JP6150038B2 - 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 36
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 193
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 191
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 155
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 43
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 460
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 26
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 17
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 9
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum;oxonickel Chemical compound [La].[Ni]=O RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N [K].[Bi] Chemical compound [K].[Bi] YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002112 ferroelectric ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N manganate Chemical compound [O-][Mn]([O-])(=O)=O LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
かかる態様では、金属酸化層によって振動板を容易に厚膜化することができる。また、酸化ジルコニウム層によって酸化ジルコニウム層との上下の膜との密着力を向上することができる。さらに、酸化ジルコニウム層が、圧電体層に含まれる成分の拡散を抑制する拡散防止層として機能するため、酸化ジルコニウム層の圧電体層とは反対側に設けられた下地への圧電体層の成分の拡散を抑制することができる。
かかる態様では、層間剥離等の破壊を抑制して信頼性を向上することができる液体噴射装置を実現できる。
かかる態様では、金属酸化層によって振動板を容易に厚膜化することができる。また、酸化ジルコニウム層によって酸化ジルコニウム層との上下の膜との密着力を向上することができる。さらに、酸化ジルコニウム層が、圧電体層に含まれる成分の拡散を抑制する拡散防止層として機能するため、酸化ジルコニウム層の圧電体層とは反対側に設けられた下地への圧電体層の成分の拡散を抑制することができる。
かかる態様では、金属酸化膜によって振動板を容易に厚膜化することができ、高周波駆動が可能となる。
かかる態様では、高周波駆動が可能な超音波デバイスを実現できる。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図2は、インクジェット式記録ヘッドの平面図及びA−A′線断面図であり、図3は、第1の方向Xの要部を拡大した断面図である。
図4(a)に示すように、液相法によって形成した酸化ジルコニウムは、粒状の結晶となっている。これに対して、図4(b)に示すように、気相法によって形成した酸化ジルコニウムは、下地側から圧電体層70側に向かって形成された柱状の結晶となっている。
第2電極80としては、圧電体層70との界面を良好に形成できること、絶縁性及び圧電特性を発揮できる材料が望ましく、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、金(Au)等の貴金属材料、及びランタンニッケル酸化物(LNO)に代表される導電性酸化物が好適に用いられる。また、第2電極80は、複数材料の積層であってもよい。そして、第2電極80は、スパッタリング法、レーザーアブレーション法などのPVD(Physical Vapor Deposition)法(気相法)、ゾル−ゲル法、MOD(Metal-Organic Decomposition)法、メッキ法などの液相法により形成することができる。
また、圧力発生室12の第2の方向Yの一端側(インク供給路側)における第2電極80の端部は、圧電体層70の端部よりも内側(圧力発生室12側)に位置している。つまり、圧電体層70の第2の方向Yの端部は、第2電極80よりも外側に突出して設けられている。
このような圧電素子300では、第2電極80が、圧電体層70を覆っているため、第1電極60と第2電極80との間で電流がリークすることがなく、圧電素子300の破壊を抑制することができる。ちなみに、第1電極60と第2電極80とが近接した状態で露出されていると、圧電体層70の表面を電流がリークし、圧電体層70が破壊されてしまう。ちなみに、第1電極60と第2電極80とが露出されていても距離が近くなければ、電流のリークは発生しない。
このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上には、図1及び図2に示すように、圧電素子300を保護する保護基板30が接着剤35によって接合されている。
まず、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に振動板50を形成する。具体的には、図6(a)に示すように、流路形成基板用ウェハー110を熱酸化することによって、二酸化シリコンからなる酸化層51を形成する。
より詳細には、まず、カルボン酸に、金属アルコキシド又は金属カルボン酸塩と増粘剤を加え、その後、水(H2O)を加えて、約70℃で約2時間の加熱攪拌を行い、均一で透明な前駆体溶液を得る。この前駆体溶液をスピンコート法により、回転数1400rpmで基板に塗布する(塗布工程)。次に、この基板に塗布された溶液を160℃〜200℃に加熱して、約5分間乾燥し、乾燥膜を得る(乾燥工程)。そして、この乾燥膜を375℃〜415℃に加熱して、約5分間保持することによって脱脂する(脱脂工程)。なお、ここで言う脱脂とは、乾燥膜に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。より厚い酸化ジルコニウム層52を得たい場合は、脱脂工程後に、最初の塗布工程に戻り、次いで乾燥工程及び脱脂工程を繰り返し行ってもよい。この脱脂工程の後、乾燥膜を750℃〜850℃に加熱して約10秒間〜3分間保持することによって結晶化させる(仮焼成工程)。なお、仮焼成工程においては、加熱時間が長いと表面が荒れ、焼成界面のボイドが発生し、エッチングできなくなる虞がある。このため、仮焼成工程はなるべく短時間が好ましい。さらに厚い酸化ジルコニウム層52を得たい場合は、この仮焼成工程の後に、最初の塗布工程に戻り、次いで乾燥工程、脱脂工程及び仮焼成工程を繰り返し行ってもよい。そして、仮焼成工程の後、800℃〜950℃に加熱して約1時間保持することによって、酸化ジルコニウム層52を形成する(本焼成工程)。なお、乾燥工程、脱脂工程、仮焼成工程及び本焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTA(Rapid Thermal Annealing)装置やホットプレート等が挙げられる。
このように液相法によって形成された酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム層52は、上述のように柱状の結晶構造を有する。
これにより、流路形成基板10側(流路形成基板用ウェハー110側)から酸化層51、酸化ジルコニウム層52及び金属酸化層53が積層された振動板50が形成される。このように形成された振動板50(積層膜の場合、電極形成側)は、絶縁体であること、かつ圧電体層70の形成時の温度(一般に500℃以上)に耐えうることが必須であるほか、シリコンウェハーを流路形成基板10に用いて、且つ圧力発生室12等の流路を形成する際に、KOH(水酸化カリウム)による異方性エッチングを用いる場合、振動板(積層の場合、シリコンウェハー側)はエッチングストップ層として機能することが必要である。また、振動板50の一部に二酸化シリコンを使用した場合、圧電体層70に含まれる鉛やビスマスなどが二酸化シリコンに拡散すると、二酸化シリコンが変質し、上層の電極や圧電体層70が剥離する。このため、二酸化シリコンへの拡散防止層も必要となる。本実施形態では、酸化ジルコニウム層52及び金属酸化層53が拡散防止層として機能する。特に、液相法によって形成された酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム層52は、圧電体層70に含まれる鉛やビスマスなどの成分の拡散を抑制する拡散防止層として高く機能する。
ちなみに、2層目以降の圧電体膜74は、振動板50上、第1電極60及び1層目の圧電体膜74の側面上、及び1層目の圧電体膜74上に亘って連続して形成される。
このように圧電体層70を形成した際に、圧電体層70に含まれる成分、例えば、鉛(Pb)やビスマス(Bi)の拡散は、酸化ジルコニウム層52によって抑制される。
次に、図9(a)に示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35(図2参照)を介して接合した後、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚みに薄くする。
以下、本発明の一実施形態である超音波トランスデューサー及び超音波トランスデューサーを搭載する超音波デバイスについて説明する。なお、以下の説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であることとは限らない。また、上述した実施形態1と同一の部材には同一の符号をつけて重複する説明は省略する。
図18(a)に示すように、複数の発信用超音波トランスデューサー301と受信用超音波トランスデューサー302とが基板開口部12を有する基板10上にアレイ状に設けられ、超音波デバイス200(アレイセンサー)を成している。複数の発信用超音波トランスデューサー301及び複数の受信用超音波トランスデューサー302を列ごとに交互に配置し、トランスデューサーの列ごとに通電は切り替えられる。こうした通電の切り替えに応じてラインスキャンやセクタースキャンは実現される。また、通電するトランスデューサーの個数と列数とに応じて超音波の出力と入力とのレベルが決定される。図中では省略されて6行×6列が描かれる。配列の行数と列数はスキャンの範囲の広がりに応じて決定される。
さらに、圧電体層70の膜厚を薄くすることによって変位特性を向上させ、超音波の発信と受信の効率を向上できる効果が得られる。
なお、本実施形態の超音波デバイスを構成する超音波トランスデューサーは、上述した実施形態1の図10〜図16の何れの構成も適用することが可能である。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したものに限定されるものではない。
例えば、上述した各実施形態では、各能動部310の圧電体層70が連続的に設けられた構成を例示したが、勿論、圧電体層70は、能動部310毎に独立して設けられていてもよい。また、例えば、上述した各実施形態では、第2電極80を複数の能動部310の共通電極とし、第1電極60を各能動部310の個別電極としたが、特にこれに限定されず、例えば、第1電極60を複数の能動部310に共通する共通電極とし、第2電極80を各能動部310の個別電極としてもよい。
Claims (10)
- 振動板と、
該振動板上に設けられた第1電極と、
該第1電極上に設けられた圧電体層と、
該圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備し、
前記振動板が、それぞれ気相法によって設けられた金属酸化物からなる第1金属酸化層及び第2金属酸化層と、
液相法によって設けられた酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム層と、を具備し、
前記酸化ジルコニウム層は、前記第1金属酸化層と前記第2金属酸化層との間に設けられていることを特徴とする圧電素子。 - 振動板と、
該振動板上に設けられた第1電極と、
該第1電極上に設けられた圧電体層と、
該圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備し、
前記振動板が、気相法によって設けられた金属酸化物からなる金属酸化層と、
それぞれ液相法によって設けられた酸化ジルコニウムからなる第1酸化ジルコニウム層及び第2酸化ジルコニウム層と、を具備し、
前記金属酸化層は、前記第1酸化ジルコニウム層と前記第2酸化ジルコニウム層との間に設けられていることを特徴とする圧電素子。 - 振動板と、
該振動板上に設けられた第1電極と、
該第1電極上に設けられた圧電体層と、
該圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備し、
前記振動板が、それぞれ柱状の結晶構造を有する金属酸化物からなる第1金属酸化層及び第2金属酸化層と、
粒状の結晶構造を有する酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム層と、を具備し、
前記酸化ジルコニウム層は、前記第1金属酸化層と前記第2金属酸化層との間に設けられていることを特徴とする圧電素子。 - 振動板と、
該振動板上に設けられた第1電極と、
該第1電極上に設けられた圧電体層と、
該圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備し、
前記振動板が、柱状の結晶構造を有する金属酸化物からなる金属酸化層と、
それぞれ粒状の結晶構造を有する酸化ジルコニウムからなる第1酸化ジルコニウム層及び第2酸化ジルコニウム層と、を具備し、
前記金属酸化層は、前記第1酸化ジルコニウム層と前記第2酸化ジルコニウム層との間に設けられていることを特徴とする圧電素子。 - 前記金属酸化物が、酸化ジルコニウム、酸化チタン、イットリア安定化ジルコニア及び酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の圧電素子。
- 液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板と、
請求項1〜5の何れか一項に記載の圧電素子と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 前記振動板が、前記流路形成基板側に、前記金属酸化物とは異なる材料の酸化物で形成された酸化層をさらに具備することを特徴とする請求項6に記載の液体噴射ヘッド。
- 請求項6又は7に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
- 少なくとも請求項1〜5の何れか一項に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波トランスデューサー。
- 開口を有する基板と、
前記基板上に設けられた請求項9に記載の超音波トランスデューサーと、
を具備することを特徴とする超音波デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013051086A JP6150038B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス |
US14/173,883 US9272515B2 (en) | 2013-03-13 | 2014-02-06 | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, piezoelectric element, ultrasonic transducer, and ultrasonic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013051086A JP6150038B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014176985A JP2014176985A (ja) | 2014-09-25 |
JP6150038B2 true JP6150038B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=51525536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013051086A Active JP6150038B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9272515B2 (ja) |
JP (1) | JP6150038B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
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---|---|---|---|---|
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JP2017052254A (ja) | 2015-09-11 | 2017-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電デバイスの製造方法 |
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JP2022154910A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
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JP2022175223A (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-25 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置および圧電デバイスの製造方法 |
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JP5110052B2 (ja) | 2009-07-24 | 2012-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
JP5747487B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2015-07-15 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、および圧電セラミックス |
EP2701217B1 (en) * | 2011-04-18 | 2017-04-19 | Konica Minolta, Inc. | Piezoelectric actuator and ink-jet head provided with same |
-
2013
- 2013-03-13 JP JP2013051086A patent/JP6150038B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-06 US US14/173,883 patent/US9272515B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9272515B2 (en) | 2016-03-01 |
JP2014176985A (ja) | 2014-09-25 |
US20140267508A1 (en) | 2014-09-18 |
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|
A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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