KR101154723B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 태양전지는, 기판의 에지영역이 노출되도록 상기 기판의 센터영역 상에 형성된 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 포함하고, 상기 기판의 하부면은 상기 에지영역을 제외한 나머지 영역 중 일부가 일정두께로 제거되어 트랜치가 형성됨으로써, 태양전지를 경량화시킬 수 있다.
태양전지, 기판
Description
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
광전변환 효과를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전장치는 지구 환경의 보전에 기여하는 무공해 에너지를 얻는 수단으로 널리 사용되고 있다.
태양전지의 광전변화 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 장치를 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도 뿐만 아니라 상업 건물의 외부에 설치되기에 이르렀다.
즉, 태양전지(PV:Photovoltaic)를 건축물의 외피 마감재로 사용하는 건물일체화(BIPV:Building Integrated Photovoltaic) 기술이 주목받고 있다.
이러한 건물일체화 기술은 외피 마감재로서의 요구 성능을 만족시킴과 동시에 자체전력 발생을 통해 건축물 전력공급 성능이 요구된다.
특히, 태양전지 모듈의 마감재로서 일정 두께의 하부기판 및 상부기판을 사용하고 있으므로, 이에 대한 경량화가 요구된다.
실시예에서는 태양전지 모듈을 슬림화 및 경량화시킬 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판의 에지영역이 노출되도록 상기 기판의 센터영역 상에 형성된 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 포함하고, 상기 기판의 하부면은 상기 에지영역을 제외한 나머지 영역 중 일부가 일정두께로 제거되어 형성된 트랜치를 포함한다.
실시에에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 포함하는 태양전지를 형성하는 단계; 상기 기판의 가장자리에 위치한 상기 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층의 외각영역을 제거하고 에지영역을 노출시키는 단계; 상기 에지영역을 기준으로 그 내측에 해당하는 센터영역의 상기 기판 하부면의 일부를 제거하여 트랜치를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 태양전지를 경량화시킬 수 있다.
이는, 태양전기를 지지하는 기판의 하부면이 일정두께로 제거되고, 트랜치가 형성된다.
상기 트랜치에 의하여 상기 기판의 무게는 기존보다 50%~70% 감소될 수 있 다.
즉, 태양전지 모듈에서 대부분의 무게를 차지하는 기판에 트랜치가 형성되고, 상기 태양전지 모듈은 슬림화, 경량화 및 소형화시킬 수 있다.
특히, 상기 기판의 슬림화에 대응하여 상기 기판은 좀더 플렉서블한 재질 및 구조를 가질 수 있으므로, 다양한 영역에 적용가능하다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 및 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지를 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 X-X'선 단면도이다.
도 1 및 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지는 기판(100) 상에 형성된 복수개의 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)을 포함한다.
상기 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들은 예를 들어, CIGS계 태양전지, 실리콘계열 태양전지 또는 염료 감응 태양전지 일 수 있다.
상기 기판(100)은 플레이트 형상을 가진다. 상기 기판(100)은 투명하고 절연체일 수 있다.
상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
상기 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들은 각각 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 포함한다.
상기 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들은 상기 기판(100)의 가장자리 영역을 노출시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들은 상기 기판(100)의 센터영역(C)에 배치되고, 상기 기판(100)의 양측 에지영역(E)은 노출될 수 있다.
상기 기판(100)의 하부면에는 홈 형태의 트랜치(120)가 형성되고, 상기 기판(100)은 영역별로 다른 두께를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(100)의 에지영역(E)에 해당하는 상기 기판(100)의 두께는 제1 두께(T1)이고, 상기 기판(100)의 센터영역(C)에 해당하는 상기 기판(100)의 두께는 제1 두께(T1)보다 작은 제2 두께(T2)일 수 있다.
상기 트랜치(120)의 너비는 상기 센터영역(C)의 너비와 동일할 수 있다.
또한, 상기 트랜치(120)의 측벽은 상기 제1 두께(T1)보다 작은 제3 두께(T3)일 수 있다. 상기 트랜치(120)의 제3 두께(T3)는 상기 제2 두께(T2)와 동일하거나 클 수도 있다.
상기 센터영역(C)과 에지영역(E)에서 상기 기판(100)의 두께는 1: 0.3~0.7 비를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 에지영역(E)에 해당하는 상기 기판(100)의 제1 두께(T1)는 7~35㎜이고, 상기 센터영역(C)에 해당하는 상기 기판(100)의 제2 두께(T2)는 3~25㎜일 수 있다. 또한, 상기 트랜치(120)의 제3 두께(T3)는 3~25㎜일 수 있다.
상기와 같이 기판(100)의 하부면에 일부 제거되고 트랜치(120)가 형성되어, 상기 기판(100)의 무게는 최초의 무게보다 50% 이상 감소될 수 있다.
일반적으로 태양전지 모듈의 무게 대부분은 기판의 두께에 영향을 받고 있다. 이는 태양전지 셀들의 형성시 기판이 고온공정에서 진행되기 때문에 기판은 두께를 낮출 수 없기 때문이다.
실시예에서는 상기 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들이 형성된 기판(100)의 하부면을 선택적으로 제거하고, 상기 기판(100)의 두께를 최소한으로 낮출 수 있다. 즉, 태양전지 모듈의 전체 무게를 50% 이상 감소시킬 수 있다.
한편, 실시예의 설명에 있어서 상기 기판(100)의 트랜치(120)는 하나의 홈 형태로 형성하는 것을 예로 하였지만, 상기 트랜치(120)는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 트랜치(120)는 그 모서리 영역이 직각을 가지는 사각 형태로 형성될 수도 있다. 또는, 상기 트랜치(120)은 그 모서리 영역이 둥근 곡면을 가지는 반구 형태로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 트랜치(120)는 작은 폭을 가지도록 형성되고 적어도 하나 이상으로 형성될 수도 있다.
이에 따라, 상기 태양전지 모듈을 슬림화, 경량화 및 소형화시킬 수 있다.
또한, 상기 기판(100)의 슬림화에 대응하여 상기 기판(100)은 좀더 플렉서블한 재질 및 구조를 가질 수 있으므로, 다양한 영역에 적용가능하다.
도 2 및 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 구체적으로 설명한다. 본 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명이 결합 될 수 있다.
우선, 도 2를 참조하여, 태양전지의 제조공정을 설명한다.
먼저, 기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성된다.
상기 기판(100)은 유리가 사용될 수 있으며, 세라믹 기판, 금속기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime galss) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있다. 금속기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다. 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
후속공정인 CIGS 광 흡수층은 고온공정이므로 상기 기판은 이에 견딜 수 있는 두께를 가져야만 한다.
상기 기판(100)은 제1 두께(T1)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(100)은 7-35㎜의 두께를 가질 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo)을 타겟(target)으로 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기 전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극층(200)인 몰리브덴 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야하고, 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 기판(100)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
한편, 상기 후면전극층(200)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수도 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 상기 후면전극층(200)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 상기 후면전극층(200)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극층(200)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 후면전극층(200)에 제1 관통홀(P1)이 형성되고, 상기 후면전극층(200)은 다수개로 패터닝 될 수 있다. 상기 제1 관통홀(P1)은 상기 기판(100)의 상부 표면을 노출시킬 수 있다.
다음, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다. 이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 구리- 인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CGS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
상기 광 흡수층(300)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(300)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
다음, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있으며, 화학 용액 증착법(chemical bath deposition: CBD)에 의하여 황화 카드뮴(CdS)으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(400)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)은 pn 접합을 형성한다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 투명전극층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(500)은 ITO, ZnO 및 i-ZnO 중 어느로 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 산화 아연(ZnO)을 타겟으로 한 스퍼터링 공정을 진행하여, 산화 아연층으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)은 상기 광 흡수층(300)과 이후 형성될 윈도우층의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(300)과 전면전극층(600)은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서 두개의 버퍼층(400)을 상기 광 흡수층(300) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층(400)은 단일층으로 형성될 수도 있다.
다음, 상기 고저항 버퍼층(500), 버퍼층(400) 및 광 흡수층(300)을 관통하는 제2 관통홀(P2)이 형성된다.
상기 제2 관통홀(P2)은 상기 후면전극층(200)의 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 제2 관통홀(P2)은 상기 제1 관통홀(P1)에 인접하여 형성될 수 있다.
다음, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극층(600)이 형성된다.
상기 전면전극층(600)이 형성될 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 제2 관통홀(P2)에 삽입되어 접속배선(700)을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(600)은 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄(Al) 또는 알루미나(Al2O3)로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 전면전극층(600)은 상기 광 흡수층(300)과 pn접합을 형성하고, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 전면전극층(600)은 산화 아연에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(600)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과, Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학 증착법 등으로 형성될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 증착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
다음, 전면전극층(600), 고저항 버퍼층(500), 버퍼층(400) 및 광 흡수층(300)을 관통하는 제3 관통홀(P3)이 형성된다.
상기 제3 관통홀(P3)은 상기 후면전극을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 상기 제3 관통홀(P3)은 상기 제2 관통홀(P2)과 인접하도록 형성될 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)에 의하여 광 흡수층, 버퍼층, 고저항 버퍼층 및 전면전극층은 셀별로 분리될 수 있다. 즉, 상기 제3 관통홀(P3)에 의해 각각의 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)은 서로 분리될 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들 중 가장자리에 위치한 상기 셀(C1, Cn)을 선택적으로 제거하여 제4 관통홀(P4)이 형성된다.
또한, 상기 제4 관통홀(P4)에 의하여 상기 기판(100)의 가장자리 영역은 노출될 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(100)에서 상기 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들이 형성된 영역을 센터영역(C)이라 칭하고, 상기 제4 관통홀(P4)에 의하여 노출된 상기 기판(100)의 가장자리를 에지영역(E)이라고 지칭한다.
도 4를 참조하여, 상기 에지영역(E)에 해당하는 기판(100)의 하부면에 하드마스크(10)가 형성된다.
예를 들어, 상기 하드마스크(10)는 금속재료, 절연성 재료 및 고분자 재료 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 하드마스크(10)는 후속공정으로 진행되는 식각 공정에서 상기 기판(100)의 하부면을 선택적으로 보호하기 위한 것이다.
도 5 및 도 6을 참조하여, 상기 기판(100) 하부면에 트랜치(120)가 형성된다.
상기 트랜치(120)는 상기 기판(100)의 센터영역(C)에 대응하는 너비를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 트랜치(120)는 상기 기판(100)의 하부면에 대한 선택적 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 트랜치(120)는 상기 하드마스크(10)를 제외한 상기 기판(100)의 하부면에 형성될 수 있다.
구체적으로 상기 트랜치(120)를 형성하는 방법을 설명한다.
우선, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)을 프레임(20)에 의하여 고정시킨다. 상기 프레임(20)은 상기 기판(100)의 양측단에 해당하는 에지영역(E)과 결합될 수 있다. 특히, 상기 프레임(20)은 상기 에지영역(E)에 해당하는 상기 기판(100)의 상면 및 상기 하드마스크(10)와 접하면서 상기 기판(100)을 고정시킬 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)의 하부면에 대한 식각공정을 진행하고, 상기 트랜치(120)가 형성된다.
상기 식각공정은 식각 케미컬을 상기 기판(100) 하부로 제공하여 진행될 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 공정은 식각 케미컬이 담겨진 베스(bath)에 상기 기판(100)을 침지시킴으로써 진행될 수 있다. 상기 식각 케미컬은 불산(HF) 계열의 에천트(etchant)를 사용할 수 있다.
이때, 상기 에지영역(E)에 해당하는 상기 기판(100)의 하부면에는 선택적으로 상기 하드마스크(10)가 형성되어 있다. 따라서, 상기 에지영역(E) 내측에 해당하는 상기 기판(100)의 센터영역(C)만 선택적으로 식각되고, 상기 트랜치(120)가 형성될 수 있다.
또는 상기 트랜치(120)는 상기 하드마스크(10)를 식각마스크로 사용하는 건식식각 공정으로 진행될 수 있다. 이러한 건식식각 공정 시에는 불산계열의 가스를 사용하여 상기 트랜치(120)를 형성할 수 있다.
한편, 상기 트랜치(120)는 상기 기판(100)의 하부면에서 상기 에지영역(E)을 제외한 센터영역(C)에 형성되는 것으로 설명하였지만, 실시예는 이에 한정되지 않는다.
즉, 상기 트랜치(120)는 바닥면이 곡면을 가지도록 형성될 수도 있다. 또는 상기 트랜치(120)를 형성하기 위한 하드마스크(10)를 상기 기판(100) 하부면의 센터영역(C)에 적어도 하나 이상 배치함으로써 적어도 하나 이상의 트랜치(120)를 형성할 수도 있다.
이후, 상기 하드마스크(10)는 일반적은 스트립공정을 통해 제거될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 기판(100)의 상부에는 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들이 형성되고, 상기 기판(100)의 하부면에는 트랜치(120)가 형성된다.
상기 트랜치(120)는 상기 태양전지 셀(C1, C2, C3 ...Cn-1, Cn)들에 대응하도록 상기 기판(100)의 하부면을 제거하여 형성된다.
태양전지에 있어서 대부분의 무게를 차지하는 상기 기판(100)이 선택적으로 제거되고 상기 트랜치(120)가 형성되어, 상기 기판(100)은 경량화될 수 있다.
예를 들어, 상기 에지영역(E)에서 기판(100)은 제1 두께(T1)를 가질 수 있고, 상기 센터영역(C)에서 상기 기판(100)은 제1 두께(T1)보다 작은 제2 두께(T2)를 가질 수 있다.
또한, 상기 트랜치(120)의 측벽은 제1 두께(T1)보다 작은 제3 두께(T3)를 가질 수 있다.
상기 에지영역(E)과 센터영역(C)에서 상기 기판(100)의 두께의 비는 1:0.3~0.7일 수 있다.
즉, 상기 트랜치(120)를 포함하는 기판(100)의 무게는 최초 기판의 무게보다 50% 이상 경량화될 수 있다.
이에 따라, 태양전지 모듈 전체의 무게가 감소되어, 태양전지의 슬림화, 경량화 및 소형화시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
Claims (6)
- 기판의 에지영역이 노출되도록 상기 기판의 센터영역 상에 형성된 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 포함하고,상기 기판의 하부면은 상기 에지영역을 제외한 나머지 영역 중 일부가 일정두께로 제거되어 형성된 트랜치를 포함하고, 상기 트랜치는 상기 기판의 에지영역에 배치되는 제1면, 상기 제1면과 대향되는 제2면, 상기 제1면과 상기 제2 면을 연결하는 바닥면을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 에지영역에서 상기 기판은 제1 두께를 가지고, 상기 센터영역에서 상기 기판은 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 태양전지.
- 제2항에 있어서,상기 에지영역과 센터영역에서 상기 기판 두께의 비는 1:0.3~0.7인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 기판 상에 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 포함하는 태양전지를 형성하는 단계;상기 기판의 가장자리에 위치한 상기 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층의 외각영역을 제거하고 에지영역을 노출시키는 단계; 및상기 에지영역을 기준으로 그 내측에 해당하는 센터영역에서 트랜치 형상으로 상기 기판 하부면의 일부를 제거하고, 상기 트랜치는 상기 기판의 에지영역에 배치되는 제1면, 상기 제1면과 대향되는 제2면, 상기 제1면과 상기 제2면을 연결하는 바닥면을 포함하도록 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 트랜치를 형성하는 단계는,상기 에지영역에 해당하는 상기 기판의 하부면에 하드마스크를 형성하는 단계;상기 기판의 에지영역을 프레임에 의하여 지지하는 단계; 및상기 기판의 하부로 식각 가스(etching gas) 및 식각 케미컬(etching chemical)를 제공하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 트랜치는 불산(HF) 계열의 에천트(etchant)를 이용한 식각공정을 통해 형성되는 태양전지의 제조방법.
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