JP4021435B2 - 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
11 中間層
12 磁気記録層
13 磁気記録層の柱状粒子
14 酸化物粒界層
15 中間層の粒子直径を測定する位置
16 磁気記録層を構成する柱状粒子の中間層側部分の直径を測定する位置
17 磁気記録層を構成する柱状粒子の保護層側部分の直径を測定する位置
18 磁気記録層を構成する柱状粒子を膜厚方向に2等分する線
20 基板
21 プリコート層
22 軟磁性層
23 シード層
24 中間層
25 磁気記録層
26 保護層
150 シード層
151 Ru中間層
152 Ru合金中間層
153 磁気記録層
154 Ru合金中間層のRu粒子
155 磁気記録層の柱状粒子
156 酸化物粒界層
157 Ru合金中間層のRu粒子の直径を測定する位置
Claims (15)
- 基板上に少なくとも軟磁性層、中間層、磁気記録層及び保護層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、前記グラニュラー構造は前記柱状粒子が前記中間層との界面から前記保護層との界面まで連続した柱状の形状となっており、前記柱状粒子は当該柱状粒子を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の直径が前記中間層側部分の直径より大きい形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1に記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は当該磁気記録層を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の酸素含有率が前記中間層側部分の酸素含有率より低い酸素含有率分布を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項1に記載の垂直磁気記録媒体において、前記中間層が複数の層からなり、複数の中間層のなかで前記磁気記録層の直下に位置する中間層がRuからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項1に記載の垂直磁気記録媒体において、前記中間層は複数の層からなり、前記複数の層のなかで前記磁気記録層の直下に位置する層は多数の粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、前記磁気記録層を構成する柱状粒子の前記保護層側部分の直径と前記中間層側部分の直径を平均した直径が、前記磁気記録層の直下に位置する層を構成する粒子の直径より大きいことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項4に記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層の酸素含有率が、前記磁気記録層の真下に位置する中間層の酸素含有率より低いことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項4に記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層の直下に位置する中間層を構成する多数の粒子がRuからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項6に記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層の真下に位置する中間層を構成する粒子の直径が5nm以上8nm未満であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に対して記録再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して駆動する磁気ヘッド駆動部とを含み、
前記磁気記録媒体は、基板上に少なくとも軟磁性層、中間層、磁気記録層及び保護層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であり、前記磁気記録層は柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、前記グラニュラー構造は前記柱状粒子が前記中間層との界面から前記保護層との界面まで連続した柱状の形状となっており、前記柱状粒子は当該柱状粒子を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の直径が前記中間層側部分の直径より大きい形状を有することを特徴とする磁気記録再生装置。 - 請求項8に記載の磁気記録再生装置において、前記中間層は複数の層からなり、前記複数の層のなかで前記磁気記録層の直下に位置する層は多数の粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、前記磁気記録層を構成する柱状粒子の前記保護層側部分の直径と前記中間層側部分の直径を平均した直径が、前記磁気記録層の直下に位置する層を構成する粒子の直径より大きいことを特徴とする磁気記録再生装置。
- 基板上に少なくとも軟磁性層、中間層、磁気記録層及び保護層が順次積層されてなり、前記磁気記録層が多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、前記グラニュラー構造は前記柱状粒子が前記中間層との界面から前記保護層との界面まで連続した柱状の形状となっており、前記柱状粒子は当該柱状粒子を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の直径が前記中間層側部分の直径より大きい形状となっている垂直磁気記録媒体の製造方法において、
前記磁気記録層は少なくとも2つの連続したステップからなるスパッタリングプロセスにより形成され、最初に実行されるステップにおけるスパッタリングの投入電力がその後に実行されるステップにおけるスパッタリングの投入電力より小さいことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 基板上に少なくとも軟磁性層、中間層、磁気記録層及び保護層が順次積層されてなり、前記磁気記録層が多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、前記グラニュラー構造は前記柱状粒子が前記中間層との界面から前記保護層との界面まで連続した柱状の形状となっており、前記柱状粒子は当該柱状粒子を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の直径が前記中間層側部分の直径より大きい形状となっている垂直磁気記録媒体の製造方法において、
前記磁気記録層は少なくとも2つの連続したステップからなるスパッタリングプロセスにより形成され、最初に実行されるステップに使用される酸素ガス流量がその後に実行されるステップに使用される酸素ガス流量より大きいことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 基板上に軟磁性層を形成するステップと、
前記軟磁性層上に中間層を形成するステップと、
前記中間層上に多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成され、前記柱状粒子が前記中間層との界面から磁気記録層内で連続した柱状の形状となっており、前記柱状粒子は当該柱状粒子を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の直径が前記中間層側部分の直径より大きい形状となっているグラニュラー構造を有する磁気記録層を形成するステップとを有し、
前記磁気記録層を形成するステップは、
投入電力をP1としたスパッタリングプロセスにて磁気記録層の初層を形成する第1のステップと、
投入電力をP1から連続的に増加させたP2としてスパッタリングプロセスにて磁気記録層の後層を形成する第2のステップとからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項12記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記磁気記録層の後層における酸素含有率が前記磁気記録層の初層における酸素含有率より低いことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 基板上に軟磁性層を形成するステップと、
前記軟磁性層上に中間層を形成するステップと、
前記中間層上に多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成され、前記柱状粒子が前記中間層との界面から磁気記録層内で連続した柱状の形状となっており、前記柱状粒子は当該柱状粒子を膜厚方向に2等分した場合の前記保護層側部分の直径が前記中間層側部分の直径より大きい形状となっているグラニュラー構造を有する磁気記録層を形成するステップとを有し、
前記磁気記録層を形成するステップは、
プロセスガス中の酸素ガス流量をF1としたスパッタリングプロセスにて前記磁気記録層の初層を形成する第1のステップと、
前記プロセスガス中の酸素ガス流量をF1から連続的に減少させたF2としたスパッタリングプロセスにて前記磁気記録層の後層を形成する第2のステップとからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項14記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記磁気記録層の後層における酸素含有率が、前記磁気記録層の初層における酸素含有率より低いことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
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