KR20130059976A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

발명의 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성되고 제1 관통홀들에 의해 분리되는 이면전극층; 상기 제1 관통홀들을 메우고, 상기 이면전극층 상면의 일부를 덮도록 형성되는 절연체; 및, 상기 이면전극층과 절연체의 상면에 형성되는 광 흡수층을 포함한다.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목받고 있다.
태양전지(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자이다.
예로서 반도체의 pn 접합으로 만든 태양전지에 반도체의 금지대폭(Eg: Band-gap Energy)보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되는데, 이들 전자-정공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 모이게 됨에 따라 pn간에 기전력(광기전력: Photovoltage)이 발생하게 된다. 이때 양단의 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 되는 것이 동작원리이다.
일반적으로 지지기판 상에 형성되는 후면전극층의 물질로는 몰리브덴(Mo)이 사용되고 있다. 상기 몰리브덴에 TH1 패터닝 공정을 실시하면 상기 몰리브덴과 지지기판과의 결합력이 약해지므로 TH1 패터닝 영역 부근에 형성된 몰리브덴 막이 지지기판으로부터 일부 분리되어 상,하부 전극 연결에 의한 션팅(shunting)이 발생할 수 있다.
이에 따라 후면전극층의 잔막 연결이나 광 흡수층이 TH1 패터닝 사이에 증착된 후, 구리(Cu)의 조성비에 따라 완전한 절연(Isolation)이 안되는 등의 문제점이 존재한다.
또한, TH1 패터닝과 TH2 패터닝 사이의 영역은 태양광을 흡수하여 전기에너지로 전환할 수 없는 불활성 영역에 해당하는데, 이를 감소시켜 활성영역을 증가시키고, 광-전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
발명의 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 이면전극층에 TH1 패터닝을 형성한 후, TH1 구조 안에 절연체를 삽입하여 션트를 방지하고 Voc를 향상시켜, 출력을 증가시킬 수 있다.
또한, TH1 패터닝과 TH2 패터닝 사이의 불활성 영역을 감소시켜 활성영역을 증가시키고, Isc를 향상시켜, 출력을 증가시킬 수 있다.
발명의 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성되고 제1 관통홀들에 의해 분리되는 이면전극층; 상기 제1 관통홀들을 메우고, 상기 이면전극층 상면의 일부를 덮도록 형성되는 절연체; 및, 상기 이면전극층과 절연체의 상면에 형성되는 광 흡수층을 포함한다.
발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계; 상기 이면전극층의 일부에 제1 관통홀들을 형성하는 단계; 상기 제1 관통홀들을 메우고, 상기 이면전극층의 상면 일부를 덮도록 절연체를 형성하는 단계; 및, 상기 절연체와 이면전극층의 상면에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함한다.
발명의 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 이면전극층에 TH1 패터닝을 형성한 후, TH1 구조 안에 반구형 등의 절연체를 삽입하여 TH1 절연을 개선하여 션트를 방지하고 Voc를 향상시켜, 출력을 증가시킬 수 있다.
또한, TH1 패터닝과 TH2 패터닝 사이의 불활성 영역을 감소시켜 활성영역을 증가시키고, Isc를 향상시켜, 출력을 증가시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`선을 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 이면전극층(200), 절연체(250), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 이면전극층(200)에는 제1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 40㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다.
상기 제1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 이면전극층(200)은 다수 개의 이면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 이면전극들이 정의된다.
상기 이면전극들은 상기 제1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 이면전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.
이와는 다르게, 상기 이면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.
상기 제1 관통홈들(TH1)을 메우도록 절연체(250)가 형성될 수 있다. 상기 절연체(250)는 상기 제1 관통홈들(TH1)의 형성 후, 글래스 프리트(Glass Frit)나 잉크젯 등으로 절연물질을 도포하여 형성될 수 있다.
상기 절연체(250)는 상기 제1 관통홈들(TH1)을 메우고, 상기 제1 관통홈들(TH1)과 인접한 이면전극층(200)의 상면을 일부 덮도록 형성된다. 상기 제1 관통홈들(TH1)의 상부에 형성되는 절연체(250)는 예를 들어, 반구형으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 절연체(250)에 의해 상기 제1 관통홈들(TH1)의 양쪽에 형성되는 이면전극층(200)이 효과적으로 절연되어 병렬저항이 증가할 수 있다. 이에 따라 태양전지의 개방전압(Voc)이 향상될 수 있어, 태양전지의 출력이 향상될 수 있다.
상기 절연체(250)가 상기 이면전극층(200)의 상면과 좌, 우로 접하는 영역은 상기 제1 관통홈들(TH1)의 폭과 대응되도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200)과 절연체(250) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수부들을 정의한다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수부들로 구분된다. 본 실시예에서 상기 제2 관통홈들(TH2)은 상기 절연체(250)를 관통하여 형성되지 않는다. 따라서, 상기 제2 관통홈들(TH2)에 의해 절연체(250)의 상면이 노출된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 본 발명과 같은 태양전지는 p형 반도체인 CIGS 또는 CIGSS 화합물 박막의 광 흡수층(300)과 n형 반도체인 윈도우층(600) 박막간에 pn 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 밴드갭 에너지의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요하다.
상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.
상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)에는 제2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 본 발명의 실시예에서 상기 제2 관통홈들(TH2)은 상기 절연체(250)의 상면과 이면전극층(200) 상면의 일부 영역을 노출하는 오픈영역이다.
상기 제2 관통홈들(TH2)은 상기 제1 관통홈들(TH1)에 인접하여 형성된다. 즉, 상기 제2 관통홈들(TH2)의 일부는 평면에서 보았을 때, 상기 제1 관통홈들(TH1)의 옆에 형성된다.
상기 제2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(600)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 높다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 약 10배 내지 200배 더 클 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 산화물은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg) 또는 갈륨(Ga) 등의 도전성 불순물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 접속부(650)는 상기 제2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부(650)는 상기 윈도우층(600)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 절연체(250)와 이면전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부(650)는 제1 셀의 윈도우로부터 연장되어, 상기 제1 셀과 인접한 제2 셀의 이면전극에 접속된다.
따라서, 상기 접속부(650)는 서로 인접하는 셀들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부(650)는 서로 인접하는 셀들(C1, C2...)에 각각 포함된 윈도우와 이면전극을 연결한다.
상기 접속부(650)는 상기 윈도우층(600)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부(650)로 사용되는 물질은 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질과 동일하다.
상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)에는 제3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제3 관통홈들(TH3)은 상기 이면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제3 관통홈들(TH3)의 폭은 예를 들어, 약 80㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다.
상기 제3 관통홈들(TH3)은 상기 제2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제3 관통홈들(TH3)은 상기 제2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제3 관통홈들(TH3)은 상기 제2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다.
상기 제3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 윈도우층(600)은 다수 개의 윈도우들로 구분된다. 즉, 상기 윈도우들은 상기 제3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.
상기 윈도우들은 상기 이면전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 윈도우들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 윈도우들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제2 관통홈들(TH2) 및 상기 제3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제2 관통홈들(TH2) 및 상기 제3 관통홈들(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 셀들(C1, C2...)로 구분된다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 이면전극층(200)이 형성되고, 상기 이면전극층(200)은 패터닝되어 제1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라, 상기 지지기판(100) 상에 다수 개의 이면전극들이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.
상기 제1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 40㎛ 내지 100㎛의 폭으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 이면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 관통홈들(TH1)을 메우도록 절연체(250)가 형성될 수 있다. 상기 절연체(250)는 절연물질을 포함하여 형성되며, 상기 제1 관통홈들(TH1)을 메우고, 상기 이면전극층(200)의 상면을 일부 덮도록 형성될 수 있다. 상기 절연체(250)는 반구형으로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 절연체(250)의 상면에 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 반구형으로 형성된 절연체(250)보다 두껍게 형성될 수 있고, 동일한 두께로 형성될 수도 있다.
이후, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)은 예를 들어, PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)의 방법으로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 버퍼층(400) 상에 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 IZO 등의 물질을 포함할 수 있으며, 상기 버퍼층(400)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)의 일부가 제거되어 제2 관통홈들(TH2)이 형성된다.
상기 제2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제2 관통홈들(TH2)은 상기 절연체(250) 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.
상기 제2 관통홈들(TH2)을 형성하는 양 내측면 중 일단은 상기 제1 관통홈들(TH1)을 형성하는 양 내측면 중 일단과 수직으로 중첩될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 및 제2 관통홈들(TH2) 내측에 윈도우층(600)이 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(600)은 상기 버퍼층(400) 상 및 상기 제2 관통홈들(TH2) 내측에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.
이때, 상기 제2 관통홈들(TH2) 내측에 상기 투명한 도전물질이 채워지고, 상기 윈도우층(600)은 상기 이면전극층(200)에 직접 접촉하게 된다.
이때, 상기 윈도우층(600)은 무산소 분위기에서, 상기 투명한 도전물질이 증착되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 산소를 포함하지 않는 불활성 기체 분위기에서 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 증착되어 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)의 일부가 제거되어 제3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 윈도우층(600)은 패터닝되어, 다수 개의 윈도우들 및 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 상기 제3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
이와 같이, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 의해서, 제1 관통홈들(TH1)에 의해 분리되는 이면전극층(200)의 절연성이 향상될 수 있어, 소자의 광-전 변환 효율이 향상될 수 있다.
도 8은 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 상기 절연체(250)를 식각하여 상기 이면전극층(200)의 상면을 노출하도록 형성된다.
상기 제1 관통홈들(TH1)과 접하도록 제2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 자세하게, 상기 제1 관통홈들(TH1)의 일단과, 제2 관통홈들(TH2)의 일단이 수직으로 중첩되도록, 동일한 직선상에서 형성될 수 있다.
제1 관통홈들(TH1)과 제21 관통홈들(TH2) 사이에 형성되는 광 흡수층(300)은 불활성 영역으로, 상기 불활성 영역에 입사하는 태양광은 전기로 전환되지 않는다.
발명의 실시예에서는 상기 제1 관통홈들(TH1)의 일단과, 제2 관통홈들(TH2)의 일단이 수직으로 중첩되도록, 동일한 직선상에서 형성되므로, 상기 불활성 영역을 감소시킬 수 있어, 관-전 변환 효율이 향상될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 형성되고 제1 관통홀들에 의해 분리되는 이면전극층;
    상기 제1 관통홀들을 메우고, 상기 이면전극층 상면의 일부를 덮도록 형성되는 절연체; 및,
    상기 이면전극층과 절연체의 상면에 형성되는 광 흡수층을 포함하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이면전극층 상면의 일부를 덮도록 형성되는 절연체는, 반구 형상으로 형성되는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연체는 글래스 프리트(Glass Frit)를 포함하는 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광 흡수층의 상면에 형성되는 버퍼층을 포함하고, 상기 버퍼층의 일부가 식각되어 제2 관통홀들이 형성되는 태양전지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 관통홀들을 메우도록 형성되는 윈도우층을 포함하고, 상기 제2 관통홀들을 메우는 윈도우층은 상기 절연체의 상면과 접하는 태양전지.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 관통홀들을 메우도록 형성되는 윈도우층을 포함하고, 상기 제2 관통홀들을 메우는 윈도우층은 상기 이면전극층의 상면과 접하는 태양전지.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 관통홀들의 일측면과 제2 관통홀들의 일측면은 수직으로 중첩하도록 형성되는 태양전지.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 광 흡수층은, 상기 반구형상의 절연체 이상의 두께로 형성되는 태양전지.
  9. 지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;
    상기 이면전극층의 일부에 제1 관통홀들을 형성하는 단계;
    상기 제1 관통홀들을 메우고, 상기 이면전극층의 상면 일부를 덮도록 절연체를 형성하는 단계; 및,
    상기 절연체와 이면전극층의 상면에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절연체는 글래스 프리트(Glass Frit)를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 광 흡수층의 상면에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 및 버퍼층의 일부를 식각하여 제2 관통홀들을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 관통홀들은 상기 절연층의 상면을 노출하도록 형성하는 태양전지의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 광 흡수층의 상면에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 및 버퍼층의 일부를 식각하여 제2 관통홀들을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 관통홀들은 상기 절연층을 식각하여 상기 이면전극층의 상면을 노출하도록 형성하는 태양전지의 제조방법.
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