KR101091359B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 분리된 다수개의 후면전극; 상기 후면전극 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극과 연결되고, 상기 버퍼층 표면과 다른 높이를 가지도록 형성된 컨택 배선; 상기 버퍼층 및 컨택 배선의 표면을 따라 형성되고, 단차를 가지는 전면전극층; 및 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리패턴을 포함하는 것으로, 상기 후면전극과 상기 전면전극층의 전도성이 향상될 수 있다.
태양전지, 전면전극,

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND MEHTOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤티로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 사용되고 있다.
이러한 태양전지를 형성하기 위해서, 기계적 패터닝 공정이 수행될 수 있다.
기계적인 패터닝 공정이 수행되는 경우, 정밀한 패터닝이 어렵고, 패터닝시 버퍼 너비(buffer width) 추가와 같은 불량이 발생될 수 있다.
또한, 기계적 패터닝에 따라 파티클 등이 남아있을 수 있게 되어, 직렬저항이 증가될 수 있다.
이는 태양전지의 데드 존 영역(dead zone area)를 증가시키고, 광 효율 저하 요인이 될 수 있다.
실시예에서는 균일한 패턴 형성이 가능하여 데드 존 영역(dead zone area) 을 감소시키고, 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 분리된 다수개의 후면전극; 상기 후면전극 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극과 연결되고, 상기 버퍼층 표면과 다른 높이를 가지도록 형성된 컨택 배선; 상기 버퍼층 및 컨택 배선의 표면을 따라 형성되고, 단차를 가지는 전면전극층; 및 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리패턴을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리되도록 다수개의 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면전극 상에 컨택 배선을 형성하는 단계; 상기 컨택 배선의 표면이 노출되도록 상기 후면전극 및 제1 관통홀 상에 광 흡수층 및 버퍼층을 적층하는 단계; 상기 컨택 배선과 연결되도록 상기 컨택 배선 및 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계; 및 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리 패턴을 포함한다.
실시예에 의하면, 후면전극 형성 직후에 전면전극과 후면전극을 연결하는 컨택 배선이 형성될 수 있다.
상기 컨택 배선이 정밀하고 균일한 형태로 패터닝 되므로, 각각의 셀에서 데드 존 영역(dead zone area)을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 컨택 배선 형성 후 광 흡수층이 형성되므로, 상기 광 흡수층에 대한 직접적인 패터닝 공정이 생략될 수 있다.
이에 따라, 상기 광 흡수층의 손상이 방지되고, 패터닝 공정에서 제거되는 광 흡수층의 평면적이 최소화될 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층의 평면적이 넓어질 수 있고, 광 효울은 향상될 수 있다.
또한, 상기 컨택 배선과 상기 후면전극이 직접 접속되므로, 컨택 저항이 감소될 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층과 후면전극 계면에서 발생되는 MoSe2층이 형성되기 전에 상기 컨택 배선이 형성되므로, 태양전지의 발전효율을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막, 결정 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 결정 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여, 기판(100) 상에 다수 개의 후면전극(200)들이 형성된다.
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용될 수 있으며, 세라믹 기판, 금속기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있다. 금속 기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
상기 후면전극(200)은 상기 기판(100) 상에 후면전극층을 형성하고, 각 셀에 대응하도록 패터닝하여 형성될 수 있다. 상기 후면전극(200)은 제1 관통홀(250)에 의하여 서로 분리될 수 있다. 상기 제1 관통홀(250)은 상기 기판(100)의 상면을 선택적으로 노출시킬 수 이다.
예를 들어, 상기 제1 관통홀(250)은 기계적 장치 또는 레이저 장치에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 관통홀(250)의 폭은 50~70㎛일 수 있다.
상기 후면전극(200)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극(200)은 몰리브덴(Mo)을 타겟으로 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극(200)인 몰리브덴(Mo) 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야하 고, 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 기판(100)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
한편, 상기 후면전극(200)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수도 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 상기 후면전극(200)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 상기 후면전극(200)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극(200)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 후면전극(200) 상에 제2 관통홀(15)을 포함하는 제1 마스크(10)가 형성된다.
상기 제1 마스크(10)는 메탈 마스크 또는 유기물 마스크 일 수 있다.
예를 들어, 상기 메탈 마스크는 SUS 메탈, 알루미늄 혹은 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 메탈 마스크에 기계적 장치 또는 레이저 장치를 이용하여 상기 후면전극(200)을 각각 노출시키도록 상기 제2 관통홀(15)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 메탈 마스크의 제2 관통홀(15)에 의하여 상기 후면전극(200)이 각각 노출되도록 상기 기판(100) 상에 상기 메탈 마스크를 로딩(loading)할 수 있다.
따라서, 상기 제2 관통홀(15)은 각각의 상기 후면전극(200)을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 상기 제2 관통홀(15)은 상기 제1 관통홀(250)에 인접하도록 형성될 수 있다.
또는, 상기 유기물 마스크는 포토레지스트막을 상기 후면전극(200)들 상에 코팅한 후, 사진 및 현상 공정을 통해 상기 후면전극(200)을 각각 노출시키는 상기 제2 관통홀(15)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 관통홀(15)의 폭은 30~150㎛일 수 있다. 또한, 상기 제1 관통홀(250)과 상기 제2 관통홀(15)의 갭(G1)은 50~500㎛일 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 제2 관통홀(15)에 컨택 배선(300)이 형성된다.
상기 컨택 배선(300)은 투명한 절연물질을 상기 제2 관통홀(15)에 갭필하여 형성될 수 있다.
상기 컨택 배선(300)은 이후 형성될 광 광흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층의 전체 높이에 대응하는 높이로 형성될 수 있다.
상기 컨택 배선(300)은 전면전극층을 이루는 물질과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 컨택 배선(300)은 상기 제1 마스크(10)를 이용한 스퍼터링 공정을 진행하여 상기 제2 관통홀(15) 내부에 갭필될 수 있다.
상기 컨택 배선(300)은 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연을 형성하여, 낮은 저항값을 가지도록 형성될 수 있다.
이후, 상기 제1 마스크(10)는 상기 후면전극(200) 상에서 일반적인 스트립(strip) 공정을 통해 제거될 수 있다.
상기 컨택 배선(300)은 각각의 상기 후면전극(200)과 접속될 수 있다.
상기 컨택 배선(300)은 상기 후면전극(200)과 전면전극을 전기적, 물리적으로 연결시킬 수 있다.
특히, 상기 컨택 배선(300)은 상기 후면전극(200)과 직접 연결되므로, 오 믹(ohmic) 접합 특성이 향상될 수 있다.
상기 컨택 배선(300)이 상기 제1 마스크(100)를 사용한 증착 공정을 통해 형성되므로, 패턴의 불량 없이 균일한 형태로 패터닝될 수 있다.
이에 따라 태양전지 각 셀에서 데드 존 영역(dead zone)이 감소될 수 있고, 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 컨택 배선(300)이 CIGS 흡수층을 형성하기 전에 형성되므로, MoSe2 형성에 의한 콘택 저항을 개선시킬 수 있다.
따라서, 상기 후면전극(200)과 상기 컨택 배선(300)의 접촉 저항이 개선되어, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4를 참조하여, 상기 컨택 배선(300)을 포함하는 기판(100) 상에 광 흡수층(410)이 형성된다.
상기 광 흡수층(410)은 상기 컨택 배선(300) 상에만 선택적으로 형성된 제2 마스크(20)를 사용한 증착 공정을 통해 상기 후면전극(200) 상에 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 마스크(20)는 탄탈륨(tantalum) 및 SUS와 같은 메탈 마스크일 수 있다.
상기 광 흡수층(410)은 상기 컨택 배선(300)보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 컨택 배선(300)은 상기 광 흡수층(410) 상면에서 돌출된 형태를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(410)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(410)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(410)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(410)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극들(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(410)이 형성된다.
또한, 상기 광 흡수층(410)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
상기 광 흡수층(410)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(410)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
상기 광 흡수층(410)이 상기 컨택 배선(300)을 제외한 상기 후면전극(200) 및 제1 관통홀(250) 상에 형성된다.
따라서, 상기 컨택 배선(300)과 상기 후면전극(200) 접속 영역에는 MoSe2가 형성되지 않고, 콘택저항을 개선할 수 있다.
일반적으로 단위 셀의 전면전극과 후면전극을 연결하기 위해서 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하도록 스크라이빙 공정을 통해 관통홀을 형성했었다. 하지만, 이러 한 관통홀은 패턴이 불균일하게 형성되어 데드존 영역을 증가시키고, 또한 상기 후면전극과 광 흡수층의 계면에 형성된 MoSe2의 제거가 용이하지 않으므로, 콘택 저항이 증가되는 문제가 있었다.
실시예에서는 상기 컨택 배선(300)을 상기 후면전극(200) 상에 먼저 형성한 후 광 흡수층(410)이 형성됨으로써, 상기 광 흡수층(410)의 손상이 감소될 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(410)에 대한 패터닝이 진행되지 않으므로 패터닝 공정에 따라 제거되는 광 흡수층(410)의 평면적은 최소화 될 수 있다.
이에 따라, 각각의 셀에서 광 흡수층(410)의 평면적은 증가되되고, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참조하여, 상기 광 흡수층(410) 상에 버퍼층(510)이 형성된다.
상기 버퍼층(510)은 상기 광 흡수층(410) 상에 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있으며, 황화 카드뮴(CdS)이 적층되어 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(510)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(410)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(410) 및 버퍼층(510)은 pn접합을 형성한다.
상기 버퍼층은 산화 아연(ZnO)를 타겟으로 한 스퍼터링 공정을 진행하여, 상기 황화 카드뮴(CdS) 상에 산화 아연층이 더 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(510)은 상기 컨택 배선(300) 상에만 선택적으로 형성된 제2 마스크(20)를 사용한 증착 공정을 통해 상기 광 흡수층(410) 상에 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(510)은 상기 컨택 배선(300)보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 컨택 배선(300)은 상기 광 흡수층(410)의 상면에서 돌출된 형태를 가질 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(610)은 상기 버퍼층(510) 상에 투명전극층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(610)은 ITO, ZnO 및 i-ZnO 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(610)은 상기 컨택 배선(300) 상에만 선택적으로 형성된 상기 제2 마스크(20)를 사용한 증착 공정을 통해 상기 버퍼층(510) 상에 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(610)은 상기 컨택 배선(300)보다 낮은 높이로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 컨택 배선(300)의 상면은 상기 고저항 버퍼층(610) 상부로 노출될 수 있다.
또는 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 고저항 버퍼층(610)은 상기 컨택 배선(300) 보다 높은 높이를 가지도록 형성될 수도 있다. 이후 상기 컨택 배선(300) 상부의 제2 마스크(20)가 제거되면 상기 컨택 배선(300)의 상면은 상부로 노출될 수 있다.
상기 버퍼층(510) 및 고저항 버퍼층(610)은 상기 광 흡수층(410)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.
상기 광 흡수층(410)과 전면전극층은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(510) 및 고저항 버퍼층(610)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 두 개의 버퍼층(510)을 상기 광 흡수층(410) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층(510)은 한개의 층으로만 형성할 수 있다.
이후, 상기 제2 마스크(20)는 일반적인 스트립 공정을 통해 제거될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(610) 및 상기 컨택 배선(300) 상에 전면전극층(700)이 형성된다.
상기 컨택 배선(300)과 접속되도록 상기 전면전극층(710)이 형성되고, 상기 컨택 배선(300)과 상기 전면전극층(710)은 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다.
특히, 상기 컨택 배선(300)은 상기 고저항 버퍼층(610)에서 돌출되어 있기 때문에 상기 컨택 배선(300)에 대응하는 상기 전면전극층(710)도 볼록한 형태로 형성될 수 있다.
또는 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 컨택 배선(300)은 상기 고저항 버퍼층(610)보다 낮은 높이로 형성되어 있기 때문에 상기 컨택 배선(300)에 대응하는 상기 전면전극층(710)은 오목한 형태로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 전면전극층(710)과 상기 후면전극(200)은 상기 컨택 배선(300)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 전면전극층(710)은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 등의 불순물을 포함하는 아연계 산화물 또는 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성 될 수 있다.
즉, 상기 전면전극층(710)은 상기 컨택 배선(300)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 전면전극층(710)은 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연으로 형성하여, 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(710)은 상기 광 흡수층(410)과 pn 접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극 기능을 하기 때문에 광 투과율이 높고 전기 전도성이 높은 산화 아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 전면전극층(710), 고저항 버퍼층(610), 버퍼층(510) 및 광 흡수층(410)을 관통하는 분리 패턴(800)이 형성된다.
상기 분리 패턴(800)은 상기 후면전극(200)의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 분리 패턴(800)은 상기 컨택 배선(300)에 인접하여 형성될 수 있다. 상기 분리 패턴(800)은 기계적 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 패터닝 될 수 있다.
예를 들어, 상기 분리 패턴(800)의 폭은 60~100㎛일 수 있다. 상기 분리 패턴(800)과 상기 컨택 배선(300)의 갭(G2)은 60~100㎛ 일 수 있다.
상기 분리 패턴에(800) 의하여 각각의 상기 후면전극(300) 상에 광흡수 패턴(400), 버퍼 패턴(500), 고저항 버퍼패턴(600) 및 전면전극(700)이 적층되고, 다수개의 셀(C1,C2)들을 정의할 수 있다.
상기 컨택 배선(300)은 각각의 셀(C1,C2)을 연결할 수 있다. 즉, 상기 컨택 배선(300)은 상기 제1 셀(C1)의 후면전극(200) 및 상기 제1 셀(C1)에 인접하는 제2 셀(C2)의 전면전극(700)을 연결할 수 있다.
상기 후면전극(200) 형성 후에 곧 바로 상기 컨택 배선(300)이 형성되므로, 상기 광 흡수 패턴(400), 버퍼 패턴(500) 및 고저항 버퍼층(600)의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 컨택 배선(300)이 정밀하게 패터닝되고, 상기 컨택 배선(300)과 상기 후면전극(200) 계면의 면저항이 감소될 수 있다.
이에 따라, 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타내는 단면도이다.

Claims (8)

  1. 기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 분리된 다수개의 후면전극;
    상기 후면전극 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층;
    상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극과 연결되고, 상기 버퍼층 표면과 다른 높이를 가지도록 형성된 컨택 배선;
    상기 버퍼층 및 컨택 배선의 표면을 따라 형성되고, 단차를 가지는 전면전극층; 및
    상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리패턴을 포함하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨택 배선은 투명전극층인 것을 포함하는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 컨택 배선 및 전면전극층은 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연을 포함하여 형성된 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 컨택 배선은 상기 버퍼층 상면의 높이와 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리되도록 다수개의 후면전극을 형성하는 단계;
    상기 후면전극 상에 컨택 배선을 형성하는 단계;
    상기 컨택 배선의 표면이 노출되도록 상기 후면전극 및 제1 관통홀 상에 광 흡수층 및 버퍼층을 적층하는 단계;
    상기 컨택 배선과 연결되도록 상기 컨택 배선 및 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리 패턴을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 컨택 배선은 상기 버퍼층 상면의 높이와 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 컨택 배선을 형성하는 단계는,
    상기 후면전극이 선택적으로 노출되도록 제2 관통홀이 형성된 마스크를 상기 기판 상에 형성하는 단계;
    상기 제2 관통홀의 내부에 투명전극 물질을 갭필하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 컨택 배선 및 상기 전면전극층은 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연을 포함하여 형성되는 태양전지의 제조방법.
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