CN102024876A - 太阳电池的制造方法 - Google Patents

太阳电池的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102024876A
CN102024876A CN2010102871085A CN201010287108A CN102024876A CN 102024876 A CN102024876 A CN 102024876A CN 2010102871085 A CN2010102871085 A CN 2010102871085A CN 201010287108 A CN201010287108 A CN 201010287108A CN 102024876 A CN102024876 A CN 102024876A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
layer
electrode layer
forms
sacrifice
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010102871085A
Other languages
English (en)
Inventor
傳田敦
斋藤广美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN102024876A publication Critical patent/CN102024876A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供可削减划线处理的可靠性高的太阳电池的制造方法。上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，上述太阳电池的制造方法包括：第1电极层形成工序，在上述基板上形成上述第1电极层；和第1电极层分割工序，去除上述第1电极层的一部分，将上述第1电极层分割，在上述第1电极层形成工序前具有第1牺牲层形成工序，上述第1牺牲层形成工序中在与要去除上述第1电极层的一部分的部分对应的上述基板的表面部分形成第1牺牲层，上述第1电极层形成工序中，在上述基板上及上述第1牺牲层上形成上述第1电极层，上述第1电极层分割工序中，去除上述第1牺牲层以及在上述第1牺牲层上形成的上述第1电极层。

Description

太阳电池的制造方法
技术领域
本发明涉及太阳电池的制造方法。
背景技术
太阳电池将光能变换为电能，根据使用的半导体而提出了各种各样的构成。近年，制造工序简单且可期待高变换效率的CIGS型的太阳电池受到关注。CIGS型的太阳电池例如包括：基板上形成的第1电极膜；第1电极膜上形成的包括化合物半导体(铜-铟-镓-硒化合物)层的薄膜；以及在该薄膜上形成的第2电极膜。在去除了薄膜的一部分的槽内形成第2电极膜，使第1电极膜和第2电极膜电连接。(例如，参照专利文献1)。
【专利文献1】特开2002-319686号公报
上述的太阳电池中，去除第1电极膜、薄膜及第2电极膜的一部分，按各个单元(cell)而分割形成。该分割处理(划线处理)中采用激光照射和/或金属针等。但是，采用上述激光照射和/或金属针等进行的划线处理中，难以调整划线时的强弱，因此，例如在金属针的按压较强的场合，有时会损伤下部膜。另一方面，在按压较弱的场合，膜去除不尽而残留，成为短路或者高电阻的原因。另外，在要进行划线的膜的表面部分存在凹凸的场合，按下金属针等使之触接时，金属针不会均等触接膜表面部，因此，应力集中于凹部或者凸部，从而存在着在膜等中产生裂纹这样的问题。
发明内容
本发明为了解决上述问题的至少一部分而提出，可以作为以下的形态或应用例实现。
[应用例1]
本应用例的太阳电池的制造方法中，上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，该制造方法的特征在于，包括：第1电极层形成工序，在上述基板上形成上述第1电极层；和第1电极层分割工序，去除上述第1电极层的一部分，将上述第1电极层分割，在上述第1电极层形成工序前具有第1牺牲层形成工序，上述第1牺牲层形成工序中，在与要去除上述第1电极层的一部分的部分对应的上述基板的表面部分形成第1牺牲层，上述第1电极层形成工序中，在上述基板上及上述第1牺牲层上形成上述第1电极层，上述第1电极层分割工序中，去除上述第1牺牲层以及在上述第1牺牲层上所形成的上述第1电极层。
根据该构成，在基板上形成第1牺牲层后，在基板上及第1牺牲层上形成第1电极层。然后，通过去除第1牺牲层以及第1牺牲层上形成的第1电极层，分割第1电极层。即，在要分割第1电极层的部分预先设置第1牺牲层，采用剥离(lift off)法分割第1电极层。从而，不必像现有技术那样进行采用激光照射和/或金属针等的划线处理，因此在第1电极层分割时，可以降低对第1电极层和/或第1电极层的下层部件的基板等的损伤。
[应用例2]
本应用例的太阳电池的制造方法中，上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，该制造方法的特征在于，包括：第1电极层形成工序，在上述基板上形成上述第1电极层；半导体层形成工序，在上述第1电极层上形成上述半导体层；以及半导体层分割工序，去除上述半导体层的一部分，将上述半导体层分割，在上述半导体层形成工序前具有第2牺牲层形成工序，上述第2牺牲层形成工序中，在与要去除上述半导体层的一部分的部分对应的上述第1电极层的表面部分形成第2牺牲层，上述半导体层形成工序中，在上述第1电极层上及上述第2牺牲层上形成上述半导体层，上述半导体层分割工序中，去除上述第2牺牲层以及在上述第2牺牲层上形成的上述半导体层。
根据该构成，在第1电极层上形成第2牺牲层后，在第1电极层上及第2牺牲层上形成半导体层。然后，通过去除第2牺牲层以及第2牺牲层上形成的半导体层，分割半导体层。即，在要分割半导体层的部分预先设置第2牺牲层，采用剥离法分割半导体层。从而，不必像现有技术那样进行采用激光照射和/或金属针等的划线处理，因此在半导体层分割时，可以降低对半导体层和/或半导体层的下层部件的第1电极层等的损伤。
[应用例3]
本应用例的太阳电池的制造方法中，上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，该制造方法的特征在于，包括：第1电极层形成工序，在上述基板上形成上述第1电极层；半导体层形成工序，在上述第1电极层上形成上述半导体层；第2电极层形成工序，在上述半导体层上形成上述第2电极层；以及第2电极层分割工序，去除上述第2电极层的一部分，将上述第2电极层分割，在上述第2电极层形成工序前具有第3牺牲层形成工序，上述第3牺牲层形成工序中，在与要去除上述第2电极层的一部分的部分对应的上述第1电极层的表面部分形成第3牺牲层，上述第2电极层形成工序中，在上述半导体层上及上述第3牺牲层上形成上述第2电极层，上述第2电极层分割工序中，去除上述第3牺牲层以及在上述第3牺牲层上形成的上述第2电极层。
根据该构成，在第1电极层上形成第3牺牲层，在半导体层上及第3牺牲层上形成第2电极层。然后，通过去除第3牺牲层以及第3牺牲层上形成的第2电极层，分割第2电极层。即，在要分割第2电极层的部分预先设置第3牺牲层，采用剥离法分割第2电极层。从而，不必像现有技术那样进行采用激光照射和/或金属针等的划线处理，因此在第2电极层分割时，可以降低对第2电极层和/或第2电极层的下层部件的第1电极层等的损伤。
[应用例4]
上述应用例的太阳电池的制造方法的特征在于，上述第1～第3牺牲层形成工序中，涂敷成为上述第1～第3牺牲层的材料的负型感光性树脂，使所涂敷的上述负型感光性树脂干燥，来形成上述第1～第3牺牲层。
根据该构成，例如，通过采用印刷法、喷墨法等，可以容易地形成第1～第3牺牲层。
[应用例5]
上述应用例的太阳电池的制造方法的特征在于，上述第1～第3牺牲层形成工序中，形成上述第1～第3牺牲层，它们的厚度比要与上述第1～第3牺牲层一起去除的上述各层的厚度厚。
根据该构成，由于各层的厚度比第1～第3牺牲层的厚度薄，因此可以容易去除在第1～第3牺牲层上形成的层。
附图说明
图1是表示太阳电池的构成的剖面图。
图2是表示太阳电池的制造方法的工序图。
图3是表示太阳电池的制造方法的工序图。
【符号的说明】
1...太阳电池，10...基板，11...基底层，12...第1电极层，13...半导体层，13a...第1半导体层，13b...第2半导体层，14...第2电极层，31...第1分割槽，32...第2分割槽，33...第3分割槽，35...预备槽，40...单元，51...第1牺牲层，52a、52b...第2牺牲层，53...第3牺牲层。
具体实施方式
以下，参考图面说明将本发明具体化的实施例。另外，为了使得各图面中的各部件为在各图面上可识别程度的大小，因此按各部件以不同的缩小比例进行了图示。
(太阳电池的构成)
首先，说明太阳电池的构成。另外，本实施例中，说明CIGS型的太阳电池的构成。图1是表示本实施例的太阳电池的构成的剖面图。
如图1所示，太阳电池1包括：包括基板10、在基板10上形成的基底层11、在基底层11上形成的第1电极层12、在第1电极层12上形成的半导体层13和在半导体层13上形成的第2电极层14的多个单元40的集合体。
第1电极层12由第1分割槽31按每个单元40分割，以跨相邻的单元40之间的方式形成。第1电极层12上形成的半导体层13由第2分割槽32按每个单元40分割，第2电极层14由第3分割槽33按每个单元40分割。而且，第1电极层12和第2电极层14通过第2分割槽32电连接。从而，各单元40的第2电极层14与相邻的其他单元40的第1电极层12被连接，各单元40被串联连接。这样，通过适当设定串联连接的单元40的数目，可以任意对太阳电池1中的预期的电压进行设计变更。
基板10是至少第1电极层12侧的表面具有绝缘性的基板。具体地说，例如，可以采用玻璃(青板玻璃等)基板、不锈钢基板、聚酰亚胺基板、碳基板等。
基底层11是在基板10上形成的具有绝缘性的层，例如，可以设置以SiO2(氧化硅)为主成分的绝缘层或氟化铁层。该基底层11除了具有绝缘性，还具有确保基板10与基板10上形成的第1电极层12的密合性的功能。另外，在基板10本身具有上述特性的场合，可以省略基底层11。
第1电极层12在基底层11上形成。第1电极层12具有导电性，例如，可以采用钼(Mo)等。
半导体层13由第1半导体层13a和第2半导体层13b构成。第1半导体层13a在第1电极层12上形成，是包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)的p型半导体层(CIGS半导体层)。
第2半导体层13b在第1半导体层13a上形成，是硫化镉(CdS)、氧化锌(ZnO)、硫化铟(InS)等的n型半导体层。
第2电极层14是具有透明性的电极层，例如，是ZnOAl等的透明电极体(TCO：Transparent Conducting Oxides，透明导电氧化物)、AZO等。第2电极层14在第2半导体层13b上及第2分割槽32内形成，第1电极层12和第2电极层14被电连接。
上述构成的CIGS型的太阳电池1中，在太阳光等的光入射时，在半导体层13内产生电子(-)和空穴(+)的对，电子(-)和空穴(+)在p型半导体层(第1半导体层13a)与n型半导体层(第2半导体层13b)的接合面，电子(-)集中到n型半导体层，空穴(+)集中到p型半导体层。结果，在n型半导体层和p型半导体层之间产生电动势。该状态下，通过对第1电极层12和第2电极层14连接外部导电线，可以向外部取出电流。
(太阳电池的制造方法)
接着，说明太阳电池的制造方法。另外，本实施例中，说明CIGS型的太阳电池的制造方法。图2及图3是表示本实施例的太阳电池的制造方法的工序图。
图2(a)的基底层形成工序中，在不锈钢基板10的一侧的面形成包含氟化铁的基底层11。包含氟化铁的基底层11可以通过热处理使不锈钢基板10与氟气体反应而形成。另外，在基板10本身具有上述基底层效果的场合，可以省略基底层形成工序。
图2(b)的第1牺牲层形成工序中，在与要去除第1电极层12的一部分的部分对应的基底层11的表面部分形成第1牺牲层51。即，如图1所示，在作为将第1电极层12以单元40为单位分割的第1分割槽31区域的基底层11的表面部分，形成第1牺牲层51。具体地说，采用印刷法或喷墨法等，在基底层11的表面部分涂敷成为第1牺牲层51的材料的剥离法用的负型感光性树脂。然后，使涂敷的负型感光性树脂干燥，形成第1牺牲层51。
作为负型感光性组成物，例如，可以采用环化异戊二烯橡胶和双叠氮化合物的混合物、聚乙烯苯酚树脂和叠氮化合物的混合物、具有光聚合性烯烃的可溶性聚亚胺、具有二苯甲酮骨格且在氮原子结合的芳香环的邻位具有烷基的自增感型聚亚胺、三聚氰胺-甲醛树脂、烷基醚化三聚氰胺树脂、苯胍胺树脂、烷基醚化苯胍胺树脂、脲树脂、烷基醚化脲树脂、聚氨酯-甲醛树脂、甲酚型酚醛树脂、烷基醚化甲酚型酚醛树脂、环氧树脂与通过光照射而产生酸的产酸剂的混合物等。
另外，所形成的第1牺牲层51的厚度以比下一工序中的第1电极层12的厚度厚的方式形成。例如，以与第1电极层12的厚度相比厚度为1.5倍左右的方式形成第1牺牲层51。因而，要适当调整负型感光性树脂的涂敷量等。
图2(c)的第1电极层形成工序中，在基底层11上及第1牺牲层51上形成第1电极层12。具体地说，通过溅射法形成成为第1电极层12的钼(Mo)层。
图2(d)的第1电极层分割工序中，去除第1电极层12的一部分，将第1电极层12以单元40为单位分割。具体地说，将太阳电池1的中间物在剥离法用的剥离液中浸渍等，剥离(去除)第1牺牲层51以及第1牺牲层51上形成的第1电极层12。
作为剥离液，优选碱性水溶液，例如，可以采用四甲基氢氧化铵水溶液、KOH水溶液、臭氧水等。然后，在去除了第1电极层12的一部分的部分，形成第1分割槽31。
图2(e)的第2牺牲层形成工序中，在与要去除半导体层13的一部分的部分对应的第1电极层12的表面部分，形成第2牺牲层52a、52b。具体地说，采用印刷法或喷墨法等，在第1电极层12的表面部分涂敷成为第2牺牲层52的材料的剥离法用的负型感光性树脂。然后，使涂敷的负型感光性树脂干燥，形成第2牺牲层52a、52b。作为负型感光性树脂，可以采用第1牺牲层形成工序中说明的同样的感光性树脂。另外，所形成的第2牺牲层52a、52b的厚度以比下一工序中的半导体层13的厚度厚的方式形成。例如，以与半导体层13的厚度相比厚度为1.5倍左右的方式形成第2牺牲层52a、52b。因而，要适当调整负型感光性树脂的涂敷量等。
接着，说明半导体层形成工序。半导体层形成工序包括第1半导体层形成工序和第2半导体层形成工序。图2(f)的第1半导体层形成工序中，首先，在第1电极层12上、第1分割槽31内及第2牺牲层52a、52b上，用溅射法等附着铜(Cu)、铟(In)及镓(Ga)，形成前驱体。然后，将该前驱体在硒化氢气氛加热(硒化)，形成p型半导体层(CIGS)的第1半导体层13a。
图3(g)的第2半导体层形成工序中，在第1半导体层13a上，由CdS、ZnO和/或InS等形成n型半导体层的第2半导体层13b。第2半导体层13b可以通过溅射法等形成。
图3(h)的半导体层分割工序中，去除半导体层13的一部分，将半导体层13以单元40为单位分割。具体地说，将太阳电池1的中间物在剥离法用的剥离液中浸渍等，剥离(去除)第2牺牲层52a、52b以及第2牺牲层52a、52b上形成的半导体层13。作为剥离液，可以采用与第1牺牲层形成工序中说明的同样的溶液。然后，在去除了半导体层13的一部分的部分，形成将半导体层13以单元40为单位分割的第2分割槽32和用于将下一工序中的第2电极层14按单元40分割的预备槽35。
图3(i)的第3牺牲层形成工序中，在与要去除第2电极层14的一部分的部分对应的第1电极层12的表面部分即预备槽35，形成第3牺牲层53。具体地说，采用印刷法或喷墨法等，在第1电极层12的表面部分涂敷成为第3牺牲层53的材料的剥离法用的负型感光性树脂。然后，使涂敷的负型感光性树脂干燥，形成第3牺牲层53。作为负型感光性树脂，可以采用与第1牺牲层形成工序中说明的同样的感光性树脂。另外，形成的第3牺牲层53的厚度以比下一工序中的第2电极层14的厚度厚的方式形成。例如，以与第2电极层14的厚度相比厚度为1.5倍左右的方式形成第3牺牲层53。因而，要适当调整负型感光性树脂的涂敷量等。
图3(j)的第2电极层形成工序中，在半导体层13、第2分割槽32内及第3牺牲层53上形成第2电极层14。例如，用溅射法等形成成为第2电极层的ZnOAl等的透明电极(TCO)。
图3(k)的第2电极层分割工序中，去除第2电极层14的一部分，将第2电极层14以单元40为单位分割。具体地说，将太阳电池1的中间物在剥离法用的剥离液中浸渍，剥离(去除)第3牺牲层53以及第3牺牲层53上形成的第2电极层14。作为剥离液，可以采用与第1牺牲层形成工序中说明的同样的溶液。在去除了第2电极层14的一部分的部分，形成将第2电极层14以单元40为单位分割的第3分割槽33。
通过上述的工序，形成多个单元40串联连接而成的CIGS型的太阳电池1。
从而，根据上述的实施例，产生以下所示的效果。
(1)在设置于基板10的基底层11上形成第1牺牲层51后，在基底层11上及第1牺牲层51上形成第1电极层12。然后，通过去除第1牺牲层51以及第1牺牲层51上形成的第1电极层12，将第1电极层12以单元40为单位分割。从而，不必像现有技术那样进行采用了激光照射和/或金属针等的划线处理，因此，可以降低第1电极层12分割时对第1电极层12和/或第1电极层12的下层部件的基底层11和/或基板10等的损伤。
(2)第1电极层12上形成第2牺牲层52a后，在第1电极层12上及第2牺牲层52a上形成半导体层13。然后，通过去除第2牺牲层52a以及第2牺牲层52a上形成的半导体层13，将半导体层13以单元40为单位分割。从而，不必像现有技术那样进行采用了激光照射和/或金属针等的划线处理，因此可以降低半导体层13分割时对半导体层13和/或半导体层13的下层部件的第1电极层12等的损伤。
(3)第1电极层12上形成第3牺牲层53后，在半导体层13上及第3牺牲层53上形成第2电极层14。然后，通过去除第3牺牲层53以及第3牺牲层53上形成的第2电极层14，将第2电极层14以单元40为单位分割。从而，不必像现有技术那样进行采用了激光照射和/或金属针等的划线处理，因此，可以降低第2电极层14分割时对第2电极层14和/或第2电极层14的下层部件的第1电极层12等的损伤。
另外，不限于上述的实施例，可以有以下的变形例。
(变形例1)
上述实施例中，形成了第1～第3牺牲层51～53，但是，也可以不必形成全部的第1～第3牺牲层51～53。例如，也可以考虑第1电极层12、半导体层13、第2电极层14的各层特性和/或对各层的划线性等，适当选择第1～第3牺牲层51～53中的任一牺牲层来形成。例如，也可以形成第1牺牲层51，通过去除第1牺牲层51以及第1牺牲层51上形成的第1电极层12，将第1电极层12以单元40为单位分割，对于半导体层13、第2电极层14，通过金属针和/或激光照射将半导体层13或者第2电极层14以单元40为单位分割。这样，可以提高制造设计的自由度。
(变形例2)
上述实施例中，说明了从第2电极层14侧受光的CIGS型的太阳电池1的构成等，但是也可以是不仅从第2电极层14侧还从基板10侧可受光的CIGS型的太阳电池1。另外，该场合中，基板10采用具有透明性的基板。例如，玻璃基板、PET、有机系透明基板等。通过采用具有透明性的基板，可以从基板10面受光。另外，第1电极层12为具有透明性的电极层，例如，为ZnOAl等的透明电极(TCO：Transparent Conducting Oxides)层。这是因为，通过形成具有透明性的电极层，使得来自基板10侧的入射光向半导体层13透射。这样也可以获得与上述同样的效果。
(变形例3)
上述实施例中，说明了CIGS型的太阳电池1的构成及制造方法，但是不限于此。也可以用于其他化合物半导体系的太阳电池，例如，CdTe型的太阳电池。另外，也可以用于Si系的太阳电池，例如，Si薄膜型的太阳电池。这样也可以获得与上述同样的效果。

Claims (5)

1.一种太阳电池的制造方法，上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，该制造方法的特征在于，
包括：
在上述基板上形成上述第1电极层的第1电极层形成工序；和
去除上述第1电极层的一部分，将上述第1电极层分割的第1电极层分割工序，
在上述第1电极层形成工序之前具有第1牺牲层形成工序，上述第1牺牲层形成工序中，在与要去除上述第1电极层的一部分的部分对应的上述基板的表面部分形成第1牺牲层，
在上述第1电极层形成工序中，在上述基板上及上述第1牺牲层上形成上述第1电极层，
在上述第1电极层分割工序中，去除上述第1牺牲层以及形成于上述第1牺牲层上的上述第1电极层。
2.一种太阳电池的制造方法，上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，该制造方法的特征在于，
包括：
在上述基板上形成上述第1电极层的第1电极层形成工序；
在上述第1电极层上形成上述半导体层的半导体层形成工序；以及
去除上述半导体层的一部分，将上述半导体层分割的半导体层分割工序，
在上述半导体层形成工序之前具有第2牺牲层形成工序，上述第2牺牲层形成工序中，在与要去除上述半导体层的一部分的部分对应的上述第1电极层的表面部分形成第2牺牲层，
在上述半导体层形成工序中，在上述第1电极层上及上述第2牺牲层上形成上述半导体层，
在上述半导体层分割工序中，去除上述第2牺牲层以及形成于上述第2牺牲层上的上述半导体层。
3.一种太阳电池的制造方法，上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层，该制造方法的特征在于，
包括：
在上述基板上形成上述第1电极层的第1电极层形成工序；
在上述第1电极层上形成上述半导体层的半导体层形成工序；
在上述半导体层上形成上述第2电极层的第2电极层形成工序；以及
去除上述第2电极层的一部分，将上述第2电极层分割的第2电极层分割工序，
在上述第2电极层形成工序之前具有第3牺牲层形成工序，上述第3牺牲层形成工序中，在与要去除上述第2电极层的一部分的部分对应的上述第1电极层的表面部分形成第3牺牲层，
在上述第2电极层形成工序中，在上述半导体层上及上述第3牺牲层上形成上述第2电极层，
在上述第2电极层分割工序中，去除上述第3牺牲层以及形成于上述第3牺牲层上的上述第2电极层。
4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳电池的制造方法，其特征在于，
在上述第1～第3牺牲层形成工序中，涂敷成为上述第1～第3牺牲层的材料的负型感光性树脂，使所涂敷的上述负型感光性树脂干燥，来形成上述第1～第3牺牲层。
5.如权利要求1～4中任一项所述的太阳电池的制造方法，其特征在于，
上述第1～第3牺牲层形成工序中，形成厚度比要与上述第1～第3牺牲层一起被去除的上述各层的厚度厚的上述第1～第3牺牲层。
CN2010102871085A 2009-09-15 2010-09-15 太阳电池的制造方法 Pending CN102024876A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP213003/2009 2009-09-15
JP2009213003A JP2011066045A (ja) 2009-09-15 2009-09-15 太陽電池の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102024876A true CN102024876A (zh) 2011-04-20

Family

ID=43730972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102871085A Pending CN102024876A (zh) 2009-09-15 2010-09-15 太阳电池的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8329494B2 (zh)
JP (1) JP2011066045A (zh)
CN (1) CN102024876A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101072089B1 (ko) * 2009-09-30 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1682378A (zh) * 2002-09-11 2005-10-12 松下电器产业株式会社 太阳能电池及其制造方法
US20070238285A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Method for making an improved thin film solar cell interconnect using etch and deposition process
CN101326645A (zh) * 2005-10-27 2008-12-17 本田技研工业株式会社 太阳能电池

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002005352A2 (en) * 2000-07-06 2002-01-17 Bp Corporation North America Inc. Partially transparent photovoltaic modules
JP2002319686A (ja) 2001-04-23 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池の製造方法
US7259321B2 (en) * 2002-01-07 2007-08-21 Bp Corporation North America Inc. Method of manufacturing thin film photovoltaic modules
AU2009252603A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Fujikura Ltd. Photoelectric conversion element module and method for manufacturing photoelectric conversion element module
KR101144808B1 (ko) * 2008-09-01 2012-05-11 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1682378A (zh) * 2002-09-11 2005-10-12 松下电器产业株式会社 太阳能电池及其制造方法
CN101326645A (zh) * 2005-10-27 2008-12-17 本田技研工业株式会社 太阳能电池
US20070238285A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Method for making an improved thin film solar cell interconnect using etch and deposition process

Also Published As

Publication number Publication date
US8329494B2 (en) 2012-12-11
US20110065230A1 (en) 2011-03-17
JP2011066045A (ja) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110091683A (ko) 광기전력 소자 및 그 제조 방법
EP2416377B1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
WO2007010735A1 (ja) カルコパイライト型太陽電池
KR101144570B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
US8779282B2 (en) Solar cell apparatus and method for manufacturing the same
KR102540524B1 (ko) 태양 전지의 포일 기반 금속화를 위한 레이저 정지 층
CN101908565A (zh) 太阳电池及其制造方法
EP3281232B1 (en) A material structure for a solar cell, a solar cell and a method for manufacturing a material structure
US20170077320A1 (en) Anti-corrosion protection of photovoltaic structures
CN109148615A (zh) 一种异质结太阳能电池电极的制作方法
EP2450963A2 (en) Solar cell and method for producing same
CN101908566A (zh) 太阳电池及其制造方法
KR101091379B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
CN102024876A (zh) 太阳电池的制造方法
CN105097980B (zh) 薄膜太阳能电池及其制造方法
KR20100109312A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
US9362435B2 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
CN105374886A (zh) 钝化方法
KR101592582B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101241467B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
JP2010098266A (ja) 光起電力素子、および、その製造方法
KR101556465B1 (ko) 그래핀을 후면전극으로 적용한 ｃｉｇｓ계 태양전지의 연결전극 형성방법
KR20100109305A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
CN101958368A (zh) 太阳电池及其制造方法
KR101034146B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110420