造方法
JP2004103959A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
US7199395B2 (en) * 2003-09-24 2007-04-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic cell and method of fabricating the same
JP2005101384A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2006013403A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池、太陽電池モジュール、その製造方法およびその修復方法
US7326955B2 (en) * 2004-08-05 2008-02-05 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7276724B2 (en) * 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US8455753B2 (en) * 2005-01-14 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8927315B1 (en) * 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
JP2006332453A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Sharp Corp 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池
US20070079866A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. System and method for making an improved thin film solar cell interconnect
JP4730740B2 (ja) * 2006-01-30 2011-07-20 本田技研工業株式会社 太陽電池およびその製造方法
US7547570B2 (en) * 2006-03-31 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Method for forming thin film photovoltaic interconnects using self-aligned process
US8207442B2 (en) * 2006-04-18 2012-06-26 Itn Energy Systems, Inc. Reinforcing structures for thin-film photovoltaic device substrates, and associated methods
JP4290747B2 (ja) * 2006-06-23 2009-07-08 シャープ株式会社 光電変換素子およびインターコネクタ付き光電変換素子
US8686282B2 (en) * 2006-08-07 2014-04-01 Emcore Solar Power, Inc. Solar power system for space vehicles or satellites using inverted metamorphic multijunction solar cells
JP2008060374A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US7547569B2 (en) * 2006-11-22 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Method for patterning Mo layer in a photovoltaic device comprising CIGS material using an etch process
US20080115821A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 Li Xu Multilayer transparent conductive oxide for improved chemical processing
WO2008122027A2 (en) * 2007-04-02 2008-10-09 Konarka Technologies, Inc. Novel electrode
WO2008157807A2 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Ascent Solar Technologies, Inc. Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods
JP4425296B2 (ja) * 2007-07-09 2010-03-03 三洋電機株式会社 光起電力装置
DE102007032283A1 (de) * 2007-07-11 2009-01-15 Stein, Wilhelm, Dr. Dünnschichtsolarzellen-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
US20090084425A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Erel Milshtein Scribing Methods for Photovoltaic Modules Including a Mechanical Scribe
US8876963B2 (en) * 2007-10-17 2014-11-04 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Dielectric coating for single sided back contact solar cells
US20110041890A1 (en) * 2007-11-19 2011-02-24 Sheats James R High-efficiency, high current solar cell and solar module
TWI440198B (zh) * 2008-03-13 2014-06-01 Nexpower Technology Corp 薄膜疊層太陽能電池與其製作方法
JP2009231505A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
TWI378565B (en) * 2008-04-30 2012-12-01 Nexpower Technology Corp Stacked-layered thin film solar cell and manufacturing method thereof
KR101168811B1 (ko) * 2008-05-15 2012-07-25 가부시키가이샤 아루박 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈
US9711669B2 (en) * 2008-06-09 2017-07-18 Mitsubishi Electric Corporation Thin-film photoelectric converter
TWI373849B (en) * 2008-06-12 2012-10-01 Nexpower Technology Corp Stacked-layered thin film solar cell and manufacturing method thereof
JP2011523228A (ja) * 2008-06-13 2011-08-04 ソリブロ リサーチ アーベー 薄膜太陽電池の選択的除去および接触
KR101463925B1 (ko) * 2008-06-13 2014-11-27 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
DE102008060404A1 (de) * 2008-07-30 2010-02-11 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Einseitig kontaktiertes Dünnschicht-Solarmodul mit einer inneren Kontaktschicht
US7994418B2 (en) * 2008-09-18 2011-08-09 General Electric Company Monolithically connected photovoltaic devices on flexible substrates
KR20110073600A (ko) * 2008-10-23 2011-06-29 알타 디바이씨즈, 인크. 광전지 장치의 통합
KR20110086098A (ko) * 2008-10-23 2011-07-27 알타 디바이씨즈, 인크. 광전지 장치
EP2351099A2 (en) * 2008-10-23 2011-08-03 Alta Devices, Inc. Photovoltaic device with back side contacts
EP2200097A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
US8298852B2 (en) * 2008-12-29 2012-10-30 Jusung Engineering Co., Ltd. Thin film type solar cell and method for manufacturing the same
KR101520044B1 (ko) * 2009-01-30 2015-05-14 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조 방법
TWI387120B (zh) * 2009-02-17 2013-02-21 Nexpower Technology Corp 薄膜疊層太陽能電池及其製作方法
JP5379845B2 (ja) * 2009-03-02 2013-12-25 株式会社カネカ 薄膜太陽電池モジュール
JP2012522393A (ja) * 2009-03-31 2012-09-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 太陽光発電装置及びその製造方法
EP2416377B1 (en) * 2009-03-31 2015-07-01 LG Innotek Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method thereof
CN101540371B (zh) * 2009-04-15 2012-06-13 河北大学 一种金属网格阳极层的柔性聚合物太阳能电池
US8247243B2 (en) * 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
JP2011023442A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Seiko Epson Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法
WO2011017569A2 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Methods and related systems for thin-film laser scribing with enhanced throughput
JP2011066045A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Seiko Epson Corp 太陽電池の製造方法
US9595913B2 (en) * 2009-09-30 2017-03-14 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell apparatus
KR101072089B1 (ko) * 2009-09-30 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US8822809B2 (en) * 2009-10-15 2014-09-02 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell apparatus and method for manufacturing the same
US8865569B2 (en) * 2009-10-22 2014-10-21 M-Solv Ltd. Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
CN102064235A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 杜邦太阳能有限公司 用于制作太阳能面板的工艺和由其制作的太阳能面板
FR2954856B1 (fr) * 2009-12-30 2012-06-15 Saint Gobain Cellule photovoltaique organique et module comprenant une telle cellule
JP5627243B2 (ja) * 2010-01-28 2014-11-19 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池の製造方法
US20130000722A1 (en) * 2010-03-25 2013-01-03 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device
US20110232731A1 (en) * 2010-03-29 2011-09-29 Gon Namkoong High efficiency hybrid organic-inorganic photovoltaic cells
JP5054157B2 (ja) * 2010-06-17 2012-10-24 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池
US9059347B2 (en) * 2010-06-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR20120012325A (ko) * 2010-07-30 2012-02-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
GB201014778D0 (en) * 2010-09-06 2010-10-20 Baird Brian W Picosecond laser beam shaping assembly and a method of shaping a picosecond laser beam
KR101262455B1 (ko) * 2010-09-10 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
JP5140132B2 (ja) * 2010-10-29 2013-02-06 シャープ株式会社 配線基板付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法
US8592248B2 (en) * 2010-11-17 2013-11-26 E I Du Pont De Nemours And Company Etching method for use with thin-film photovoltaic panel
US20120125391A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Solopower, Inc. Methods for interconnecting photovoltaic cells
US8134067B1 (en) * 2011-01-21 2012-03-13 Chin-Yao Tsai Thin film photovoltaic device
CN103460407A (zh) * 2011-03-18 2013-12-18 应用材料公司 用于形成具有图案化的接触区域的挠性基板的工艺
DE102011051511A1 (de) * 2011-05-17 2012-11-22 Schott Solar Ag Rückkontaktsolarzelle und Verfahren zum Herstellen einer solchen
WO2013039019A1 (ja) * 2011-09-14 2013-03-21 トヨタ自動車東日本株式会社 光電変換デバイス用電極及び光電変換デバイス
GB201116253D0 (en) * 2011-09-20 2011-11-02 Eight19 Ltd Photovoltaic device
KR101241467B1 (ko) * 2011-10-13 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101272997B1 (ko) * 2011-10-18 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101283053B1 (ko) * 2011-10-18 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101326951B1 (ko) * 2011-10-25 2013-11-13 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101219972B1 (ko) * 2011-11-02 2013-01-21 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101826912B1 (ko) * 2011-11-07 2018-02-08 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 광전변환소자 및 그 제조 방법
US10181541B2 (en) * 2011-11-20 2019-01-15 Tesla, Inc. Smart photovoltaic cells and modules
KR20130109330A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
US9911881B2 (en) * 2012-04-03 2018-03-06 Flisom Ag Thin-film photovoltaic device with wavy monolithic interconnects
KR101349429B1 (ko) * 2012-04-23 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치
US9130102B2 (en) * 2012-05-22 2015-09-08 Intellectual Discovery Co., Ltd. Integrated thin film photovoltaic module and manufacturing method thereof
KR20130136739A (ko) * 2012-06-05 2013-12-13 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
WO2014002329A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 パナソニック株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法
DE102012109777A1 (de) * 2012-10-15 2014-04-17 Heliatek Gmbh Verfahren zum Bedrucken optoelektronischer Bauelemente mit Stromsammelschienen
WO2014136359A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 ローム株式会社 有機薄膜太陽電池およびその製造方法、および電子機器
US10090431B2 (en) * 2013-03-12 2018-10-02 New Jersey Institute Of Technology System and method for thin film photovoltaic modules and back contact for thin solar cells
US9786800B2 (en) * 2013-10-15 2017-10-10 Solarworld Americas Inc. Solar cell contact structure
CN103811591B (zh) * 2014-02-27 2016-10-05 友达光电股份有限公司 背接触式太阳能电池的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107210317B (zh) 2019-03-12
US20170373262A1 (en) 2017-12-28
RU2709421C2 (ru) 2019-12-17
CN107210317A (zh) 2017-09-26
TWI695500B (zh) 2020-06-01
NL2014040B1 (en) 2016-10-12
WO2016105186A1 (en) 2016-06-30
TW201635512A (zh) 2016-10-01
US11581502B2 (en) 2023-02-14
EP3238285A1 (en) 2017-11-01
RU2017126223A3 (ru) 2019-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012097166A3 (en) Oled lighting device with short tolerant structure
EP2731137A3 (en) Light emitting device
WO2010101350A3 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
JP2009032673A5 (ru)
WO2010013972A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
WO2008048233A3 (en) Nanostructure and photovoltaic cell implementing same
WO2009044698A1 (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
RU2017126223A (ru) Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов
WO2011005284A3 (en) Encapsulated phase change cell structures and methods
JP2014131041A5 (ru)
JP2010244808A5 (ru)
EP3139415A3 (en) Solar cell
WO2012005540A3 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
JP2017501592A5 (ru)
WO2012093845A3 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
EP4346350A3 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP2017054942A5 (ru)
JP2012023357A5 (ja) 光電変換装置
JP2015170792A5 (ru)
JP6654913B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
EP2337081A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
RU2017126061A (ru) Способ изготовления батареи взаимосвязанных солнечных элементов
WO2013095984A8 (en) Improved method of producing two or more thn-film-based interconnected photovoltaic cells
JP2013542564A5 (ru)
GB2483922B (en) Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201218