KR101091499B1 - 팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법 - Google Patents

팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 후면전극 패턴 사이의 홈에 제1접촉부와, 상기 제1접촉부로부터 돌출되어 형성된 제1지지부로 이루어진 제1팁으로 제1스크라이빙(scribing) 공정을 수행하여 후면전극 패턴의 모서리 일부를 제거하는 단계와, 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 전극간 연결을 위한 콘택패턴을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계와, 상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계와, 상기 전면전극 및 광 흡수층에 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 전면전극은 상기 콘택패턴 내에 삽입되어 상기 후면전극 패턴과 전기적으로 연결된다.
태양전지

Description

팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법{TIP, THE SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SOLAR CELL USING THE TIP}
실시예는 팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이때, 상기 CIGS계 태양전지 형성시, 레이저(laser)를 이용한 후면전극 패턴을 형성하는데, 패터닝 후 후면전극 패턴의 가장자리 영역인 에지(edge) 영역에서 들뜸현상으로 인한 버(burr)가 발생할 수 있다.
또한, 전극간 연결을 위한 콘택패턴과 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 기계적인(mechanical) 방법인 스크라이빙(scribing) 공정을 진행하는데, 상기 스크라이빙 공정시 패턴과 인접한 광 흡수층이나 전면전극의 어깨부분이 돌출되도록 형성될 수 있다.
실시예는 태양전지 제조를 위한 스크라이빙(scribing) 공정으로 인해, 패턴의 어깨부분이 돌출되는 것을 방지할 수 있는 팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 후면전극 패턴 사이의 홈에 제1접촉부와, 상기 제1접촉부로부터 돌출되어 형성된 제1지지부로 이루어진 제1팁으로 제1스크라이빙(scribing) 공정을 수행하여 후면전극 패턴의 모서리 일부를 제거하는 단계와, 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 전극간 연결을 위한 콘택패턴을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계와, 상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계와, 상기 전면전극 및 광 흡수층에 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 전면전극은 상기 콘택패턴 내에 삽입되어 상기 후면전극 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
삭제
실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴; 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 전극간 연결을 위한 콘택패 턴 및 단위셀로 나누기 위한 분리패턴이 형성된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 분리패턴에 의해 이격되어 배치된 전면전극을 포함하며, 상기 전면전극은 상기 콘택패턴 내에 삽입되어 상기 후면전극 패턴과 전기적으로 연결된 것을 포함하고, 상기 콘택패턴과 인접한 제1영역의 상기 버퍼층의 표면조도는 제2영역보다 균일한 것을 포함한다.
이상에서 설명한 실시예에 따른 팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법은 레이저를 이용한 패터닝으로 형성된 후면전극 패턴 사이의 영역인 홈에 추가적인 스크라이빙 공정을 진행하여 후면전극 패턴에 형성된 버(burr)를 제거함으로써, 후면전극 패턴의 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있다.
또한, 스크라이빙 공정으로 형성된 콘택패턴 및 분리패턴에 추가적인 스크라이빙 공정을 진행하여 콘택패턴 및 분리패턴과 인접한 버퍼층, 광 흡수층 및 전면전극의 어깨부분의 돌출된 영역을 제거하여, 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 후면전극(201)을 형성한다.
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용되고 있으며, 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 티타늄기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass)를 사용할 수 있으며, 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
또한, 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 후면전극(201)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극(201)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 후면전극(201)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 후면전극(201)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극(201)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극(201)에 레이저(laser)를 이용한 패터닝 공정을 진행하여 후면전극 패턴(200)을 형성한다.
상기 후면전극 패턴(200)은 상기 보호패턴(10) 사이에 상기 기판(100)이 노출되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 후면전극 패턴(200)은 스트라이프(stripe) 형태 또는 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있으며, 각각의 셀에 대응할 수 있다.
그러나, 상기 후면전극 패턴(200)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
이때,상기 후면전극(201)에 레이저를 이용한 패터닝 공정을 진행하여, 상기 후면전극 패턴(200)의 가장자리 영역인 에지(edge) 영역에서 들뜸현상으로 인한 버(burr)가 발생할 수 있다.
이에, 상기 레이저를 이용한 패터닝 공정을 진행하여, 상기 후면전극 패턴(200)을 형성한 후, 상기 후면전극 패턴(200) 사이의 영역인 홈(205)에 제1스크라이빙(scribing) 공정을 진행하여 들뜸현상으로 인한 버(burr)가 발생한 영역을 제거할 수 있다.
즉, 도 3에 도시된 제1팁(10)으로 상기 후면전극 패턴(200)에 제1스크라이빙 공정을 진행할 수 있다.
상기 제1팁(10)은 도 3a에 도시된 바와 같이, 제1지지부(11) 및 제1접촉부(12)를 포함하여 형성된다.
상기 제1접촉부(12)는 상기 후면전극 패턴(200)의 높이(H1)와 동일하거나, 큰 높이로 형성되고, 상기 제1지지부(11)는 상기 제1접촉부(12)로부터 돌출되도록 형성되어, 상기 제1접촉부(12)와 제1지지부(11)가 만나는 영역에는 제1모서리(13)가 형성된다.
또한, 상기 제1접촉부(12)의 폭은 상기 후면전극 패턴(200)의 폭(W1)과 동일하게 형성될 수 있으며, 상기 제1접촉부(12)의 바닥면은 평면으로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 제1팁(10)으로 상기 후면전극 패턴(200) 사이의 영역인 홈(205)에 제1스크라이빙 공정을 진행하면, 상기 제1모서리(13)에 의해, 상기 후면전극 패턴(200)의 가장자리 영역인 에지(edge) 영역에서 버(burr)이 발생한 것을 제거할 수 있다.
즉, 상기 후면전극 패턴(200)에 형성된 버(burr)를 제거함으로써, 상기 후면전극 패턴(200)의 균일성(uniformity)을 향상시켜, 태양전지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1팁(10)은 도 3b에 도시된 것과 같은, 제1접촉부(12)의 측벽이 경사진 형태가 될 수 있다.
이때, 상기 제1접촉부(12)와 제1지지부(11)가 만나는 면의 폭은 상기 제1접촉부(12)의 하면보다 좁게 형성될 수 있다.
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극 패턴(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400)을 형성한다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극 패턴(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
또한, 상기 금속 프리커서막을 형성하는 공정 및 셀레니제이션 공정 동안에, 상기 기판(100)에 포함된 알칼리(alkali) 성분이 상기 후면전극 패턴(200)을 통해서, 상기 금속 프리커서막 및 상기 광 흡수층(300)에 확산된다.
알칼리(alkali) 성분은 상기 광 흡수층(300)의 그레인(grain) 크기를 향상시키고, 결정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
상기 광 흡수층(300)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(300)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
상기 버퍼층(400)은 적어도 하나의 층으로 형성되며, 상기 광 흡수층(300)이 형성된 상기 기판(100) 상에 황화 카드뮴(CdS), ITO, ZnO, i-ZnO 중 어느 하나 또는 이들의 적층으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(400)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)은 pn 접합을 형성한다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(300)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(400)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 한 개의 버퍼층을 상기 광 흡수층(300) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층은 복수개의 층으로 형성될 수도 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)을 관통하는 콘택패턴(310)을 형성한다.
상기 콘택패턴(310)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.
상기 콘택패턴(310)은 도 6에 도시된 팁을 사용하여 형성될 수 있다.
우선, 제2팁(20)을 이용하여 제2스크라이빙 공정을 진행하여 상기 콘택패턴(10)을 형성한다.
이때, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 제2스크라이빙으로 상기 콘택패 턴(310)과 인접한 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)의 어깨부분, 즉, 상기 버퍼층(400)의 모서리 부분이 돌출될 수 있다.
그리고, 제3팁(30)을 이용하여 상기 콘택패턴(310)에 제3스크라이빙 공정을 진행하여, 상기 제2스크라이빙 공정시 형성된 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)의 어깨부분의 일부를 제거한다.
상기 제3팁(30)은 제2지지부(31) 및 제2접촉부(32)를 포함하여 형성된다.
상기 제2접촉부(32)는 상기 콘택패턴(310)의 높이(H2)와 동일하거나, 큰 높이로 형성되고, 상기 제2지지부(31)는 상기 제2접촉부(32)로부터 돌출되도록 형성되어, 상기 제2접촉부(32)와 제2지지부(31)가 만나는 영역에는 제2모서리(33)가 형성된다.
또한, 상기 제2접촉부(32)의 폭은 상기 콘택패턴(310)의 폭(W2)과 동일하게 형성될 수 있으며, 상기 제2접촉부(32)의 바닥면은 평면으로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 제3팁(30)으로 상기 콘택패턴(310)에 제3스크라이빙 공정을 진행하면, 상기 제2모서리(33)에 의해, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)의 어깨부분의 돌출된 영역을 제거하여, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)의 균일성(uniformity)을 향상시켜, 태양전지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제2접촉부(32)가 돌출된 상기 제2지지부(31)의 하부면이 상기 제3스크라이빙 공정으로 상기 버퍼층(400)의 표면을 평탄하게 할 수 있다.
즉, 상기 제3스크라이빙 공정이 진행되는 영역을 제1영역(A)이라 하고, 그 외의 영역을 제2영역(B)이라 했을 때, 상기 제1영역(A)에서, 상기 콘택패턴(310)과 접하는 상기 버퍼층(400)의 표면은 균일도가 향상되어, 표면조도가 개선될 수 있다.
따라서, 상기 제1영역(A)의 상기 버퍼층(400)의 표면조도는 상기 제2영역(B)의 상기 버퍼층(400)의 표면조도보다 균일할 수 있다.
또한, 상기 제3팁(30)은 도 6c에 도시된 것과 같은, 제2접촉부(32)의 측벽이 경사진 형태가 될 수 있다.
이때, 상기 제2접촉부(32)와 제2지지부(31)가 만나는 면의 폭은 상기 제2접촉부(32)의 하면보다 좁게 형성될 수 있다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(400) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극(500) 및 접속배선(700)을 형성한다.
상기 투명한 도전물질을 상기 버퍼층(400) 상에 적층시킬 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 콘택패턴(310)의 내부에도 삽입되어, 상기 접속배선(700)을 형성할 수 있다.
상기 후면전극 패턴(200)과 전면전극(500)은 상기 접속배선(700)에 의해 전기적으로 연결된다.
상기 전면전극(500)은 상기 기판(100) 상에 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄으로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 전면전극(500)은 상기 광 흡수층(300)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
이때, 상기 산화 아연에 알루미늄를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극(500)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium tin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 층착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)을 관통하는 분리패턴(320)을 형성한다.
상기 분리패턴(320)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.
상기 분리패턴(320)은 도 9에 도시된 팁을 사용하여 형성될 수 있다.
우선, 제4팁(40)을 이용하여 제4스크라이빙 공정을 진행하여 상기 분리패턴(320)을 형성한다.
이때, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 제4스크라이빙으로 상기 분리패턴(320)과 인접한 상기 전면전극(500)의 어깨부분인 모서리 부분이 돌출될 수 있다.
그리고, 제5팁(50)을 이용하여 상기 분리패턴(320)에 제5스크라이빙 공정을 진행하여, 상기 제4스크라이빙 공정시 형성된 상기 전면전극(500)의 어깨부분의 일부를 제거한다.
상기 제5팁(50)은 제3지지부(51) 및 제3접촉부(52)를 포함하여 형성된다.
상기 제3접촉부(52)는 상기 분리패턴(320)의 높이(H3)와 동일하거나, 큰 높이로 형성되고, 상기 제3지지부(51)는 상기 제3접촉부(52)로부터 돌출되도록 형성되어, 상기 제3접촉부(52)와 제3지지부(51)가 만나는 영역에는 제3모서리(53)가 형성된다.
또한, 상기 제3접촉부(52)의 폭은 상기 분리패턴(320)의 폭(W3)과 동일하게 형성될 수 있으며, 상기 제3접촉부(52)의 바닥면은 평면으로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 제5팁(50)으로 상기 분리패턴(320)에 제5스크라이빙 공정을 진행하면, 상기 제3모서리(53)에 의해, 상기 전면전극(500)의 어깨부분의 돌출된 영역을 제거하여, 상기 전면전극(500)의 균일성(uniformity)을 향상시켜, 태양전지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제3접촉부(52)가 돌출된 상기 제3지지부(51)의 하부면이 상기 제5스크라이빙 공정으로 상기 전면전극(500)의 표면을 평탄하게 할 수 있다.
즉, 상기 제5스크라이빙 공정이 진행되는 영역을 제3영역(C)이라 하고, 그 외의 영역을 제4영역(D)이라 했을 때, 상기 제3영역(C)에서, 상기 분리패턴(320)과 접하는 상기 전면전극(500)의 표면은 균일도가 향상되어, 표면조도가 개선될 수 있다.
따라서, 상기 제3영역(C)의 상기 전면전극(500)의 표면조도는 상기 제4영역(D)의 상기 전면전극(500)의 표면조도보다 균일할 수 있다.
또한, 상기 제5팁(50)은 도 9c에 도시된 것과 같은, 제3접촉부(52)의 측벽이 경사진 형태가 될 수 있다.
이때, 상기 제3접촉부(52)와 제3지지부(51)가 만나는 면의 폭은 상기 제3접촉부(52)의 하면보다 좁게 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(400) 및 전면전극(500)은 상기 분리패턴(320)에 의해 구분될 수 있으며, 상기 분리패턴(320)에 의해 각각의 셀(C1, C2)은 서로 분리될 수 있다.
상기 분리패턴(320)에 의해 상기 전면전극(500) 버퍼층(400) 및 광 흡수층(300)은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 분리패턴(320)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
상기 분리패턴(320)에 의해 상기 후면전극 패턴(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)을 포함하는 셀(C1, C2)이 형성된다.
이때, 상기 접속배선(700)에 의해 각각의 셀(C1, C2)은 서로 연결될 수 있다. 즉, 상기 접속배선(700)은 제2셀(C2)의 후면전극 패턴(200)과 상기 제2셀(C2)에 인접하는 상기 제1셀(C1)의 전면전극(500)을 전기적으로 연결한다.
이상에서 설명한 실시예에 따른 팁, 태양전지 및 팁을 이용한 태양전지의 제조방법은 레이저를 이용한 패터닝으로 형성된 후면전극 패턴 사이의 영역인 홈에 추가적인 스크라이빙 공정을 진행하여 후면전극 패턴에 형성된 버(burr)를 제거함으로써, 후면전극 패턴의 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있다.
또한, 스크라이빙 공정으로 형성된 콘택패턴 및 분리패턴에 추가적인 스크라이빙 공정을 진행하여 콘택패턴 및 분리패턴과 인접한 버퍼층, 광 흡수층 및 전면 전극의 어깨부분의 돌출된 영역을 제거하여, 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴을 형성하는 단계;
    상기 후면전극 패턴 사이의 홈에 제1접촉부와, 상기 제1접촉부로부터 돌출되어 형성된 제1지지부로 이루어진 제1팁으로 제1스크라이빙(scribing) 공정을 수행하여 후면전극 패턴의 모서리 일부를 제거하는 단계;
    상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 전극간 연결을 위한 콘택패턴을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계; 및
    상기 전면전극 및 광 흡수층에 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 전면전극은 상기 콘택패턴 내에 삽입되어 상기 후면전극 패턴과 전기적으로 연결되는 태양전지의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1접촉부는 상기 후면전극 패턴의 높이와 동일한 높이로 형성되고,
    상기 제1접촉부와 제1지지부가 만나는 모서리에 의해 상기 후면전극 패턴의 일부가 제거되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 콘택패턴을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계 이후,
    상기 콘택패턴에 제2접촉부 및 상기 제2접촉부로부터 돌출 형성된 제2지지부로 이루어진 제3팁으로 제3스크라이빙 공정을 수행하여, 상기 콘택패턴이 형성된 상기 광 흡수층의 모서리의 일부를 제거하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제2접촉부는 상기 콘택패턴의 높이와 동일한 높이로 형성되고,
    상기 제2접촉부와 제2지지부가 만나는 모서리에 의해 상기 광 흡수층의 일부가 제거되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전면전극 및 광 흡수층에 단위셀로 나누기 위한 분리패턴을 형성하는 단계 이후,
    상기 분리패턴에 제3접촉부와, 상기 제3접촉부로부터 돌출 형성된 제3지지부로 이루어진 제5팁으로 제5스크라이빙 공정을 수행하여, 상기 분리패턴이 형성된 상기 전면전극의 모서리의 일부를 제거하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제3접촉부는 상기 분리패턴의 높이와 동일한 높이로 형성되고,
    상기 제3접촉부와 제3지지부가 만나는 모서리에 의해 상기 전면전극의 일부가 제거되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴;
    상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 전극간 연결을 위한 콘택패턴 및 단위셀로 나누기 위한 분리패턴이 형성된 광 흡수층 및 버퍼층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 분리패턴에 의해 이격되어 배치된 전면전극을 포함하며,
    상기 전면전극은 상기 콘택패턴 내에 삽입되어 상기 후면전극 패턴과 전기적으로 연결된 것을 포함하고,
    상기 콘택패턴과 인접되어 스크라이빙 공정이 수행된 제1영역의 상기 버퍼층의 표면조도는 제1영역 이외의 제2영역보다 균일한 것을 포함하는 태양전지.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 분리패턴과 인접한 제3영역의 상기 전면전극의 표면조도는 제4영역보다 균일한 것을 포함하는 태양전지.
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