JP2007212819A - 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、可視光の波長領域全般において透過率を向
上させ、高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板２００と、透明基板２００上に設けられた透明導
電膜からなり、膜厚が６０ｎｍ以下である対向電極２１とを備える。更に、透明基板２０
０と対向電極２１との間に積層され、対向電極２１の屈折率と異なる屈折率を有する反射
防止膜９１を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、該電気
光学装置用基板を備えてなる電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備
えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、ガラス基板、石英基板等の２枚の透
明な基板間に液晶が封入される。一方の基板上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からな
る透明な画素電極が例えばマトリクス状に配列され、他方の基板上にはＩＴＯ膜からなる
対向電極が画素電極に対向して設けられる。画素電極及び対向電極間の液晶層に画像信号
に基づく電圧を印加して、液晶分子の配向状態を変化させることにより画素毎の光の透過
率を変化させる。このようにして液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させること
で画像表示が行われる。

このような画像表示の際、入射光は、液晶層に加えて画素電極及び対向電極等も通過す
るので、高品質な表示を行うためには画素電極及び対向電極の透過率を高めることが望ま
れる。例えば特許文献１では、画素電極及び対向電極のうち少なくとも一方の光学的膜厚
をλ／２（但し、λは入射光のピーク波長）とすることにより透過率を向上させる技術が
開示されている。

特開平６−１６０８２２号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、入射光のピーク波長付近の波長
領域とは異なる波長領域の光に対する透過率を向上させることが困難であるという技術的
な問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、可視光の波長領域全般に
おいて透過率を向上させることができ、高品質な表示が可能な電気光学装置、電気光学装
置用基板、及び該電気光学装置の製造方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器を提
供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に設けられた透
明導電膜からなり、膜厚が６０ｎｍ以下である透明電極と、前記基板と前記透明電極との
間に積層され、前記透明電極と異なる屈折率を有する光学薄膜とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、例えばガラス基板等の２枚の基板間に電気光学物質と
して例えば液晶等が封入される。一方の基板上には例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からな
る透明な画素電極が例えばマトリクス状に配列され、他方の基板上には例えばＩＴＯ膜等
の透明導電膜からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。本発明に係る「基板」
は、例えばガラス基板等からなる透明な基板或いはこのような基板上に半導体素子や例え
ば走査線、データ線等の配線が積層された積層構造の最上層に層間絶縁膜が形成されたも
のを含み、典型的には、上述の如き「２枚の基板」（即ち、「一方の基板」及び「他方の
基板」）の少なくとも一方を意味する。このように構成された電気光学装置の動作時には
、画素電極及び対向電極間の液晶層に画像信号に基づく電圧が印加され、液晶分子の配向
状態が変化する。このような液晶分子の配向状態の変化によって画素毎の光の透過率が変
化する。これにより液晶層を通過する光が画像信号に応じて変化し、表示領域において画
像表示が行われる。

本発明では特に、透明電極（即ち、例えば、対向電極或いは画素電極）の屈折率と異な
る大きさの屈折率を有する光学薄膜が、基板上における積層構造において、基板と透明電
極との間、即ち層間に配置される。例えば光学薄膜を単層膜として形成する場合には、例
えば、基板の屈折率と透明電極の屈折率との中間の大きさの屈折率を有する光学薄膜が、
基板と透明電極との間に形成される。即ち、例えば屈折率が１．４５であるガラスからな
る基板と相隣接して、例えば屈折率が１．６以上且つ１．８以下の範囲内である例えば酸
化スズ（ＳｎＯ２）からなる光学薄膜と例えば屈折率が１．９であるＩＴＯ膜からなる透
明電極とがこの順に積層される。よって、光学薄膜により、例えば基板側から入射する入
射光が、透明電極を透過して液晶層内へ出射される際の透過率を高めることができる。即
ち、仮に何らの対策も施さず、基板と相隣接して透明電極を設けた場合には、基板と透明
電極との屈折率の比較的大きな差に起因して、基板と透明電極との界面における界面反射
が比較的大きく生じてしまう。しかるに本発明によれば、透明電極と異なる屈折率を有す
る光学薄膜を備えるので、基板と光学薄膜との屈折率の差による界面反射量と光学薄膜と
透明電極との屈折率の差による界面反射量が同じでかつ逆位相になるように、光学薄膜の
光学膜厚を設定することによって界面反射光を打ち消し合わせ、結果として界面反射を低
減或いは防止できる。従って、例えば、入射光が透明電極を透過して液晶層内へ出射され
る際の透過率を高めることができる。尚、入射光が、透明電極側から入射する場合につい
ても同様に、透明電極を透過して基板内へ出射される際の透過率を高めることができる。
即ち、このような光学薄膜は、透明電極としての画素電極或いは対向電極の直下に夫々設
けられることで電気光学装置の表示領域における透過率をより一層高めることができる。

尚、光学薄膜は、単一層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。多
層構造を有する場合には、全ての層が中間の大きさの屈折率を有していてもよいし、中間
の大きさの屈折率とは異なる屈折率を有する層を含んでいてもよい。更に、多層膜構造を
有する場合には、透明電極と異なる屈折率を有する層が少なくとも１層含まれていればよ
く、透明電極と同じ屈折率を有する層を含むようにしてもよい。

更に、本発明では特に、透明電極は、膜厚が６０ｎｍ以下である。よって、透明電極に
おける光吸収による透過率の低下を殆ど或いは全く生じさせない、言い換えれば、透明電
極における透過損失（即ち、光が透明電極を通過する際の光強度の低下）を低減或いは防
止できる。仮に、このような基板上の積層構造において、透明電極の膜厚が、６０ｎｍを
越えていたとすると、入射光が透明電極内を通過する際に透過損失が比較的大きく発生し
てしまい、製品に要求される性能或いは製品仕様に応じた限度まで透過率を向上させるこ
とが困難となってしまう。しかるに本発明によれば、透明電極の膜厚が６０ｎｍ以下であ
るので、十分に透過率を向上させることができる。特に、可視光の波長領域全般において
、透過率を向上させることができる。加えて、透明電極の膜厚をより薄く形成することで
製造コストの低減を図ることも可能である。

尚、本発明では、光学薄膜によって、界面反射量が低減されているので、透明電極の膜
厚を６０ｎｍ以下としても、界面反射量の増大による透過率の低下のおそれは殆ど或いは
全く無い。言い換えれば、膜厚が６０ｎｍ以下となるように透明電極を薄く形成したこと
による界面反射ロスの増加を、光学薄膜によって補正（或いは抑制）しつつ、透明電極を
薄く形成したことによる透過率の向上の効果を得ることができる。

尚、本発明では、透明電極の膜厚を６０ｎｍ以下とするが、この場合でも、透明電極と
光学薄膜とが積層された積層膜の膜厚（即ち、透明電極の膜厚と光学薄膜の膜厚とを合計
した合計膜厚）の設定によって、可視光の透過特性の波長依存性を良好にできる。即ち、
透明電極の膜厚に応じて、光学薄膜の膜厚を調節することで、可視光の透過特性の波長依
存性を改善することが可能である。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、光学薄膜によって、界面反射を
低減できると共に、透明電極の膜厚が６０ｎｍ以下であることにより、透明電極における
透過損失を低減或いは防止できる。よって、可視光の波長領域全般において、透過率を向
上させることができ、高品質な表示が可能となる。

尚、本発明に係る「光学薄膜」は、上述したような界面反射を低減或いは防止する膜を
意味する。このため、「光学薄膜」は、「反射低減膜」或いは「反射防止膜」などと言い
換えることも可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記光学薄膜は、前記基板の屈折率と前記透明電
極の屈折率との中間の大きさの屈折率を有する。

この態様によれば、基板の屈折率と透明電極（即ち、例えば、対向電極或いは画素電極
）の屈折率との中間の大きさの屈折率を有する光学薄膜が、基板上における積層構造にお
いて、基板と透明電極との間、即ち層間に配置される。ここに「中間の大きさ」とは、基
板の屈折率が透明電極の屈折率より大きい場合には、基板の屈折率より小さく且つ透明電
極の屈折率より大きい意味であり、基板の屈折率が透明電極の屈折率より小さい場合には
、基板の屈折率より大きく且つ透明電極の屈折率より小さい意味であり、要するに、両者
の屈折率の間にある値という意味である。即ち、中間値に限定される趣旨ではない。よっ
て、光学薄膜により、例えば基板側から入射する入射光が、透明電極を透過して液晶層内
へ出射される際の透過率を高めることができる。更に、光学薄膜を、このような中間の大
きさの屈折率を有する単層膜或いは単一膜として形成することにより、製造工程の複雑化
を殆ど招くことなく透過率を高めることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記光学薄膜は、前記基板の屈折率より高い屈
折率を有する高屈折率層と該高屈折率層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層が交
互に積層してなる。

この態様によれば、光学薄膜は、高屈折率層と低屈折率層との積層構造を有するので、
高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差による、高屈折率層と低屈折率層との界面における
界面反射光よって、基板と光学薄膜との界面における界面反射光或いは光学薄膜と透明電
極との界面における界面反射光と互いに打ち消し合わせることができる。即ち、高屈折率
層及び低屈折率層の屈折率及び光学膜厚を夫々設定することによって、界面反射光を打ち
消し合わせ、結果として界面反射を防止できる。更に、光学薄膜をこのように積層して構
成することにより、光学薄膜を形成する材料の選択の幅を広げることもでき、実践上有利
である。尚、本態様には、光学薄膜が、高屈折率層及び低屈折率層を夫々複数層ずつ交互
に積層されてなる場合を含まれる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜である。

この態様によれば、透過率が比較的低いＩＴＯ膜からなる透明電極と基板との間に光学
薄膜を設けると共に透明電極の膜厚（言い換えれば、ＩＴＯ膜の膜厚）を６０ｎｍ以下と
することによって、基板、光学薄膜及び透明電極の全体の透過率を向上させることができ
る。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上の表示領域内に設けられ、表示に寄
与する光が出射される開口領域を規定する遮光膜を備え、前記基板上に、前記遮光膜、前
記光学薄膜及び前記透明電極がこの順に積層される。

この態様によれば、基板上の表示領域内に、例えば格子状のパターンを有する遮光膜が
形成される。よって、遮光膜により開口領域を規定すると共に、光学薄膜により開口領域
における透過率を向上させることができる。

上述した基板上に、遮光膜、光学薄膜及び透明電極がこの順に積層される態様では、前
記遮光膜は、導電膜からなり、前記光学薄膜は、前記開口領域の少なくとも一部に形成さ
れると共に前記遮光膜が形成された領域の少なくとも一部に形成されないように構成して
もよい。

この場合には、基板上の遮光膜が形成された領域の少なくとも一部において、導電性を
有する遮光膜と透明電極とを電気的に接続できる。よって、透明電極の低抵抗化を図るこ
とができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上の表示領域内に設けられ、表示に寄
与する光が出射される開口領域を規定する、導電膜からなる遮光膜を備え、前記基板上に
、前記光学薄膜、前記遮光膜及び前記透明電極がこの順に積層される。

この態様によれば、基板上の表示領域内に、例えば格子状のパターンを有する遮光膜が
形成される。よって、遮光膜により開口領域を規定すると共に、光学薄膜により開口領域
における透明電極の透過率を向上させることができる。更に、基板上に光学薄膜、遮光膜
及び透明電極がこの順に積層されるので、導電性を有する遮光膜と透明電極とを電気的に
接続できる。よって、透明電極の低抵抗化を図ることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板と対向して配置され、前記基板と一対
をなす他の基板と、前記他の基板上に設けられた画素電極と、前記一対の基板間に狭持さ
れる電気光学物質とを備え、前記透明電極は、前記画素電極に対向する対向電極として、
前記基板上の少なくとも前記表示領域に形成される。

この態様によれば、画素電極に対向すると共に透明導電膜からなる対向電極と対向基板
との間に光学薄膜が形成される。対向電極は、典型的には、対向基板上の全面に或いは表
示領域にベタ状に形成される。更に、対向電極は、画素毎に画素スイッチング用トランジ
スタとコンタクトホールを介して電気的に接続する必要がある画素電極とは異なり、他の
構成要素と電気的に接続するためのコンタクトホールが少ないので、コンタクト抵抗が大
きいという問題がない。よって、対向電極を膜厚が６０ｎｍ以下となるように透明導電膜
から形成しても、対向電極の抵抗が、画像表示に悪影響を及ぼす程度に高くなってしまう
ことは殆ど或いは全くない。従って、対向電極を膜厚が６０ｎｍ以下となるように容易に
形成できる。

本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に設けら
れた透明導電膜からなり、膜厚が６０ｎｍ以下である透明電極と、前記基板と前記透明電
極との間に積層され、前記透明電極の屈折率と異なる屈折率を有する光学薄膜とを備える
。

本発明の電気光学装置用基板によれば、上述した本発明の電気光学装置と同様に、光学
薄膜によって、界面反射を低減すると共に、透明電極の膜厚が６０ｎｍ以下であることに
より、透明電極における透過損失を低減或いは防止できる。よって、透過率を向上させる
ことができる。

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を
具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品
質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワー
ドプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークス
テーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（
Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動
装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に透明電極を備
えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記透明
電極の屈折率と異なる屈折率を有する前記光学薄膜を形成する工程と、前記光学薄膜上に
、膜厚が６０ｎｍ以下となるように、透明導電膜を積層して透明電極を形成する工程とを
備える。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を製造でき
る。ここで特に、光学薄膜によって、界面反射を低減すると共に、透明電極の膜厚を６０
ｎｍ以下となるようにすることにより、透明電極における透過損失を低減或いは防止でき
る。よって、透過率を向上させることができ、高品質な表示が可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記基板上の表示領域に、表示に寄与
する光が出射される開口領域を規定する遮光膜を、導電膜から形成する工程を備え、前記
光学薄膜を形成する工程は、前記遮光膜より上層側に前記光学薄膜を、前記開口領域の少
なくとも一部に形成すると共に前記遮光膜が形成された領域の少なくとも一部に形成しな
い。

この態様によれば、基板上の遮光膜が形成された領域の少なくとも一部において、導電
性を有する遮光膜と透明電極とを電気的に接続できる。よって、透明電極の低抵抗化を図
ることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記基板上の表示領域における前記
光学薄膜よりも下層側に、表示に寄与する光が出射される開口領域を規定する遮光膜を、
導電膜から形成する工程と、前記光学薄膜を前記遮光膜上に形成する工程と、前記光学薄
膜における上層側の表面を、前記遮光膜が形成された領域において前記遮光膜が露出する
ように、平坦化する平坦化工程と備え、前記透明電極を形成する工程は、前記光学薄膜及
び前記露出された遮光膜上に、前記透明電極を形成する。

この態様によれば、遮光膜が露出された部分において、導電性を有する遮光膜と透明電
極とを電気的に接続できる。よって、透明電極の低抵抗化を図ることができる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされ
よう。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、
本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方
式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図９を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明す
る。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１
のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、本発明に
係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設け
られたシール材５２により相互に貼り合わされており、シール材５２及び封止材１０９に
より、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０が封入されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域
１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられてい
る。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、
データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿
って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が
額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、
この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるように
して設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナ
ー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０
６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気
的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走
査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が
形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形
成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の
配線の上層に例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる画素電極９ａが設けられている。画
素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ
基板１０との対向面上に、本発明に係る「遮光膜」の一例としての遮光膜２３が、遮光性
金属膜から形成されている。そして、遮光膜２３上に、画素電極９ａと同様に例えばＩＴ
Ｏ膜等の透明導電膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されてい
る。尚、対向電極２１は、本発明に係る「透明電極」の一例である。対向電極２１上には
配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。加えて、
ここでは図示しないが、対向基板２０上の対向電極２１の直下には、後述する反射防止膜
が形成されている。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、
走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査す
るための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部における電気的な構成について、図３を参照
して説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形
成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと該画素電極９ａをスイッチング制御
するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ
３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同
士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加す
るように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることによ
り、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書
き込む。

画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液
晶層５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位
で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードで
あれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１
（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積
容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他
方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線３００に接続されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の対向基板の構成について、図４から図６を参照して
説明する。ここに図４は、対向基板の構成を示す平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ´
線での断面図である。図６は、比較例における図５と同趣旨の断面図である。尚、図４か
ら図６において、配向膜の図示を省略しており、更に、図４において、反射防止膜９１、
対向電極２１及び額縁遮光膜５３の図示を省略している。また、図５及び図６は、説明の
便宜上、図２に示した断面図に対して、上下が逆転した断面図を示している。

図４及び図５において、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例としての対向基板
２０は、透明基板２００上に、遮光膜２３、反射防止膜９１及び対向電極２１が形成され
ることにより構成されている。尚、反射防止膜９１は、本発明に係る「光学薄膜」の一例
である。

透明基板２００は、例えば屈折率が１．４５であるガラス基板からなる。

図４において、遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、透明基板２
００上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。即ち、遮
光膜２３は、画像表示領域１０ａにおける表示に寄与する光が出射される開口領域２５ａ
を規定する、ブラックマトリクスとして機能する。言い換えれば、遮光膜２３が形成され
た領域は、画像表示領域１０ａにおける表示に寄与する光が出射されない非開口領域２３
ａを規定している。

対向電極２１は、遮光膜２３より上層側に且つ透明基板２００上の全面に、例えば屈折
率が１．９であるＩＴＯ膜から形成されている。

図５に示すように、本実施形態では特に、反射防止膜９１を備えている。反射防止膜９
１は、透明基板２００上における積層構造において、透明基板２００と対向電極２１との
間、即ち層間に配置されている。更に、反射防止膜９１は、例えば屈折率が１．７１であ
る酸化スズ（ＳｎＯ２）等から形成されており、透明基板２００の屈折率（即ち、１．４
５）と対向電極２１の屈折率（即ち、１．９）との中間の大きさの屈折率を有している。
言い換えれば、例えば屈折率が１．４５である透明基板２００と相隣接して、例えば屈折
率が１．７１である反射防止膜９１と例えば屈折率が１．９である対向電極２１とがこの
順に積層されている。よって、反射防止膜９１により、透明基板２００側から入射する入
射光が、透明基板２００、反射防止膜９１及び対向電極２１を透過して液晶層５０（図２
参照）内へ出射される際の透過率を高めることができる。

即ち、図６に比較例として示すように、仮に何らの対策も施さず、積層構造において、
透明基板２００と相隣接して対向電極２１を設けた場合には、透明基板２００の屈折率と
対向電極２１の屈折率との比較的大きな差（即ち、屈折率の差は、０．４５）に起因して
、透明基板２００と対向電極２１との界面における界面反射が比較的大きく生じてしまう
。しかるに本実施形態によれば、中間の大きさの屈折率を有する反射防止膜９１によって
、界面反射を低減できる。即ち、透明基板２００と反射防止膜９１との屈折率の差（即ち
、屈折率の差は、０．２６）による界面反射量と反射防止膜９１と対向電極２１との屈折
率の差（即ち、屈折率の差は、０．１９）による界面反射量が同じでかつ逆位相になるよ
うに、反射防止膜９１の光学膜厚を設定することによって界面反射光を打ち消し合わせ、
結果として界面反射を低減或いは防止できる。従って、入射光が、対向電極２１を透過し
て液晶層５０内へ出射される際の透過率を高めることができる。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０側においても、このような反射防止膜を、画素電極９ａの直
下に設けることで画像表示領域１０ａにおける透過率をより一層高めることができる。

尚、反射防止膜９１は、酸化スズ（ＳｉＯ２）の他、例えばポリイミド、アルミナ（Ａ
ｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコンとの
混合膜等や、ＡＳＭ（触媒化成工業株式会社の商品名）から形成することができる。また
、反射防止膜９１の屈折率としては、透明基板２００の屈折率と対向電極２１の屈折率と
の相乗平均値（即ち、１．６６）が望ましい。

更に、図５において、本実施形態では特に、対向電極２１の膜厚ｄ１は、１００ｎｍ以
下、より好ましくは６０ｎｍ以下である。よって、対向電極２１における光吸収による透
過率の低下を殆ど或いは全く生じさせない、即ち、対向電極２１における透過損失を低減
或いは防止できる。仮に、透明基板２００上の積層構造において、対向電極２１の膜厚ｄ
１が、１００ｎｍを越えていたとすると、入射光が対向電極２１内を通過する際に透過損
失が比較的大きく発生してしまい、製品に要求される性能或いは製品仕様に応じた限度ま
で透過率を向上させることが困難となってしまう。しかるに本実施形態によれば、対向電
極２１の膜厚が１００ｎｍ以下であるので、十分に透過率を向上させることができる。特
に、可視光の波長領域全般において、透過率を向上させることができる。加えて、比較的
高価なＩＴＯ膜からなる対向電極２１の膜厚ｄ１をより薄く形成することで製造コストの
低減を図ることも可能である。尚、本実施形態では、反射防止膜９１によって、界面反射
量が低減されているので、対向電極２１の膜厚ｄ１を１００ｎｍ以下としても、界面反射
量の増大による透過率の低下のおそれは殆ど或いは全く無い。

次に、本実施形態に係る液晶装置の反射防止膜について、図７及び図８を参照して説明
する。図７は、界面反射及び透過損失を考慮した場合における、ＩＴＯ膜の膜厚と透過率
との関係を示すグラフである。図８は、界面反射による透過率の変化を除いた場合におけ
る、ＩＴＯ膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。

図７中のデータＥ１は、ガラス基板上に、例えば酸化スズ（ＳｉＯ２）等からなる反射
防止膜、及びＩＴＯ膜を順に積層した積層構造を有する積層膜について、ＩＴＯ膜及び反
射防止膜のそれぞれの膜厚を合計した合計膜厚を一定範囲内の値（即ち、合計膜厚は、１
２０ｎｍ以上且つ１５０ｎｍ以下）に保ちつつ、ＩＴＯ膜の膜厚を変化させるシミュレー
ションを行った際の、ＩＴＯ膜の膜厚と透過率との関係を示している。ここで透過率は、
入射光がガラス基板、反射防止膜及びＩＴＯ膜を通過した後の出射光の強度の、入射光の
強度に対する比率である。

図７中のデータＥ２は、データＥ１に対する比較例として、ガラス基板上に積層したＩ
ＴＯ膜について、ＩＴＯ膜の膜厚を変化させるシミュレーションを行った際の、ＩＴＯ膜
の膜厚と透過率との関係を示している。ここで透過率は、入射光がガラス基板及びＩＴＯ
膜を通過した後の出射光の強度の、入射光の強度に対する比率である。

図７に示すように、ガラス基板とＩＴＯ膜との間に反射防止膜を設けたときの透過率（
即ち、データＥ１）は、反射防止膜を設けないときの透過率（即ちデータＥ２）と比較し
て高い。よって、ガラス基板とＩＴＯ膜との中間の屈折率を有する反射防止膜を、ガラス
基板及びＩＴＯ膜間に設けることによって、透過率の向上を図ることができる。

図７に示すように、ＩＴＯ膜の膜厚が例えば４０ｎｍから１００ｎｍの範囲内である場
合には、反射防止膜を設けたときの透過率は、反射防止膜を設けないときの透過率と比較
して、特に高くなる。即ち、反射防止膜を設けない場合には、ＩＴＯ膜の膜厚を、５６０
ｎｍ近傍の中波長域（即ち、人間の視感度特性上、高い感度の波長域）の光の波長の４分
の１である１４０ｎｍよりも薄くするに従って、ガラス基板とＩＴＯ膜との界面において
界面反射される界面反射光と、ＩＴＯ膜の表面で反射される反射光との位相差が半波長か
らずれる。このため、ＩＴＯ膜によるこれら界面反射光と反射光とが、互いに干渉して強
度を強め合ってしまい、透過率が低下してしまう。これに対し、反射防止膜を設けた場合
には、反射防止膜によって、界面反射が低減或いは防止されているので、透過率の低減を
殆ど或いは好ましくは全く招かない。言い換えれば、反射防止膜によって、光の波長領域
によらず、透過率を向上させることができる。即ち、例えば５１０ｎｍから５８０ｎｍの
波長領域の緑色光に限らず、例えば６１０ｎｍ以上の波長領域の赤色光や例えば５００ｎ
ｍ以下の波長領域の青色光に対しても、反射防止膜によって、界面反射を低減或いは防止
でき、透過率を向上させることができる。

図８は、ガラス基板上に、例えば酸化スズ（ＳｉＯ２）等からなる反射防止膜、及びＩ
ＴＯ膜を順に積層した積層構造を有する積層膜について、ＩＴＯ膜及び反射防止膜のそれ
ぞれの膜厚を合計した合計膜厚を一定範囲内の値（即ち、合計膜厚は、１２０ｎｍ以上１
５０ｎｍ以下）に保ちつつ、ＩＴＯ膜の膜厚を変化させる実験を行った際の、ＩＴＯ膜の
膜厚と透過率との関係を示している。ここでの透過率は、入射光がガラス基板、反射防止
膜及びＩＴＯ膜に加えて、液晶層及び対向するＴＦＴアレイ基板を通過した後の出射光の
強度の、入射光の強度に対する比率であり、更に、シミュレーションによって得られた界
面反射による透過率の低減効果を除いたものである。即ち、図８における透過率の変化は
、ＩＴＯ膜及び反射防止膜（或いは、反射防止膜が設けられていない場合には、ＩＴＯ膜
のみ）における透過損失による影響を表している。

図８に示すように、ＩＴＯ膜の膜厚が薄くなるにつれて、透過率が向上する。即ち、例
えば、ＩＴＯ膜の膜厚が１２４ｎｍであり、反射防止膜の膜厚が０ｎｍである（言い換え
れば、反射防止膜が設けられていない）場合には、透過率が１２．０４％であるのに対し
（図８中、データＰ１参照）、ＩＴＯ膜の膜厚が７６ｎｍであり、反射防止膜の膜厚が６
６ｎｍである場合には、透過率は１２．１８％であり（図８中、データＰ２参照）、ＩＴ
Ｏ膜の膜厚が２５ｎｍであり、反射防止膜の膜厚が１０９ｎｍである場合には、透過率は
１２．３９％である（図８中、データＰ３参照）。よって、反射防止膜を設けると共にＩ
ＴＯ膜の膜厚を薄くすることで、反射防止膜及びＩＴＯ膜を透過する際の透過損失を低減
することができ、透過率を向上させることができる。

以上図７及び図８を参照しての説明からも明らかなように、本実施形態に係る対向電極
２１の膜厚ｄ１を１００ｎｍ以下とすることで、対向電極２１における透過損失を低減で
きる。更に、対向電極２１の膜厚ｄ１を６０ｎｍ以下とすることで、対向電極２１自体の
透過率を１００％に概ね漸近する範囲内にまで確実に向上させられ（図７参照）、或いは
、対向電極２１を含めた電気光学装置全体の透過率をその限界近くにまで確実に向上させ
られる（図８参照）。

次に、本実施形態に係る液晶装置の第１変形例について、図９を参照して説明する。こ
こに図９は、第１変形例における図５と同趣旨の断面図である。

図９に示すように、反射防止膜９１は、透明基板２００上で平面的に見て、開口領域２
５ａに形成されると共に遮光膜２３が形成された非開口領域２３ａに形成されないように
してもよい。この場合には、遮光膜２３が形成された非開口領域２３ａにおいて、遮光膜
２３と対向電極２１とを電気的に接続できる。よって、対向電極２１の低抵抗化を図るこ
とができる。従って、対向電極２１及び画素電極９ａ間に画像信号に基づいた電圧を確実
印加することができ、高品質な表示が可能となる。更に、反射防止膜９１の膜厚を遮光膜
２３の膜厚と殆ど或いは好ましくは全く同じにすることで、対向基板２０の平坦化を図る
ことができる。よって、液晶層５０（図２参照）の配向状態に乱れを生じさせる可能性を
低減することができる。

次に、本実施形態に係る液晶装置の第２変形例について、図１０を参照して説明する。
ここに図１０は、第２変形例に係る反射防止膜の構成を示す断面図である。

図１０に示すように、反射防止膜９１は、多層構造を有していてもよく、例えば、反射
防止膜９１は、反射防止層９１ａ及び９１ｂが交互に積層された積層構造を有する多層膜
であってもよい。例えば、反射防止層９１ａは、例えば屈折率が２．１５である酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）膜からなり、反射防止層９１ｂは、例えば屈折率が１．７４である
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜からなる。また、反射防止層９１ａの膜厚は、例えば１２
４ｎｍであり、反射防止層の９１ｂの膜厚は、例えば５５ｎｍである。尚、この際のＩＴ
Ｏ膜の膜厚は、例えば４０ｎｍである。この場合には、反射防止膜９１の積層構造におけ
る各界面での界面反射光が互いに干渉することで、言い換えれば、反射防止膜９１内で界
面反射光が互いに打ち消し合うことにより、上述の第１実施形態に係る反射防止膜と同様
に、反射防止膜９１によって界面反射を低減或いは防止でき、透過率を向上させることが
できる。

尚、反射防止層９１ａを、例えば屈折率が１．４であるガラス膜から形成し、反射防止
層９１ｂを、例えば屈折率が２．１５である酸化ジルコニウム膜から形成してもよい。こ
の場合、反射防止層９１ａの膜厚は、例えば１７ｎｍであり、反射防止層の９１ｂの膜厚
は、例えば２７ｎｍとするとよい。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置（但し、第１及び第２変形例も含む）によ
れば、反射防止膜９１によって、界面反射を低減できると共に、対向電極２１の膜厚が１
００ｎｍ以下であることにより、対向電極２１における透過損失を低減或いは防止できる
。よって、可視光の波長領域全般において、透過率を向上させることができ、高品質な表
示が可能となる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図１１を参照して説明する。ここに図１
１は、第２実施形態における図５と同趣旨の断面図である。尚、図１１において、図１か
ら図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、
それらの説明は適宜省略する
図１１において、本実施形態に係る液晶装置は、反射防止膜９１に代えて反射防止膜９
２を備えている、即ち、透明基板２００上に、反射防止膜９２、遮光膜２３及び対向電極
２１がこの順に積層されている点で第１実施形態に係る液晶装置と異なる。その他の点に
ついては、第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様である。

図１１において、本実施形態では特に、透明基板２００上に、反射防止膜９２、遮光膜
２３及び対向電極２１がこの順に積層されている。よって、遮光膜２３と対向電極２１と
を電気的に接続できる。従って、対向電極２１の低抵抗化を図ることができる。更に、開
口領域２５ａにおいて、上述した第１実施形態に係る液晶装置と同様に、反射防止膜９２
によって界面反射を低減或いは防止でき、透過率を向上させることができる。これらの結
果、高品質な表示が可能となる。
＜製造方法＞
次に、上述した第１実施形態に係る液晶装置を製造する液晶装置の製造方法について、
図１２を参照して説明する。ここに図１２は、第１実施形態に係る液晶装置の対向基板の
製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。尚、図１２は、図５に示し
た断面図に対応して示してある。ここでは、主に、第１実施形態に係る液晶装置のうち対
向基板を形成する工程について説明する。

先ず、図１２（ａ）に示す遮光膜形成工程によって、例えばガラス等からなる透明基板
２００上に、例えば格子状等の所定のパターンで遮光性金属膜を積層して、遮光膜２３を
形成する。

次に、図１２（ｂ）に示す反射防止膜形成工程によって、透明基板２００上の全面に例
えば酸化スズ（ＳｉＯ２）等を積層して、反射防止膜９１を形成する。この際、反射防止
膜９１は、酸化スズの他、例えばポリイミド、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコンとの混合膜等や、ＡＳＭ（触媒化
成工業株式会社の商品名）から形成してもよい。

次に、図１２（ｃ）に示す対向電極形成工程によって、透明基板２００の全面に、ＩＴ
Ｏ膜を積層して、膜厚が１００ｎｍ以下となるように対向電極２１を形成する。本実施形
態では特に、膜厚が１００ｎｍ以下となるように対向電極２１を形成するので、対向電極
２１における透過損失を低減或いは防止できる。尚、対向電極２１は、膜厚が６０ｎｍ以
下となるようにするのが好ましい。

続いて、対向基板２１の表面にポリイミドを塗布することにより、図示しない配向膜を
形成する。続いて、該配向膜に対してラビング処理を施す。

他方、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）や走
査線３ａ、データ線６ａ等の配線を、各種導電膜、半導体膜、絶縁膜等から形成した後、
所定パターンでＩＴＯ膜を積層して、画素電極９ａを形成する。続いて、ＴＦＴアレイ基
板１０の表面にポリイミドを塗布することにより配向膜を形成する。続いて、配向膜に対
してラビング処理を施す。

このように形成されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、画素電極９ａ及び対
向電極２１が対向するようにして、シール材５２によって貼り合わせる。その後、シール
材５２の一部に設けた注入口から液晶を注入したのち、封止材１０９（図１参照）によっ
て封止する。

以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した第１実施形態に係る液晶装置を製
造できる。本実施形態では特に、反射防止膜９１によって、界面反射を低減すると共に、
対向電極２１の膜厚を１００ｎｍ以下となるようにすることにより、対向電極における透
過損失を低減或いは防止できる。よって、透過率を向上させることができ、高品質な表示
が可能となる。

図１３に第１変形例として示すように、反射防止膜９１を、透明基板２００上で平面的
に見て、開口領域２５ａに形成すると共に遮光膜２３が形成された領域２３ａに形成しな
いようにしてもよい。ここに図１３は、第１変形例に係る反射防止膜及び対向電極を形成
するプロセスの各工程を示す順を追って示す工程図である。

即ち、先ず、図１３（ａ）において、透明基板２００上の全面に反射防止膜９１を形成
した後、反射防止膜９１上に、開口領域２５ａを覆うように且つ非開口領域２３ａを除く
ように、レジスト５１０を形成する。続いて、透明基板２００上の全面にエッチングを施
すことにより、図１３（ｂ）に示すように、遮光膜２３を露出させる。

次に、図１３（ｃ）に示すように、透明基板２００上の全面にＩＴＯ膜を積層して対向
電極２１を形成する。本実施形態では特に、非開口領域２３ａにおいて、反射防止膜９１
が形成されていない、即ち、遮光膜２３が露出されているので、遮光膜２３と対向電極２
１とを電気的に接続できる。よって、対向電極２１の低抵抗化を図ることができる。従っ
て、高品質な表示が可能となる。

図１４に第２変形例として示すように、反射防止膜９１における上層側の表面を、非開
口領域２３ａにおいて遮光膜２３が露出するように、平坦化する平坦化工程を施すように
してもよい。ここに図１４は、第２変形例に係る反射防止膜を平坦化する平坦化工程を説
明する工程図である。

即ち、図１４（ａ）において、遮光膜２３を形成した後、透明基板２００上の全面の例
えば酸化スズ等を積層して、反射防止膜の前駆膜９１ｓを形成する。前駆膜９１ｓの表面
には、下層側の遮光膜２３に起因した凹凸が生じる。そこで、前駆膜９１ｓを厚めに成膜
し、例えばＣＭＰ処理によって、図中の点線Ｌ１の位置まで削り取り、その表面を平坦化
することによって、図１４（ｂ）に示す如き反射防止膜９１を得る。この際、本実施形態
では特に、前駆膜９１を、遮光膜２３が露出する位置まで削り取る（即ち、図中の点線Ｌ
１は、遮光膜２３の上側表面よりも下層側に位置する）ように、平坦化する。この場合に
は、非開口領域２３ａにおいて、遮光膜２３と、遮光膜２３上に積層される対向電極２１
とを電気的に接続できる。よって、対向電極２１の低抵抗化を図ることができる。従って
、対向電極２１及び画素電極９ａ間に画像信号に基づいた電圧を確実印加することができ
、高品質な表示が可能となる。更に、反射防止膜９１が平坦化、言い換えれば、対向基板
２０が平坦化されているので、液晶層５０（図２参照）の配向状態に乱れを生じさせる可
能性を低減することができる。

次に、上述した第２実施形態に係る液晶装置を製造する液晶装置の製造方法について、
図１５を参照して説明する。ここに図１５は、第２実施形態に係る液晶装置の対向基板の
製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。尚、図１５は、図１１に示
した断面図に対応して示してある。ここでは、主に、第２実施形態に係る液晶装置のうち
対向基板を形成する工程について説明する。

先ず、図１５（ａ）に示す反射防止膜形成工程によって、例えばガラス等からなる透明
基板２００上の全面に例えば酸化スズ等を積層して、反射防止膜９２を形成する。

次に、図１５（ｂ）に示す遮光膜形成工程によって、反射防止膜９２上に、例えば格子
状等の所定のパターンで遮光性金属膜を積層して、遮光膜２３を形成する。

次に、図１５（ｃ）に示す対向電極形成工程によって、透明基板２００上の全面に、Ｉ
ＴＯ膜を積層して、膜厚が１００ｎｍ以下となるように対向電極２１を形成する。本実施
形態では特に、透明基板２００上に反射防止膜９２、遮光膜２３及び対向電極２１をこの
順に積層するので、遮光膜２３と対向電極２１とを電気的に接続できる。よって、対向電
極２１の低抵抗化を図ることができる。

続いて、対向基板２１の表面にポリイミドを塗布することにより、図示しない配向膜を
形成する。続いて、配向膜に対してラビング処理を施す。

以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した第２実施形態に係る液晶装置を製
造できる。本実施形態では特に、遮光膜２３が形成された非開口領域２３ａにおいて、遮
光膜２３と対向電極２１とを電気的に接続できる。よって、対向電極２１の低抵抗化を図
ることができる。従って、対向電極２１及び画素電極９ａ間に画像信号に基づいた電圧を
確実印加することができ、高品質な表示が可能となる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について
説明する。

先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１
６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１６に示されるように、プロジ
ェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２
が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド
１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８
によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル
１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等
であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるも
のである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズ
ム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、
Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成さ
れる結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることと
なる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着
目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂに
よる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設
ける必要はない。

尚、図１６を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュー
タや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコー
ダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークス
テーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そし
て、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更
を伴う電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法、並びに該電気
光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線の断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の画素における各種素子等の等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置の対向基板の構成を示す平面図である。 図４のＡ−Ａ´線での断面図である。 比較例における図５と同趣旨の断面図である。 界面反射及び透過損失を考慮した場合における、ＩＴＯ膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。 界面反射による透過率の変化を除いた場合における、ＩＴＯ膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。 第１変形例における図５と同趣旨の断面図である。 第２変形例に係る反射防止膜の構成を示す断面図である。 第２実施形態における図５と同趣旨の断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。 第１変形例に係る反射防止膜及び対向電極を形成するプロセスの各工程を示す順を追って示す工程図である。 第２変形例に係る反射防止膜を平坦化する平坦化工程を説明する工程図である。 第２実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

３ａ…走査線、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦ
Ｔアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極
、２３…遮光膜、２３ａ…非開口領域、２５ａ…開口領域、５０…液晶層、５２…シール
材、５３…額縁遮光膜、８９…層間絶縁膜、９１、９２…反射防止膜、９１ａ、９１ｂ…
反射防止層、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆
動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、２００…透明基板

Claims (13)

1. 基板と、
   該基板上に設けられた透明導電膜からなり、膜厚が６０ｎｍ以下である透明電極と、
   前記基板と前記透明電極との間に積層され、前記透明電極と異なる屈折率を有する光学
   薄膜と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記光学薄膜は、前記基板の屈折率と前記透明電極の屈折率との中間の大きさの屈折率
   を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記光学薄膜は、前記基板の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率層と該高屈折率層
   の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層が交互に積層してなることを特徴とする請求
   項１に記載の電気光学装置。
4. 前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に
   記載の電気光学装置。
5. 前記基板上の表示領域内に設けられ、表示に寄与する光が出射される開口領域を規定す
   る遮光膜を備え、
   前記基板上に、前記遮光膜、前記光学薄膜及び前記透明電極がこの順に積層される
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記遮光膜は、導電膜からなり、
   前記光学薄膜は、前記開口領域の少なくとも一部に形成されると共に前記遮光膜が形成
   された領域の少なくとも一部に形成されない
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記基板上の表示領域内に設けられ、表示に寄与する光が出射される開口領域を規定す
   る、導電膜からなる遮光膜を備え、
   前記基板上に、前記光学薄膜、前記遮光膜及び前記透明電極がこの順に積層される
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記基板と対向して配置され、前記基板と一対をなす他の基板と、
   前記他の基板上に設けられた画素電極と、
   前記一対の基板間に狭持される電気光学物質と
   を備え、
   前記透明電極は、前記画素電極に対向する対向電極として、前記基板上の少なくとも前
   記表示領域に形成される
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 基板と、
   該基板上に設けられた透明導電膜からなり、膜厚が６０ｎｍ以下である透明電極と、
   前記基板と前記透明電極との間に積層され、前記透明電極の屈折率と異なる屈折率を有
   する光学薄膜と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
10. 請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする
    電子機器。
11. 基板上に透明電極を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
    前記基板上に、前記透明電極の屈折率と異なる屈折率を有する前記光学薄膜を形成する
    工程と、
    前記光学薄膜上に、膜厚が６０ｎｍ以下となるように、透明導電膜を積層して透明電極
    を形成する工程と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 前記基板上の表示領域に、表示に寄与する光が出射される開口領域を規定する遮光膜を
    、導電膜から形成する工程を備え、
    前記光学薄膜を形成する工程は、前記遮光膜より上層側に前記光学薄膜を、前記開口領
    域の少なくとも一部に形成すると共に前記遮光膜が形成された領域の少なくとも一部に形
    成しない
    ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 前記基板上の表示領域における前記光学薄膜よりも下層側に、表示に寄与する光が出射
    される開口領域を規定する遮光膜を、導電膜から形成する工程と、
    前記光学薄膜を前記遮光膜上に形成する工程と、
    前記光学薄膜における上層側の表面を、前記遮光膜が形成された領域において前記遮光
    膜が露出するように、平坦化する平坦化工程と
    を備え、
    前記透明電極を形成する工程は、前記光学薄膜及び前記露出された遮光膜上に、前記透
    明電極を形成する
    ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。

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