RU2305346C2 - Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) - Google Patents
Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2305346C2 RU2305346C2 RU2004134698/28A RU2004134698A RU2305346C2 RU 2305346 C2 RU2305346 C2 RU 2305346C2 RU 2004134698/28 A RU2004134698/28 A RU 2004134698/28A RU 2004134698 A RU2004134698 A RU 2004134698A RU 2305346 C2 RU2305346 C2 RU 2305346C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- baln
- film
- water
- solution
- thin
- Prior art date
Links
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 title abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 37
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 12
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 claims description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical class [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical class [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical class [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical class [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000191761 Sida cordifolia Species 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 barium lanthanide Chemical class 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- LMHHRCOWPQNFTF-UHFFFAOYSA-N s-propan-2-yl azepane-1-carbothioate Chemical compound CC(C)SC(=O)N1CCCCCC1 LMHHRCOWPQNFTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004125 X-ray microanalysis Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001243 acetic acids Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid group Chemical group C(CC(O)(C(=O)O)CC(=O)O)(=O)O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 description 1
- JLRJWBUSTKIQQH-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);triacetate Chemical compound [La+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JLRJWBUSTKIQQH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002913 oxalic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/003—Titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых технологий. Сущность изобретения: в тонкопленочном материале диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью в качестве материала диэлектрика используют твердые растворы на основе сложных оксидов - перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xMx)3O10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8 (Ва, Ln) (Ti1-x-yMxTay)O5 (Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf), где х, у=0÷1. Предложены способы получения данного материала. Техническим результатом изобретения является создание тонкопленочного материала, обеспечивающего эффективную толщину оксидного диэлектрика затвора в МОП структурах не более 1,5 нм при физической толщине пленки более 3 нм, при уровне токов утечки не более 0,1 А/см2. 4 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Настоящее изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых (МОП) технологий, к получению тонкопленочных материалов диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, заменяющих оксид кремния, и может быть использовано в транзисторных устройствах с высокой степенью интегрирования.
Микросхемы на основе металлооксидных полупроводников являются фундаментом множества электронных устройств, таких как сотовые телефоны и персональные компьютеры. Технологии МОП, по которым производятся интегральные схемы с высоким быстродействием и низким энергопотреблением, широко применяются в электронных устройствах. В современных транзисторных МОП технологиях достижение высокой степени интегрирования элементов определяет необходимость уменьшения размеров составляющих элементов.
В настоящее время технологии МОП подошли к пределу, определяемому фундаментальными физическими ограничениями. В современных интегральных схемах, изготавливаемых по техпроцессу с нормой 130 nm, толщина диэлектрика затвора в транзисторах при использовании оксида кремния SiO2 составляет менее 2.5 nm. При дальнейшем масштабировании технологии интегральных схем (ИС) на меньшие габариты и для достижения высокого быстродействия толщина диэлектрика из оксида кремния также должна быть уменьшена. Соответственно для технологии МОП с нормами менее 100 nm требуются диэлектрические слои толщиной менее 1.7 nm. Однако при толщине диэлектрика менее ~3 nm ток утечки возрастает на порядок величины при снижении толщины на каждые 0.2 nm (S.I.Association, The International Technology Roadmap for Semiconductorts, Sematech, Austin, 2000; M.Hirose, M.Koh, W.Mizubayashi et al. Semicond. Sci.TechnoL, 15, 485, 2000; Y.Taur, D.A.Buchanan, W.Chen et al. IEDM Tech. Dif. 593, 1994). Вследствие этого, в современных чипах до 40% энергии может теряться из-за токов утечек. Учитывая требования к надежности ИС, это препятствует дальнейшему развитию миниатюризации ИС.
Использование более толстых диэлектрических слоев из материалов, имеющих более высокую диэлектрическую проницаемость в сравнении с диэлектрической проницаемостью диоксида кремния (ε=3.9), позволяет решить проблемы снижения токов утечки, энергопотребления и тепловыделения в высокоинтегрированных полупроводниковых устройствах (G.D.Wilk, R.M.Wallace, J.M.Antony, J. Appl. Phys, 89, 5243, 2001; KJ.Hubbard, D.G.Scholm, J. Mater. Res., 11, 2757, 1996).
Известно, что в качестве материала диэлектрика затвора может быть использован оксид алюминия Al2O3 с диэлектрической проницаемостью ε=9÷12 (Патенты США 6638399; 6620670; 6579767; 6706581; 6686248; 6693004; 6713358; 6706581; 6716707; 6717226; 6653246; 6645882). Однако высокая плотность ловушек зарядовых состояний и достаточно низкая диэлектрическая проницаемость оксида алюминия Al2О3 определяют ограниченные возможности применения пленок Al2О3 в реальных МОП устройствах (R.Ludeke, M.T.Cuberes, E.Cartier, Appl. Phys. Lett, 76, 2886, 2001).
Известно также использование оксидов лантана и редкоземельных элементов с ε=30÷150 (Патенты США 6693004; 6713358; 6689675; 6706581; 6689675; 6703277; 6716707; 6716645; 6717226; 6653246; 6645882). Недостатком, препятствующим непосредственному использованию этих оксидов в качестве материала диэлектрика затвора, является их гигроскопичность (J.Kwo, M.Honh, B.Busch et al., J. Crystal Growth, 251, 645-650, 2003). При отжиге в окислительной среде наблюдали также образование SiO2 и силиката иттрия на интерфейсных границах с подложкой и затвором (J.Kwo, M.Hong, B.Busch et al., J.Cryst. Growth, 251, 645, 2003). В случае оксида лантана установлено формирование промежуточного слоя силиката лантана. Итогом формирования таких слоев, имеющих низкую диэлектрическую проницаемость, является значительное падение емкости (J.-P.Maria, D.Wicaksana, A.I.Kingon et al., Appl.Phys.Lett., 90, 3476, 2001).
Известно применение в качестве материала затвора также сложных сегнетоэлектрических (СЭ) оксидов BaTiO3, PbTiO3, SrTiO3, PbZrO3 Pb3Ge5O11 с ε=20÷200 (Патенты США 6693004; 6703277; 6713358; 6716707; 6717226; 6716645), а также оксидов на основе сегнетоэлектриков-релаксоров Pb(ScxТа1-х)О3, Pb(Zn1/3Nb2/3)О3, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3, величина диэлектрической проницаемости которых может меняться в пределах от 20÷200 до 1000÷5000 (Патенты США 6693004; 6713358; 6716707).
Недостатком СЭ оксидов (Ва, Sr)TiO3, PbTiO3, SrTiO3, PbZrO3 является узкий диапазон термической стабильности диэлектрической проницаемости, эти оксиды имеют также высокие диэлектрические потери за счет переключения спонтанной поляризации и склонны к двойникованию, что определяет повышенную концентрацию дефектов. Микрогетерогенность материалов твердых растворов на основе сегнетоэлектриков-релаксоров, неизбежная в случае гетеровалентных катионных замещений, определяет формирование сегнетоэлектрических областей нанометровых размеров в неполярной матрице, повышенные потери и повышенную концентрацию дефектов. Для пленок этих оксидов на кремнии также характерно образование слоев оксида кремния на границе между кремниевой подложкой и диэлектриком.
Наиболее близкими к материалам, предлагаемым в настоящем изобретении, являются оксидные материалы HfO2, ZrO2, Та2О5 и TiO3 с ε=20÷40 (Патенты США 6633062; 6632729; 6580115; 6693004; 6624093; 6621114; 6620713; 6664577; 6664160; 6664116; 6713358; 6686248; 6689675; 6703277; 6706581; 6706581; 6689675; 6716707; 6716645; 6717226).
Помимо недостаточно высокой диэлектрической проницаемости, недостатком оксидов ZrO2, HfO2, Та2О5 является плохая совместимость с материалом затвора. При получении слоев этих оксидов наблюдали неконтролируемое формирование слоя диоксида кремния с низкой диэлектрической проницаемостью, определяющего значительное падение емкости. К недостаткам предложенных материалов относится также большой температурный коэффициент диэлектрической проницаемости, кроме того, оксид TiO2 легко восстановливается при низком парциальном давлении кислорода (B.H.Lee, L.Kang, R.Nieh et al., Appl.Phys.Lett, 77, 1926, 2000; C.M.Perkins, B.B.Triplett, P.C.McIntyre et al., Appl. Phys. Lett, 78, 16, 2001). (J.-P.Maria, D.Wicaksana, A.I.Kingon et al., Appl.Phys.Lett., 90, 3476, 2001).
Среди современных методов получения пленок диэлектрика затвора метод лазерного испарения является одним из наиболее привлекательных для получения тонких пленок высокого качества (Патенты США 6689675; 6689702; 6693004; 6703277; 6713358; 6713846). Скорости напыления очень высоки, что определяет идентичность состава пленок составу мишени. Можно регулировать количество нанесенных слоев и толщину пленки, варьировать парциальное давление кислорода на стадии высокотемпературного отжига пленок с целью предотвращения окисления кремния. Процесс напыления пленки можно проводить при низкой температуре подложки, близкой к комнатной, что позволяет предотвращать диффузию компонентов материалов затвора, диэлектрической пленки и кремниевой подложки и получать аморфные пленки, что гарантирует снижение токов утечки.
При получении многокомпонентных оксидов широко применяют золь-гель метод, который обеспечивает высокую чистоту оксидов, высокую гомогенность состава, обеспечивает возможность получения аморфных и поликристаллических пленок, порошков и керамик высокой чистоты с низкой концентрацией дефектов (W.W.Davison, R.C.Buchanan, in: Advances in Ceramics, 26: editors M.F.Yan, K.Niwa, U.M.O'Bryan, Jr., W.S.Young. Amer.Ceram.Soc., Columbus, OH, 1989, p.513).
В последнее десятилетие широко применяется метод получения простых и сложных оксидов путем гидролиза растворов алкоголятов металлов, позволяющий точно выдерживать стехиометрию и регулировать морфологию продуктов (Golubko N.V., M.I.Yanovskaya, Golubko L.A. et al, J.Sol-Gel Sci. And Technology, 20, 135, 2001). Разработаны также способы, предполагающие частичную замену алкоксидов более дешевыми и устойчивыми карбоксилатами (Sol-gel technology for Thin Films, Fibers, Preforms, Electronics and Specialty Shapes/Ed. Klein L.C.: Park Ridge, USA, 1988; Mohallem N.D.S., Aegerter M.A., Materials Research Society. Symposia Proceedings, 121, 515, 1988), a также методы, объединяющие метод разложения металлоорганических соединений с элементами золь-гель метода (Щеглов П.А., Меньших С.А., Рыбакова Л.Ф., Томашпольский Ю.Я. Неорганические материалы, 36, 470, 2000). Однако получение заявляемых соединений гидролизом растворов алкоголятов или соосаждением солей металлов не описано.
Технической задачей настоящего изобретения является создание тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью, обеспечивающего эффективную толщину teff оксидного диэлектрика затвора в МОП структурах teff≤1.5 nm при физической толщине пленки более 3 nm, при уровне токов утечки ≤0.1 A/cm2.
Технической задачей настоящего изобретения является также создание эффективных вариантов способа получения сложных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xMx)3O10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8, (Ba, Ln)(Ti1-x-yMxTay)O5 (x, у=0÷1) в виде или растворов, используемых для получения тонких пленок с заданными свойствами и морфологией, которые определяются условиями термообработки, или порошков, используемых для получения мишеней.
Сущность изобретения состоит в том, что в качестве тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью используют твердые растворы на основе перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xМх)3О10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8 (Ba, Ln)(Ti1-x-yMxTay)O5 (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf; x, у=0÷1). Для получения тонких пленок из данного материала на кремниевой подложке используют растворы, полученные или золь-гель методом, и/или лазерный метод нанесения с использованием мишени, приготовленной по золь-гель технологии.
Полученные материалы характеризуются высокой диэлектрической проницаемостью ε~80÷110, низкими потерями и низким температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости, что обеспечивает достижение эффективной толщины teff≤1.5 nm при физической толщине пленки t≥3 nm. Использование заявленных вариантов способа получения пленок: гидролизным или соосаждением и/или лазерным способом нанесения, обеспечивает получение преимущественно аморфных пленок, что обеспечивает снижение тока утечки JL на 3-4 порядка в сравнении с JL поликристаллических пленок (J.Kwo, M.Hong, B.Busch et al., J. Crystal Growth, 251, 645, 2003). Таким образом, предлагаемое решение позволяет получить пленки С эффективной толщиной teff оксидного иэлектрика затвора teff≤1.5 nm, характеризующиеся низкими токами утечки, что позволяет обеспечить внедрение производственного МОП процесса с проектной нормой менее 100 нанометров.
Перовскитоподобные оксиды на основе барийлантаноидных полититанатов BaLn2Ti4O12, BaLn2Ti3О10, BaLn2Ti2O8 составляют своеобразную промежуточную группу между диэлектрическими и сегнетоэлектрическими материалами. Для них характерны высокая диэлектрическая проницаемость ε~80÷100, обеспечиваемая фононным механизмом поляризации, высокая термостабильность в сочетании с высокой термической стабильностью, и существенно более низкие потери в сравнении с СЭ оксидами (D.Kolar, Z.Stadler, S.Gaberscek, D.Suvorov, Ber. Dtsch. Keram. Ges., 55, 364, 1978; Л.Г.Гассанов, Б.А.Ротенберг, Т.Н.Нарытник и др. Электронная техника, сер. электроника СВЧ, 6 (330), 21, 1981; Мудролюбова Л.П., Ротенберг Б.А., Картенко Н.Ф. и др.. Неорганические материалы, 17, 683, 1981; D.Kolar, S.Gaberscek, B.Volavsek, J.Solid State Chem., 38, 158, 1981; Ю.М.Поплавко, В.И.Бутко, А.Г.Белоус и др., ФТТ, 26, 2851, 1984; X.M.Chen, Y.Suzuki, N.Sato, J.Mater.Scii., Mater. Electron, 6, 10, 1995; K.M.Cruickshank, X.Jing, G.Wood, et al., J.Amer.Ceram.Soc, 79, 1605, 1996; H.Ohsato, H.Kato, M.Mizuta et al., Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5413, 1995; Y.J.Wu, X.M.Chen, J. Eur. Ceram. Soc, 19, 1123, 1999).
На основе барийлантаноидных полититанатов разработаны высокодобротные высокочастотные материалы (Л.П.Мудролюбова, Т.Ф.Лимарь, Т.П.Фрадкина и др. Керамический материал для термостабильных конденсаторов, АС СССР №831761, БИ 1981, №19; Л.П.Мудролюбова, Т.Ф.Лимарь, В.Е.Козель, Б.А.Ротенберг, Керамический материал, АС СССР №832608, БИ 1981, №19; Л.П.Мудролюбова, Б.А.Ротенберг, А.Н Борщ и др. Керамический материал, АС СССР №596557, БИ 1978, №9; Л.П.Мудролюбова, А.Н.Борщ, К.Е.Лискер и др. Керамический материал для изготовления высокочастотных конденсаторов, АС СССР №628134, БИ 1978, №38).
Присутствие в составе сложных перовскитов оксидов ZrO2, HfO2, Та2O5, согласно термодинамическим расчетам, повышает стабильность этих оксидов в контакте с кремнием (K.J.Hubbard, D.G.Scholm, J.Mater.Res, 11, 2757, 1996; G.D.Wilk, R.M.Wallace, J.M.Antony, J.Appl.Phys., 89, 5243, 21001).
Получение заявленных соединений на основе барийлантаноидных тетратитанатов осуществляют путем гидролиза в инертной атмосфере алкоксидов металлов водой или водно-спиртовой смесью в одну или две последовательные стадии при мольном соотношении воды к сумме алкоголятов 1-15 и выдержке полученной реакционной смеси при определенной температуре в течение определенного промежутка времени. В качестве алкоксидов используют Ba(OR)2 (R=Me, Et, iPr, Bu, ОС2Н4OCH3), Ln (OR)3 (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Но, Er, Yb, Lu, Y; R=Me, Et, iPr, Bu, OC2H4ОСН3), M(OR)4 (M=Ti, Zr, Hf, R=Me, Et, iPr, Bu, ОС2Н4OCH3) в виде их растворов в соответствующем спирте с концентрацией 1-30 вес.%, а выдержку осуществляют при 20-90°С в течение 0.5-4 часов для достижения полной растворимости компонентов. Использование растворов вышеперечисленных алкоксидов с концентрацией выше 30 вес.% приводит к получению более вязких растворов, что приводит в случае использования растворов для нанесения пленок к формированию склонных к растрескиванию пленок толщиной более 10 nm.
При использовании солей металлов синтез материала осуществляют путем соосаждения из смеси растворов солей соответствующих металлов, взятых в стехиометрических количествах, в присутствии добавленного пептизатора при его мольном соотношении к сумме катионов металлов 0.05÷1. В качестве солей используют растворимые соли бария, титана, циркония, гафния и металлов ряда лантана в виде их растворов в воде с концентрацией 1-30 вес.%, в качестве пептизатора - лимонную, уксусную или щавелевую кислоты или аммиак NH4OH.
Создание эффективного метода получения сложных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xMx)3O10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8 (Ba, Ln)(Ti1-x-yMxTay)O5 достигается использованием в качестве исходных компонентов для получения диэлектриков алкоксидов и солей металлов - доступных, легко дозируемых, в виде их растворов соответственно в спирте или воде с концентрацией 1-30 вес.%, смешением их в стехиометрических количествах, выдерживанием раствора до или после гидролиза (осаждения) в течение 0.5-4 часов при температуре 20-90°С. Указанные интервалы времени и температуры выдержки раствора обеспечивают полноту гидролиза и конденсации.
Изменение концентрации растворов алкоксидов и солей металлов, времени и температуры выдержки до и после гидролиза (осаждения) позволяет регулировать фазовый состав и морфологию образующегося продукта и получать диэлектрик с заданными свойствами, сохраняющимися в процессе дальнейшей термообработки.
Сущность предлагаемого способа состоит в том, что гидролизу или соосаждению водой или водно-спиртовой смесью, в присутствии пептизатора подвергаются растворы алкоксидов металлов в спирте и солей металлов в воде, взятых в стехиометрических количествах, с концентрацией 1-30 вес.%. Реакционные смеси выдерживают в течение 0.5-4 часов при температуре 20-90°С для обеспечения полного гидролиза и конденсации. Образующийся осадок отделяют от маточного раствора центрифугированием и высушивают при 120°С на воздухе. При получении пленок исходные или гидролизованные растворы наносят на подложку из кремния обмакиванием подложки в раствор или нанесением на вращающуюся подложку.
В литературе не описаны методики получения сложных полититанатов вышеописанного состава при гидролизе или соосаждении растворов алкоголятов или солей металлов, что позволяет сделать вывод о том, что заявляемый способ соответствует критериям «новизна» и «изобретательский уровень».
Пример 1.
8.92 г изопропилата лантана La(OPri)3 и 8.04 г изопропилата титана Ti(OPri)4 растворяют при перемешивании в 100 мл абсолютного изопропилового спирта, помещают полученный раствор в колбу с обратным холодильником, мешалкой и капельной воронкой и выдерживают при температуре 80°С и непрерывном перемешивании в течение 1 часа в атмосфере аргона. Затем смесь охлаждают, добавляют в нее 3.02 г изопропилата бария Ва(OPri)2 и выдерживают при температуре 65°С и непрерывном перемешивании в течение 30 минут. Полученный раствор охлаждают до комнатной температуры и по каплям при интенсивном перемешивании добавляют смесь, состоящую из 1.6 г дистиллированной воды и 10 мл абсолютного изопропилового спирта. Полученную суспензию отделяют от маточного раствора центрифугированием и используют для получения порошков для мишеней и нанесения пленок обмакиванием кремниевой подложки в раствор. По данным рентгенофазового и микрорентгеноспектрального анализов, пленки и порошки представляет собой аморфную фазу BaLa2Ti4O12.
Пример 2.
Опыт проводят в условиях примера 1, используя 4.46 г La(OPri)3, 4.02 г Ti(OPri)4, 1.51 г Ва(OPri)2 и 0.13 г Н2О. Полученную суспензию используют для формирования пленок обмакиванием кремниевой подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку и получения порошков для мишеней.
Пример 3.
4.47 г ацетата лантана La(СН3СОО)3·2Н2O и 8.04 г изопропилата титана Ti(OPri)4, растворяют при перемешивании в 100 мл абсолютного изопропилового спирта и помещают полученный раствор в колбу с обратным холодильником, мешалкой и капельной воронкой. 1.81 г ацетата бария Ва(СН3СОО)2 растворяют в 20 мл дистиллированной воды и добавляют полученный раствор к ранее приготовленному раствору титана и лантана при перемешивании. Затем к полученной смеси добавляют по каплям 7 мл 25% раствора NH4OH, смесь нагревают до 85°С и выдерживают при этой температуре в течение 30 минут. Полученный раствор охлаждают до комнатной температуры, суспензию отделяют от маточного раствора центрифугированием и используют для формирования пленок нанесением капель раствора на вращающуюся подложку и для получения порошков, используемых для приготовления мишеней, материал которых подвергают действию лазерного пучка эксимерного лазера Lumonics TE-861 (λ=308 nm) с целью формирования пленки на кремниевой подложке по известной методике.
Таблица. Характеристики пленок соединений сложных оксидов металлов на кремниевой подложке, полученных из растворов по примеру 3*.
| Состав | Толщина пленки t, nm | Диэлектрическая проницаемость ε | Эффективная толщина пленки teff, nm | Ток утечки JL, A/cm2 (U=l V) |
| BaNd2Ti4O12 | 3.0 | 85±5 | 1.3 | 0.1 |
| BaLa2Ti4О12 | 4.0 | 110±5 | 1.4 | 0.1 |
| BaPr2Ti4О12 | 3.0 | 90±5 | 1.4 | 0.1 |
| * здесь s - диэлектрическая проницаемость материала оксида, t - физическая толщина диэлектрической пленки. Эффективную толщину оксида teff определяют по формуле teff=t·(3.9/ε). | ||||
Таким образом, представленные данные показывают, что совокупность признаков заявляемого способа (концентрация раствора и выдержка при определенной температуре в течение определенного промежутка времени, обеспечивающие условия формирования гомогенного раствора) обеспечивает получение материала пленки с заявленными характеристиками.
Claims (5)
1. Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, отличающийся тем, что в качестве материала диэлектрика используют твердые растворы на основе сложных оксидов - перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xMx)3O10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8 (Ba, Ln) (Ti1-x-yMxTay)O5 (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf), здесь x, y=0÷1.
2. Способ получения тонкопленочного материала по п.1, осуществляемый гидролизом в инертной атмосфере стехиометрической смеси алкоголятов металлов с последующим формированием пленки на кремниевой подложке обмакиванием подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку, отличающийся тем, что в качестве алкоголятов металлов используют Ba(OR)2 (R=Me, Et, iPr, Bu, ОС2Н4OCH3), Ln (OR)3 (Ln=La, Ce, iPr, Nd, Sm, Eu, Gd, Ho, Yb, Y; R=Me, Et, iPr, Bu, OC2H4OCH3) и B(OR)4 (B-Ti, Zr, Hf,R=Me, Et, 'Pr, Bu, ОС2Н4OCH3) в виде их растворов в соответствующем спирте с концентрацией 1÷30 вес.%, гидролиз проводят водой или водно-спиртовой смесью в одну или две последовательные стадии при мольном соотношении воды или вводно-спиртовой смеси к сумме алкоголятов 1÷15 и выдержке полученной реакционной смеси при температуре 20÷90°С в течение 0,5÷4 ч.
3. Способ получения тонкопленочного материала по п.1, осуществляемый путем соосаждения солей с последующим формированием пленки на кремниевой подложке обмакиванием подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку, отличающийся тем, что используют стехиометрические смеси водорастворимых солей бария, титана, циркония, гафния и металлов ряда лантана в виде их растворов с концентрацией 1÷30 вес.% в присутствии пептизатора при его мольном соотношении к сумме катионов металлов 0,05÷1.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве пептизатора используют или слабые кислоты - лимонную, уксусную или щавелевую, или водный раствор аммиака.
5. Способ получения тонкопленочного материала по п.1 путем лазерного испарения материала мишени с последующей конденсацией частиц материала на кремниевой подложке, отличающийся тем, что используют мишень, приготовленную из порошков материалов, полученных по п.2 или 3.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004134698/28A RU2305346C2 (ru) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
| KR1020050115101A KR20060059847A (ko) | 2004-11-29 | 2005-11-29 | 높은 유전율을 갖는 물질 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004134698/28A RU2305346C2 (ru) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004134698A RU2004134698A (ru) | 2006-05-10 |
| RU2305346C2 true RU2305346C2 (ru) | 2007-08-27 |
Family
ID=36656728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004134698/28A RU2305346C2 (ru) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20060059847A (ru) |
| RU (1) | RU2305346C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2470336C2 (ru) * | 2010-12-02 | 2012-12-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") | Способ изготовления фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами |
| RU2685296C1 (ru) * | 2017-12-25 | 2019-04-17 | АО "Красноярская ГЭС" | Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой |
| RU2712151C1 (ru) * | 2019-06-19 | 2020-01-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения полупроводниковой пленки на основе органо-неорганических комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100864871B1 (ko) | 2007-05-29 | 2008-10-22 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조방법 |
| DE102011084145A1 (de) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
-
2004
- 2004-11-29 RU RU2004134698/28A patent/RU2305346C2/ru not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-11-29 KR KR1020050115101A patent/KR20060059847A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2470336C2 (ru) * | 2010-12-02 | 2012-12-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") | Способ изготовления фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами |
| RU2685296C1 (ru) * | 2017-12-25 | 2019-04-17 | АО "Красноярская ГЭС" | Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой |
| RU2712151C1 (ru) * | 2019-06-19 | 2020-01-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения полупроводниковой пленки на основе органо-неорганических комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2004134698A (ru) | 2006-05-10 |
| KR20060059847A (ko) | 2006-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4905620B2 (ja) | セラミックス及びその製造方法、ならびに半導体装置、アクチュエータ、光変調器、超音波センサ | |
| Schwartz | Chemical solution deposition of perovskite thin films | |
| US5614018A (en) | Integrated circuit capacitors and process for making the same | |
| US5690727A (en) | Thin films of ABO3 with excess B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same | |
| US5348775A (en) | Production of PT/PZT/PLZT laser `direct write` patterns | |
| US9214279B2 (en) | Ultrafine metal oxide particle dispersion liquid and ultrafine metal oxide particle thin film | |
| Bao et al. | Preparation, electrical and optical properties of (Pb, Ca) TiO3 thin films using a modified sol-gel technique | |
| US5723361A (en) | Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same | |
| Xie et al. | The energy-storage performance and dielectric properties of (0.94-x) BNT-0.06 BT-xST thin films prepared by sol–gel method | |
| Xu et al. | Effect of bismuth deficiency on structure and electrical properties of (Na0. 5Bi0. 5) 0.93 Ba0. 07TiO3 ceramics | |
| Li et al. | Ferroelectric and piezoelectric properties of La-modified lead-free (Bi0. 5Na0. 5) TiO3–(Bi0. 5K0. 5) TiO3–SrTiO3 thin films | |
| Pontes et al. | Preparation of Pb (Zr, Ti) O3 thin films by soft chemical route | |
| RU2305346C2 (ru) | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) | |
| US20120040187A1 (en) | Precursor powder for sintering used for preparing dielectric material and process for preparing the same | |
| Kong et al. | Translucent PMN and PMN-PT ceramics from high-energy ball milling derived powders | |
| US6025619A (en) | Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same | |
| Marques et al. | Temperature dependence of dielectric properties for Ba (Zr0. 25Ti0. 75) O3 thin films obtained from the soft chemical method | |
| Okuwada et al. | Crystal growth of layered perovskite Sr2Nb2O7 and Sr2Ta2O7 film by the sol-gel technique | |
| Ding et al. | Tailoring structural and electrical properties of A-site nonstoichiometric Na0. 5Bi0. 5 (Ti0. 97Ni0. 03) O3 ferroelectric films deposited on LaNiO3 (100)/Si substrate | |
| KR102103482B1 (ko) | 다결정 유전체 박막 및 용량 소자 | |
| Li et al. | Fabrication and characterization of Zr-rich Zr-aluminate films for high-κ gate dielectric applications | |
| Dong et al. | The Structural, Dielectric Properties and Energy Storage Properties of Non-Stoichiometric Ratio Bi2o3-Zno-Nb2o5 Thin Films | |
| Wang | Processing and characterization of microwave dielectric ceramics and thin films-Nd2 (Ti2/3Al1/3) 3O9-δ and (Ba0. 7Sr0. 3) TiO3 | |
| Koo et al. | Electrical characteristics and preparation of nanostructured Pb (Zr0. 5Ti0. 5) O3 films by spray pyrolysis | |
| Ibrahim et al. | Modified sol-gel-derived PZT ceramics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20060427 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20061120 |