JP2018164057A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極間リークが小さいことによる特性の優れた裏面電極型ヘテロ接合構造太陽電池を簡便なプロセスにより作製できる製造方法を提供する。【解決手段】受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板1の裏面上の一面に真性の第1の非晶質系半導体膜2を形成する工程と導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜3を順次積層し、その積層膜上に電気絶縁性を有する材料により櫛形状にエッチングマスク層20を形成して、エッチングマスク層20の無い領域の真性の第1の非晶質系半導体層2および導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体層3をエッチング除去する。【選択図】 図1
Description
本発明は、裏面電極型ヘテロ接合太陽電池の製造方法に関する。
近年、受光面となるn型単結晶シリコン基板の主面側には、実質的に真性な非晶質シリコン膜等キャリア再結合を抑制するためのパッシベーション膜と反射防止や光閉じ込めのための光学膜のみを配備し、裏面側には、キャリア再結合を抑制するための実質的に真性な非晶質シリコン膜、および、その膜上に櫛形状にp型非晶質シリコン膜およびn型非晶質シリコン膜とそれらに対応した電極を交互に配備して、これら裏面側のみに設けられた電極により発生電力を外部に取り出す裏面電極型ヘテロ接合構造の太陽電池が提案されている。(例えば、特許文献1、非特許文献1)
これら裏面電極型ヘテロ接合構造の太陽電池においては、n型単結晶シリコン基板の裏面におけるキャリア再結合を抑制するため、真性な非晶質シリコン膜等キャリア再結合を抑制するためのパッシベーション膜が全面にわたって配置されることが望ましい。さらに、受光によって発生するキャリアを効率よく外部に取り出すため、p型非晶質シリコン膜およびn型非晶質シリコン膜とそれらに対応した電極をそれぞれ交互に櫛形状で、電気的分離を保ちながら過剰な隙間がないよう精度よく配置することが重要となり、通常はフォトリソグラフィープロセスを用いて作製される。このため、製造工程が煩雑になり、製造コストがかかるという課題があった。
このため、WO2012/132995号公報(特許文献2)に開示されているように、裏面のp/i型非晶質シリコン層とn/i型非晶質シリコン層とに電極端から短手方向にオーバーラップ部分を設けて作製プロセスにおけるパターニング精度の余裕を持たせると同時に、当該オーバーラップ部分のp/i型非晶質シリコン層とn/i型非晶質シリコン層との間に絶縁層を設けることにより、オーバーラップ部分でのリーク電流に伴う変換効率の低下を抑制する作製方法が提案されている。
具体的には、例えば、真性な非晶質シリコン膜、n型非晶質シリコン膜、絶縁膜を順次n型単結晶シリコン基板の裏面上全面に形成して、フォトレジスト等によるマスク形成とエッチングにより、前記真性な非晶質シリコン膜およびn型非晶質シリコン膜および絶縁膜の積層構造で構成される層が櫛型状に残る様にパターニングした後、前記パターニング後の絶縁層および絶縁層の無いn型単結晶シリコン基板の裏面で構成される面上全面に、真性な非晶質シリコン膜およびp型非晶質シリコン膜を順次形成し、フォトレジスト等によるマスク形成とエッチングにより、前記櫛型状と交互に配置し、かつ、非晶質シリコン膜およびn型非晶質シリコン膜および絶縁膜の積層構造で構成される層と電極端から短手方向にオーバーラップ部を設ける形で前記真性な非晶質シリコン膜およびp型非晶質シリコン膜の積層構造で構成される層を櫛型状に形成する作製方法である。
しかしながら、本方法では、絶縁層を形成する工程が追加され、作製に関わる工程数が増大するというという課題があった。
Meijun Lu, Ujjwal Das, Stuart Bowden, Steven Hegedus and Robert Birkmire, ‘Optimization of interdigitated back contact silicon heterojunction solar cells: tailoring hetero-interface band structures while maintaining surface passivation’, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Vol.19, 326-338, 2011
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、電極間リークが小さいことによる特性の優れた裏面電極型ヘテロ接合構造太陽電池を簡便なプロセスにより作製できる製造方法を提供することである。
本明細書中における結晶系半導体には単結晶半導体および多結晶半導体が含まれるものとし、非晶質系半導体には非晶質半導体および微結晶半導体が含まれるものとする。また、平面視とは、半導体基板の表面に垂直な方向で、裏面側から太陽電池を見た様子を意味する。
また、真性の非晶質系半導体膜とは、不純物が意図的にドープされていない非晶質系半導体膜であり、半導体原料に本来的に含まれる不純物または製造過程において自然に混入する不純物を含む非晶質系半導体膜も含む。
本発明に係る太陽電池は、受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の裏面上の一面に真性の第1の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第1の非晶質系半導体膜上の一面に導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第2の非晶質系半導体膜上に、前記第1及び第2の非晶質系半導体膜が櫛形状に残るように電気的絶縁性を有する第1のエッチングマスク層を形成した後、前記第1及び第2の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、エッチングにより露出した前記半導体基板の裏面上及び前記第1のエッチングマスク層上に真性の第3の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第3の非晶質系半導体膜上の一面に前記第2の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第1のエッチングマスク層の端から短手方向に、前記第1のエッチングマスク層、前記第3の非晶質系半導体膜及び前記第4の非晶質系半導体膜と一部オーバーラップが櫛形状に残るように第2のエッチングマスク層を形成した後、前記第1のエッチングマスク層及び前記第3及び第4の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、前記第2の非晶質系半導体層上で前記第1のエッチングマスク層が無い領域に第1の電極を形成する工程と、前記第4の非晶質系半導体層上で、前記オーバーラップのない領域に第2の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法である。
また、前記第1のエッチングマスク層がレジスト材料からなることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
さらに、前記第1のエッチングマスク層が印刷法で形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
本発明によれば、第1と第2の非晶質系半導体膜を櫛形状に加工するために用いたエッチングマスクを、第1と第2の非晶質系半導体膜で積層構成される層と第3と第4の非晶質系半導体膜で積層構成される層のオーバーラップ部分において当該層間に挿入される絶縁層として用いるため、電極間リークを抑制するための絶縁層の形成を特別に行うこと無く当該工程の省略が可能となり、電極間リークの少ない特性の優れた裏面電極型ヘテロ接合構造太陽電池を省材料かつ簡便に作製することが可能となる。
また、印刷法を用いてエッチングマスク形成を行うことによって、更に省材料化および製造工程が簡便化し、かつ歩留まりも向上するので、製造コストの低減を図ることができる。
以下、実施形態に係る太陽電池の製造方法について、図面を用いて説明する。
図1における半導体基板1は、単結晶シリコンや多結晶シリコンのような結晶シリコン、GaAsやInPのような化合物半導体、その他板状に形成することができる薄板状の半導体基板であり、p型またはn型の導電型を有するが、一般的にはn型の単結晶シリコンが用いられる。この半導体基板の厚みに特に制限はないが、部材コストやハンドリングの観点から10〜200μmが望ましい。
また、効率向上の観点から、十分な光閉じ込めを行うため、当該半導体基板1の片面もしくは両面にテクスチャ構造を設けても良く、効率向上の観点からはむしろ好ましい。
図1に示すように、半導体基板1の主面(光入射側)上に、真性の非晶質系半導体層10(i型非晶質系半導体層)および窒化シリコン等からなる反射防止層11が順に形成されている。i型非晶質系半導体層は、入射光の吸収が少なく、シリコンを含む水素化非晶質半導体により構成されていることが好ましく、このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、非晶質酸化シリコンまたは非晶質窒化シリコンなどがある。なお、これら主面側に形成される層は、半導体基板1の主面側表面でのキャリア再結合を抑制し、かつ、光入射に対する反射防止の機能があれば良いので、例えば、それら機能を同時に有する窒化シリコンや窒化アルミニウムを半導体基板1の主面側に直接1層のみ形成した構成でも良い。また、キャリア再結合の抑制効果を高めるため、非晶質系半導体層10と反射防止層11の間に表面電界層を形成する不純物をドープした非晶質半導体層や固定電荷を有する誘電体層を挿入してもよい。
半導体基板1の裏面には、櫛形状に真性の第1の非晶質系半導体層2が、第1の非晶質系半導体層2上には同じ櫛形状に、p型またはn型の導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体層3が形成されている。その第2の非晶質系半導体層3上には、櫛形の端から短手方向に一部オーバーラップして、第1の非晶質系半導体層2および第2の非晶質系半導体層3をエッチングする際に用いた電気的絶縁性を有するエッチングマスク層20が形成されている。このエッチングマスク層20が形成されているオーバーラップ幅は、パターニングを行う精度等により定めることができるが、太陽電池性能の観点からはできる限り狭い方が望ましく、例えば、1μm以上、100μm以下となるのが望ましい。第1の非晶質系半導体層2および第2の非晶質系半導体層3の無い櫛形状領域、および、エッチングマスク層20上に、真性の第3の非晶質系半導体層4が形成され、第3の非晶質系半導体層4上に同じく櫛形状に、第2の非晶質系半導体層3の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜5が形成されている。
第2の非晶質系半導体層3上には、櫛形状に第1の電極として裏面電極6および集電極8が、第4の非晶質系半導体層5上には、櫛形状に第2の電極として裏面電極7および集電極9が順次形成されており、これら裏面電極6および集電極8と、裏面電極7および集電極9はお互い接触しないように一定の距離をおいて配備されている。ここで、裏面電極6と裏面電極7との間隔は10μm以上、100μm以下となるのが望ましい。
これら第2の非晶質系半導体層3、裏面電極6および集電極8により正または負の電極が構成され、第4の非晶質系半導体層5、裏面電極7および集電極9により、第2の非晶質系半導体層3、裏面電極6および集電極8により構成される電極の極性とは異なる極性の電極が構成される。
真性の非晶質系半導体層2および4、導電型の非晶質半導体層3および5は、それぞれシリコンを含む水素化非晶質半導体により構成されていることが好ましい。このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、または非晶質シリコンゲルマニウムなどがある。なお、真性の非晶質半導体層2および4、導電型の非晶質半導体層3および5は、これらの材料に限らず、他の非晶質半導体により構成されていてもよいし、非晶質半導体に限らず、他の薄膜半導体により構成されていてもよい。
電気的絶縁性を有するエッチングマスク層20は、電気的絶縁性を有する永久膜であり、かつ、フォトリソグラフィー法や印刷法により櫛形状の形成が可能であり、かつ、第1の非晶質系半導体層2および第2の非晶質系半導体層3のウェットもしくはドライエッチングに対するマスク機能を有する材料が選ばれる。この永久膜の硬化には紫外線照射を行うものが一般的であり、具体的には、フォトリソグラフィー用に開発されたネガ型永久レジストとしてSU−8(日本化薬株式会社)、KMPR−1000(日本化薬株式会社)、THB−430N(JSR株式会社)、THB−151N(JSR株式会社)、TMMR−S2000(東京応化工業株式会社)、CRC−8200(住友ベークライト株式会社)、KI−1000(日立化成株式会社)等の材料が選ばれる。永久膜の剥離容易性の観点から、中でもKMPR−1000やTHB−430Nが好ましい。印刷法にはスピンコート、スリットダイコート、ブレードコート、バーコート、ディップコート、スプレーコート、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法等が選ばれるが、材料利用効率の高さおよびプロセスの簡易性から印刷法で当該エッチングマスク層20を形成することが望ましい。
裏面電極6,7 は、ITO(酸化インジウム錫)、SnO2(酸化錫)、ZnO(酸化亜鉛)等からなる透明電極であり、集電極8,9 はAg(銀)等の金属からなる。なお、導電型がn型となる非晶質系半導体層とその上に形成される集電極との間においてオーミックコンタクトが形成可能かつ電極材料の拡散が影響しない場合には、それらの間に形成される裏面電極は必ずしも必要ない。
非晶質系半導体層10の膜厚は例えば10nm程度であり、反射防止層11の膜厚は例えば70nm程度であり、真性の非晶質系半導体層2および4の膜厚は例えば10nm程度であり、導電型の非晶質系半導体層3および5の膜厚は例えば10nm程度であり、裏面電極6,7の膜厚は例えば70nm程度であり、集電極8,9の膜厚は例えば200nm程度であるが、それに限られない。
なお、半導体基板1にn型半導体を用いた場合は、少数キャリアを広い面積で効率よく取り出すため、p型の導電型を示す非晶質系半導体層3(または5)の幅は、それとは逆のn型の導電型を示す非晶質系半導体層5(または3)の幅よりも広い方が好ましい。逆に半導体基板1にp型半導体を用いた場合は、n型の導電型を示す非晶質系半導体層3(または5)は、それとは逆のp型の導電型を示す非晶質系半導体層5(または3)の幅よりも広くする方が好ましい。
次に、図2のフローチャートに従い、図3の太陽電池200の製造方法を説明する。この説明においては、一例として半導体基板101にn型の単結晶シリコン、真性の第1の非晶質系半導体層102および真性の第3の非晶質系半導体層104にi型非晶質シリコン膜、導電型の第2の非晶質系半導体層103にn型非晶質シリコン膜、導電型の第4の非晶質系半導体層105にp型非晶質シリコン膜を用いて説明する。
まず、n型単結晶シリコン基板101を洗浄し(図2S1)、KOHを含むアルカリ水溶液による異方性エッチング等により必要に応じて表面テクスチャ形成を行う(図2S2)。続いて真空チャンバー内に搬送して加熱を行う。これにより、n型単結晶シリコン基板101の表面に付着した水分を除去する。
次に、真空チャンバー内にSiH4(シラン)ガスを導入し、PECVD法によりn型単結晶シリコン基板101の表面上にi型非晶質シリコン層110を形成し、続いて基板を反転させるなどしてn型単結晶シリコン基板101の裏面上にi型非晶質シリコン層102を形成する(図2S3)。
次いで、真空チャンバー内にSiH4ガス、H2(水素)ガスおよびPH3(ホスフィン)ガスを導入し、PECVD法によりi型非晶質シリコン層102上にn型非晶質シリコン層103を形成する(図2S4、図3(a))。
続いて、n型非晶質シリコン層103上に、フォトリソグラフィー法やインクジェットやスクリーン等の印刷法により電気絶縁性を有し永久膜として機能するエッチングマスク層120を櫛形状に形成する(図2S5、図3(b))。永久膜用レジストとしては、例えばKMPR−1000等を好適に用いることができる。用いる形成法に応じて適宜調整を行い、例えば印刷法で製膜する場合は、その印刷法に応じて、γ−ブチロラクトン等の揮発性の低い有機溶媒により粘度の調整を行う。エッチングマスク印刷後、80〜150℃程度に加熱して永久膜レジスト中の溶媒を除去し、i線(365 nm)の紫外線照射後必要に応じてさらに熱処理する事(例えば、100〜200℃)等により硬化を行う。エッチングマスクの硬化後、NH4F(フッ化アンモニウム)水溶液およびH2O2(過酸化水素)水溶液からなる混合液への浸漬やSF6(六フッ化硫黄)、NF3(三フッ化窒素)、CF4(四フッ化炭素)等によるRIE(反応性イオンエッチング)等のドライエッチングによりエッチングマスク層120形成部外のn型非晶質シリコン層103およびi型非晶質シリコン層102をエッチングにより除去する(図2S6、図3(c))。なお、このとき、n型単結晶シリコン基板101の表面上に形成したi型非晶質シリコン層110のプロセスダメージからの保護の観点から、必要に応じて、i型非晶質シリコン層110表面に溶剤等で容易に除去可能な保護膜を形成してもよい。
次に、真空チャンバー内にSiH4ガスを導入し、PECVD(プラズマ化学気相堆積)法により、前述のエッチングマスク層120上およびエッチングにより露出したn型単結晶シリコン基板101上にi型非晶質シリコン層104を形成し、次いで、真空チャンバー内にSiH4ガス、H2ガスおよびB2H6(ジボラン)ガスを導入し、PECVD法によりi型非晶質シリコン層104上にp型非晶質シリコン層105を形成する(図2S7、図3(d))。
続いて、p型非晶質シリコン層105上にフォトリソグラフィー法やインクジェットやスクリーン等の印刷法によりエッチングマスク層121を、エッチングマスク層120の端から短手方向にオーバーラップを有してエッチングマスク層120の上部が開口となる櫛形状に形成したのち固化し(図2S8、図3(e))、例えば、SF6(六フッ化硫黄)、NF3(三フッ化窒素)、CF4(四フッ化炭素)等によるRIE(反応性イオンエッチング)等のドライエッチングや、HF(フッ化水素酸)水溶液およびH2O2水溶液からなる混合液に浸漬する等のウェットエッチング、もしくはそれらの組み合わせにより、エッチングマスク層121形成部外のp型非晶質シリコン層105およびi型非晶質シリコン層104をエッチングにより除去する。このエッチングマスク層121は、フォトリソグラフィー法や印刷法により櫛形状の形成が可能であり、かつ、第3の非晶質系半導体層104および第4の非晶質系半導体層105のウェットもしくはドライエッチングに対するマスク機能を有する材料が選択される。印刷法で形成する場合には、例えばMicropositS1813G(Dow)をはじめとして、感光性材料に限らず前述の性質を有するインク材料であれば何ら問題なく、印刷方法に応じて適宜溶媒の希釈により粘度が調整される。
次に、露出したエッチングマスク層120を剥離液で除去する(図2S9、図3(f))。永久膜用レジストとしてKMPR−1000を用いた場合は、剥離液としてN−メチルピロリジノンやRemover K(日本化薬株式会社)を用いることが出来る。なお、この際にエッチングマスク層121が同時に剥離または溶解により除去されても問題ない。エッチングマスク層120を除去後にエッチングマスク層121が残留している場合は、エッチングマスク層120除去後に、エッチングマスク層120を侵さない例えばアセトン等の溶剤によりエッチングマスク層121を溶解し除去する(図2S10、図3(g))。
次に、n型非晶質シリコン層103上およびp型非晶質シリコン層105上に透明電極(裏面電極)106および107を形成する(図2S11)。この透明電極形成は、透明電極インクを用いたインクジェット印刷法により形成してもよいし、スパッタ法またはMOCVD(有機金属気相成長)法によるITOまたはZnO等の透明電極の全面形成と、それに続く所望の櫛形状に形成したエッチングマスクの形成とウェットエッチングによって形成する方法でもよいし、また所望の櫛形状の孔を有するメタルマスク等を用いて、スパッタ法またはMOCVD(有機金属気相成長)法によるITOまたはZnO等の透明電極を所望の櫛形状に形成してもよく、使用設備等に応じて適宜選択される。この裏面電極106と裏面電極107との間の間隔は、電極間の短絡やリーク電流を抑制するために10μm以上であることが望ましく、一方、多数キャリアの電子に対する直接抵抗を小さくするためには100μm以下であることが望ましい。なお、次に形成する集電極108とn型非晶質シリコン層103の間においてオーミックコンタクトが形成可能かつ電極材料の拡散が影響しない場合には、裏面電極106は必ずしも必要ない。
次に、裏面電極106および107上にAg(銀)集電極108および109を形成する(図2S12、図3(h))。この集電極形成は、Agインクを用いたインクジェット印刷法やスクリーン印刷法により形成してもよいし、スパッタ法または蒸着法によるAg膜の全面形成と、それに続く所望の櫛形状に形成したエッチングマスクの形成とウェットエッチングによって電極形成する方法でもよいし、また所望の櫛形状の孔を有するメタルマスク等を用いて、スパッタ法または蒸着法によりAg電極を所望の櫛形状に形成してもよく、使用設備等に応じて適宜選択される。また、集電極の材料はAgに限らず、Al(アルミニウム)、Cu(銅)、Au(金)等の他の材料でもよい。
最後に、i型非晶質シリコン層110上にスパッタ法等により反射防止層111を形成する(図2S13、図3(i))。
前記製造法において、n型非晶質シリコン層103の不純物元素としてP(リン)を挙げたが、それに限らずAs(ヒ素)、Sb(アンチモン)等の第15族元素を用いてもよい。また、p型非晶質シリコン層105の不純物元素としてB(ボロン)を挙げたが、それに限らずAl、Ga(ガリウム)等の第13族元素を用いてもよい。
1 一導電体を示す半導体基板
2 真性の第1の非晶質系半導体層
3 導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体層
4 真性の第3の非晶質系半導体層
5 第2の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体層
6 第1の裏面電極
7 第1の集電極
8 第2の裏面電極
9 第2の集電極
10 真性の非晶質系半導体層
11 反射防止層
20 絶縁層(エッチングマスク層)
101 n 型単結晶シリコン基板
102,104,110 i 型非晶質シリコン膜
103 n 型非晶質シリコン膜
105 p 型非晶質シリコン膜
106,107 裏面電極
108,109 集電極
111 反射防止膜
120 エッチングマスク層
121 エッチングマスク層
100,200 太陽電池
2 真性の第1の非晶質系半導体層
3 導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体層
4 真性の第3の非晶質系半導体層
5 第2の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体層
6 第1の裏面電極
7 第1の集電極
8 第2の裏面電極
9 第2の集電極
10 真性の非晶質系半導体層
11 反射防止層
20 絶縁層(エッチングマスク層)
101 n 型単結晶シリコン基板
102,104,110 i 型非晶質シリコン膜
103 n 型非晶質シリコン膜
105 p 型非晶質シリコン膜
106,107 裏面電極
108,109 集電極
111 反射防止膜
120 エッチングマスク層
121 エッチングマスク層
100,200 太陽電池
Claims (3)
- 受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板の裏面上の一面に真性の第1の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第1の非晶質系半導体膜上の一面に導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第2の非晶質系半導体膜上に、前記第1及び第2の非晶質系半導体膜が櫛形状に残るように電気的絶縁性を有する第1のエッチングマスク層を形成した後、前記第1及び第2の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、
エッチングにより露出した前記半導体基板の裏面上及び前記第1のエッチングマスク層上に真性の第3の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第3の非晶質系半導体膜上の一面に前記第2の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第1のエッチングマスク層の端から短手方向に、前記第1のエッチングマスク層、前記第3の非晶質系半導体膜及び前記第4の非晶質系半導体膜と一部オーバーラップが櫛形状に残るように第2のエッチングマスク層を形成した後、前記第1のエッチングマスク層及び前記第3及び第4の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、
前記第2の非晶質系半導体層上で前記第1のエッチングマスク層が無い領域に第1の電極を形成する工程と、
前記第4の非晶質系半導体層上で、前記オーバーラップのない領域に第2の電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記第1のエッチングマスク層がレジスト材料からなることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1のエッチングマスク層を印刷法で形成することを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017061810A JP2018164057A (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 太陽電池の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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CN114203833A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-18 | 福建金石能源有限公司 | 一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法 |
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- 2017-03-27 JP JP2017061810A patent/JP2018164057A/ja active Pending
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WO2021230227A1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池製造方法 |
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