CN101908565A - 太阳电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳电池及其制造方法。提供高效率的太阳电池。具备基板、形成于前述基板之上的下部电极层、形成于前述下部电极层之上的半导体层、和形成于前述半导体层之上的上部电极层；前述下部电极层以形成于前述基板之上的第1下部电极层、和形成于前述第1下部电极层之上的第2下部电极层所构成；前述第1下部电极层相比于前述第2下部电极层，以电阻率较低的材料所形成。

Description

太阳电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及太阳电池及其制造方法。
背景技术
太阳电池将光能变换为电能，根据所使用的半导体而提出各种类型的构成。近年来，制造工序简单而能够期待高的变换效率的CIGS型太阳电池备受瞩目。CIGS型太阳电池例如包括：形成于基板之上的第1电极膜、形成于第1电极膜之上的包括化合物半导体(铜-铟-镓-硒化合物)层的薄膜、和形成于该薄膜之上的第2电极膜。而且，在去除了薄膜的一部分的槽内形成第2电极膜，电连接第1电极膜与第2电极膜。(例如，参照专利文献1)。
【专利文献1】特开2002-319686号公报
可是，在上述的太阳电池中，因为以单个单体电池(cell)所得到的开路电压低，所以通过对多个小型单体电池串联地进行连接，模块化而提高电动势。可是，随着该模块化，电流路径增多(串联电阻增加)，所以存在流经导电路径的电流发生损耗的问题。
发明内容
本发明用于解决上述问题的至少一部分所作出，可以作为以下的方式或应用例而实现。
(应用例1)本应用例中的太阳电池特征为：具备基板、形成于前述基板之上的下部电极层、形成于前述下部电极层之上的半导体层、和形成于前述半导体层之上的上部电极层；前述下部电极层包括第1下部电极层、和第2下部电极层；前述第1下部电极层与前述第2下部电极层相比，以电阻率较低的材料所形成。
依照于该构成，则下部电极层包括第1下部电极层与第2下部电极层，第1下部电极层为电阻率比第2下部电极层低的电极层。如此一来，使下部电极成为2层结构，例如即使在下部电极层之中一方的第2下部电极层的电阻率比较高的情况下，通过辅助性地组合电阻率低的第1下部电极层而形成，也能够降低作为下部电极层整体的电效率。即，能够降低下部电极层的薄层(sheet)电阻。由此，能够降低流经太阳电池内的电流损耗。
(应用例2)上述应用例中的太阳电池特征为：前述第1下部电极层通过银、或以银为主成分的化合物而形成于前述基板之上；前述第2下部电极层通过钼而形成于前述第1下部电极层之上。
依照于该构成，则在基板之上，形成由银、或以银为主成分的化合物形成的第1下部电极层；在第1下部电极层之上，形成由钼形成的第2下部电极层。可是，例如在CIGS型太阳电池中，使用钼作为下部电极层的材料。在下部电极层使用钼的理由如下。CIGS型太阳电池的半导体层(CIGS)在其制造过程中，通过在下部电极层的钼之上，形成包括铜-镓(Cu-Ga)合金层与铟(In)层的叠层前驱体(precursor)，并对该叠层前驱体在硒化氢气氛中进行加热(硒化)，形成半导体层(CIGS)。可是，在该硒化处理中，若下部电极层的材料为例如容易与硒形成合金的材料，则进行合金形成的结果是，在半导体层产生膨胀，由于该膨胀，有时在半导体层产生裂纹和/或剥离等。因此，采用耐硒性优的钼作为下部电极层的材料。但是，下部电极层的薄层电阻与钼的电特性相关。因此，在本发明中，形成采用了电阻率比钼低的银或以银为主成分的化合物的第1下部电极层，并与包含钼的第2下部电极层一起构成了下部电极层。由此，能够降低下部电极层的薄层电阻。
(应用例3)在上述应用例的太阳电池中，特征为：前述第1下部电极层具有凹凸部。
依照于该构成，则因为第1下部电极层具有凹凸部，所以入射于太阳电池的光之中的到达第1下部电极层的光通过凹凸部进行散射，并由半导体层所吸收。即，使光的封闭效果有所提高。因此，能够使太阳电池的转换效率提高。
(应用例4)上述应用例中的太阳电池特征为：前述第1下部电极层为形成于前述基板之上的以银或碳为主成分的纳米线层；前述第2下部电极层通过钼而形成于前述第1下部电极层之上。
依照于该构成，则通过使以电阻率比钼低的银或碳为主成分的纳米线层成为第1下部电极层，并与包含钼的第2下部电极层一起构成下部电极层，能够降低下部电极层整体的薄层电阻。
(应用例5)在上述应用例的太阳电池中，特征为：前述基板为具有透明性的基板；前述第1下部电极层通过银或以银为主成分的化合物而按格子状或线状形成于前述基板之上；前述第2下部电极层为形成于前述第1下部电极层之上及前述基板之上的透明性导电体。
依照于该构成，则由于具备例如透明性的基板、和透明性的导电体的下部电极，因此可以对来自基板面侧的光进行受光。但是，在使下部电极为单一层的情况下，下部电极层的薄层电阻与透明性导电体的电特性相关。因此，在本发明中，采用电阻率比透明性导电体低的银、或以银为主成分的化合物而形成第1下部电极层。而且，与透明性导电体的第2下部电极层一起构成下部电极层。由此，能够降低下部电极层整体的薄层电阻。进而，因为第1下部电极层形成为格子状或线状，所以不会遮挡光的入射，换言之，则既能够确保光透射率，又能使所受光的光到达半导体层。
(应用例6)在上述应用例的太阳电池中，特征为：前述基板为具有透明性的基板；前述第1下部电极层是形成于前述基板之上的、以银或碳为主成分的纳米线层；前述第2下部电极层为形成于前述第1下部电极层之上及前述基板之上的透明性导电体。
依照于该构成，则通过形成电阻率比透明性导电体低的、以银或碳为主成分的纳米线层的第1下部电极层，并与包括透明导电体的第2下部电极一起形成下部电极层，能够降低下部电极层整体的薄层电阻。进而，通过以确保受光的开口率的方式形成纳米线层，能够不遮挡光的入射地，使受光的光到达半导体层。
(应用例7)上述应用例的太阳电池的制造方法特征为：包括在基板之上形成下部电极层的下部电极层形成工序、在前述下部电极层之上形成半导体层的半导体层形成工序、和在前述半导体层之上形成上部电极层的上部电极层形成工序；前述下部电极层形成工序包括在前述基板之上形成第1下部电极层的第1下部电极层形成工序、和在前述第1下部电极层之上形成第2下部电极层的第2下部电极层形成工序；在前述第1下部电极层形成工序中，形成比前述第2下部电极层的电阻率低的前述第1下部电极层。
依照于该构成，则在基板之上，形成下部电极层。该下部电极层包括第1下部电极层与第2下部电极层，在第1下部电极层形成工序中，形成电阻率比第2下部电极层低的电极层。如此一来，由于将下部电极形成为2层结构，因此例如即使在下部电极层之中的一方第2下部电极层的电阻率比较高的情况下，也能够辅助性地组合电阻低的第1下部电极层而形成，由此能降低作为下部电极层整体的薄层电阻。由此，能够降低流经太阳电池内的电流损耗。
附图说明
图1表示第1实施方式中的太阳电池的构成，(a)为剖面图，(b)为局部放大后的剖面图。
图2是表示第1实施方式中的太阳电池的制造方法的工序图。
图3是表示第1实施方式中的太阳电池的制造方法的工序图。
图4表示第2实施方式中的太阳电池的构成，(a)为剖面图，(b)、(c)为局部剖切图。
图5是表示第2实施方式中的太阳电池的制造方法的工序图。
图6是表示第2实施方式中的太阳电池的制造方法的工序图。
符号的说明
1、1a...太阳电池，10...基板，11...基底层，12...下部电极层，12a...第1下部电极层，12b...第2下部电极层，13...半导体层，13a...第1半导体层，13b...第2半导体层，14...上部电极层，20...凹凸部，31...第1分割槽，32...第2分割槽，33...第3分割槽，40...单体电池。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下，关于将本发明具体化的第1实施方式按照附图进行说明。还有，为了使各附图中的各构件在各附图中成为可以辨认的程度的大小，按各构件使缩小比例不同而图示。
(太阳电池的构成)
首先，关于太阳电池的构成进行说明。还有，在本实施方式中，关于CIGS型太阳电池的构成进行说明。图1表示本实施方式中的太阳电池的构成，同图(a)为剖面图，(b)为局部放大后的剖面图。
如示于图1(a)地，太阳电池1以包括基板10、形成于基板10之上的基底层11、形成于基底层11之上的下部电极层12、形成于下部电极层12之上的半导体层13、和形成于半导体层13之上的上部电极层14的单体电池40的集合体所构成。
相邻的单体电池40间通过第3分割槽33所分割。并且，下部电极层12通过第1分割槽31以单体电池40为单位所分割，跨相邻的单体电池40间地所形成。而且，下部电极层12与上部电极层14通过第2分割槽32相连接，各单体电池40的上部电极层14与相邻的其他单体电池40的下部电极层12相连接，由此使各单体电池40串联地连接。如此一来，通过适当设定串联连接的单体电池40的个数，可以任意地设计改变太阳电池1中的预期的电压。
基板10为至少下部电极层12侧表面具有绝缘性的基板。具体地，例如能够采用玻璃(青板玻璃等)基板、不锈钢基板、聚酰亚胺基板、云母基板等。
基底层11为形成于基板10之上的绝缘性层，例如能够设置以SiO2(氧化硅)为主成分的绝缘层和/或氟化铁层。该基底层11具有绝缘性，并兼具确保基板10与形成于基板10之上的下部电极层12的紧密附着性的功能及在基板10为青板玻璃的情况下防止Na从玻璃基板向下部电极层12扩散的功能。还有，在基板10本身具有上述特性的情况下，能够将基底层11进行省略。
下部电极层12以第1下部电极层12a与第2下部电极层12b所构成。在本实施方式中，第1下部电极层12a形成于基板10(基底层11)之上，在第1下部电极层12a之上形成第2下部电极层12b。而且，第1下部电极层12a相比于第2下部电极层12b，以电阻率低的材料所形成。具体地，在将耐硒化性能优良的钼用于第2下部电极层12b的情况下，将第1下部电极层12a以电阻率比钼低的材料例如银、或包含铜、硅、镍、锰等的以银为主成分的化合物所形成。如此地，通过将电阻率低的材料用于第1下部电极层12a，能够降低电流流路中的电阻。从而，第1下部电极层12a也可称作是具备使作为下部电极层12整体的薄层电阻降低的辅助性功能的辅助电极层。
而且，第1下部电极层12a具备凹凸部20。在本实施方式中，如示于图1(b)地，在第1下部电极层12a的半导体层13方向的表面的基本整面，稠密地形成多个微细的凹凸部20。凹凸部20具有表面粗糙度为0.5μm以上的凹凸，并形成为例如棱锥形状、三角槽形状、矩形槽形状、点(dot)形状、网眼形状等、或者组合这些形状所得的形状。还有，各凹凸部20的尺寸和/或配置等既可以均匀地设置、也可以随机地设置。通过设置该凹凸部20，入射于太阳电池1的光能够由凹凸部20散射，并以半导体层13吸收散射后的光。由此，能够使太阳电池1的转换效率提高。
半导体层13以第1半导体层13a与第2半导体层13b所构成。第1半导体层13a形成于下部电极层12之上，为包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)的p型半导体层(CIGS半导体层)。
第2半导体层13b形成于第1半导体层13a之上，为硫化镉(CdS)、氧化锌(ZnO)、硫化铟(InS)等的n型半导体层。
上部电极层14为形成于第2半导体层13b之上的透明性电极层，例如为ZnOAl等的透明电极体(TCO：Transparent Conducting Oxides，透明导电氧化物)、AZO等。
若太阳光等的光入射于如上述地所构成的CIGS型太阳电池1，则在半导体层13内产生成对的电子(-)与空穴(+)，并且电子(-)与空穴(+)在p型半导体层(第1半导体层13a)与n型半导体层(第2半导体层13b)的接合面，电子(-)聚集于n型半导体，空穴(+)聚集于p型半导体。其结果是，在n型半导体层与p型半导体层之间产生电动势。在该状态下，通过将外部导线连接于下部电极层12与上部电极层14，能够将电流提取到外部。
(太阳电池的制造方法)
接下来，关于太阳电池的制造方法进行说明。还有，在本实施方式中，关于CIGS型太阳电池的制造方法进行说明。图2及图3是表示本实施方式中的太阳电池的制造方法的工序图。
在图2(a)的基底层形成工序中，在青板玻璃等玻璃基板10的一方表面形成包含SiO2的基底层11。包含SiO2的基底层11能够通过溅射法、CVD法等形成于玻璃基板10。本基底层11防止Na从青板玻璃基板10向下部电极层12扩散，并兼备提高青板玻璃基板10与下部电极层12的紧密附着力的功能。还有，在玻璃基板10本身具有上述基底层的功能的情况下，能够将基底层形成工序进行省略。
在图2(b)、(c)的下部电极层形成工序中，在形成有基底层11的玻璃基板10之上形成下部电极层12。下部电极层形成工序包括第1下部电极层形成工序与第2下部电极层形成工序，在图2(b)的第1下部电极层形成工序中，在基底层11之上形成第1下部电极层12a。接着，在图2(c)的第2下部电极层形成工序中，在第1下部电极层12a之上形成第2下部电极层12b。
在图2(b)的第1下部电极层形成工序中，在基底层11之上，采用溅射法、蒸镀法、喷墨法、纳米印墨法、印刷法等形成将要成为第1下部电极层12a的银(Ag)。还有，作为第1下部电极层12a的材料，除了银之外，也可以采用包含铜、硅、镍、锰等以银为主成分的化合物而形成。
进而，在第1下部电极层形成工序中，具有凹凸部20地形成第1下部电极层12a。凹凸部20具有表面粗糙度为0.5μm以上的凹凸，例如形成为棱锥形状、三角槽形状、矩形槽形状、点形状、网眼形状等、或者组合这些形状所得的形状。还有，各凹凸部20的尺寸和/或配置等既可以均匀地形成，也可以随机地形成。并且，也可以在暂时形成了表面平坦的第1下部电极层12a之后，通过化学处理和/或机械处理而形成凹凸部20。
在图2(c)的第2下部电极层形成工序中，在第1下部电极层12a之上，通过溅射法形成将要成为第2下部电极层12b的钼(Mo)层。由此，形成以第1下部电极层12a与第2下部电极层12b所构成的下部电极层12。
在图2(d)的第1分割工序中，通过激光照射等去除下部电极层12的一部分，在厚度方向上对下部电极层12进行分割。在通过激光照射等去除了下部电极层12的部分，形成第1分割槽31。
在图2(e)的第1半导体层形成工序中，首先以溅射法等使铜(Cu)、铟(In)及镓(Ga)附着于下部电极层12之上及第1分割槽31内，形成前驱体。然后，在硒化氢气氛中对该前驱体进行加热(硒化)，形成将要成为第1半导体层13a的p型半导体层(CIGS)。
在图3(f)的第2半导体层形成工序中，在第1半导体层13a之上通过CdS、ZnO和/或InS等形成将要成为第2半导体层13b的n型半导体层。第2半导体层13b能够通过溅射法等形成。
在图3(g)的第2分割工序中，通过激光照射和/或金属探针等，去除半导体层13的一部分，在厚度方向上对半导体层13进行分割。在通过激光照射等去除了半导体层13的部分，形成第2分割槽32。
在图3(h)的上部电极层形成工序中，在半导体层13之上形成上部电极层14。例如，以溅射法等形成将要成为上部电极层的AZO(掺杂有Al的氧化锌)等透明电极(TCO)。
在图3(i)的第3分割工序中，通过激光照射和/或金属探针等，去除上部电极层14及半导体层13的一部分，在厚度方向上对上部电极层14及半导体层13进行分割。在通过激光照射等去除了上部电极层14及半导体层13的部分，形成第3分割槽33，由此形成一个单体电池40。
通过经由上述的工序，形成在同一块玻璃基板10上串联连接多个单体电池40的CIGS型太阳电池1。
从而，依照于上述的第1实施方式，能实现示于以下的效果。
(1)在基板10(基底层11)之上，形成了由第1下部电极层12a与第2下部电极层12b构成的下部电极层12。第2下部电极层12b为包含钼(Mo)的电极层，第1下部电极层12a采用电阻率比钼低的材料(Ag等)而形成了电极层。由此，因为第1下部电极层12a辅助性地降低电阻率，所以能够降低作为下部电极层12整体的薄层电阻。由此，可降低流经多个单体电池40的电流的损耗，能够提供高效率的太阳电池1。
(2)在第1下部电极层12a的第1半导体层13a方向的表面，形成有凹凸部20。由此，因为入射于太阳电池1的光在凹凸部20处进行散射，并由半导体层13吸收散射后的光，所以能够使太阳电池1的转换效率提高。
(第2实施方式)
接下来，关于第2实施方式按照附图进行说明。具体地，关于可以从双面受光的CIGS型太阳电池进行说明。还有，各附图中的各构件，为了使之成为可以在各附图上进行辨认的程度的大小，按各构件使缩小比例不同而图示，并且，对各构件附加(与第1实施方式)同样的符号。
(太阳电池的构成)
首先，关于太阳电池的构成进行说明。图4表示本实施方式中的太阳电池的构成，同图(a)为剖面图，(b)、(c)为局部剖切图。
如示于图4(a)地，太阳电池1a以包括基板10、形成于基板10之上的基底层11、形成于基底层11之上的下部电极层12、形成于下部电极层12之上的半导体层13、和形成于半导体层13之上的上部电极层14的单体电池40的集合体所构成。还有，关于相邻的单体电池40间的构成及太阳电池1a的工作方法，因为与第1实施方式相同所以将说明进行省略。
基板10为具有透明性的基板，例如为玻璃基板、PET基板、有机类透明基板等。通过采用具有透明性的基板，可以对来自基板10面的光进行受光。在本实施方式中，具备作为基板的青板玻璃基板10。
基底层11为形成于青板玻璃基板10之上的绝缘性层，例如是以SiO2(氧化硅)为主成分的绝缘层。包含SiO2的基底层11能够通过溅射法、CVD法等形成于玻璃基板10。本基底层11防止Na从青板玻璃基板10向下部电极层12扩散，并兼具提高青板玻璃基板10与下部电极层12的紧密附着力的效果。还有，在青板玻璃基板10本身具有上述特性的情况下，能够将基底层11进行省略。
下部电极层12以第1下部电极层12a与第2下部电极层12b所构成。在本实施方式中，第1下部电极层12a形成于青板玻璃基板10(基底层11)之上，在第1下部电极层12a之上形成第2下部电极层12b。第2下部电极层12b为具有透明性的电极层，例如为AZO(掺杂Al的氧化锌)等的透明电极(TCO：Transparent Conducting Oxides，透明导电氧化物)层。通过形成具有透明性的电极层，能够使从青板玻璃基板10侧入射进来的光透射。
并且，第1下部电极层12a相比于第2下部电极层12b，以电阻率低的材料所形成。具体地，能够采用电阻率比第2下部电极层12b的透明电极体(TCO)低的材料，例如银。作为其他的例，也能够采用包含铜、硅、镍、锰等的以银为主成分的化合物。如此地，通过采用电阻率低的材料，第1下部电极层12a能够降低电阻。作为其结果是，能够使作为下部电极层12的薄层电阻降低。从而，第1下部电极层12a也能够被称为具备有辅助性地使下部电极层12的薄层电阻降低的功能的辅助电极层。
进而，如示于图4(b)地，第1下部电极层12a形成为格子状。用于使从青板玻璃基板10方向入射进来的光有效地透射。为此优选：使得用于光进行透射的开口率成为90％以上地，形成格子状的第1下部电极层12a。还有，也可以如示于图4(c)地，形成线状的第1下部电极层12a。即使如此，也能够使从青板玻璃基板10方向入射进来的光进行透射。该情况下也与上述同样地，以使得用于光进行透射的开口率成为90％以上的方式形成线状的第1下部电极层12a。
半导体层13以第1半导体层13a与第2半导体层13b所构成。第1半导体层13a形成于下部电极层12之上，为包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)的p型半导体层(CIGS半导体层)。
第2半导体层13b形成于第1半导体层13a之上，为硫化镉(CdS)、氧化锌(ZnO)、硫化铟(InS)等的n型半导体层。
上部电极层14为具有透明性的电极层，例如为AZO(掺杂Al的氧化锌)等的透明电极体(TCO：Transparent Conducting Oxides，透明导电氧化物)。
在如上述地所构成的CIGS型太阳电池1a中，可以对来自上部电极层14及青板玻璃基板10侧的双面的光进行受光。
(太阳电池的制造方法)
接下来，关于太阳电池的制造方法进行说明。还有，在本实施方式中，关于可以从双面受光的CIGS型太阳电池的制造方法进行说明。图5及图6是表示本实施方式中的太阳电池的制造方法的工序图。
在图5(a)的基底层形成工序中，在青板玻璃基板10的一方表面形成包含SiO2的基底层11。包含SiO2的基底层11能够通过溅射法、CVD法等形成于玻璃基板10。本基底层11防止Na从青板玻璃10向下部电极层12扩散，并兼具提高青板玻璃基板10与下部电极层12的紧密附着力的效果。还有，在青板玻璃基板10本身具有上述基底层效果的情况下，能够将基底层形成工序进行省略。
在图5(b)、(c)的下部电极层形成工序中，在形成有基底层11的青板玻璃基板10之上形成下部电极层12。下部电极层形成工序包括第1下部电极层形成工序与第2下部电极层形成工序，在图5(b)的第1下部电极层形成工序中，在基底层11之上形成第1下部电极层12a。接着，在图5(c)的第2下部电极层形成工序中，在第1下部电极层12a之上形成第2下部电极层12b。
在图5(b)的第1下部电极层形成工序中，在基底层11之上，采用溅射法、蒸镀法、喷墨法、纳米印墨法、印刷法等形成将要成为第1下部电极层12a的银(Ag)。还有，作为其他第1下部电极层12a的材料，也可以采用包含铜、硅、镍、锰等的以银为主成分的化合物而形成。
进而，在第1下部电极层形成工序中，如示于图4(b)或(c)地，以形成为格子状、或线状的方式形成第1下部电极层12a。并且，为了确保来自青板玻璃基板10侧的受光率，使得用于光进行透射的开口率变成90％以上地，形成第1下部电极层12a。
在图5(c)的第2下部电极层形成工序中，在第1下部电极层12a之上，形成具有透明性的第2下部电极层12b。例如，以溅射法等形成AZO(掺杂Al的氧化锌)等的透明电极体(TCO)。由此，形成以第1下部电极层12a与第2下部电极层12b所构成的下部电极层12。
在图5(d)的第1分割工序中，通过激光照射等去除下部电极层12的一部分，在厚度方向上对下部电极层12进行分割。在通过激光照射等去除了下部电极层12的部分，形成第1分割槽31。
在图5(e)的第1半导体层形成工序中，首先，以溅射法等使铜(Cu)、铟(In)及镓(Ga)附着于下部电极层12之上及第1分割槽31内，形成前驱体。然后，在硒化氢气氛中对该前驱体进行加热(硒化)，形成将要成为第1半导体层13a的p型半导体层(CIGS)。
在图6(f)的第2半导体层形成工序中，在第1半导体层13a之上通过CdS、ZnO和/或InS等形成将要成为第2半导体层13b的n型半导体层。第2半导体层13b能够通过溅射法等形成。
在图6(g)的第2分割工序中，通过激光照射和/或金属探针等，去除半导体层13的一部分，在厚度方向上对半导体层13进行分割。在通过激光照射等去除了半导体层13的部分，形成第2分割槽32。
在图6(h)的上部电极层形成工序中，在半导体层13之上形成上部电极层14。例如，以溅射法等形成将要成为上部电极层的AZO(掺杂Al的氧化锌)等的透明电极体(TCO)。
在图6(i)的第3分割工序中，通过激光照射和/或金属探针等，去除上部电极层14及半导体层13的一部分，在厚度方向上对上部电极层14及半导体层13进行分割。在通过激光照射等去除了上部电极层14及半导体层13的部分，形成第3分割槽33，由此形成一个单体电池40。
通过经由上述的工序，串联地连接多个单体电池40，形成可以从青板玻璃基板10侧及上部电极层14侧双面受光的CIGS型太阳电池1a。
从而，依照于上述的第2实施方式，则除了第1实施方式的效果之外，还存在示于以下的效果。
(1)在青板玻璃基板10(基底层11)之上，形成有由第1下部电极层12a与第2下部电极层12b构成的下部电极层12。第2下部电极层12b由透明电极体(TCO)构成，第1下部电极层12a形成了采用电阻率比透明电极体(TCO)低的材料(Ag等)的电极层。由此，因为第1下部电极层12a辅助性地降低电阻率，所以能够降低作为下部电极层12整体的薄层电阻。而且，形成为格子状、或线状的第1下部电极层12a。由此，从青板玻璃基板10侧入射进来的光可高效到达半导体层13。从而，能够提供可以从双面受光的高效率的太阳电池1a。
还有，并非限定于上述的实施方式，可举出如以下的变形例。
(变形例1)虽然在上述实施方式中，采用银、或以银为主成分的化合物而形成了第1下部电极层12a，但是并非限定于此。例如，第1下部电极层12a也可以是以银、或碳为主成分的纳米线层。还有，在从青板玻璃基板10侧也受光的情况下，为了确保光透射率，使得用于光进行透射的开口率变成90％以上地形成上述纳米线层。即使如此，也能够得到与上述同样的效果。
(变形例2)虽然在上述第1实施方式中，在下部电极层12设置有凹凸部20，但是例如也可以如示于第2实施方式的图4(b)、(c)地，通过形成格子状、或线状的第1下部电极层12a而形成凹凸部20。即使如此，也能够得到与上述同样的效果。
(变形例3)虽然在上述实施方式中，将第1下部电极层12a应用于CIGS型太阳电池而进行了说明，但是并非限定于此。例如，也可以应用于CIS(铜-铟-硒化合物)型太阳电池和/或薄膜硅型太阳电池中的电极层的结构。即使如此，也能够容易地使电极层的薄层电阻降低。

Claims (7)

1.一种太阳电池，其特征在于，具备：
基板，
形成于前述基板上的下部电极层，
形成于前述下部电极层上的半导体层，和
形成于前述半导体层上的上部电极层；
前述下部电极层包括第1下部电极层和第2下部电极层；
前述第1下部电极层，与前述第2下部电极层相比，以电阻率低的材料所构成。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：
前述第1下部电极层通过银或以银为主成分的化合物形成于前述基板上；
前述第2下部电极层通过钼形成于前述第1下部电极层上。
3.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于：
前述第1下部电极层具有凹凸部。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：
前述第1下部电极层为形成于前述基板上的、以银或碳为主成分的纳米线层；
前述第2下部电极层通过钼形成于前述第1下部电极层上。
5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：
前述基板为具有透明性的基板；
前述第1下部电极层通过银或以银为主成分的化合物且按格子状或线状形成于前述基板上；
前述第2下部电极层为形成于前述第1下部电极层上及前述基板上的具有透明性的导电体。
6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：
前述基板为具有透明性的基板；
前述第1下部电极层为形成于前述基板上的、以银或碳为主成分的纳米线层；
前述第2下部电极层为形成于前述第1下部电极层上及前述基板上的具有透明性的导电体。
7.一种太阳电池的制造方法，其特征在于包括以下工序：
在基板上形成下部电极层的下部电极层形成工序，
在前述下部电极层上形成半导体层的半导体层形成工序，和
在前述半导体层上形成上部电极层的上部电极层形成工序；
前述下部电极层形成工序包括在前述基板上形成第1下部电极层的第1下部电极层形成工序、和在前述第1下部电极层上形成第2下部电极层的第2下部电极层形成工序；
在前述第1下部电极层形成工序中，形成电阻率比前述第2下部电极层低的前述第1下部电极层。
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