NO161941B - Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. - Google Patents
Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. Download PDFInfo
- Publication number
- NO161941B NO161941B NO872666A NO872666A NO161941B NO 161941 B NO161941 B NO 161941B NO 872666 A NO872666 A NO 872666A NO 872666 A NO872666 A NO 872666A NO 161941 B NO161941 B NO 161941B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- gas
- hydrocarbon
- pipeline
- plant
- hydrocarbon liquid
- Prior art date
Links
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 title claims description 71
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 title claims description 71
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 title claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 28
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000010685 fatty oil Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D1/00—Pipe-line systems
- F17D1/005—Pipe-line systems for a two-phase gas-liquid flow
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B43/00—Methods or apparatus for obtaining oil, gas, water, soluble or meltable materials or a slurry of minerals from wells
- E21B43/34—Arrangements for separating materials produced by the well
- E21B43/36—Underwater separating arrangements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0391—Affecting flow by the addition of material or energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/86187—Plural tanks or compartments connected for serial flow
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Load-Engaging Elements For Cranes (AREA)
- Hydroponics (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Rigid Pipes And Flexible Pipes (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte ved transport av hydrokarboner fra en hydrokarbonkilde til havs over lange avstander, som angitt i det selvstendige fremgangsmåtekrav's innledning.
Oppfinnelsen vedrører også et anlegg for slik transport av hydrokarboner, som angitt i innledningen til det selvstendige anordningskrav.
Oppfinnelsen vedrører således en fremgangsmåte som har til hensikt å muliggjøre transport av hydrokarbonvæske (olje) og hydrokarbongass (gass) gjennom en og samme rørledning over lengre avstander i forbindelse med olje- og gassproduksjon til havs.
Olje- og gassproduksjon til havs foregår i dag vanligvis som følger: Produksjonsbrønner bores fra en plattform ned i hydrokarbonreservoaret. Plattformen er plassert over bølgehøyde på et understell som står på havbunnen eller som flyter på hav-overflaten. Brønnhodeventilene, som stenger for reser-voartrykket, er plassert på plattformen vanligvis rett over produksJ onsbrønnene.
Oljen, som finnes under høyt trykk i hydrokarbonreservoaret, inneholder store mengder oppløst gass. Oljens evne til å holde på den oppløste gass avtar med synkende trykk og stigende temperatur. Når oljen strømmer opp gjennom produk-sjonsbrønnen fra reservoaret og forbi brønnhodeventilen på plattformen, hvorved trykket synker, avgis det således gass fra oljen. Det vil derfor være en blanding av olje og gass som kommer ut på oppsiden av brønnhodeventilen.
Denne blandingen av olje og gass føres til et prosessanlegg som vanligvis står på plattformen. Prosessanleggets funksjon er i hovedsaken å skille olje og gass og gjøre oljen egnet til transport og gassen egnet til transport eller tilbake-føring til reservoaret.
Ettersom prosessen krever energi og hydrokarboner er brann-farlig må det bygges en rekke hjelpefunksjoner og nødsystemer rundt prosessanlegget. Dessuten krever operasjon av prosess-, hjelpe- og nødsystemene mannskaper som på sin side krever innkvartering og en rekke andre funksjoner. På denne måten blir anleggene store og kortbare både i investeringer og i drift. På større havdyp forsterkes kostnadsproblemet når plattformen med anlegget skal stå på et kostbart, bunnfast eller flytende understell.
Store utviklingsprosjekter er for tiden i gang med det siktemål å redusere kostnadene. Det er blant annet utviklet teknologi som gjør det mulig å plassere brønnhodeventilene på havbunnen - såkalte undervannsproduksjonsanlegg. Dette har stor økonomisk betydning fordi antall plattformer som er nødvendig for å drenere et hydrokarbonreservoar kan redu-seres. Et undervannsproduksjonsanlegg plasseres over et område av hydrokarbonreservoaret som ikke kan nås med produksjonsbrønner fra plattformen.
Produksjonsbrønnene i et undervannsproduksjonsanlegg bores fra flytende eller oppjekkbare borefartøyer. Olje og gass fra hydrokarbonreservoaret strømmer opp og forbi brønnhodeven-tilene på havbunnen og går deretter som tofase strøm (olje og gass i blanding) i en rørledning som forbinder undervannsproduksjonsanlegget med plattformen. Slik tofase strømning medfører dannelse av væskeplugger som gir kraftige væskeslag, ukontrollerte strømningsforhold og stort trykkfall i rørled-ningen. Avstanden mellom undervannsproduksjonsanlegget og plattformen kan derfor ikke være stor. En praktisk grense antas i dag å være ca. 15 kilometer.
Tekniske løsninger som kan øke denne avstanden vil ha stort økonomisk potensiale. I sin ytterste konsekvens kan da plattformen gjøres overflødig, idet brønnhodeventilene kan stå på havbunnen ved hydrokarbonreservoaret og prosess-, hjelpe- og nødsystemene legges på land.
Det arbeides for tiden med store utviklingsprosjekter for
å løse problemet med transport av olje/gassblanding over store avstander. Enkelte av disse prosjektene tar sikte på
å tilføre olje/gassblandingen trykk ved å plassere tofase-pumper på havbunnen for å kompensere for det store trykkfallet. Andre prosjekter tar sikte på å separere olje og gass på havbunnen og så pumpe olje og gass i hver sin rørledning til et prosessanlegg.
Disse løsningene medfører betydelige tekniske problemer fordi store mengder avansert teknisk utstyr må plasseres på havbunnen.
Redusert pålitelighet og sikkerhet kan ikke aksepteres.
Hensikten med oppfinnelsen er nettopp å kunne muliggjøre transport av olje og gass i en og samme rørledning over store avstander. Mer spesielt er det et formål med oppfinnelsen å kunne frakte olj e/gassblandingen fra et undervannsproduksjonsanlegg til et prosessanlegg på land uten at olj e/gassblandingen først må føres opp på en plattform.
Oppfinnelsen baserer seg på det samme fenomen som i første omgang skaper problemet, nemlig oljens varierende evne til å absorbere gass avhengig av trykk og temperatur. Oppfinnelsens idé er derfor å føre olje, som er behandlet slik at den er gassfattlg, og derfra har evne til å absorbere gass fra prosessanlegget som står på land og til undervannsproduk-s j onsanlegget i en rørledning og deretter blande denne gassfattlge oljen med olje og gass som kommer fra reservoaret via undervannsproduksjonsanlegget. Den gassfattlge oljen vil da absorbere gass. Den gassfattlge oljen opptrer som et absorbsjonsmedium som absorberer gass. Gassfattlg olje føres til undervannsproduksjonsanlegget med et trykk som er avstemt etter det trykket som er på oppsiden av brønnhodeventilen. Mengden gassfattlg olje som føres til undervannsproduksjonsanlegget avstemmes mot behovet for å absorbere gass.
Ifølge oppfinnelsen er det derfor tilveiebragt en fremgangsmåte som angitt i det selvstendige fremgangsmåtekrav, med de kjennetegn som er fremhevet i det selvstendige fremgangsmåtekrav's karakteristikk.
Oppfinnelsen vedrører også som nevnt et anlegg for transport av hydrokarboner, som angitt i det selvstendige anordningskrav og med de kjennetegn som er angitt i dette krav's karakteristikk.
Ytterligere trekk ved oppfinnelsen vil gå frem av de uselv-stendige krav.
Oppfinnelsen skal nå forklares nærmere under henvisning til tegningene, hvor: Fig. 1 rent skjematisk viser et anlegg ifølge
oppfinnelsen,
fig. 2 og 3 viser eksempler på utformingen av absorbsjonskammer som kan anvendes i anlegget i
fig. 1, og
fig. 4 viser et diagram over en aktuell oljetypes evne til å absorbere gass i avhengighet av trykket.
I fig. 1 er et hydrokarbonreservoar under havbunnen 1 betegnet med 2. Fra hydrokarbonreservoaret går det et brønnrør 3 til en brønnhodeventil 4. Fra brønnhodeventilen går det en rørledning 5 til et absorbs Jonskammer 6. Absorbsjonskammeret 6 er fortrinnsvis plassert på havbunnen. Fra absorbsjonskammeret 6 går det en rørledning 7 til et landanlegg 8. Dette landanlegg innbefatter blant annet et separatoranlegg 9 tilknyttet ledningen 7.
Fra separatoranlegget 9 går det en rørledning 10 tilbake til absorbsjonskammeret 6. I denne rørledning 10 er det lagt inn en høytrykkspumpe 11.
Som eksempel kan man anta at hydrokarbonreservoaret 2 ligger 100 km fra land, på 150 m vanndyp. Trykket i reservoaret er 460 bar. Oljen i reservoaret er mettet med gass.
Fig. 4 viser en aktuell oljetypes evne til å løse opp gass ved ulike trykk. Det fremgår at mettet olje inneholder ca. 210 standard m<5> gass ved 460 bar.
På vei opp mot brønnhodeventilen 4 avtar trykket og det vil være eksempelvis 200 bar på nedsiden av brønnhodeventilen. Trykket i oljen/gassen strupes ytterligere ned over brønn-hodeventilen 4 og vil være 70 bar på oppsiden av ventilen. Ved dette trykket kan en standard m<J> gassmettet olje bare inneholde 21 standard m<5> gass. Resten av gassen, nemlig
210 - 21 = 189 standard m<5> pr. standard m<5> olje vil være frigjort og strømmer i gassform sammen med oljen i tofase strøm ved trykket på 70 bar.
Fra landanlegget 8, dvs. fra separatoranlegget 9 pumpes det ved hjelp av høytrykkspumpen 11 gassfattlg olje gjennom den 100 km lange rørledningen 10 til undervannsproduksjonsanlegget, dvs. her til absorbsjonskammeret 6. Pumpen 11 (eventuelt flere pumper) dimensjoneres slik at trykket ved undervannsproduksjonsanlegget vil være 70 bar. Det må i denne forbindelse tas hensyn både til nedoverbakken fra land ned mot 150 m vanndyp og trykktapet når den gassfattlge oljen strømmer gjennom rørledningen.
Ved 70 bar kan en standard m' olje absorbere 21 standard m' gass. Det trengs således 189:21 = 9 standard m<5> gassfattlg olje fra land for å absorbere den gassen som var frigjort etter brønnhodeventilen 4 fra en standard m<>> olje fra reservoaret 2. Dersom det altså sendes i størrelsesordenen ti ganger så mye gassfattlg olje fra land som det strømmer olje fra reservoaret vil all gass i blandingen bli absorbert i oljen og blandingen vil strømme som ren væskestrøm i retur-rørledningen 7 mot land.
Rørledningen 7 mot land går imidlertid i oppoverbakke. I tillegg er det strømningstap i rørledningen. Derfor vil trykket avta. Oljen vil da igjen avgi gass, med de problemer som da oppstår i forbindelse med tofasestrømning.
For at disse problemer skal unngås må mengden gassfattlg olje som sendes fra land gjennom rørledningen 10 økes slik at oljen har kapasitet til å holde på all gassen helt til den er strømmet tilbake til landanlegget gjennom den \100 km lange rørledningen 7.
Friksjonstapet i rørledningene kan anslås til 26,5 bar hver vei. På turen mot land går dessuten ledningen 150 m oppover, hvilket vil tilsvare et trykktap på ca, 13,5 bar 1 oljen. Ettersom trykket var 70 bar ved undervannsproduksjonsanlegget og trykktapet tilsammen er 40 bar på hjemoverturen, vil trykket i rørledningen 7 ved land være 30 bar. Ved dette trykk kan en standard m<5> olje bare holde på 10 standard m' gass. Hvis det således sendes 210 - 10 = 200:10 = 20 ganger så mye gassfattlg olje fra land som det produseres olje fra reservoaret vil den gassfattlge oljen fra land absorbere all den frigjorte gassen fra reservoaret og blandingen vil kunne føres gjennom rørledningen 7 tilbake til land uten at trykkfallet i rørledningen medfører at det frigjøres gass under veis.
Ifølge oppfinnelsen sendes altså gassfattlg olje som fungerer som et absorbsjonsmedium overfor gass i ringledning fra land til undervannsproduksjonsanlegget og tilbake. Mengden gassfattlg olje vil 1 dette konkrete tilfelle være tyve ganger den oljemengden som produseres fra reservoaret. Ved undervannsproduksj onsanlegget føres ol je/gass-strømmen fra reservoaret 2 Inn i den gassfattlge oljestrømmen i absorbsjonskammeret 6 hvor gassen absorberes i sin helhet, idet gassmengden i oljen vil ligge godt under oljens gassmet-ningspunkt. Etter hvert som den undermettede oljen nærmer seg land (i rørledningen 7) nærmer den seg også gassmetnings-punktet.
Antas reservoarets 2 produksjonsevne å være 400 standard m<5 >pr. time må det altså sendes 20 ganger 400 = 8000 standard m' pr. time eller 2,2 standard m<5> pr. sekund gassfattlg olje fra land. På hjemoverturen vil væskestrømmen være 2,3 standard m<J >pr. sekund ettersom 400 standard m<5> pr. time reservoarolje også er med.
Settes strømningshastigheten i rørledningen til 2,3 m pr. sekund så vil man trenge et rørtverrsnitt på 1 m<2> eller en rørledning med en diameter på 1,13 m. En slik rørledning kan legges fra land, ut til undervannsproduksj onsanlegget og tilbake ved hjelp av kjente rørleggingsmetoder.
Oppfinnelsen trekker her fordel av et viktig forhold, nemlig at det er forbausende liten forskjell på kostnadene ved å legge en rørledning med stor diameter på havbunnen i forhold til en rørledning med liten diameter. Kostnadene er først og fremst avhengig av kostnadene i forbindelse med rørlegge-fartøyet som trengs for begge rørstørrelser. For begge rørledninger, altså en rørledning med stor diameter hen-holdsvis en rørledning med liten diameter, vil leggekost-nadene være i størrelsesordenen 12000 kr. pr. meter.
Investeringskostnadene for et anlegg uten plattform i forhold til et anlegg med plattform kan sammenlignes som følger:
Driftskostnadene vil for det konvensjonelle anlegget være ca. 0,55 mrd. NOK pr. år. For anlegg uten plattform vil driftskostnadene være vesentlig mindre.
Fordelene ved anlegg uten plattform vil øke sterkt for større havdyp.
Tallene 1 eksempelet viser at prosessen som skal gjøre oljen/gassen transporterbar og som vanligvis foregår i prosessanlegget på plattformen økonomisk fordelaktig måte, kan erstattes av en annen,' enklere prosess, basert på gåssabsorbsjon 1 væske som kan foregå i et enkelt anlegg på havbunnen. Plattformen har imidlertid også andre viktige funksjoner. Silke funksjoner er
mottakér- og avsenderanlegg for rørskraper,
styring av brønnboreventilene, og
injeksjon av vann eller gass I hydrokarbonreservoarer.
Mottaker- og avsenderanlegg for rørskraper kan settes på land dersom rørdiameteren på rørledningen 10 fra land til under-vannsproduksjonssanlegget er lik rørdiameteren på returrør-ledningen 7. Rørskraperen kan da sendes gjennom ringledningen fra land og tilbake til land. Området ved undervannsproduksj onsanlegget hvor gassabsorbsjonen foregår må utformes slik at rørskrapen ikke møter hindringer. To ulike utførelser av absorbsjonskammeret som muliggjør dette, er vist i fig. 2 og 3. De to rørledninger 10 og 7 har samme diameter og er forbundne med hverandre av absorbsjonskammeret 6 som har samme innvendige diameter. En manifold 12 fordeler olje og gass fra hydrokarbonreservoaret 1 absjorbsjonskammeret slik at best mulig absorbsjon oppnås.
Styring av brønnhodeventilene kan med dagens teknologi foregå fra land. Slik teknikk er kjent for fagmannen.
Injeksjon av vann eller gass 1 hydrokarbonreservoaret for å øke utvinningsgraden fra reservoaret kan foregå fra land med egen rørledning ut til undervannsproduksjonsanlegget. En slik rørledning vil i det foran gitte beregningseksempel koste 1,2 mrd. NOK. I tillegg kommer kostnader for renseanlegg og pumpe for injeksjonsvannet.
Med oppfinnelsen er det altså muliggjort en fremgangsmåte for å transportere assosslert hydrokarbongass og hydrokarbonvæske 1 en rørledning over lange avstander. Det som særpreger fremgangsmåten er at gassfattlg hydrokarbonvæske som fungerer som absorbsjonsmedium overfor gass tilføres høyt trykk i en høytrykkspumpe og at gassfattlg hydrokarbonvæske under høyt trykk føres I en rørledning til et absorbsjonskammer ved hydrokarbonreservoaret og at gassmettet hydrokarbonvæske og frigjort, assosslert hydrokarbongass fra hydrokarbonreservoaret også føres inn i absorbsjonskammeret, idet mengden gassfattlg hydrokarbonvæske velges stor nok til at all frigjort, assosslert hydrokarbongass fra reservoaret absorberes i den gassfattlge gassabsorberende hydrokarbonvæsken. Hydrokarbonvæsken med den absorberte hydrokarbongass føres i rørledning fra absorbs jonskammeret og til et separasjonsanlegg. Der separeres hydrokarbongassen fra hydrokarbonvæsken slik at hydrokarbonvæsken blir gassfattlg. En del av den gassfattlge hydrokarbonvæske føres tilbake til høytrykks-pumpen og går i nytt kretsløp.
Fra separatoranlegget 9 tås fraseparert assosslert hydrokarbongass ut gjennom en ledning 13, mens gassfattlg hydrokarbonvæske tas ut gjennom en ledning 14. Uttakene skjer naturligvis slik at anlegget hele tiden er i den nødvendige balanse.
Foran er oppfinnelsen forklart nærmere i forbindelse med et hydrokarbonreservoar. Generelt gjelder oppfinnelsen imidlertid transport fra en hydrokarbonkilde, som kan være et undergrunns-hydrokarbonreservoar eller en annen kilde for gassmettet hydrokarbonvæske.
Claims (5)
1.
Fremgangsmåte ved transport av hydrokarboner i en rørled-ningstrøm over lange avstander, fra et første sted ved en hydrokarbonklldé til havs til et andre sted, karakterisert ved at det ved det første sted til-veiebringes et absorbsjonsmedlum i form av en gassfattlg hydrokarbonvæske, at en strøm av gassmettet hydrokarbonvæske og frigjort, assosslert hydrokarbongass fra hydrokarbonkllden tilføres den gassfattlge hydrokarbonvæsken, idet mengden av gassfattlg hydrokarbonvæske velges stor nok til at all frigjort, assosslert hydrokarbongass absorberes i den gassfattlge hydrokarbonvæske, og ved at deretter hydrokarbonvæsken med den absorberte hydrokarbongass føres til det andre sted som en rørledningsstrøm, og ved at rørlednings-strømmen frasepareres gass ved et andre sted for tilveie-bringelse av en gassfattlg hydrokarbonvæskestrøm som sendes i rørledning til det nevnte første sted.
2.
Fremgangsmåte Ifølge krav 1, karakterisert ved at gassfattlg hydrokarbonvæske tilføres høyt trykk i en høytrykkspumpe og at gassfattlg hydrokarbonvæske under høyt trykk føres i rørledning til et absorbsjonskammer ved en hydrokarbonklldé, at gassmettet hydrokarbonvæske og frigjort, assosslert hydrokarbongass fra hydrokarbonkllden også føres inn i absorbsjonskammeret, at hydrokarbonvæsken med den absorberte hydrokarbongass føres i rørledning fra absorbsjonskammeret til et separasjonsanlegg, at hydrokarbongassen separeres fra hydrokarbonvæsken i separasjons-anlegget slik at hydrokarbonvæsken blir gassfattlg, og at en del av den gassfattlge hydrokarbonvæsken føres tilbake til høytrykkspumpen.
3.
Anlegg for transport av hydrokarboner 1 en rørledningstrøm over lange avstander, fra et første sted ved en hydrokarbonklldé til havs til et andre sted, karakterisert ved at det innbefatter et absorbs jonskammer (6) på det første sted, hvilket absorbsjonskammer er tilknyttet kilden (3), et separatoranlegg (9) på det andre sted, en første rørledning (10) fra separatoranleggets (9) væskedel og til absorbsjonskammeret (6), en andre rørledning (7) fra absorbsjonskammeret (6) og til separatoranlegget, samt midler (11) for trykksetting av strømningsmediet i den nevnte første ledning (10).
4.
Anlegg ifølge krav 3,karakterisert ved at de to rørledninger (10,7) har samme innvendige diameter.
5.
Anlegg ifølge krav 5,karakterisert ved at absorbsjonskammeret (6) er rørformet med samme innvendige diameter som de to rørledninger (10,7), og forbinder de to rørledninger (10,7) med hverandre.
Priority Applications (17)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO872666A NO161941C (no) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. |
NZ225079A NZ225079A (en) | 1987-06-25 | 1988-06-17 | Long distance transport of hydrocarbons using gas-poor hydrocarbon liquid carrier |
IE186388A IE61638B1 (en) | 1987-06-25 | 1988-06-20 | A method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
MYPI88000677A MY102834A (en) | 1987-06-25 | 1988-06-20 | A method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
AT88905455T ATE72603T1 (de) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | Verfahren und anlage zum transportieren von kohlenwasserstoffen ueber grossen abstand von einer offshore-kohlenwasserstoffquelle. |
BR888807574A BR8807574A (pt) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | Processo e instalacao para transporte de hidrocarbonetos em um fluxo de tubulacao em longas distancias |
DE8888905455T DE3868410D1 (de) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | Verfahren und anlage zum transportieren von kohlenwasserstoffen ueber grossen abstand von einer offshore-kohlenwasserstoffquelle. |
ES8801929A ES2011347A6 (es) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | Metodo de transporte de hidrocarburos a gran distancia desde una fuente submarina de estos e instalacion correspondiente. |
EP88905455A EP0371976B1 (en) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | A method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
US07/438,412 US4991614A (en) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | Method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
AU19546/88A AU608342B2 (en) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | A method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
PCT/NO1988/000056 WO1988010397A1 (en) | 1987-06-25 | 1988-06-22 | A method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
IN515/CAL/88A IN169535B (no) | 1987-06-25 | 1988-06-23 | |
JP63156596A JPS6426100A (en) | 1987-06-25 | 1988-06-24 | Method and plant for transporting hydrocarbon from offshore hydrocarbon source |
DK627789A DK627789D0 (da) | 1987-06-25 | 1989-12-13 | Fremgangsmaade og anlaeg til transport af kulbrinter over lange afstande fra en offshore kulbrintekilde |
OA59705A OA10027A (en) | 1987-06-25 | 1989-12-20 | A method and a plant for transport of hydrocarbons over a long distance from an offshore source of hydrocarbons |
SU894743352A RU1808069C (ru) | 1987-06-25 | 1989-12-21 | Способ транспортировки углеводородов на большие рассто ни из первого пункта на шельфовом источнике и система дл его осуществлени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO872666A NO161941C (no) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO872666D0 NO872666D0 (no) | 1987-06-25 |
NO872666L NO872666L (no) | 1988-12-27 |
NO161941B true NO161941B (no) | 1989-07-03 |
NO161941C NO161941C (no) | 1991-04-30 |
Family
ID=19890052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO872666A NO161941C (no) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4991614A (no) |
EP (1) | EP0371976B1 (no) |
JP (1) | JPS6426100A (no) |
AT (1) | ATE72603T1 (no) |
AU (1) | AU608342B2 (no) |
BR (1) | BR8807574A (no) |
DE (1) | DE3868410D1 (no) |
DK (1) | DK627789D0 (no) |
ES (1) | ES2011347A6 (no) |
IE (1) | IE61638B1 (no) |
IN (1) | IN169535B (no) |
MY (1) | MY102834A (no) |
NO (1) | NO161941C (no) |
NZ (1) | NZ225079A (no) |
OA (1) | OA10027A (no) |
RU (1) | RU1808069C (no) |
WO (1) | WO1988010397A1 (no) |
Families Citing this family (380)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK0549440T3 (da) * | 1991-12-27 | 1997-03-24 | Inst Francais Du Petrole | Fremgangsmåde til optimering af en indretning til regulering og dæmpning af en flerfaset strømning og indretning opnået ved fremgangsmåden |
FR2694823B1 (fr) * | 1992-08-11 | 1994-09-16 | Inst Francais Du Petrole | Procédé d'optimisation d'un dispositif de régulation et d'amortissement d'un écoulement polyphasique et dispositif obtenu par le procédé. |
FR2685791B1 (fr) * | 1991-12-27 | 1994-02-11 | Institut Francais Petrole | Procede d'optimisation d'un dispositif de regulation et d'amortissement d'un ecoulement polyphasique et dispositif obtenu par le procede. |
US5220938A (en) * | 1992-04-14 | 1993-06-22 | Vic Kley | Fluid flow friction reduction system |
FR2694785B1 (fr) * | 1992-08-11 | 1994-09-16 | Inst Francais Du Petrole | Méthode et système d'exploitation de gisements pétroliers. |
NO180469B1 (no) * | 1994-12-08 | 1997-05-12 | Statoil Petroleum As | Fremgangsmåte og system for fremstilling av flytendegjort naturgass til havs |
FR2735210B1 (fr) * | 1995-06-06 | 1997-07-18 | Inst Francais Du Petrole | Procede de recyclage d'un additif dispersant utilise pour le transport d'un gaz a condensat ou d'un petrole avec gaz associe en presence d'hydrates |
FR2735211B1 (fr) * | 1995-06-06 | 1997-07-18 | Inst Francais Du Petrole | Procede de transport d'un fluide tel un gaz sec, susceptible de former des hydrates |
FR2755746B1 (fr) * | 1996-11-13 | 1998-12-11 | Inst Francais Du Petrole | Procede de transport d'un gaz sous pression en presence d'un film liquide |
JP2009542881A (ja) * | 2006-07-13 | 2009-12-03 | シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ | 炭化水素流の液化方法及び装置 |
US8986456B2 (en) * | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) * | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8883270B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9341296B2 (en) * | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102709511B1 (ko) | 2018-05-08 | 2024-09-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TWI756590B (zh) | 2019-01-22 | 2022-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220050047A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 예측 유지보수 방법 및 예측 유지보수 장치 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
CN113047818B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-05-24 | 西南石油大学 | 一种海上油田伴生气的储存与利用方法 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2958333A (en) * | 1955-01-19 | 1960-11-01 | Phillips Petroleum Co | Pipe line transportation of a multiple fluid |
BE790646A (fr) * | 1971-10-29 | 1973-02-15 | Erap | Installation pour la separation de fond des effluents des puitsproducteurs d'un champ petrolier marin |
IT1028318B (it) * | 1974-01-30 | 1979-01-30 | Mannesmann Roehren Werke Ag | Procedimento per il trasporto a distanza di materiali energetici follili |
US4033410A (en) * | 1976-02-20 | 1977-07-05 | Shell Oil Company | Monoethanolamine process for sulfur removal from circulating oil used in sour gas wells |
JPS5760519A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Minoru Fujimoto | Pinch roller having erasing head function and player provided with it |
US4478814A (en) * | 1982-09-30 | 1984-10-23 | United Technologies Corporation | Gas transporting system |
SE455480B (sv) * | 1982-10-06 | 1988-07-18 | Svecia Silkscreen Maskiner Ab | Torkanordning for ett tryck pa ett material |
AU579583B2 (en) * | 1983-08-04 | 1988-12-01 | Conoco Specialty Products Inc. | Oil recovery system |
US4725287A (en) * | 1986-11-24 | 1988-02-16 | Canadian Occidental Petroleum, Ltd. | Preparation of stable crude oil transport emulsions |
-
1987
- 1987-06-25 NO NO872666A patent/NO161941C/no unknown
-
1988
- 1988-06-17 NZ NZ225079A patent/NZ225079A/xx unknown
- 1988-06-20 IE IE186388A patent/IE61638B1/en not_active IP Right Cessation
- 1988-06-20 MY MYPI88000677A patent/MY102834A/en unknown
- 1988-06-22 BR BR888807574A patent/BR8807574A/pt unknown
- 1988-06-22 WO PCT/NO1988/000056 patent/WO1988010397A1/en active IP Right Grant
- 1988-06-22 EP EP88905455A patent/EP0371976B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-22 DE DE8888905455T patent/DE3868410D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-22 AT AT88905455T patent/ATE72603T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-06-22 AU AU19546/88A patent/AU608342B2/en not_active Ceased
- 1988-06-22 ES ES8801929A patent/ES2011347A6/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-22 US US07/438,412 patent/US4991614A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-23 IN IN515/CAL/88A patent/IN169535B/en unknown
- 1988-06-24 JP JP63156596A patent/JPS6426100A/ja active Pending
-
1989
- 1989-12-13 DK DK627789A patent/DK627789D0/da not_active Application Discontinuation
- 1989-12-20 OA OA59705A patent/OA10027A/en unknown
- 1989-12-21 RU SU894743352A patent/RU1808069C/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IE61638B1 (en) | 1994-11-16 |
EP0371976A1 (en) | 1990-06-13 |
DK627789A (da) | 1989-12-13 |
NZ225079A (en) | 1990-02-26 |
BR8807574A (pt) | 1990-04-10 |
IE881863L (en) | 1988-12-25 |
ES2011347A6 (es) | 1990-01-01 |
OA10027A (en) | 1996-10-14 |
NO872666D0 (no) | 1987-06-25 |
NO872666L (no) | 1988-12-27 |
EP0371976B1 (en) | 1992-02-12 |
WO1988010397A1 (en) | 1988-12-29 |
AU608342B2 (en) | 1991-03-28 |
DK627789D0 (da) | 1989-12-13 |
IN169535B (no) | 1991-11-09 |
US4991614A (en) | 1991-02-12 |
AU1954688A (en) | 1989-01-19 |
JPS6426100A (en) | 1989-01-27 |
NO161941C (no) | 1991-04-30 |
ATE72603T1 (de) | 1992-02-15 |
MY102834A (en) | 1992-11-30 |
DE3868410D1 (de) | 1992-03-26 |
RU1808069C (ru) | 1993-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO161941B (no) | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. | |
CA1258620A (en) | Offshore hydrocarbon production system | |
US6230809B1 (en) | Method and apparatus for producing and shipping hydrocarbons offshore | |
RU2436936C2 (ru) | Система, судно и способ для добычи нефти и тяжелых фракций газа из коллекторов под морским дном | |
DK179631B1 (en) | Deepwater production system | |
BR112014012285B1 (pt) | método para a produção de hidrocarbonetos usando-se cavernas | |
NO175020B (no) | Fremgangsmåte ved transport av ubehandlet brönnström | |
NO302712B1 (no) | Fremgangsmåte og installasjon for utvinning av petroleumsforekomster til havs | |
OA12459A (en) | Passive low pressure flash gas compression system. | |
US5460227A (en) | Undersea integrated repressurization system and method | |
US6019174A (en) | Method and apparatus for producing and shipping hydrocarbons offshore | |
GB2470122A (en) | Subsea storage for high-pressure liquid carbon dioxide | |
US3608630A (en) | Offshore oil production method and apparatus | |
GB2575763A (en) | Apparatus and method | |
US4261419A (en) | Underground recovery of natural gas from geopressured brines | |
NO842406L (no) | Fremgangsmaate og system for produksjon av naturgass fra broenner utenfor kysten | |
NO309207B1 (no) | System og fremgangsmåte for generering og overföring av energi, samt anvendelse av slikt system og fremgangsmåte til å overföre et flerfasefluid | |
RU2014243C1 (ru) | Способ промысловой комплексной подводной разработки морских месторождений | |
GB2554076A (en) | Subsea hydrocarbon processing | |
WO2021168525A1 (pt) | Sistema e método de produção de gás offshore escoado monofasicamente para terra | |
NO873677L (no) | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner med hoey gassandel over lang avstand fra et hydrokarbonreservoar. | |
NO872553L (no) | Fortrengning av frie fluidansamlinger i rledninger. | |
NO873676L (no) | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner fra hydrokarbonreservoar med lavt trykk. | |
Khistyaev | Study Of Options For Stockman Gas Condensate Field Development | |
NO20151449A1 (en) | System and method for production of hydrocarbons in offshore salt caverns |