JP6183599B2 - 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び超音波トランスデューサーの製造方法 - Google Patents
圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び超音波トランスデューサーの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6183599B2 JP6183599B2 JP2013170801A JP2013170801A JP6183599B2 JP 6183599 B2 JP6183599 B2 JP 6183599B2 JP 2013170801 A JP2013170801 A JP 2013170801A JP 2013170801 A JP2013170801 A JP 2013170801A JP 6183599 B2 JP6183599 B2 JP 6183599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- piezoelectric
- piezoelectric layer
- manufacturing
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 55
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- -1 SiO 2 Chemical class 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N [K].[Bi] Chemical compound [K].[Bi] YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N manganate Chemical compound [O-][Mn]([O-])(=O)=O LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Description
かかる態様では、等方性ドライエッチングによって圧電体層に凹凸を形成することで、ウェットエッチングを行う場合に比べて、圧電体層がエッチング液によるダメージを抑制することができる。また、ウェットエッチングを行う場合に比べて、所定の領域にピンポイントで凹凸を容易に形成することができる。
かかる態様では、等方性ドライエッチングによって圧電体層に凹凸を形成することで、ウェットエッチングを行う場合に比べて、圧電体層がエッチング液によるダメージを抑制することができる。また、ウェットエッチングを行う場合に比べて、所定の領域にピンポイントで凹凸を容易に形成することができる。
かかる態様では、等方性ドライエッチングによって圧電体層に凹凸を形成することで、ウェットエッチングを行う場合に比べて、圧電体層がエッチング液によるダメージを抑制することができる。また、ウェットエッチングを行う場合に比べて、所定の領域にピンポイントで凹凸を容易に形成することができる。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る圧電素子の断面図である。
図1に示すように、圧電素子300は、第1電極60と圧電体層70と第2電極80とを具備する。本実施形態では、圧電体層70の両側の面にそれぞれ第1電極60と第2電極80とを設けるようにしたが、特にこれに限定されず、圧電体層70の一方面に第1電極60と第2電極80とを分離した状態で形成してもよい。また、第1電極60及び第2電極80は、圧電体層70の表面の全面に亘って形成されていても、一部が除去されていてもよい。
図3は、本発明の実施形態2に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図4は、実施形態2に係るインクジェット式記録ヘッドの断面図であり、図5は、図4の要部を拡大した図である。
以下、本発明の一実施形態である超音波センサーについて説明する。なお、以下の説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であることとは限らない。また、上述した実施形態と同一の部材には同一の符号をつけて重複する説明は省略する。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したものに限定されるものではない。
Claims (4)
- 第1電極、圧電体層及び第2電極を有する圧電素子の製造方法であって、
前記圧電体層の一方面に酸化可能な金属層を形成し、
該金属層を熱酸化により凝集させ、
前記圧電体層の一方面側を凝集した前記金属層側から等方性ドライエッチングを行うことで、当該圧電体層の一方面側に凹凸を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。 - 前記第2電極が前記圧電体層の一方面に形成されるものであり、
前記金属層は、前記第2電極の少なくとも一部であることを特徴とする請求項1記載の圧電素子の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の圧電素子の製造方法を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
- 請求項1又は2に記載の圧電素子の製造方法を具備することを特徴とする超音波トランスデューサーの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013170801A JP6183599B2 (ja) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び超音波トランスデューサーの製造方法 |
US14/462,968 US9682560B2 (en) | 2013-08-20 | 2014-08-19 | Methods of manufacturing piezoelectric element, liquid ejecting head, and ultrasonic transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013170801A JP6183599B2 (ja) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び超音波トランスデューサーの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015041650A JP2015041650A (ja) | 2015-03-02 |
JP6183599B2 true JP6183599B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=52479053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013170801A Active JP6183599B2 (ja) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び超音波トランスデューサーの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9682560B2 (ja) |
JP (1) | JP6183599B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111551294A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-18 | 浙江大学 | 一种基于液态金属光固化打印技术的柔性压力传感器 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5990929B2 (ja) | 2012-02-24 | 2016-09-14 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 |
JP7298225B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス、及び電子機器 |
WO2022149548A1 (ja) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 富士フイルム株式会社 | 圧電フィルム |
KR102618218B1 (ko) * | 2021-08-10 | 2023-12-28 | 주식회사 세라콤 | 고변위 압전재료를 구비하는 전기장-진동 방사 트랜스듀서 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02192459A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Toyota Motor Corp | 圧電セラミックスの製造方法 |
JP3302190B2 (ja) * | 1994-09-19 | 2002-07-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5612560A (en) * | 1995-10-31 | 1997-03-18 | Northern Telecom Limited | Electrode structure for ferroelectric capacitors for integrated circuits |
JP2002134719A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005236337A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
US6872669B1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-03-29 | Texas Instruments Incorporated | PZT (111) texture through Ir texture improvement |
JP2007116004A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法、及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP2008055872A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Canon Inc | 圧電体素子 |
JP2011171335A (ja) | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチュエーターの製造方法、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2012199872A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Yamaha Corp | アクチュエータ |
-
2013
- 2013-08-20 JP JP2013170801A patent/JP6183599B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-19 US US14/462,968 patent/US9682560B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111551294A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-18 | 浙江大学 | 一种基于液态金属光固化打印技术的柔性压力传感器 |
CN111551294B (zh) * | 2020-05-21 | 2021-03-30 | 浙江大学 | 一种基于液态金属光固化打印技术的柔性压力传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9682560B2 (en) | 2017-06-20 |
US20150052715A1 (en) | 2015-02-26 |
JP2015041650A (ja) | 2015-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6150038B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス | |
JP6776554B2 (ja) | 圧電デバイス、memsデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP6064677B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び超音波センサー | |
JP6226121B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置 | |
JP6183599B2 (ja) | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び超音波トランスデューサーの製造方法 | |
JP2014175577A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波トランデューサー及び超音波デバイス | |
JP6115206B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子及びその製造方法 | |
JP2012106342A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2014197576A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス | |
JP2017052254A (ja) | 圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP2013162063A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2008172126A (ja) | アクチュエータ装置及びそれを用いた液体噴射ヘッド | |
JP2019051607A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、圧電デバイス | |
JP2010018011A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電アクチュエータ | |
JP2009166410A (ja) | 液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 | |
JP2010120270A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5790919B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2010173197A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエーター装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2011238709A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法及びこれを用いた液体噴射装置、並びに圧電素子の製造方法 | |
JP2010226077A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2010228277A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエーター装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2014179503A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス | |
JP6274423B2 (ja) | 圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2016004932A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法 | |
JP6057071B2 (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6183599 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |