KR101144808B1 - 박막형 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지 - Google Patents

박막형 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다이렉트 프린팅 기법을 사용하고 절단 공정의 회수를 줄인 박막형 태양전지의 제조방법과 이를 통해 얻어지는 박막형 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 위에 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층을 순차로 형성하는 단계와, 상기 기판의 일부와 하부 투명전극층의 일부가 동시에 노출되도록 상기 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층을 절단하여 복수 개의 셀로 패터닝하는 단계와, 상기 복수 개의 셀의 일 측면에 절연층을 각각 형성하는 단계, 및 상기 복수 개의 셀 위에 후면전극층을 각각 형성하여 소정 셀의 상부 투명전극층과 그 이웃하는 셀의 하부 투명전극층을 직렬연결하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
박막형 태양전지, 다이렉트 프린팅, 패터닝, 레이저 스크라이빙

Description

박막형 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지{Manufacturing Method For Thin-Film Type Solar Cell And The Same thereof }
본 발명은 박막형 태양전지 제조방법에 관한 것으로서, 패터닝 공정의 횟수를 줄임으로써 공정비용을 절감하면서도 높은 광전변환 효율을 갖는 박막형 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 기판 위에 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층을 순차로 형성하고, 복수 개의 셀로 패터닝한 후 후면전극층을 각각 형성하는 공정에서 후면전극층을 다이렉트 프린팅 기법을 이용하여 간편하게 형성하는 박막형 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
최근 지구 환경 문제와 자원 고갈의 문제로 친환경의 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 이러한 상황에서 사람들의 관심을 모으고 있는 기술 중 하나가 태양광 발전기술이다. 태양광을 이용하여 전기를 생산하는 태양전지는 일반적으로 실리콘을 이용하여 제작하고 있으며, 현재 상용화된 단결정 Bulk 실리콘 태양전지는 높은 제조단가 및 설치 비용으로 인하여 적극적인 활용이 이루어지지 못하는 실정이다. 이러한 비용문제를 해결하기 위하여 실리콘을 이용한 박막형 태양전지에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 고효율 태양전지 모듈을 제조하기 위한 여 러 가지 시도들이 이루어지고 있다.
태양전지는 차세대 청정 에너지원으로서 수십년간 많은 연구가 진행되어 오고 있다. 지금까지 태양전지의 소재로서, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 비정질 SiC, 비정질 SiN, 비정질 SiGe, 비정질 SiSn 등의 Ⅳ 족계의 재료 또는 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족이나 CdS, CdTe, Cu2S 등의 Ⅱ-Ⅵ 족의 화합물 반도체 등이 사용되고 있다.
일반적으로 태양전지에 요구되는 특성으로서는 고광전변환 효율일 것, 제조비용이 낮을 것, 에너지 회수 년수가 짧을 것을 들 수 있다. 특히 공정횟수를 간략화하는 것은 태양전지의 제조비용면에서 경제적 효과가 있으므로 이 분야에 대해 활발한 연구가 진행되고 있다.
일반적으로 기판 위에 증착된 전극 및 광전변환용 반도체층을 레이저 스크라이빙(laser scribing)을 통하여, 단위 셀로 분할함과 동시에 셀을 직렬 및 병렬 접속시키면 일반적인 박막형 태양전지 모듈을 얻을 수 있다.
도 1은 종래의 박막형 태양전지의 제조 공정에 따른 소자의 적층구조의 단면도이다. 도 2는 박막형 태양전지 제조방법으로 제조된 모듈의 다이오드(diode) 등가 회로도이다.
도 1에 의한 종래 태양전지의 제조방법을 살펴보면, 다음과 같다.
(a) 단계에서는 종래의 박막형 태양전지의 제조하기 위한 개시단계로서, 구체적으로 기판(100) 위에 하부 투명전극층(101)을 증착한다.
(b) 단계에서는 절단 공정을 통하여 하부 투명전극층(101)을 레이저 스크라이빙(laser scribing)하여 기판(100)의 일부가 노출되게 한다.
(c) 단계에서는 레이저 스크라이빙(laser scribing)한 투명전극층(101) 위에 광전변환용 반도체층(102)을 증착한다.
(d) 단계에서는 광전변환용 반도체층(102)을 레이저 스크라이빙(laser scribing)하여, 하부 투명전극층(101) 일부가 노출되게 한다.
(e) 단계에서는 레이저 스크라이빙(laser scribing)한 광전변환용 반도체층(102) 위에 상부 투명전극층(103)을 증착한다.
(f) 단계에서는 상부 투명전극층(103) 위에 후면전극층(104)을 증착한다.
(g) 단계에서는 광전변환용 반도체층(102), 상부 투명전극층(103) 및 후면전극층(104)을 레이저 스크라이빙(laser scribing)하여 패터닝함으로써 태양전지를 복수 개의 셀단위로 분할한다.
상기와 같은 종래의 박막형 태양전지의 제조방법의 문제점은 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정을 3번 진행하고, 진공 증착 공정과 스크라이빙 공정을 번갈아 진행하기 때문에 공정시간이 증가할 수 밖에 없고 그에 따라 비용 상승을 피할 수 없게 된다. 또한 복수 개의 태양전지 셀을 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결하기 위하여 스크라이빙 공정에서 고난이도의 복잡하고 섬세한 기술이 요구되는 실정이다.
또한 금속 상부 전극을 스크라이빙 하더라도 완전히 제거되지 못하고 발생하는 잔류물(burr)로 인하여 후속 공정 진행시에 인접 셀과의 단락(short circuit) 현상이 발생하여 누설 전류로 인한 태양전지의 효율을 저하시킬 수 있다.
또한 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정을 이용하게 되면 기판에서 버려지는 영역(Dead area)이 생성되기 때문에, 스크라이빙 공정의 횟수가 늘어날수록 그만큼 동일 기판에서 발생할 수 있는 전력은 떨어지게 된다. 보통 절단공정에서 버려지는 부분은 약 100μm 이상이기 때문에 절단공정을 반복하면 손실이 커진다.
따라서 스크라이빙 공정의 횟수를 줄여서, 공정 비용을 줄임과 동시에 보다 간편하게 태양전지를 제조하여 생산단가의 면에서 경제적이고 기존의 태양전지보다 효율을 향상시킬 수 있는 박막형 태양전지의 제조방법의 개발이 절실하다.
본 발명의 목적은 박막형 태양전지 있어서 광전변환효율이 높은 태양전지를 비교적 간단한 공정으로 제조하고, 제조비용이 적게 소요되는 태양전지 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
특히, 본 발명의 목적은 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, 패터닝 회수를 줄임으로써, 패터닝 공정에서 발생하는 버려지는 영역(Dead area)을 최소화하여 효율을 향상시키고, 금속 전극 잔류물이 없어서 공전 신뢰성을 높일 수 있는 태양전지 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법은 기판 위에 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층을 순차로 형성하는 단계와, 상기 기판의 일부와 하부 투명전극층의 일부가 동시에 노출되도록 상기 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층을 절단하여 복수 개의 셀로 패터닝하는 단계와, 상기 복수 개의 셀의 일 측면에 절연층을 각각 형성하는 단계, 및 상기 복수 개의 셀 위에 후면전극층을 각각 형성하여 소정 셀의 상부 투명전극층과 그 이웃하는 셀의 하부 투명전극층을 직렬연결하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 셀로 패터닝하는 단계는, 상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 및 상부 투명전극층을 동시에 절단하는 단계와, 상기 하부 투명전극층의 일부가 노출되도록 상기 광전변환용 반도체층 및 상부 투명전극층을 동시에 절단하는 단계일 수 있다. 즉, 절단 공정을 위치를 변경하여 연속적으로 두 번 수행함으로써 공정상 편의를 가져올 수 있으며 작업 능률의 면에서 볼 때 유리한 효과를 가져올 수 있게 된다.
상기 절연층의 형성은, 상기 절연층을 셀 단위의 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 및 상부 투명전극층의 측면 노출부에 다이렉트 프린팅하여 형성할 수 있다.
상기 다이렉트 프린팅 방법은 스크린 프린팅 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅 방법 또는 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법일 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법은 기판 위에 형성된 하부 투명전극층을 절단하여 패터닝하는 단계와, 상기 하부 투명전극층 위에 광전변환용 반도체층과 상부 투명전극층을 순차로 형성하는 단계와, 상기 하부 투명전극층의 일부가 노출되도록 상기 광전변환용 반도체층과 상부 투명전극층을 절단하여 복수 개의 셀로 패터닝하는 단계, 및 상기 복수 개의 셀 위에 후면전극층을 각각 형성하여 상부 투명전극층과 상기 노출된 하부 투명전극층의 일부를 직렬연결하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 후면전극층의 형성은 다이렉트 프린팅하여 형성할 수 있다.
상기 다이렉트 프린팅 방법은, 스크린 프린팅 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅 방법 또는 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법일 수 있으며, 공지의 프린팅 방법으로서 당업자에게 알려진 것이면 족하다.
상기 절단하는 방법은, 특별히 제한되지 않지만 광학적 스크라이빙법, 기계적 스크라이빙법, 플라즈마이용 에칭법, 습식 에칭법, 건식 에칭법, 리프트 오프(lift-off)법, 와이어 마스크(wiremask)법 등 공지의 기술 중 어느 하나의 방법을 사용할 수 있다.
특히 본 발명의 상기 광학적 스크라이빙법은 레이저 스크라이빙법일 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판 위에 순차로 형성된 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층, 및 후면전극층으로 이루어진 복수 개의 태양전지 셀을 포함하는 박막형 태양전지에 있어서, 상기 후면전극층은 상부 투명전극층의 상부면에서 연장되어 상부 투명전극층 및 광전변환용 반도체층의 측면을 감싸면서 형성된다.
상기 후면전극층은 다이렉트 프린팅으로 소정 셀의 상부 투명전극층 윗면과 상부 투명전극층 및 광전변환용 반도체층의 측면에 형성되고, 상기 소정 셀과 이웃하는 셀의 하부 투명전극층을 연결하여 복수 개의 셀을 직렬연결한다. 상기 다이렉트 프린팅 방법은, 스크린 프린팅 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅 방법 또는 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법일 수 있다.
또한 본 발명의 박막형 태양전지는 상기 후면전극층과 상부 투명전극층 및 광전변환용 반도체층의 측면 사이에는 절연층이 더 추가될 수 있다.
상기 복수 개의 태양전지 셀의 측면 노출부는 절연층을 매개로 이웃하는 셀 의 하부 투명전극층과 전기적으로 절연된다.
본 발명에서 상기 절연층은 스크린 프린팅 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅 방법 또는 잉크젯 프린팅 방법 중에서 선택되는 하나의 다이렉트 프린팅 방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 태양전지 제조방법은 일반적인 태양전지의 제조공정에서 절단과정을 거치면서 손실되는 부분이 100μm 이상이 되기 때문에, 절단공정의 횟수를 줄여 생산단가의 면에서 비용절감 효과를 크게 할 수 있으며, 보다 간편한 공정으로 태양전지를 제공할 수 있다. 즉, 박막형 태양전지를 제조함에 있어서 기존의 제조방법은 적어도 3번의 절단과정이 필요하였다. 그러나, 본 발명은 절단과정을 1번 또는 2번으로 줄일 뿐만 아니라 유사한 과정은 같은 시기에 진행하여 공정을 통일함으로써, 제조공정의 면에서 간소화 및 통일화를 꾀하여 제조비용이 절감된 박막형 태양전지를 제조할 수 있게 한 것이다.
본 발명에 의하면, 광전변환 효율이 높고, 비교적 단순한 일련의 제조공정을 통해 일거에 박막형 태양전지를 제조할 수 있다. 또한, 종래 기술에 비하여 패터닝 횟수를 감소시킴으로써, 공정 비용을 절감하여 태양전지를 생산할 수 있다.
광전 변환 효율이 높고, 절감된 공정 비용으로 태양전지를 제작할 수 있는 태양전지의 구조 및 제조방법을 제시함으로써, 본 발명이 상용화 될 경우 차세대 청정 에너지원으로서 지구 환경 보전에 기여할 뿐만 아니라, 공공시설, 민간시설, 군수시설 등 다방면에 직접 응용되어 막대한 경제적 가치를 창출할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 공정 단계를 따라 소자의 적층구조의 단면도로서 나타낸 도면이다. 하기의 공정 단계는 하나의 실시예일 뿐이며 반드시 이러한 순서에 제한되지 않을 수 있다.
도 3을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
(a) 단계는 본 발명의 박막형 태양전지를 제조하기 위한 개시단계로서, 구체적으로 기판(300) 위에 하부 투명전극층(301)을 증착한다.
(b) 단계는 하부 투명전극층(301) 위에 광전변환용 반도체층(302)을 증착한다.
광전변환용 반도체층(302)에 사용하는 물질은 빛 에너지를 전기 에너지로 바꿀 수 있는 반도체 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, 비정질 실리콘, 미세결정질 실리콘, 단결정질 실리콘, 폴리실리콘, 비정질 SiC, 비정질 SiN, 비정질 SiGe, 비정질 SiSn, 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP), CIGS(Copper Indium Galium Selenide), 텔루르화카드뮴(CdTe), 화화카드 뮴(CdS), 황화구리(Cu2S), 텔루르화아연(ZnTe), 황화납(PbS), 카파인디움다이셀레나이드(CulnSe2 ; CIS), 갈륨안티모니(GaSb) 및 이들의 화합물로 구성된 그룹에서 어느 하나의 물질을 선택할 수 있다.
(c) 단계에서는 광전변환용 반도체층(302) 위에 상부 투명전극층(303)을 증착한다.
(d) 단계에서는 기판(300)의 일부가 노출되도록 하부 투명전극층(301), 광전변환용 반도체층(302) 및 상부 투명전극층(303)을 절단한다. 이러한 절단 공정을 통해서 여러 개의 태양전지 셀로 분할된다.
하부 투명전극층(301), 상부 투명전극층(303)은 각각 적층되는 태양전지 소자의 단면도에서의 위치에 따라 편의상 구분한 것일 뿐 모두 동일한 물질과 방법으로 증착될 수 있으며, 상기 본 발명의 기술분야의 당업자들이라면 누구라도 알 수 있는 전도층으로서 사용가능한 공지 물질들을 사용하여 공지의 증착법을 통하여 성막할 수 있다. 특히, 바람직하게는 투명하면서 전기를 잘 통하는 물질인 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(ITO)을 사용한다.
또한 상기 절단공정은, 본 발명의 기술 분야의 당업자들이라면 일반적으로 알 수 있는 종래의 공지된 절단공정을 사용할 수 있으며, 보통 광학적 스크라이빙법, 기계적 스크라이빙법, 플라즈마 이용 에칭법, 습식에칭법, 건식 에칭법, 리프트 오프(lift-off)법, 와이어 마스크(wire mask)법 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
한편, 광학적 스크라이빙법으로는 주로 레이저 스크라이빙(laser scribing)법이 이용되며, 레이저 스크라이빙법은 펄스 레이저광을 기판에 대하여 상대적으로 주사하고 기판 상의 박막을 가공하는 방법이다.
다음으로, (e) 단계에서는 하부 투명전극층(301) 일부가 노출되도록 상기 광전변환용 반도체층(302) 및 상부 투명전극층(303)을 레이저 스크라이빙(laser scribing) 한다. 이와 같이 (d) 및 (e)공정에서 연속되는 절단을 수행함으로써 어려운 스크라이빙 기술을 수월하게 수행할 수 있게 한다.
상기 노출되는 기판과 하부 투명전극층의 크기는 제한되지 않으며 복수 개의 태양전지 셀을 구분할 수 있을 정도이면 족할 것이다.
(f) 단계에서는 절연층(304)을 셀 단위의 하부 투명전극층(301), 광전변환용 반도체층(302), 및 상부 투명전극층(303)의 측면 노출부에 다이렉트 프린팅한다.
본 발명에서 사용하는 다이렉트 프린팅(Direct Printing) 방법은 스크린 프린팅(Screen Printing) 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅(Offset Lithography Printing) 방법, 잉크젯 프린팅(INkjet Printing) 방법, 롤투롤(Roll-to-Roll) 방법 등이 있으며 이러한 기술들을 적용하여 대량생산을 할 수 있다.
한편, 스크린 프린팅(Screen Printing)법은 스텐실을 이용한 비 가압식 프린팅법으로서, 잉크와 기판이 영향을 받지 않는 장점이 있어서 대면적 기판 위에 두꺼운 잉크 증착에 적합하다. 또한, 대기 중에서 박막 형성과 패터닝 과정까지 한번에 진행할 수 있는 기술이다.
그리고, 옵셋 리소그래피(Offset Lithography Printing)법은 다양한 종류의 소재를 프린팅할 수 있는 공정기술로서, 기판 표면 에너지에 의한 흡착 조건을 이용하는 기술이다.
잉크젯 프린팅(INkjet Printing)법은 세밀한 잉크 방울을 만들어서 이를 기판 위의 원하는 위치에 패터닝하는 공정기술로서, 비 접촉방식으로써 작은 체적에 복잡한 형상 구현에 적합하다.
(g) 단계에서는 복수개의 셀 위에 후면전극층(305)을 다이렉트 프린팅하여 상부 투명전극층(303)과 상기 노출된 하부 투명전극층(301)의 일부를 직렬연결시킨다. 이러한 공정을 통해서, 분할된 셀들은 후면전극층(305)에 의해서 서로 직렬 연결되어 기판 상에서 태양전지 모듈을 형성하게 된다. 즉, 셀의 후면전극층(305)을 형성함과 동시에 셀들을 서로 연결하게 되는 것이다.
후면전극층(305)의 형성 역시 상술한 바 있는 다이렉트 프린팅 기법을 이용하여 보다 간편하고 용이한 공정으로 처리할 수 있다.
즉, 스크린 프린팅(Screen Printing) 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅(Offset Lithography Printing) 방법, 잉크젯 프린팅(INkjet Printing) 방법, 롤투롤(Roll-to-Roll) 방법 등으로 알루미늄 등의 금속성 물질로 구성된 후면전극층을 용이하게 형성하여 태양전지 셀을 대량생산 할 수 있어 경제적 비용 절감의 효과를 가질 수 있다.
상기 후면전극층(305)은 상기 본 발명의 기술 분야의 당업자들이라면 일반적으로 전극층에 사용할 수 있는 공지의 물질들과 공지의 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 특히 바람직하게는 알루미늄(Al), 은(Ag), 티타늄(Ti), 파라듐(Pd) 등을 스 크린 프린팅(screen printing)의 방법으로서 금속층을 형성하여 제작한다. 보통 은 페이스트(Ag paste)를 스크린 프린팅한 후 안정화시키고 오븐에서 건조시킨 후 열처리하는 방법을 사용한다.
도 3의 태양전지 제조방법을 이용하여 제작된 박막형 태양전지는 패터닝에 의해 구분된 복수 개의 단위셀들로 이루어지며 이들 단위셀들은 각 태양전지 광전변환층의 상부 및 하부에 구성된 투명전도층에 의해 전기적으로 상호 직렬로 연결된다. 복수개의 단위셀들은 서로 전기적으로 직렬로 접속되어 대면적의 집적화된 박막형 태양전지를 구성할 수 있다.
상기 단위 셀 상호간의 직렬연결은 인접한 단위 셀 사이에 절연층(304)을 둠으로써, 하나의 단위 태양전지 셀 내부의 상부 및 하부 투명전극층이 서로 전기적으로 연결되는 것을 단절하고 이웃하는 단위 태양전지 셀과 직렬연결될 수 있게 한다.
다시 말하여 본 발명의 일 실시예에서, 상기 박막형 태양전지는 위로부터 순차로 상부 투명전극층(303), 광전변환용 반도체층(302) 및 하부 투명전극층(301)에 이르기까지 절단공정을 수행하여 복수개의 셀로 패터닝한 것이 특징이다. 상기 복수 개의 셀 사이에 절연층(304)을 형성하였으며, 그 위에 후면전극층(305)을 형성하여 인접한 단위셀들 상호간에 전기적으로 직렬연결되는 구조를 형성하는 것이 특징이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 공정단 계를 따라 소자의 적층구조의 단면도로서 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하여, 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
(a) 단계에서는 본 발명의 박막형 태양전지의 제조하기 위한 개시단계로서, 구체적으로 기판(400) 위에 하부 투명전극층(401)을 증착한다. 상기 증착하는 공정은 이미 당해 기술 분야에서 공지된 박막 증착법 중에서 선택하여 이용할 수 있다.
(b) 단계에서는 상기 기판(400)의 일부가 노출되도록 상기 하부 투명전극층(401)을 레이저 스크라이빙(laser scribing)하여 한다.
(c) 단계에서는 상기 레이저 스크라이빙(laser scribing)한 하부 투명전극층(401) 위에 광전변환용 반도체층(402)을 증착한다.
앞서 설명한 광전변환용 반도체층(302)에 사용할 수 있는 물질을 본 실시예에서도 사용할 수 있음은 물론이다.
(d) 단계에서는 상기 광전변환용 반도체층(402) 위에 상부 투명전극층(403)을 증착한다.
(e) 단계에서는 상기 하부 투명전극층(401) 일부가 노출되도록 상기 광전변환용 반도체층(402) 및 상부 투명전극층(403)을 절단한다. 이들 절단 공정을 통하여 단위 태양전지의 셀들을 복수 개 형성할 수 있다. 상기 절단공정은, 앞서 설명한 실시예에서 제시한 바와 같다.
하부 투명전극층(401), 상부 투명전극층(403)은 앞서 설명한 실시예에서 제시한 하부 투명전극층(301), 상부 투명전극층(303)과 동일한 물질을 사용할 수 있다.
(f) 단계에서는 후면전극층(404)을 다이렉트 프린팅하여 소정 셀의 상부 투명전극층(403)과 그 이웃하는 셀의 하부 투명전극층(401)을 직렬연결되게 한다. 즉, 셀의 후면전극층(404)을 형성함과 동시에 셀들을 서로 연결하게 되는 것이다.
상기 후면 전극층(404)는 앞서 설명한 실시예의 후면 전극층(305)와 동일한 물질을 사용할 수 있다.
상기 다이렉트 프린팅 방법은 앞서 설명한 바와 같다.
도 4에서 제시한 태양전지의 제조방법을 통해 제작된 박막형 태양전지는 종래의 태양전지 제조방법과 달리 절단 공정을 1회 절약한 2회의 공정을 통해 제작된 것이다. 위로부터 순차로 상부 투명전극층(403), 광전변환용 반도체층(402)에 이르기까지 패턴대로 2차 절단공정을 수행하여 복수 개의 셀로 패터닝한 것을 특징으로 하며, 상기 도 3을 통한 실시예처럼 상기 복수 개의 셀 위에 후면전극층(404)을 다이렉트 프린팅 기법으로 간편하고 용이하게 형성하여 인접한 단위셀들 상호간을 전기적으로 직렬로 연결되게 한 것이 특징이다.
상기의 실시예는, 본 발명의 제조방법 내에서 증착의 순서 및 절단 공정을 이용한 패터닝을 통하여 층간 구조를 조절한 것이므로 별도의 독립적인 공정을 추가하지 않고도 상기의 구조를 이룰 수 있게 되어 제조상 간편하다. 또한, 종래의 박막형 태양전지 제조방법보다 절단공정의 횟수를 감소시킴으로써, 공정비용을 절감하면서도 높은 광전 변환 효율을 갖는 태양전지를 제조할 수 있게 된다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗 어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법을 나타낸 태양전지 모듈의 단면도이다.
도 2는 종래 기술의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 모듈의 다이오드 등가회로도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 공정단계에 따라 나타낸 태양전지 구조의 단면도이다.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
100, 300, 400 : 기판
101, 301, 401 : 하부 투명전극층
102, 302, 402 : 광전변환용 반도체층
103, 303, 403 : 상부 투명전극층
104, 305, 404 : 후면전극층
304 : 절연층

Claims (11)

  1. 기판 위에 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 상부 투명전극층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 기판의 상면 일부가 노출되도록 상기 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 및 상부 투명전극층을 동시에 절단하고,
    상기 하부 투명전극층의 상면 일부가 노출되도록 상기 광전변환용 반도체층 및 상부 투명전극층을 동시에 절단하여 복수 개의 셀로 패터닝하는 단계;
    상기 복수 개의 셀의 일 측면에 절연층을 각각 형성하는 단계; 및
    상기 복수 개의 셀 위에 후면전극층을 각각 형성하여, 소정 셀의 상부 투명전극층과 그 이웃하는 셀의 하부 투명전극층을 직렬연결하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층의 형성은,
    상기 절연층을 셀 단위의 하부 투명전극층, 광전변환용 반도체층, 및 상부 투명전극층의 측면 노출부에 다이렉트 프린팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 다이렉트 프린팅 방법은 스크린 프린팅 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅 방법 또는 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  5. 기판 위에 형성된 하부 투명전극층을 절단하여 패터닝하는 단계;
    상기 하부 투명전극층 위에 광전변환용 반도체층과 상부 투명전극층을 순차로 형성하는 단계;
    상기 하부 투명전극층의 상면 일부가 노출되도록 상기 광전변환용 반도체층과 상부 투명전극층을 동시에 절단하여 복수 개의 셀로 패터닝하는 단계; 및
    상기 복수 개의 셀 위에 후면전극층을 각각 형성하여 상부 투명전극층과 상기 노출된 하부 투명전극층의 상면 일부를 직렬연결하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지 제조방법.
  6. 제 1항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 후면전극층의 형성은 다이렉트 프린팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 다이렉트 프린팅 방법은, 스크린 프린팅 방법, 옵셋 리소그래피 프린팅 방법 또는 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  8. 제 1항 또는 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 절단하는 방법은, 광학적 스크라이빙법, 기계적 스크라이빙법, 플라즈마이용 에칭법, 습식 에칭법, 건식 에칭법, 리프트 오프(lift-off)법, 와이어 마스크(wiremask)법 중 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 광학적 스크라이빙법은 레이저 스크라이빙법인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011066045A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Seiko Epson Corp 太陽電池の製造方法
KR101210168B1 (ko) 2010-03-24 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US8563351B2 (en) * 2010-06-25 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic device
US20120048333A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Karpenko Oleh P Photovoltaic device interconnect
KR20130109330A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101301003B1 (ko) * 2012-04-30 2013-08-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 태양전지 제조방법 및 이를 이용하는 박막 태양전지
US9306106B2 (en) * 2012-12-18 2016-04-05 International Business Machines Corporation Monolithic integration of heterojunction solar cells
CN103984768B (zh) 2014-05-30 2017-09-29 华为技术有限公司 一种数据库集群管理数据的方法、节点及系统
KR102423108B1 (ko) * 2015-06-11 2022-07-22 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지와 그의 제조방법
KR101868792B1 (ko) * 2016-08-05 2018-06-19 박준형 자가발전에 의한 충전식 디스플레이 패널
PL422635A1 (pl) * 2017-08-25 2019-03-11 Eos Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób wytwarzania komponentu fotowoltaicznego oraz komponent fotowoltaiczny
WO2019181940A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 積水化学工業株式会社 太陽電池の製造方法、及び、太陽電池

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1116699A1 (en) 1998-09-04 2001-07-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Light-colored glass of high transmittance and method for production thereof, glass plate with electrically conductive film and method for production thereof, and glass article
US20050284517A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic cell, photovoltaic cell module, method of fabricating photovoltaic cell and method of repairing photovoltaic cell
KR20080021428A (ko) * 2006-09-04 2008-03-07 엘지전자 주식회사 바이패스 다이오드를 포함하는 광기전력 변환장치 및 그제조방법
EP1962331A2 (en) 2007-02-26 2008-08-27 LG Electronics Inc. Thin-film solar cell and method of manufacturing the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP60041878B2 (en) * 1979-02-14 1985-09-19 Sharp Kk Thin film solar cell
GB2179748B (en) * 1985-08-20 1989-09-06 Sharp Kk Thermal flow sensor
JPH0381647U (ko) * 1989-12-08 1991-08-21
JP2986875B2 (ja) * 1990-09-07 1999-12-06 キヤノン株式会社 集積化太陽電池
AU8872891A (en) * 1990-10-15 1992-05-20 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
JP3653800B2 (ja) * 1995-06-15 2005-06-02 株式会社カネカ 集積化薄膜太陽電池の製造方法
US6323056B1 (en) * 1998-07-27 2001-11-27 Citizen Watch Co., Ltd. Solar cell, method for manufacturing same, and photolithographic mask for use in manufacturing a solar cell
US6617798B2 (en) * 2000-03-23 2003-09-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display device having planar field emission source
JP4131615B2 (ja) * 2001-01-22 2008-08-13 三洋電機株式会社 集積型光起電力装置の製造方法
ZA200506095B (en) * 2003-01-30 2006-10-25 Univ Cape Town A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device
US20070079866A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. System and method for making an improved thin film solar cell interconnect
US7547570B2 (en) * 2006-03-31 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Method for forming thin film photovoltaic interconnects using self-aligned process
EP2054927A1 (en) * 2006-08-22 2009-05-06 Timothy Michael Walsh Thin-film solar module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1116699A1 (en) 1998-09-04 2001-07-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Light-colored glass of high transmittance and method for production thereof, glass plate with electrically conductive film and method for production thereof, and glass article
US20050284517A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic cell, photovoltaic cell module, method of fabricating photovoltaic cell and method of repairing photovoltaic cell
KR20080021428A (ko) * 2006-09-04 2008-03-07 엘지전자 주식회사 바이패스 다이오드를 포함하는 광기전력 변환장치 및 그제조방법
EP1962331A2 (en) 2007-02-26 2008-08-27 LG Electronics Inc. Thin-film solar cell and method of manufacturing the same

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Publication number Publication date
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