RU2004134698A - Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения - Google Patents
Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2004134698A RU2004134698A RU2004134698/28A RU2004134698A RU2004134698A RU 2004134698 A RU2004134698 A RU 2004134698A RU 2004134698/28 A RU2004134698/28 A RU 2004134698/28A RU 2004134698 A RU2004134698 A RU 2004134698A RU 2004134698 A RU2004134698 A RU 2004134698A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- high dielectric
- film material
- dielectric constant
- oxide thin
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 title 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 claims 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical class [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical class [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical class [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 barium lanthanoid Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/003—Titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Claims (5)
1. Оксидный тонкопленочный материал с высокой диэлектрической проницаемостью, отличающийся тем, что в качестве диэлектрического материала оксида используют твердые растворы на основе перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xMx)3O10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8 (Ba, Ln) (Ti1-x-yMxTay)O5 (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf), здесь x, y=0-1.
2. Способ получения оксидного тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью, осуществляемый гидролизом в инертной атмосфере стехиометрической смеси алкоголятов металлов с последующим формированием пленки на кремниевой подложке обмакиванием подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку, отличающийся тем, что в качестве алкоголятов металлов используют Ba(OR)2 (R=Me, Et, iPr, Bu, ОС2Н4OCH3), Ln (OR)3 (Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Ho, Yb, Y; R=Me, Et, iPr, Bu, ОС2Н4OCH3) и B(OR)4 (В=Ti, Zr, Hf, R=Me, Et, iPr, Bu, ОС2Н4OCH3) в виде их растворов в соответствующем спирте с концентрацией 1-30 вес.% водой или водно-спиртовой смесью в одну или две последовательные стадии при мольном соотношении воды к сумме алкоголятов 1-15 и выдержке полученной реакционной смеси при температуре 20-90°С в течение 0,5-4 ч.
3. Способ получения оксидного тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью, осуществляемый путем соосаждения солей с последующим формированием пленки на кремниевой подложке обмакиванием подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку, отличающийся тем, что используют стехиометрические смеси водорастворимых солей бария, титана, циркония, гафния и металлов ряда лантана в виде их растворов с концентрацией 1-30 вес.% в присутствии пептизатора при его мольном соотношении к сумме катионов металлов 0,05-1.
4. Способ получения оксидного тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью, осуществляемый путем соосаждения по п.3, отличающийся тем, что в качестве пептизатора используют или слабые кислоты - лимонную, уксусную или щавелевую, или водный раствор аммиака.
5. Способ получения оксидного тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью лазерным испарением материала мишени с последующей конденсацией частиц материала на кремниевой подложке, отличающийся тем, что используют мишень, приготовленную из порошков материалов, полученных гидролизом или соосаждением из растворов по п.2 или 3.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004134698/28A RU2305346C2 (ru) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
| KR1020050115101A KR20060059847A (ko) | 2004-11-29 | 2005-11-29 | 높은 유전율을 갖는 물질 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004134698/28A RU2305346C2 (ru) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004134698A true RU2004134698A (ru) | 2006-05-10 |
| RU2305346C2 RU2305346C2 (ru) | 2007-08-27 |
Family
ID=36656728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004134698/28A RU2305346C2 (ru) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты) |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20060059847A (ru) |
| RU (1) | RU2305346C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601210C2 (ru) * | 2011-10-07 | 2016-10-27 | Эвоник Дегусса Гмбх | Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100864871B1 (ko) | 2007-05-29 | 2008-10-22 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조방법 |
| RU2470336C2 (ru) * | 2010-12-02 | 2012-12-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") | Способ изготовления фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами |
| RU2685296C1 (ru) * | 2017-12-25 | 2019-04-17 | АО "Красноярская ГЭС" | Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой |
| RU2712151C1 (ru) * | 2019-06-19 | 2020-01-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения полупроводниковой пленки на основе органо-неорганических комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой |
-
2004
- 2004-11-29 RU RU2004134698/28A patent/RU2305346C2/ru not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-11-29 KR KR1020050115101A patent/KR20060059847A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601210C2 (ru) * | 2011-10-07 | 2016-10-27 | Эвоник Дегусса Гмбх | Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060059847A (ko) | 2006-06-02 |
| RU2305346C2 (ru) | 2007-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Peng et al. | Preparation and properties of (Bi1/2Na1/2) TiO3–Ba (Ti, Zr) O3 lead-free piezoelectric ceramics | |
| JP5657558B2 (ja) | 誘電体セラミック形成用組成物及び誘電体セラミック材料 | |
| JP5213135B2 (ja) | 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子 | |
| Milne et al. | Modified Sol‐Gel Process for the Production of Lead Titanate Films | |
| US20070148065A1 (en) | Method of preparing ceramic powders using chelate precursors | |
| US9039921B2 (en) | Freestanding films with electric field-enhanced piezoelectric coefficients | |
| US5384294A (en) | Sol-gel derived lead oxide containing ceramics | |
| JP2008037064A (ja) | 配向性セラミックスの製造方法 | |
| US20080152530A1 (en) | Method of preparing ferroelectric powders and ceramics | |
| Liu et al. | Visible and infrared transparency in lead-free bulk BaTiO3 and SrTiO3 nanoceramics | |
| EP0277020A2 (en) | Method of preparing a superconductive material | |
| Chandraiah et al. | Effect of dopants (A= Mg2+, Ca2+ and Sr2+) on ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of (Ba1− xAx)(Ti0. 98Zr0. 02) O3 lead-free piezo ceramics | |
| RU2004134698A (ru) | Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения | |
| CN107473732B (zh) | 一种钛酸锶基高储能密度和低介电损耗陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN107840655A (zh) | 准同型相界的钛酸铋钾基无铅弛豫铁电陶瓷的制备方法 | |
| JP2007161502A (ja) | チタン含有複合酸化物形成用溶液及びその製造方法、チタン含有複合酸化物の製造方法、チタン含有複合酸化物の前駆体、誘電体材料、並びに誘電体材料の製造方法 | |
| US20170190970A1 (en) | Nano-composite structure and processes making of | |
| CN106810253A (zh) | 用于制备无铅压电材料的来自无水或脱水前体的前体溶液及方法 | |
| Kumar et al. | Synthesis of barium titanate by a basic pH Pechini process | |
| Pribošič et al. | Chemical synthesis of KNbO3 and KNbO3–BaTiO3 ceramics | |
| Babooram et al. | Phase formation and dielectric properties of 0.90 Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–0.10 PbTiO3 ceramics prepared by a new sol–gel method | |
| Zhang et al. | PZT ceramics derived from hybrid method of sol-gel and solid-state reaction | |
| Wu et al. | Enhancing piezoelectricity of PLZT ceramics by bismuth stearate coating via water-soluble defatted powder injection molding | |
| CN104030680B (zh) | 钛酸锶钡介质薄膜的制备方法 | |
| JP2007084357A (ja) | 鉛含有化合物に対する反応防止部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20060427 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20061120 |