RU2014118033A - Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение - Google Patents
Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014118033A RU2014118033A RU2014118033/28A RU2014118033A RU2014118033A RU 2014118033 A RU2014118033 A RU 2014118033A RU 2014118033/28 A RU2014118033/28 A RU 2014118033/28A RU 2014118033 A RU2014118033 A RU 2014118033A RU 2014118033 A RU2014118033 A RU 2014118033A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal oxide
- layer
- oxide
- liquid phase
- metal
- Prior art date
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract 72
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract 28
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 18
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 9
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PDKGWPFVRLGFBG-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) silicon(4+) Chemical compound [O-2].[Hf+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] PDKGWPFVRLGFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1225—Deposition of multilayers of inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02469—Group 12/16 materials
- H01L21/02472—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02483—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления полупроводникового ламината, включающего в себяпервый слой оксида металла, второй слой оксида металла и слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла расположен между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика,причем способ включает в себя:формирование первого соля оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси, из первой жидкой фазы, причем первый слой оксида металла имеет толщину менее 20 нм, и первая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбирают из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси,формирование второго слоя оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси, из второй жидкой фазы, причем вторая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбран из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси.причем по меньшей мере один оксид металла первого слоя и по меньшей мере один оксид металла второго слоя различны.2. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет
Claims (28)
1. Способ изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя
первый слой оксида металла, второй слой оксида металла и слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла расположен между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика,
причем способ включает в себя:
формирование первого соля оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси, из первой жидкой фазы, причем первый слой оксида металла имеет толщину менее 20 нм, и первая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбирают из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси,
формирование второго слоя оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси, из второй жидкой фазы, причем вторая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбран из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси.
причем по меньшей мере один оксид металла первого слоя и по меньшей мере один оксид металла второго слоя различны.
2. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет толщину 0,5-20 нм.
3. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла имеет толщину, по меньшей мере равную толщине первого слоя оксида металла.
4. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя по меньшей мере один оксид металла, который не содержится в первом слое оксида металла.
5. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя по меньшей мере два оксида металла.
6. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла включает в себя по меньшей мере два оксида металла.
7. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя оксид кремния.
8. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла по существу состоит из оксида индия (In2O3) или оксида индия-галлия.
9. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла по существу состоит из ZnO, Ga2O3, HfO2, SiO2, оксида кремния-галлия или оксида кремния-гафния.
10. Способ по п. 1, причем формирование первого слоя оксида металла включает в себя:
нанесение первой жидкой фазы на слой диэлектрика и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла первой жидкой фазы на слой диэлектрика, чтобы сформировать первый слой оксида металла на слое диэлектрика,
и, причем, формирование второго слоя оксида металла включает в себя:
нанесение второй жидкой фазы на первый слой оксида металла и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла второй жидкой фазы на первый слой оксида металла, чтобы сформировать второй слой оксида металла на первом слое оксида металла.
11. Способ по п. 1, причем формирование второго слоя оксида металла включает в себя:
нанесение второй жидкой фазы на субстрат и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла второй жидкой фазы на субстрат, чтобы сформировать второй слой оксида металла на субстрате,
и причем формирование первого слоя оксида металла включает в себя:
нанесение первой жидкой фазы на второй слой оксида металла и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла первой жидкой фазы на второй слой оксида металла, чтобы сформировать первый слой оксида металла на втором слое оксида металла, и
нанесение слоя диэлектрика на первый слой оксида металла.
12. Способ по п. 10, причем первую и/или вторую жидкую фазы наносят способами, выбранными из группы, которую образуют процессы печати, процессы распыления, способы нанесения покрытия с использованием вращения, погружные процессы и покрытие с помощью щелевых головок.
13. Способ по п. 11, причем первую и/или вторую жидкую фазы наносят способами, выбранными из группы, которую образуют процессы печати, процессы распыления, способы нанесения покрытия с использованием вращения, погружные процессы и покрытие с помощью щелевых головок.
14. Способ по п. 1, причем по меньшей мере один предшественник оксида металла первой и/или второй жидкой фазы происходит из класса алкоксидов металлов и/или оксоалкоксидов металлов.
15. Способ по п. 14, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя по меньшей мере один органический растворитель.
16. Способ по п. 15, причем органический растворитель по существу безводен.
17. Способ по п. 1, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя по меньшей мере один оксид металла типа частиц оксида металла.
18. Способ по п. 1, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя водную фазу.
19. Способ по п. 17, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя водную фазу.
20. Способ по п. 10, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла также включает в себя тепловую обработку первой и/или второй жидкой фазы.
21. Способ по п. 11, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла также включает в себя тепловую обработку первой и/или второй жидкой фазы.
22. Способ по одному из пп. 10, 11, 20 и 21, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла включает в себя облучение первой и/или второй жидкой фазы электромагнитным излучением, в частности УФ, ИК и/или видимым излучением, причем, в частности, перед, во время или после тепловой обработки первой и/или второй жидкой фазы первую и/или вторую жидкую фазу облучают УФ-излучением.
23. Способ по одному из пп. 10, 11, 20 и 21, причем первый и/или второй слой оксида металла формируют в содержащей кислород атмосфере, в частности на воздухе.
24. Способ по одному из пп. 20 или 21, причем первый и/или второй слой оксида металла подвергают тепловой обработке при температуре в 100-450°С, предпочтительно при 150-350°С.
25. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет толщину 0,5-10 нм, предпочтительно 2-5 нм.
26. Полупроводниковый ламинат, изготовленный способом по пп. 1-25.
27. Электронная деталь, включающая в себя полупроводниковый ламинат по п. 26.
28. Электронная деталь по п. 27, причем электронная деталь представляет собой транзистор, тонкослойный транзистор, RFID-метку или объединительную плату TFT для экранов.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011084145.8 | 2011-10-07 | ||
DE102011084145A DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2011-10-07 | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
PCT/EP2012/067804 WO2013050221A1 (de) | 2011-10-07 | 2012-09-12 | Verfahren zur herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden metalloxidschichten, nach dem verfahren hergestellte schichten und deren verwendung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014118033A true RU2014118033A (ru) | 2015-11-27 |
RU2601210C2 RU2601210C2 (ru) | 2016-10-27 |
Family
ID=46832402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014118033/28A RU2601210C2 (ru) | 2011-10-07 | 2012-09-12 | Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9059299B2 (ru) |
EP (1) | EP2748857B1 (ru) |
JP (1) | JP6192646B2 (ru) |
KR (1) | KR102060492B1 (ru) |
CN (1) | CN103959478B (ru) |
DE (1) | DE102011084145A1 (ru) |
IN (1) | IN2014CN03328A (ru) |
RU (1) | RU2601210C2 (ru) |
TW (1) | TWI555088B (ru) |
WO (1) | WO2013050221A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
DE102013109451B9 (de) | 2013-08-30 | 2017-07-13 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
EP2874187B1 (en) | 2013-11-15 | 2020-01-01 | Evonik Operations GmbH | Low contact resistance thin film transistor |
DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
US10892327B2 (en) | 2015-09-14 | 2021-01-12 | University College Cork | Semi-metal rectifying junction |
US9515158B1 (en) * | 2015-10-20 | 2016-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same |
DE102015121067B4 (de) * | 2015-12-03 | 2018-10-18 | Technische Universität Dresden | Verfahren zur Reparaturvorbereitung von Faser-Kunststoff-Verbünden |
GB2549951B (en) * | 2016-05-03 | 2019-11-20 | Metodiev Lavchiev Ventsislav | Light emitting structures and systems on the basis of group-IV material(s) for the ultra violet and visible spectral range |
KR101914835B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2018-11-02 | 아주대학교산학협력단 | 금속산화물 이종 접합 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막트랜지스터 |
CN108396312B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-04-17 | 东华大学 | 一种快速制备高平整度金属氧化物薄膜的方法 |
WO2019200164A1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | The Regents Of The University Of California | Devices and methods for detecting/discriminating complementary and mismatched nucleic acids using ultrathin film field-effect transistors |
US11282966B2 (en) | 2019-03-06 | 2022-03-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor materials |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06136162A (ja) | 1992-10-21 | 1994-05-17 | Fujimori Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
JPH09157855A (ja) | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
CN1101352C (zh) | 2000-07-15 | 2003-02-12 | 昆明理工大学 | 铟锡氧化物薄膜溶胶—凝胶制备方法 |
US7604839B2 (en) * | 2000-07-31 | 2009-10-20 | Los Alamos National Security, Llc | Polymer-assisted deposition of films |
US20060088962A1 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Herman Gregory S | Method of forming a solution processed transistor having a multilayer dielectric |
JP4021435B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2007-12-12 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録再生装置 |
US7374984B2 (en) | 2004-10-29 | 2008-05-20 | Randy Hoffman | Method of forming a thin film component |
RU2305346C2 (ru) * | 2004-11-29 | 2007-08-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова) | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
JP2007073704A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 半導体薄膜 |
JP2007073074A (ja) * | 2006-12-04 | 2007-03-22 | Omron Corp | 医療情報処理システムおよび医療情報処理方法、並びに、情報処理装置および情報処理方法 |
DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
JP5489445B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP5250322B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 |
JP2010050165A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置 |
DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
JP2010120270A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
JP2010258057A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属酸化物半導体、その製造方法、及びそれを用いた薄膜トランジスタ |
WO2010122274A1 (en) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Panasonic Corporation | Oxide semiconductor |
KR20100130850A (ko) * | 2009-06-04 | 2010-12-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
DE102009028801B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-04-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
JP5503667B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-05-28 | 株式会社日立製作所 | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 |
US9263591B2 (en) * | 2009-12-18 | 2016-02-16 | Basf Se | Metal oxide field effect transistors on a mechanically flexible polymer substrate having a die-lectric that can be processed from solution at low temperatures |
DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
KR20110106225A (ko) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 |
KR101669953B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2016-11-09 | 삼성전자 주식회사 | 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자 |
DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
JP6150038B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2017-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス |
-
2011
- 2011-10-07 DE DE102011084145A patent/DE102011084145A1/de not_active Ceased
-
2012
- 2012-09-12 RU RU2014118033/28A patent/RU2601210C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-09-12 US US14/348,948 patent/US9059299B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-12 WO PCT/EP2012/067804 patent/WO2013050221A1/de active Application Filing
- 2012-09-12 KR KR1020147011596A patent/KR102060492B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-12 IN IN3328CHN2014 patent/IN2014CN03328A/en unknown
- 2012-09-12 CN CN201280060170.8A patent/CN103959478B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-12 EP EP12758475.3A patent/EP2748857B1/de not_active Not-in-force
- 2012-09-12 JP JP2014533817A patent/JP6192646B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-03 TW TW101136507A patent/TWI555088B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102060492B1 (ko) | 2020-02-11 |
CN103959478A (zh) | 2014-07-30 |
TWI555088B (zh) | 2016-10-21 |
DE102011084145A1 (de) | 2013-04-11 |
TW201334070A (zh) | 2013-08-16 |
RU2601210C2 (ru) | 2016-10-27 |
US9059299B2 (en) | 2015-06-16 |
KR20140072148A (ko) | 2014-06-12 |
IN2014CN03328A (ru) | 2015-07-03 |
WO2013050221A1 (de) | 2013-04-11 |
JP6192646B2 (ja) | 2017-09-06 |
US20150053966A1 (en) | 2015-02-26 |
CN103959478B (zh) | 2016-10-26 |
EP2748857A1 (de) | 2014-07-02 |
EP2748857B1 (de) | 2018-06-13 |
JP2015501529A (ja) | 2015-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2014118033A (ru) | Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение | |
John et al. | Low-temperature chemical transformations for high-performance solution-processed oxide transistors | |
KR101835194B1 (ko) | 금속 산화물 막 형성용 도포액, 금속 산화물 막, 전계 효과형 트랜지스터 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 | |
JP5769709B2 (ja) | 酸化インジウム含有層の製造方法 | |
JP5864434B2 (ja) | 酸化インジウム含有層の形成方法、この方法により形成された酸化インジウム含有層および該酸化インジウム含有層の使用 | |
JP6141362B2 (ja) | 半導体の酸化インジウム膜の製造法、該方法に従って製造された酸化インジウム膜及び該膜の使用 | |
JP6161764B2 (ja) | 酸化インジウム含有層の製造方法 | |
KR101725573B1 (ko) | 금속 산화물-함유 층의 제조 방법 | |
TWI548642B (zh) | 用於製備含有氧化銦之層的烷醇側氧基銦(indium oxo alkoxide) | |
US10196740B2 (en) | Laminate and method of manufacturing the same, and gas barrier film and method of manufacturing the same | |
US20160005879A1 (en) | Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and x-ray sensor | |
Wei et al. | High-performance spin-coated aluminum oxide dielectric fabricated by a simple oxygen plasma-treatment process | |
JP6236778B2 (ja) | 金属酸化物膜形成用塗布液、金属酸化物膜、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
WO2014173146A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
Yang et al. | Solution-Processed Indium–Zinc-Oxide Thin Film Transistors With High-$ k $ Magnesium Titanium Oxide Dielectric | |
CN111180310B (zh) | 金属氧化物薄膜图案化的方法及应用 | |
KR102292382B1 (ko) | 금속 산화물 막 형성용 도포액, 산화물 막, 전계 효과형 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
KR20130106181A (ko) | 산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터 | |
WO2018074607A1 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成溶液 | |
TWI534308B (zh) | 藍寶石及其抗菌化處理方法 | |
WO2013179028A3 (en) | Stabilising thin metal films on substrates | |
JP2023032281A (ja) | 金属酸化物膜の製造方法、それを用いて製造された金属酸化物膜および電子デバイス | |
CN111180309A (zh) | 氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法 | |
JP2019091740A (ja) | 塗布型金属酸化物膜の製造方法、それを用いて製造された塗布型金属酸化物膜および電子デバイス | |
Li et al. | Investigation on the Solution-Based Metal-Oxide Semiconductor Film and its Properties |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190913 |