JP2011066045A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】スクライブ処理を削減し、信頼性の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層の一部を除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第1犠牲層を形成する第1犠牲層形成工程を有し、前記第1電極層形成工程では、前記基板上及び前記第1犠牲層上に前記第1電極層を形成し、前記第1電極層分割工程では、前記第1犠牲層上とともに、前記第1犠牲層上に形成された前記第1電極層を除去する。
【選択図】図2
【解決手段】基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層の一部を除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第1犠牲層を形成する第1犠牲層形成工程を有し、前記第1電極層形成工程では、前記基板上及び前記第1犠牲層上に前記第1電極層を形成し、前記第1電極層分割工程では、前記第1犠牲層上とともに、前記第1犠牲層上に形成された前記第1電極層を除去する。
【選択図】図2
Description
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換するものであり、使用される半導体によって様々な種類の構成が提案されている。近年では、製造工程が簡単で、高い変換効率が期待できるCIGS型の太陽電池が注目されている。CIGS型の太陽電池は、例えば、基板上に形成された第1電極膜と、第1電極膜上に形成された化合物半導体(銅−インジウム−ガリウム−セレン化合物)層を含む薄膜と、当該薄膜上に形成された第2電極膜と、で構成されている。そして、薄膜の一部が除去された溝内に第2電極膜が形成されており、第1電極膜と第2電極膜とが電気的に接続されている。(例えば、特許文献1参照)。
上記の太陽電池では、第1電極膜、薄膜及び第2電極膜の一部を除去してセル毎に分割形成される。この分割処理(スクライブ処理)には、レーザー光照射や金属針等が用いられる。しかしながら、上記レーザー光照射や金属針等によるスクライブ処理では、スクライブ時の強弱の調整が難しいため、例えば、金属針による押圧が強い場合には、下部膜に損傷を与えてしまう場合がある。一方、押圧が弱い場合には、膜を除去しきれず残ってしまい、短絡或いは高抵抗の原因となってしまう。また、スクライブを行う膜の表面部分に凹凸がある場合には、金属針等を押し当てた際に、膜表面部に対して金属針が均等に当接しないため、凹部或いは凸部に応力が集中し、これにより膜等にクラックが発生してしまう、という課題があった。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層の一部を除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第1犠牲層を形成する第1犠牲層形成工程を有し、前記第1電極層形成工程では、前記基板上及び前記第1犠牲層上に前記第1電極層を形成し、前記第1電極層分割工程では、前記第1犠牲層とともに、前記第1犠牲層上に形成された前記第1電極層を除去することを特徴とする。
この構成によれば、基板上に第1犠牲層が形成された後、基板上及び第1犠牲層上に第1電極層が形成される。そして、第1犠牲層とともに、第1犠牲層上に形成された第1電極層を除去することにより、第1電極層が分割される。すなわち、第1電極層を分割する部分に予め第1犠牲層を設け、リフトオフ法を用いて、第1電極層を分割する。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第1電極層の分割時において、第1電極層や第1電極層の下部材の基板等へのダメージを低減することができる。
[適用例2]本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層の一部を除去して、前記半導体層を分割する半導体層分割工程と、を含み、前記半導体層形成工程の前に、前記半導体層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に第2犠牲層を形成する第2犠牲層形成工程を有し、前記半導体層形成工程では、前記第1電極層上及び前記第2犠牲層上に前記半導体層を形成し、前記半導体層分割工程では、前記第2犠牲層とともに、前記第2犠牲層上に形成された前記半導体層を除去することを特徴とする。
この構成によれば、第1電極層上に第2犠牲層が形成された後、第1電極層上及び第2犠牲層上に半導体層が形成される。そして、第2犠牲層とともに、第2犠牲層上に形成された半導体層を除去することにより、半導体層が分割される。すなわち、半導体層を分割する部分に予め第2犠牲層を設け、リフトオフ法を用いて、半導体層を分割する。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、半導体層の分割時において、半導体層や半導体層の下部材の第1電極層等へのダメージを低減することができる。
[適用例3]本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に前記第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、前記第2電極層の一部を除去して、前記第2電極層を分割する第2電極層分割工程と、を含み、前記第2電極層形成工程の前に、前記第2電極層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に第3犠牲層を形成する第3犠牲層形成工程を有し、前記第2電極層形成工程では、前記半導体層上及び前記第3犠牲層上に前記第2電極層を形成し、前記第2電極層分割工程では、前記第3犠牲層とともに、前記第3犠牲層上に形成された前記第2電極層を除去することを特徴とする。
この構成によれば、第1電極層上に第3犠牲層が形成され、半導体層上及び第3犠牲層上に第2電極層が形成される。そして、第3犠牲層とともに、第3犠牲層上に形成された第2電極層を除去することにより、第2電極層が分割される。すなわち、第2電極層を分割する部分に予め第3犠牲層を設け、リフトオフ法を用いて、第2電極層を分割する。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第2電極層の分割時において、第2電極層や第2電極層の下部材の第1電極層等へのダメージを低減することができる。
[適用例4]上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第1〜第3犠牲層形成工程では、前記第1〜第3犠牲層の材料となるネガ型感光性樹脂を塗布し、塗布された前記ネガ型感光性樹脂を乾燥して、前記第1〜第3犠牲層を形成することを特徴とする。
この構成によれば、例えば、印刷法やインクジェット法等を用いることにより、容易に第1〜第3犠牲層を形成することができる。
[適用例5]上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第1〜第3犠牲層形成工程では、前記第1〜第3犠牲層とともに除去される前記各層の厚みよりも厚い前記第1〜第3犠牲層を形成することを特徴とする。
この構成によれば、第1〜第3犠牲層の厚みに比べ、各層の厚みが薄いため、容易に第1〜第3犠牲層上に形成された層を除去することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮小を異ならせて図示している。
(太陽電池の構成)
まず、太陽電池の構成について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の構成について説明する。図1は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示す断面図である。
まず、太陽電池の構成について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の構成について説明する。図1は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示す断面図である。
図1に示すように、太陽電池1は、基板10と、基板10上に形成された下地層11と、下地層11上に形成された第1電極層12と、第1電極層12上に形成された半導体層13と、半導体層13上に形成された第2電極層14とを含む複数のセル40の集合体で構成されている。
第1電極層12は、第1分割溝31によってセル40毎に分割され、隣接するセル40間を跨ぐように形成されている。第1電極層12上に形成された半導体層13は、第2分割溝32によってセル40毎に分割され、第2電極層14は、第3分割溝33によってセル40毎に分割されている。そして、第1電極層12と第2電極層14とが第2分割溝32を通じて電気的に接続されている。これにより、各セル40の第2電極層14と隣接する他のセル40の第1電極層12とが接続され、各セル40が直列接続される。このように、直列接続されたセル40の数を適宜設定することにより、太陽電池1における所望の電圧を任意に設計変更することが可能となる。
基板10は、少なくとも第1電極層12側の表面が絶縁性を有した基板である。具体的には、例えば、ガラス(青板ガラス等)基板、ステンレス基板、ポリイミド基板、カーボン基板等を用いることができる。
下地層11は、基板10上に形成された絶縁性を有する層であり、例えば、SiO2(酸化珪素)を主成分とする絶縁層やフッ化鉄層を設けることができる。当該下地層11は、絶縁性を有するとともに、基板10と基板10上に形成された第1電極層12との密着性を確保する機能も有している。なお、基板10自体に上記特性を有している場合には、下地層11を省略することができる。
第1電極層12は、下地層11上に形成されている。第1電極層12は、導電性を有し、例えば、モリブデン(Mo)等を用いることができる。
半導体層13は、第1半導体層13aと第2半導体層13bとで構成されている。第1半導体層13aは、第1電極層12上に形成され、銅(Cu)・インジウム(In)・ガリウム(Ga)・セレン(Se)を含むp型半導体層(CIGS半導体層)である。
第2半導体層13bは、第1半導体層13a上に形成され、硫化カドミウム(CdS)、酸化亜鉛(ZnO)、硫化インジウム(InS)等のn型半導体層である。
第2電極層14は、透明性を有する電極層であり、例えば、ZnOAl等の透明電極体(TCO:Transparent Conducting Oxides)、AZO等である。第2電極層14は、第2半導体層13b上及び第2分割溝32内に形成され、第1電極層12と第2電極層14とが電気的に接続される。
上記のように構成されたCIGS型の太陽電池1に、太陽光等の光が入射されると、半導体層13内で電子(−)と正孔(+)の対が発生し、電子(−)と正孔(+)は、p型半導体層(第1半導体層13a)とn型半導体層(第2半導体層13b)との接合面で、電子(−)がn型半導体層に集まり、正孔(+)がp型半導体層に集まる。その結果、n型半導体層とp型半導体層との間に起電力が発生する。この状態で、第1電極層12と第2電極層14に外部導電線を接続することにより、電流を外部に取り出すことができる。
(太陽電池の製造方法)
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の製造方法について説明する。図2及び図3は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の製造方法について説明する。図2及び図3は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
図2(a)の下地層形成工程では、ステンレスの基板10の一方面にフッ化鉄からなる下地層11を形成する。フッ化鉄からなる下地層11は、熱処理によって、ステンレスの基板10とフッ素ガスを反応させることにより形成することができる。なお、基板10自体に上記下地層効果を有している場合には、下地層形成工程を省略することができる。
図2(b)の第1犠牲層形成工程では、第1電極層12の一部が除去される部分に対応する下地層11の表面部分に第1犠牲層51を形成する。すなわち、図1に示すように、第1電極層12がセル40単位で分割される第1分割溝31領域であって、下地層11の表面部分に第1犠牲層51を形成する。具体的には、印刷法やインクジェット法等を用いて、第1犠牲層51の材料となるリフトオフ法用のネガ型感光性樹脂を下地層11の表面部分に塗布する。そして、塗布されたネガ型感光性樹脂を乾燥し、第1犠牲層51を形成する。
ネガ型感光性組成物としては、例えば、環化イソプレンゴムとビスアジド化合物の混合物、ポリビニルフェノール樹脂とアジド化合物の混合物、光重合性オレフィンを有する可溶性ポリイミド、ベンゾフェノン骨格を有し、かつ窒素原子が結合する芳香環のオルソ位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂、レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂と、光照射により酸を発生する酸発生剤の混合物、等を用いる事ができる。
なお、形成された第1犠牲層51の厚みが、次工程における第1電極層12の厚みよりも厚くなるように形成する。例えば、第1電極層12の厚みよりも1.5倍程厚くなるように第1犠牲層51を形成する。このため、ネガ型感光性樹脂の塗布量等を適宜調整する。
図2(c)の第1電極層形成工程では、下地層11上及び第1犠牲層51上に第1電極層12を形成する。具体的には、スパッタ法によって第1電極層12となるモリブデン(Mo)層を形成する。
図2(d)の第1電極層分割工程では、第1電極層12の一部を除去し、第1電極層12をセル40単位に分割する。具体的には、太陽電池1の中間物をリフトオフ法用の剥離液に浸漬等して、第1犠牲層51とともに、第1犠牲層51上に形成された第1電極層12を剥離(除去)する。
剥離液としては、アルカリ性水溶液が望ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、KOH水溶液、オゾン水等を用いる事ができる。そして、第1電極層12の一部が除去された部分には、第1分割溝31が形成される。
図2(e)の第2犠牲層形成工程では、半導体層13の一部が除去される部分に対応する第1電極層12の表面部分に第2犠牲層52a,52bを形成する。具体的には、印刷法やインクジェット法等を用いて、第2犠牲層52の材料となるリフトオフ法用のネガ型感光性樹脂を第1電極層12の表面部分に塗布する。そして、塗布されたネガ型感光性樹脂を乾燥し、第2犠牲層52a,52bを形成する。ネガ型感光性樹脂としては、第1犠牲層形成工程において説明した同様の感光性樹脂を用いることができる。なお、形成された第2犠牲層52a,52bの厚みが、次工程における半導体層13の厚みよりも厚くなるように形成する。例えば、半導体層13の厚みよりも1.5倍程厚くなるように第2犠牲層52a,52bを形成する。このため、ネガ型感光性樹脂の塗布量等を適宜調整する。
次に、半導体層形成工程について説明する。半導体層形成工程は、第1半導体層形成工程と、第2半導体層形成工程とで行われる。図2(f)の第1半導体層形成工程では、まず、第1電極層12上、第1分割溝31内及び第2犠牲層52a,52b上に、銅(Cu)、インジウム(In)およびガリウム(Ga)をスパッタ法等で付着させ、プリカーサーを形成する。そして、当該プリカーサーをセレン化水素雰囲気で加熱(セレン化)して、p型半導体層(CIGS)の第1半導体層13aを形成する。
図3(g)の第2半導体層形成工程では、第1半導体層13a上にCdS、ZnOやInS等によりn型半導体層の第2半導体層13bを形成する。第2半導体層13bは、スパッタ法等によって形成することができる。
図3(h)の半導体層分割工程では、半導体層13の一部を除去し、半導体層13をセル40単位に分割する。具体的には、太陽電池1の中間物をリフトオフ法用の剥離液に浸漬等して、第2犠牲層52a,52bとともに、第2犠牲層52a,52b上に形成された半導体層13を剥離(除去)する。剥離液としては、第1犠牲層形成工程において説明した同様の溶液を用いることができる。そして、半導体層13の一部が除去された部分には、半導体層13がセル40単位で分割される第2分割溝32と、次工程における第2電極層14をセル40毎に分割するための予備溝35が形成される。
図3(i)の第3犠牲層形成工程では、第2電極層14の一部が除去される部分に対応する第1電極層12の表面部分、すなわち、予備溝35に第3犠牲層53を形成する。具体的には、印刷法やインクジェット法等を用いて、第3犠牲層53の材料となるリフトオフ法用のネガ型感光性樹脂を第1電極層12の表面部分に塗布する。そして、塗布されたネガ型感光性樹脂を乾燥し、第3犠牲層53を形成する。ネガ型感光性樹脂としては、第1犠牲層形成工程において説明した同様の感光性樹脂を用いることができる。なお、形成された第3犠牲層53の厚みが、次工程における第2電極層14の厚みよりも厚くなるように形成する。例えば、第2電極層14の厚みよりも1.5倍程厚くなるように第3犠牲層53を形成する。このため、ネガ型感光性樹脂の塗布量等を適宜調整する。
図3(j)の第2電極層形成工程では、半導体層13、第2分割溝32内及び第3犠牲層53上に第2電極層14を形成する。例えば、第2電極層となるZnOAl等の透明電極(TCO)をスパッタ法等で形成する。
図3(k)の第2電極層分割工程では、第2電極層14の一部を除去し、第2電極層14をセル40単位に分割する。具体的には、太陽電池1の中間物をリフトオフ法用の剥離液に浸漬して、第3犠牲層53とともに、第3犠牲層53上に形成された第2電極層14を剥離(除去)する。剥離液としては、第1犠牲層形成工程において説明した同様の溶液を用いることができる。第2電極層14の一部が除去された部分には、第2電極層14がセル40単位で分割される第3分割溝33が形成される。
上記の工程を経ることより、複数のセル40が直列接続されたCIGS型の太陽電池1が形成される。
従って、上記の実施形態によれば、以下に示す効果がある。
(1)基板10に設けられた下地層11上に第1犠牲層51を形成した後、下地層11上及び第1犠牲層51上に第1電極層12を形成した。そして、第1犠牲層51とともに、第1犠牲層51上に形成された第1電極層12を除去することにより、第1電極層12をセル40単位に分割した。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第1電極層12の分割時における第1電極層12や第1電極層12の下部材の下地層11や基板10等へのダメージを低減することができる。
(2)第1電極層12上に第2犠牲層52aを形成した後に、第1電極層12上及び第2犠牲層52a上に半導体層13を形成した。そして、第2犠牲層52aとともに、第2犠牲層52a上に形成された半導体層13を除去することにより、半導体層13をセル40単位に分割した。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、半導体層13の分割時における半導体層13や半導体層13の下部材の第1電極層12等へのダメージを低減することができる。
(3)第1電極層12上に第3犠牲層53を形成した後に、半導体層13上及び第3犠牲層53上に第2電極層14を形成した。そして、第3犠牲層53とともに、第3犠牲層53上に形成された第2電極層14を除去することにより、第2電極層14をセル40単位に分割した。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第2電極層14の分割時における第2電極層14や第2電極層14の下部材の第1電極層12等へのダメージを低減することができる。
なお、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
(変形例1)上記実施形態では、第1〜第3犠牲層51〜53を形成したが、必ずしも全ての第1〜第3犠牲層51〜53を形成しなくてもよい。例えば、第1電極層12、半導体層13、第2電極層14の各層の特性や各層に対するスクライブ性等を考慮し、第1〜第3犠牲層51〜53のうち、いずれかの犠牲層を適宜選択して形成してもよい。例えば、第1犠牲層51を形成し、第1犠牲層51とともに、第1犠牲層51上に形成された第1電極層12を除去することにより、第1電極層12をセル40単位に分割し、半導体層13、第2電極層14については、金属針やレーザー光照射によって、半導体層13、或いは第2電極層14をセル40単位に分割してもよい。このようにすれば、製造設計の自由度を高めることができる。
(変形例2)上記実施形態では、第2電極層14側から光を受光するCIGS型の太陽電池1の構成等について説明したが、第2電極層14側からに加え、基板10側からも受光可能なCIGS型の太陽電池1であってもよい。なお、この場合において、基板10は、透明性を有する基板を用いる。例えば、ガラス基板、PET、有機系透明基板等である。透明性を有する基板を用いることにより、基板10面からの受光を可能とすることができる。また、第1電極層12は、透明性を有する電極層とし、例えば、ZnOAl等の透明電極(TCO:Transparent Conducting Oxides)層とする。透明性を有する電極層を形成することにより、基板10側からの入射した光を半導体層13に向けて透過させためである。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
(変形例3)上記実施形態では、CIGS型の太陽電池1の構成及び製造方法について説明したが、これに限定されない。他の化合物半導体系の太陽電池、例えば、CdTe型の太陽電池に適用してもよい。また、Si系の太陽電池、例えば、Si薄膜型の太陽電池に適用してもよい。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
1…太陽電池、10…基板、11…下地層、12…第1電極層、13…半導体層、13a…第1半導体層、13b…第2半導体層、14…第2電極層、31…第1分割溝、32…第2分割溝、33…第3分割溝、35…予備溝、40…セル、51…第1犠牲層、52a,52b…第2犠牲層、53…第3犠牲層。
Claims (5)
- 基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層の一部を除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、
前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第1犠牲層を形成する第1犠牲層形成工程を有し、
前記第1電極層形成工程では、前記基板上及び前記第1犠牲層上に前記第1電極層を形成し、
前記第1電極層分割工程では、前記第1犠牲層とともに、前記第1犠牲層上に形成された前記第1電極層を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の一部を除去して、前記半導体層を分割する半導体層分割工程と、を含み、
前記半導体層形成工程の前に、前記半導体層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に第2犠牲層を形成する第2犠牲層形成工程を有し、
前記半導体層形成工程では、前記第1電極層上及び前記第2犠牲層上に前記半導体層を形成し、
前記半導体層分割工程では、前記第2犠牲層とともに、前記第2犠牲層上に形成された前記半導体層を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層上に前記第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
前記第2電極層の一部を除去して、前記第2電極層を分割する第2電極層分割工程と、を含み、
前記第2電極層形成工程の前に、前記第2電極層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に第3犠牲層を形成する第3犠牲層形成工程を有し、
前記第2電極層形成工程では、前記半導体層上及び前記第3犠牲層上に前記第2電極層を形成し、
前記第2電極層分割工程では、前記第3犠牲層とともに、前記第3犠牲層上に形成された前記第2電極層を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第1〜第3犠牲層形成工程では、前記第1〜第3犠牲層の材料となるネガ型感光性樹脂を塗布し、塗布された前記ネガ型感光性樹脂を乾燥して、前記第1〜第3犠牲層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第1〜第3犠牲層形成工程では、前記第1〜第3犠牲層とともに除去される前記各層の厚みよりも厚い前記第1〜第3犠牲層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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