NL7907472A - Mosfet eenheid voor hoog vermogen. - Google Patents

Mosfet eenheid voor hoog vermogen. Download PDF

Info

Publication number
NL7907472A
NL7907472A NL7907472A NL7907472A NL7907472A NL 7907472 A NL7907472 A NL 7907472A NL 7907472 A NL7907472 A NL 7907472A NL 7907472 A NL7907472 A NL 7907472A NL 7907472 A NL7907472 A NL 7907472A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
region
source
channels
unit
electrode
Prior art date
Application number
NL7907472A
Other languages
English (en)
Other versions
NL175358B (nl
NL175358C (nl
Original Assignee
Int Rectifier Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26715426&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=NL7907472(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Int Rectifier Corp filed Critical Int Rectifier Corp
Publication of NL7907472A publication Critical patent/NL7907472A/nl
Publication of NL175358B publication Critical patent/NL175358B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL175358C publication Critical patent/NL175358C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0873—Drain regions
    • H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7809—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors having both source and drain contacts on the same surface, i.e. Up-Drain VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

* -1-
T93^1T/EL/M/vL
Aanvraagster: International Bectifier Corporation 9220 Sunset Boulevard LOS ANGELAS, Californië Verenigde Staten van Amerika
Korte aanduiding: MOSFET eenheid voor hoog vermogen
De uitvinding heeft betrekking op een MOSFET eenheid en in het bijzonder op een nieuwe struktuur voor een MOSFET eenheid voor gebruik in hoog vermogen toepassingen met een relatief hoge keerspanning en met een zeer lage aan-weerstand.
5 Het grootste voordeel van de bipolaire transistor ten opzichte van de MOSFET transistor is, dat de bipolaire transistor een zeer lage aan-weerstand per eenheid geleidend gebied heeft. De MOSFET transistor heeft een groot aantal voordelen ten opzichte van de. bipolaire transistor, zoals een zeer hoge sehakelsnelheid, een zeer hoge versterkingsfactar en het 10 niet optreden van de secundaire doorslageigenschappen, zoals bij een eenheid met minderheidsladingsdragers. Omdat de MOSFET transistor echter een hoge aan-weerstand heeft is haar gebruik in hoog vermogen schakelt oepas-singen beperkt geweest.
De uitvinding verschaft een nieuwe MOSFET eenheid voor hoog vermo-15 gen met een lage voorwaartse weerstand, zodat de eenheid, beter met bipolaire eenheden in een schakeltoepassing kan concurreren, terwijl de vele voordelen van de MOSFET ten opzichte van de bipolaire eenheid behouden blijven. In het bijzonder is volgens de uitvinding de voorwaartse weerstand per oppervlakte-eenheid van de eenheid met tenminste een factor 20 twee ten opzichte van de begrenzende weerstand per oppervlakte-eenheid van een bekende MOSFET eenheid verlaagd.
Si een bepaalde uitvoeringsvorm zijn op hetzelfde oppervlak van een halfgeleiderschijf twee bronelektroden aangebracht, die in de lengterichting van elkaar zijn gescheiden. Een op een bekende oxyde voor een 25 stuurelektrode aangebrachte stuurelektrode is tussen de bronnen opgencmen.
Onder de stuurelektrode zijn twee geleidingskanalen van de p-soort opgencmen, die door een volumineus gebied van de n-soort van elkaar gescheiden zijn. Vanaf elke bronelektrode kan een stroom door het resp. kanaal (na de vorming van de het kanaal definiërende omkeer laag) vloeien, zodat meer-30 derheidsladingsdragers via het volumineuze gebied en over de schijf naar de afvoerelektrode kunnen vloeien. De afvoerelektrode kan zich aan het «
L
79074 72
if A
-2- tegenover gelegen oppervlak van de schijf of op. een in lengterichting verschoven oppervlaktegebied vanaf de bronelektrode bevinden. Deze configuratie wordt verkregen door gebruik van de gewenste fabricagetechnieken van de D-MOS eenheid, waarbij een nauwkeurige plaatsing van de verschil-5 lende elektroden en kanalen en het gebruik van zeer kleine.kanaallengten mogelijk is. Hoewel de eenheid met de hiervoor gegeven opstelling eerder voor een MOSIET eenheid van de. signaalsoort beschreven kan zijn is de struktuur niet gelijk aan die van de doorgaans gebruikte signaal MOSPET.
De eenheid wordt in principe gevormd in een n(-) substraat, dat de 10'. relatief hoge soortelijke weerstand heeft., wat noodzakelijk is ter verkrijging van de. gewenste omkeerspanning van.de eenheid.. Voor,bij voorbeeld • een ^00 V eenheid zal het n(-) gebied, een soortelijke .weerstand van onge veer 0,2 Λm hebben. Deze. zelfde hoge soortelijke weerstand maakt de aanweer stand van de MOSFET.. eenheid, indien gebruikt als vermogenschakelaar, 15 'echter relatief hoog.
De uitvinding berust op het inzicht dat in het bovenste gedeelte van het centrale volumineuze gebied, waarnaar de twee omkeerlagen in de geleidingswegstroom naar de afvoerelektrode voeren,., het., centrale gebied onmiddellijk beneden het stuurelektrode-oxyde uit een materiaal met een 20 relatief lage soortelijke weerstand, kan bestaan, dat bijvoorbeeld door een n(+) diffusie in dat kanaalgebied gevormd, kan zijn., zonder de omkeer-spanning van de eenheid te beïnvloeden.
Volgens de uitvinding zal dit gemeenschappelijk kanaal, een bovenste gedeelte beneden.het stuurelektrode-oxyde en een onderste volumineus ge-25 deelte in de richting van de afvoerelektrode hebben. Het onderste gedeelte heeft de hoogste soortelijke weerstand, ter verkrijging van de hoge keer-spanning en heeft een van de gewenste keerspanning van de eenheid afhankelijke diepte. Zo kan voor een UOO V - eenheid- het onderste n(-) gebied een diepte van ongeveer 35 yum hebben,, terwijl het bij een 90 V eenheid 30 een diepte van ongeveer 8 ^um hebben. Andere diepten, kunnen, afhankelijk van de gewenste keerspanning van de eenheid gekozen warden ter verkrijging van het noodzakelijke dikkere verarmingsgebied, dat vereist is voor de voorkoming van de doorslag onder keerspanningcondities. Het bovenste gedeelte van het gemeenschappelijke, kanaal is tot een diepte vanaf ongeveer 35 3 ^um tot ongeveer 6 ^um sterk, geleidend (n+) gemaakt. Het is gebleken, dat dit geen invloed heeft op de keerspanning· van de eenheid. Het verlaagt echter de aan-weerstand per oppervlakte-eenheid van de eenheid met meer 790 7 4 72 #· * -3- dan een factor twee. De resulterende eenheid wordt concurrerend met "bekende bipolaire schakeleenheden voor hoog vermogen,. daar het alle voordelen van de MOSFET eenheid ten opzichte van een bipolaire eenheid heeft behouden maar nu een. relatief lage voorwaartse weerstand, heeft, hetgeen het 5 belangrijke kenmerkende voordeel van een bipolaire eenheid was.
De uitvinding verschaft een nieuwe MOSFET eenheid voor hoog vermogen met een lage voorwaartse weerstand, waarbij toch een zeer hoge pak-kingsdichtheid en met relatief eenvoudige maskers verkregen kan worden.
De eenheid heeft verder een relatief lage capaeiteitswaarde.
10 Elk van de afzonderlijk, volgens een bij voorkeur gewenste uitvoe ringsvorm, gescheiden brongebieden is veelhoekig en bij voorkeur zeshoekig ter verzekering van een constante scheiding langs de grootste lengten van de over het oppervlak van het lichaam geplaatste bronelektroden. Een zeer groot aantal kleine zeshoekige bronelementen.kunnen in hetzelfde opper-15 vlak van het half geleider lichaam, van een bepaalde eenheid gevormd worden.
Er kunnen bijvoorbeeld 6600 zeshoekige brongebieden in een schijfopper-vlak met afmetingen van ongeveer 2,56 mm bij 3,58 hei gevormd worden ter verkrijging van een effectieve kanaalbreedte van ongeveer 563 mm, zodat de eenheid een zeer hoge strocm kan voeren.
20 De ruimte tussen de naast elkaar liggende bronelektroden kan een polysilicium stuurelektrode of elke andere stuurelektrodestruktuur hebben, waarbij door middel van gestrekte stuurelektrodecontactvingers over het oppervlak van de eenheid contact met de stuurelektrodestruktuur gemaakt wordt, hetgeen een zeer goed contact over het gehele oppervlak van de een-25 heid verzekert.
Ei Tc van de veelhoekige brongebieden is geleidend met een uniform geleidende laag verbonden, welke via openingen in een isolatielaag over de brongebieden met de afzonderlijke bronnen in verbinding staat, waarbij de openingen door middel van bekende D-MOS fotolithografische technieken 30 gevormd kan worden. Dan wordt een verbindingsgebied van de brongeleidings-weg voor de brongeleider en in een verbindingsgebied vaneb stuurgeleidings-weg voor de verlengde stuurelektrodevingers gevormd en wordt een afvoer-verbindingsgebied op het tegenovergelegen oppervlak van.de halfgeleider-eenheid gevormd.
35 Op een enkelvoudige halfgeleiderschijf kan een aantal van derge lijke eenheden gevormd worden en de individuele elementen kunnen door krassen of een andere geschikte werkwijze van elkaar gescheiden worden.
79074 72 % + -h-
Volgens een ander kenmerk, van de uitvinding heeft het gebied van de p-soort, dat het kanaal, onder het stuurelektrode-oxyde vormt, een relatief diep gediffundeert gebied onder de bron, zodat het gediffundeerde gebied van de p-soort een grote kromtestraal in de r(-) epitaxiale laag, 5 dat het lichaam van de eenheid vormt, heeft. Deze diepere diffusie of diepere verbinding bleek de spanningsgradient aan de rand, van de eenheid te verbeteren en maakt dus het gebruik van de eenheid met hogere keer-spanningen mogelijk.
De uitvinding -wordt toegelicht aan de hand van de tekening: 10 Fig. 1 is een bovenaanzicht van een MOSFET schijf voor hoog vermo gen volgens de uitvinding en zij toont in het bijzonder de metalen, patronen van de twee bronelektroden.en.de stuurelektrode; fig. 2 is een dwarsdoorsnede langs de lijn 2-2 in fig. 1; fig. 3 is een met fig. 2 overeenkomende, dwarsdoorsnede, welke de 15 eerste stap van de fabrikage van de schijf volgens fig. 1 en 2 toont en in het bijzonder de stap toont van de inbrenging en de diffusie van. het p(+) contact; fig. k toont de tweede stap in het f abrikageproces en wel de stap van de inbrenging en diffusie van het n(+); 20 fig. 5 toont een volgende stap in het fabrikageproces van de schijf volgens de figuren 1 en 2 en wel de stap van. de inbrenging en diffusie van het kanaal; fig. 6 toont een volgende stap in het f abrikageproces en wel de stap van de vooraf zetting en diffusie van de bronelektrode. Dit gaat voor-25 af aan de laatste stap, waarbij het stuurelektrode-oxyde voor de metalli-seringsstap, welke de eenheid van fig. 2 geeft, wordt afgesneden; fig. 7 is een bovenaanzicht van het metaalpatroon van een tweede uitvoeringsvorm; fig. 8 is een· dwarsdoorsnede langs de lijn 8-8 in fig. 7; 30 fig. 8a is een met fig. 2 overeenkomend aanzicht en toont een gewij- - zigde opstelling van, het broncontact; fig. 9 toont de vorm van de voorwaartse stroamkarakteristieken van een eenheid zoals volgens fig. 2, waarbij het gebied 1*0 beneden het oxyde n(-) is; 35 fig. 10 toont de vorm van de karakteristiek van aan een die van fig.2 identieke eenheid, waarbij het gebied 1*0 een hoge n(+) geleidbaarheid heeft; 790 74 72 * * -5- fig. 11 is een bovenaanzicht van een compleet element qp een halfgeleider schi jf voorafgaand aan de scheiding van het element van het restant van de schijf; fig. 12 is een vergroot detail van.de geleidingsweg van de stuur-5 elektrode als illustratie van de relatie van het stuurelektrodecontact en de bronveelhoeken in het gebied, van de geleidingsveg van de stuurelektrode; fig. 13 is -een gedetailleerd bovenaanzicht van een klein gedeelte van het brongebied tijdens een stap van het fabrikageproces van de eenheid; fig. Hf- is een dwarsdoorsnede langs de lijn lit—14 in fig. 13; en 10 fig. 15 komt overeen met fig. 1^ en toont de toevoeging van een stuurelektrode van polysilicium, bronelektrodemiddelen. en een afvoerelek-trode aan de schijf.
De figuren 1 en 2 tonen een eerste uitvoeringsvorm van de nieuwe MOSFET eenheid en tonen een schijf van monokristallijn silicium 20 (of 15 enig ander geschikt materiaal) waarbij de elektroden van de eenheid de slingerweg 21, het best getoont in fig. 1, volgen teneinde het stroamvoe-rende gebied van de eenheid te vergroten. Ook andere geometrische vormen kunnen gebruikt worden. De getoonde eenheid heeft een keer spanning van ongeveer koo 7 en een aan-weerstand lager dan ongeveer 0,hiL met een kanaal-20 breedte van 50 cm. Er zijn eenheden met keer spanningen van 90 7 tot it00 V gemaakt. De kOO 7 eenheden waren in staat pulsstrcmen van 30 A te voeren.
De 90 V eenheden toonden een voorwaartse weerstand van ongeveer 0,111 met een kanaalbreedte van 50 cm en konden pulsstromen. tot ongeveer 100 A voeren. Eenheden met hogere en lagere keerspanningen kunnen ook met ver-25 schillende kanaalbreedten gemaakt worden.
De bekende M0SFET eenheden hebben een veel hogere aan-weerstand dan de voor ^noemde. Een met de hierna beschreven vergelijkbare U-00 7 M0SFET, die echter met bekende technieken is verkregen, zou doorgaans een grotere aan-weer stand hebben dan 1,5X1 in. vergelijking met een aan-weer stand van 30 minder dan 0,^X1 in een volgens de uitvinding verkregen eenheid. Bovendien heeft de M0SFET schakeleenheid volgens de uitvinding alle gewenste voordelen van de M0SFET eenheid, daar het als een eenheid met meerderheids-ladingsdragers werkt. Deze voordelen omvatten een hoge schakelsnelheid een hoge versterkingsfactor en de vermijding van secundaire doorslageigen-35 schappen, zoals die bij eenheden met minderheidsladingsdragers aanwezig zijn.
De eenheid volgens de figuren 1 en 2 heeft twee bronelektroden 22 790 7472 -6- en 23 die door middel van een gemetalliseerde stuurelektrode 2h gescheiden zijn, welke laatste door middel van een silicfumdioxydelaag 25 gescheiden op het oppervlak van de halfgeleidereenheid is aangebracht. De door het stuurelektrode-oxyde 2k gevolgde slingerweg heeft een lengte van 50 cm 5 en heeft 667 golvingen, maar is in fig. 1 vereenvoudigd weergegeven. Ook andere kanaalbreedten kunnen worden gebruikt. De bronelektroden 22 en 23 kunnen, zoals getoond, lateraal uitgebreid worden, om als veldplaten te dienen voor de spreiding van het.tijdens de keerspanningscondities gevormde verarmingsgebied. Elk van. de bronelektroden. 22 en.. 23 voert stroom naar 10 een gemeenschappelijke afvoerelek.trode 26,. die op de bodem van de schijf is aangebracht. De relatieve afmetingen van de eenheid, in het bijzonder de dikte, zijn ten behoeve van de duidelijkheid in fig. 2 sterk overdreven. De siliciumschijf 20 wordt op een n(+) substraat gevormd, welk substraat een dikte van. ongeveer 358 ƒ urn kan hebben. Op het substraat 20 is 15 een n(-) epitaxiale laag aangebracht, die een.van de gewenste keerspanning afhankelijke dikte en soortelijke weerstand zal hebben. Alle verbindingen worden in deze epitaxiale laag gemaakt, welke laag een relatief hoge soortelijke weerstand kan hebben. In. de betreffende uitvoering heeft de epitaxiale laag een, dikte van ongeveer. 35 yum en een soortelijke weer-20 stand van ongeveer 0,2Hm. Voor een 90 V eenheid zou de epitaxiale laag 20 een dikte van ongeveer 10 ^um en een soortelijke weerstand van ongeveer 0,025Hm hebben. Een kanaalbreedte van 50 cm wordt eveneens gebruikt om de gewenste stroomcapaciteit van de eenheid te-verkrijgen. .
In een bij voorkeur toegepaste uitvoeringsvorm bevindt zich een 25 slingervormig p(+) geleidingsgebied. onder elk van. de bronelektroden 22 en 239 die zich dus rond. de in.fig. 1 getoonde slingerweg uitstrekt. Deze p(+) gebieden worden, in fig. 2 als.de p(+) gebieden 30 resp. 31 getoond en zijn gelijk aan die van de bekende uitvoering met dit verschil, dat de maximale diepte van het p(+) gebied sterk vergroot is teneinde een grote 30 kromtestraal, te vormen. Hierdoor is de eenheid bestand tegen hogere keer-spanningen. De diepte van de gebieden 30 en 31 bedraagt bij voorkeur ongeveer k yum volgens de dimensie X in fig. 2 en ongeveer 3 ^um volgens de dimensie Y in fig. 2.
Door middel van het gebruik van. D-M0S fabrikagetechnieken worden 35 twee n(+) gebieden 32 en 33 beneden de bronelektroden 22 resp. 23 gevormd, die met de p(+) gebieden 30 en 31 de kanaalgebieden 3^· resp. 35 van de n-soort bepalen. De kanaalgebieden 3^ en 35 bevinden zich onder het stuurelektrode-oxyde 25 en kunnen door middel van de juiste toepassing 7907472 *· * -7- van een instelsignaal aan.de stuurelectrode 2k geïnverteerd worden teneinde geleiding vanaf de bron 22 en de bron 23 via de omkeerlagen in het centrale gebied beneden de stuurelektrode 2k naar. de afvoerelektrode 26 mogelijk te maken. De kanalen 3^ en 35 kunnen, elk een lengte van onge-5 veer 1 yum hebben.
Het werd vroeger noodzakelijk geacht, dat. het centrale n(-) gebied tussen de kanalen 3k en 35 (en tussen de p(+) gebieden 30 en 31) een hoge soortelijke weerstand zou moeten hebben.teneinde de eenheid bestand te maken tegen hoge keer spanning en, Hefn(-) materiaal, met de relatief hoge 10 soortelijke weerstand draagt echter ook sterk, bij aan de hoge voorwaartse aan-weerstand van de eenheid.
Volgens de uitvinding is een groot gedeelte van dit centraal geleidende gebied, relatief sterk geleidend en bestaat uit een n(+) gebied kO onmiddellijk beneden het stuurelektrode-ozyde 25· Het n(+) gebied 1*0 heeft 15 een diepte van ongeveer 1* yum en kan tussen ongeveer 3 yin en ongeveer 6 yum liggen. Hoewel de exacte geleidbaarheid niet bekend is en met de diepte varieert is deze relatief hoog ten opzichte van het n(-) gebied daaronder. Het gebied 1*0 heeft een hoge geleidbaarheid,, dat. door een to-tale ionen-implantatiedosering van ongeveer 1 x 10 D tot 1 x 10 fosfor- O _ 20 atcmen/m bij 50 kV gevolgd door een diffusie bij 1150 C tot 1250 C gedurende 30 min tot 21*0 min bepaald wordt. .Het is gebleken,, dat door dit gebied ko door middel van een diffusie of andere bewerking tot sterk geleidend n(+) materiaal te maken de eigenschappen van de eenheid sterk warden verbeterd en de voorwaartse aan-weerstand. van de eenheid met een 25 factor groter dan .twee verminderd wordt. Het is verder gebleken, dat de aanbrenging van het sterk geleidende gebied 1*0 de keerspanningeigenschap-pen van de. eenheid niet beïnvloeden. Door het gebied beneden het stuur-elektrode-oxyde 25 en tussen de kanalen 3k en 35 sterker geleidend te maken wordt de voorwaartse aan-weer stand. van de uiteindelijke schakeleen-30 heid voor hoog vermogen sterk verminderd en wordt de M0SFET eenheid meer concurrerend met een overeenkomstige eenheid van de verbindings-soart, terwijl alle voordelen van de werking van de meerderheidsladingsdragers van de M0SFST behouden blijven.
In de beschrijving bij de figuren 1 en 2 is aangenomen, dat de ge-35 leidingskanalen 3k en 35 uit p(+) materiaal bestaan en dienovereenkomstig naar een geleiding van de n-soort zijn geïnverteerd ter verkrijging van een geleidingskanaal voor meerderheidsladingsdragers vanaf de bronnen 22 790 7472 -8- en 23 naar het centrale gebied.Λθ door toepassing van. een geschikte stuur-elektrodespanning. Het is echter duidelijk, dat. al deze geleidingssoorten omgekeerd kunnen -warden, zodat de eenheid als een eenheid met een p-kanaal in plaats van met een, zoals beschreven, n-kanaal kan werken.
5 Een werkwijze volgens welke de eenheid van de figuren 1 en 2 ver kregen kan worden wordt aan de hand van de figuren 3 t/m 6 toegelicht. Volgens fig. 3 bestaat de basisschijf 20 uit n(+) materiaal met een daarop epitaxiaal.aangebracht n(-) gebied. Op de sehijf 20 is een dikke oxy&e-laag 50 met daarin openingen 51 en 52 gevormd. De openingen 51 en 52 wor-10 den blootgesteld aan een straal boriumatamen. in een ionenimplantatie-in-richting ter vorming van p(+) gebieden. Daarna.worden de ingebrachte bo-riumatomen gedwongen dieper in de schijf te diffunderen ter vorming van het ronde p(+) concentratiegebied in fig. 3, dat een diepte van ongeveer k ^um kan hebben. Tijdens deze diffusiebewerking groeien ondiepe oxydela-15 gen 53 en 5^· voor de openingen 51 en 52.
Volgens fig. k worden in de oxydelaag 50 openingen 61 en 62 gesneden en vindt een implantatie van n(+) plaats voor de inbrenging van de n(+) gebieden 63 en 6k in de n(-) epitaxiale laag. Deze n(+) implantatie kan met een fosforstraal worden uitgevoerd. Daarna worden de geïmplanteer-20 de gebieden onderworpen aan een diffusiestap om de gebieden 63 en 6k te dwingen zich uit te bereiden en te verdiepen tot een diepte van ongeveer 3-1/2 ,um met een concentratie bepaald door een implantatiedosering van 1 x 10 tot 1 x 10 . fosforatamen/m gevolgd door een indrijving gedurende 30 min tot ^ uren bij 1150°C tot 1250°C. Zoals later zal blijken, geven 25 de gebieden 63 en 6k het nieuwe n(+) gebied, dat de aan-weerstand van de eenheid belangrijk verlaagt.
Het zij opgemerkt, dat de n(+) gebieden 63 en 6b indien gewenst epitaxiaal aangebracht kunnen worden en niet gediffundeerd behoeven te worden. Evenzo kan de besebreven resulterende eenheid door middel van elk 30 ander gewenst en bekend proces gefabriceerd- worden.
De volgende stap van het proces wordt in fig. 5 getoond en betreft de implantatie en diffusiestap van het kanaal., waarbij via dezelfde openingen 61 en 62, die werden gebruikt voor n(+) implantatie voor de gebieden 63 en 6b, de p(+) gebieden 71 en 72 worden gevormd.. De p(+) gebieden 35 71 en 72 worden door middel van implantatie met een. boriumstraal tot een yr- *l8* 2 dosering van ongeveer 5 x 10 tot 5 x 10 atomen/m gevormd gevolgd door een diffusie-indrijving gedurende 30 tot 120 min bij 1150°C tot 1250°C.
790 7472 ê β· * -9-
Daarna -warden, zoals getoond in fig. 6, stappen uitgevoerd voor de voor aanbrenging van de bronelektrode en de diffusie van.de 'bronge'bieden 32 en 33. Dit wordt door middel van een bekende en niet-kritische fosfor-diffusiestap uitgevoerd, waarbij de diffusie zich via de openingen 61 en 5 62 voortplant, zodat de brongebieden 32 en 33 automatisch relatief ten opzichte van'de andere voorgevormde gebieden op. een lijn worden gebracht.
De schijf wordt in een oven geplaatst en blootgesteld aan.POCl^ met een draaggas gedurende 10 min tot 50 min en bij een temperatuur van 850°C tot 1000°C.
10 Na afloop van deze stap is de in fig. 2 vereiste, basis verbindings- opstelling gevormd met korte p(+) gebieden .beneden het 0x7de 50, dat als geleidingskanaal voor de uiteindelijk verkregen eenheid dient en met een n(+) gebied, dat het gebied, tussen de kanalen 34 en 35 en tussen de p(+) gebieden. 30 en 31 opvult. Het fabrikageproces. gaat dan vanaf de stap in 15 fig. 6 door, totdat de eenheid volgens fig. 2 is verkregen, waarin de oxyde-oppervlakken aan de bovenzijde van de schijf op geschikte wijze worden afgestroopt en worden de metaalpatronen voor de contacten 22, 23 en 24 gevormd ter verkrijging van elektrische verbindingen met de eenheid. Het contact 26 van de afvoerelektrode wordt wordt in een daaropvolgende metal-20 liseringsbewerking op de eenheid aangebracht. Daarna, kan de. gehele eenheid bedekt worden met een geschikte passieve laag en worden draadeinden met de bronelektroden 22 en 23 en met de stuurelektrode 24 verbonden. De eenheid wordt dan in een geschikte beschermende behuizing geplaatst., waarbij de afvoerelektrode met de behuizing of een andere voor de afvoerelektrodever-25 binding dienende geleider is verbonden.
De eenheid volgens de figuren 1 en 2 maakt gebruik van een slingervormige weg voor elk van de twee brongebieden en de stuurelektrodegebieden en een afvoerelektrode op het oppervlak van de schijf tegenover de bronelektroden. Ook andere opstellingen kunnen worden gebruikt. De figuren 7 30 en 8 tonen een vlakke opstelling met een eenvoudige rechthoekige vorm met een ringvormige stuurelektrode 80 tussen een eerste bronelektrode 81 met een ringvorm en een centrale bronelektrode 82. De eenheid volgens fig. 8 is opgenomen in een basisschijf van p(-) monokristallijn silicium 83 met een daarin opgenomen n(+) gebied 84 ter vermindering van de laterale weer-35 stand van de verschillende stroomwegen van de eenheid naar de lateraal verschoven afvoerelektrode 85, die de bronelektrode 81 omgeeft.
Volgens fig. 8 en volgens de uitvinding is binnen de eenheid een 790 7472 ti- -10- ringvormig n(+) gebied 86 gevormd met . een veel hogere geleidbaarheid dan het n(-) epitaxiaal, aangebrachte gebied 87, dat alle, verbindingen van de eenheid bevat. Het ringvormige gebied 86 bevindt zich onder het gebied van het stuurelektrode-oxy de 88 en ligt tegen de einden van de twee ge-5 leidingskanalen, die tussen het ringvormige p(+) gebied 89 en het centrale p(+) gebied 91 onder de ringvormige bronelektrode 81 en.resp. de centrale bronelektrode 82 zijn gevormd.
Er wordt bij fig. 8 tevens, opgemerkt, dat de buitenkant 90 van de p(+) ring 89 een grote straal heeft als bijdrage voor de. eenheid om hoge 10 keerspanningen te kunnen weerstaan.
Ter verkrijging van een goed contact met de afvoeasLektrode 85 is in fig. 8 een n(+) gebied 95 opgenomen.. De. afvoerelektrode. 85 bevindt zich op een grote' laterale afstand van de bronelektrode 81 (meer dan ongeveer 90 ^um). Het afvoercontact 85 is omgeven door een p(+) isolatiediffusie 15 96 om de eenheid van andere eenheden op dezelfde .schijf te isoleren.
In de opstelling volgens fig. 8 vloeit vanaf de bronnen 81 en, 82 een stroom via het epitaxiale gebied 87 door het gebied. 86. De stroom vloeit dan lateraal naar buiten en dan. naar het afvoercontact 85. In de uitvoering volgens fig. 2 is de weerstand van de eenheid, sterk verlaagd 20 door het relatief. sterk geleidend gebied 86.
Voor wat betreft de toepassing der uitvinding zij vermeld, dat elk soort contactmateriaal voor de bron- en. stuurelektrodecontacten gebruikt kan worden. Zo kan bijvoorbeeld aluminium voor de bronelektrode. gebruikt worden terwijl voor de geleidende stuur elektrode 80 in fig. 8 of de gelei-25 dende stuurelektrode 2k in fig. 2 polysilicium gebruikt.kan worden.
Ter verkrijging van de eenheid volgens de uitvinding kunnen vele andere geometrische vormen gebruikt worden met inbegrip van een aantal rechte, parallelle bronelementparen met resp.. daartussen opgenomen stuur-elektroden en dergelijke.
30 De bronelektroden 22 en 23 zijn als gescheiden elektroden getoond, die met gescheiden draadeinden.verbonden kunnen'worden... De bronelektroden 22 en 23 kunnen ook direct verbonden worden, hetgeen getoond is in fig. 8a, waarin gelijke componenten als die in fig. 2 dezelfde verwijzings-cijfers hebben. In fig. 8a is de stuurelektrode echter een polysilicium-35 laag 101 (in plaats van aluminium),, dat .boven het stuurelektrode-oxyde 25 is aangebracht. De stuurelektrode 25 is daarna met een oxydelaag 102 bedekt en een geleidende laag 103 verbindt de twee bronelektroden 22 en 23 790 74 72 -11-.
met elkaar ter vorming van een van., de stuur elektrode 101 geïsoleerde enkele brongeleider. Op geschikte randgedeelten van de.schijf is een verbinding met de stuurelektrode gemaakt.
De figuren 9 en 10 tonen de krommen, die de vermindering in voor-5 waartse weerstand tonen, indien het gebied Uo sterk geleidend n(+) gemaakt is. De bij de fig. 9 behorende geteste eenheid had een gebied Uo met de n(-) geleidbaarheid van het epitaxiale gebied. Zoals getoond in fig. 9 is dévoorwaartse weerstand dus hoog voor verschillende instelspanningen van de stuurelektrode.
10 In de eenheid volgens de uitvinding waar het gebied 40 van de n(+) geleidingssoort is, is een zeer sterke afname van de aan-weerstand opgetreden voor alle stuurelektrodespanningen voordat., de snelheidsverzadiging van de elektronen optreedt, hetgeen in fig. 10 getoond is.
De veelhoekige vorm van de brongebieden volgens de uitvinding wordt 15 het best getoond in de figuren 13, 1¼ en 15'.
In de figuren 13 en 1^· is de eenheid getoond voordat de stuurelektrode, bronelektrode en afvoerelektrode aangebracht zijn. Het fabrikage-proces kan van elke gewenste soort zijn met inbegrip van. de D-MOS fabrika-getechnieken en ionenimplantatietechnieken ter vorming van.de verbinding 20 en plaatsing van de elektroden op een zo geschikt mogelijke wijze.
De eenheid is beschreven als een eenheid van de H kanaal verrij-kingssoort. Het zal duidelijk zijn, dat de uitvinding ook van toepassing is voor P kanaaleenheden en die van de verarmingssoort.
De eenheid volgens de figuren 13 en 1^ heeft een aantal veelhoekige 25 brongebieden op het oppervlak van. de eenheid, waarbij deze veelhoekige gebieden bij voorkeur een zeshoekige vorm hebben. Ook vierkantige vormen kunnen gebruikt warden, maar de zeskantige vorm geeft een betere uniformiteit voor de scheiding, tussen aaneenliggende brongebieden.
In fig. 13 en 1^· zijn de zeshoekige brongebieden in een halfgelei-30 der basislichaam of schijf gevormd, welke laatste een H-soort schijf 120 van monokristallijn silicium met een daarop aangebrachte dunne H-epitaxiaal gebied 121 kan zijn, hetgeen het best in fig. 1U getoond wordt. Alle verbindingen worden in het epitaxiaal gebied 121 gevormd. Door gebruikmaking van geschikte maskers worden een aantal P gebieden, zoals de gebieden 122 35 en 123 in de figuren 13 en 1^, gevormd in een oppervlak, van het gebied 121 van de halfgeleiderschijf, waarbij deze gebieden doorgaans een veelhoekige vorm en bij voorkeur een zeshoekige vorm hebben.
790 7 A 72 ί \ -12-
Er wordt een zeer groot aantal van dergelijke, veelhoekige gebieden gevormd. In een eenheid met bijvoorbeeld oppervlakte^afmetingen van 2,56 mm bij 3,58 mm worden ongeveer. 6600 veelhoekige gebieden gevormd ter verkrijging van een totale kanaalbreedte van ongeveer 563. inm. Elk van· de 5 veelhoekige gebieden kan, gemeten loodrecht naar twee tegenovergelegen zijden van de veelhoek, een breedte van. ongeveer 25,6 ^um of minder hebben. Indien zij loodrecht tussen aaneenliggende rechte, zijden van aaneenliggen-de veelhoekige gebieden gemeten wordt kan de onderlinge afstand een waarde hebben van ongeveer 15*36 ^um. .
10 De P+ gebieden' 122 en 123 hebben, een diepte d, die bij voorkeur ongeveer 5 ^urn bedraagt, ter· verkrijging van een sterk en betrouwbaar veld. Elk van de P gebieden heeft een uitwendig randgebied, t.w. \2b en 125 voor de P gebieden 122 resp. 123, met een diepte s van ongeveer 1,5 ƒ urn.
Deze afstand moet zo klein mogelijk. zijn ter vermindering van cte capaci-15 teitswaarde van de eenheid.
Elk van de veelhoekige gebieden met. inbegrip van. de veelhoekige gebieden 122 en 123 krijgen TT+ veelhoekige ringgebieden 126 resp. 127· De drempels 12l+ en 125 bevinden zich beneden, de gebieden 126 resp. 127· De 1+ gebieden 126 en 127 staan in verbinding met een relatief geleidend H+ gebied 20 128, dat het ΙΓ+ gebied is tussen aaneenliggende veelhoeken van de P soort ter vorming van de verschillende kanalen tussen de brongebieden en een afvoercontact, hetgeen later beschreven zal worden.
De sterk geleidende N+ gebieden 128 worden gevormd op een wijze zoals beschreven in de U.S. octrooiaanvrage 951-310 en een zeer lage voor-25 waartse weerstand voor de eenheid geeft.
Bij de figuren 13 en 1^ wordt opgemerkt, dat het. gehele oppervlak van.de schijf met een oxydelaag of gecombineerde bekende oxyde en nitride-lagen, die voor de vorming van de. verschillende verbindingen worden verschaft, is bedekt. Deze laag is als isolatielaag 130 getoond. De isolatie-30 laag 130 is voorzien van veelhoekig gevormde openingen zoals de openingen 131 en 132 onmiddellijk boven de veelhoekige gebieden 122 en 123. De randen van de openingen 131 en 132 vallen over de 1+ bronringen 126 en 127 voor de gebieden 122 resp. 123. De oxydestroken 130,. die na de vorming van de veelhoekig gevormde openingen achterblijven, vormen.het stuurelek-35 trode-oxyde voor de eenheid.
Vervolgens kunnen, zoals getoond in fig. 15, elektroden met de eenheid verbonden worden. Deze omvatten een polysiliciumrooster met poly- 790 74 72 -13- siliciumgedeelten ^0, 1^1 en ik-2, die de ozydegebieden 130 bedekken.
Dan wordt een bedekking van siliciumdioxyde op. bet polysilicium-rooster 1^0 aangebracht, die in fig. 15 als de. bedekkingsgebieden 1^-5, 1 ¾6 en ihj zijn getoond en die de polysilicium. besturingselektrode en de 5 bronelektrode, die daarna over het gehele bovenoppervlak van de schijf is aangebracht, isoleren. In fig. 15 is de bronelektrode. als een geleidende laag 150 getoond* die uit elk soort materiaal, zoals, aluminium, kan bestaan. Er wordt tevens een afvoerelektrode 151-met de eenheid verbonden.
De resulterende, eenheid volgens fig. 15 is een U-kanaaleenheid, 10 waarin kanaalgebieden tussen elk van. de af zonderlijke, bronnen en het lichaam van het halfgeleidermateriaal, dat uiteindelijk naar de afvoerelektrode 151 voert, zijn gevormd. Een kanaalgebied 160 is dus gevormd tussen de bronring 126, die met de bronelektrode 150 is verbonden en het ÏÏ+ gebied 128, die uiteindelijk tot..de afvoerelektrode 151 leidt. Door het 15 aanleggen .van een geschikte, stuur spanning aan de stuur elektrode 1^0 wordt het kanaal 160 omgekeerd tot de. H geleidingssoort..Op gelijke wijze worden kanalen 161 en 162 tussen het met de. geleider 150 verbonden bronge-bied 126 en het tot de afvoerelektrode 151 leidende, omgevende N+ gebied 128 gevormd. Door het aanleggen van een geschikte stuur spanning aan de 20 polysiliciumstuurelektrode (met inbegrip van de vinger 1^-1 in fig. 15) worden de kanalen 161 en 162 geleidend voor de geleiding van meerderheidsla-dingsdragers vanaf de bronelektrode 150 naar de afvoerelektrode 151 ·
Elke bron vormt parallelle geleidingswegen, waarbij bij voorbeeld de kanalen 163 en 16¾ onder het stuurelektrode-element lk2 de geleiding moge-25 lijk maakt vanaf de bronring 12T en.een N bronstrook 170 naar het H+ gebied 128 en dan naar de afvoerelektrode 151.
Opgemerkt wordt, dat de figuren 1¾ en 15 een P eindgebied 1J1 tonen, dat de rand van de schijf omsluit.
Het contact 150 in fig. 15 bestaat bij voorkeur uit .aluminium. Op-30 gemerkt wordt, dat het contaetgebied. voor het contact 155 geheel over en in dezelfde lijn ligt met het diepere gedeelte van.het. P gebied 122. Dit is gedaan, omdat bleek, dat het voor de elektrode 150 gebruikte aluminium door zeer dunne gebieden van het P materiaal kan steken. Een kenmerk van de uitvinding is dus de verzekering, dat het contact 150 principieel boven 35 de diepere gedeelten van de P gebieden zoals de P gebieden 122 en 123 ligt. Hierdoor zijn de door de ringvormige drempels 12¾ en 125 bepaalde actieve kanaalgebieden zo dun als gewenst te maken teneinde de eapaciteitswaarde 79 0 7 4 72 _11*_ ï 4 van de eenheid duidelijk te verminderen.
Fig. 11 toont een complete , eenheid.met het veelhoekige hronpatroon van fig. 15'. De complete eenheid volgens fig. 11 ligt "binnen de krasge-bieden 180, 181, 182 en 183, waarmee een aantal afzonderlijke, eenheden elk 5 met de afmetingen van 2,56 mm bij 3,58 mm van. het schijf lichaam te breken is.
De beschreven ..veelhoekige gebieden worden door een aantal kolommen en rijen omsloten. De dimensie A omvat bij. voorbeeld 65 kolommen met veelhoekige gebieden en kan ongeveer 2,12 mm bedragen. De dimensie B kan 100.
10 rijen met veelhoekige gebieden omvatten, en kan ongeveer.' 3,79 mm bedragen.
De dimensie C tussen een bronverbindingsweg 190 en een. stuurverbindings-weg 191 kan 82 rijen met veelhoekige..elementen omvatten.
De bronelektrodeweg 190 is een.relatief zwaar metalen deel, dat direkt met de aluminium bronelektrode .150 is verbonden, en een. gemakkelijke 15 draadverbinding mogelijk. maakt met. de bronelektrode.
De stuurelektrodeverbindingsweg 191 is elektrisch, met een aantal uitstekende vingers 192, 193, 19¾ en I95 verbonden, die zich symmetrisch over het buitenoppervlak van het gebied met de veelhoekige gebieden uitstrekken en in elektrische verbinding staan, met de veelhoekige stuurelek-20 trode zoals aan de hand van.fig. 12 beschreven zal worden.
De buitenomtrek van de eenheid bevat tenslotte de P+ diepe diffu-siering 171, die, zoals getoond in fig, 11,. met een veldplaat 201. verbonden kan worden.
Fig. 12 toont een gedeelte van de stuurelektrodeweg 191 en de stuur-25 elektrodevingers 19¾ en 195· Het is gewenst cm een aantal, verbindingen met de veelhoekige stuurelektrode te maken teneinde, de E-C tijdconstante van de eenheid te verminderen. De polysiliciumstuurelektrode heeft een aantal gebieden met de gebieden 210, 211, 212 en dergelijke, die zich naar buiten uitstrekken en in verbinding staan met de verlengingen van de stuur-30 elektrodeweg en de stuurelektrodewegelementen 19¾ en 195· De polysüicium-stuurelektrodegebieden kunnen tijdens de. vorming van de oxydebedekking ^5-^6-^7 in fig. 15 onbedekt blijven en worden door de bronelektrode 50 niet bedekt. Opgemerkt wordt, dat in fig. 12' de as. 220..de symmetrie-as 220 van fig. 11 is.
790 7 4 72

Claims (15)

1. Hoog vermogen MQSFET eenheid met een relatief lage aan-weer stand en een relatief hoge doorslagspanning, die bestaat uit een schijf van halfgeleidermateriaal met een eerste oppervlak en een parallel daaraan tweede oppervlak, waarbij het eerste oppervlak eerste en tweede geschei-5 den bronelektroden heeft, het op een stuurelektrode-isolatielaag op het eerste oppervlak tussen de eerste en tweede elektroden een stuurelektrode op de stuurelektrode-isolatielaag, een afvoerelektrode op het tweede oppervlak en eerste en tweede van elkaar gescheiden kanalen van een eerste geleidingssoort onmiddellijk onder, de stuurelektrode-isolerende laag heeft, 10 waarbij de tegenovergelegen einden van de eerste en tweede kanalen elektrisch met de eerste en tweede bronelektroden zijn verbonden, de aangrenzende einden van de eerste en. tweede kanalen elk met een gemeenschappelijk gebied zijn verbonden, dat zich centraal onder de isolerende laag bevindt en van een tweede geleidingssoort is, het een gebied van de tweede 15 geleidingssoort heeft met een relatief hoge soortelijke weerstand onder de eerste en tweede kanalen en het gemeenschappelijk gebied en het gemeenschappelijk gebied ondoorbroken doorloopt, gekenmerkt doordat het gemeenschappelijk gebied een duidelijk hogere geleidbaarheid heeft dan het onderliggende gebied, en het gemeenschappelijk gebied en het onderliggende ge-20 bied een serieverbinding vormen voor de stroomweg vanaf de eerste en tweede bronelektrode naar de afvoerelektrode.
2. Eenheid volgens conclusie 1, gekenmerkt door een lichaamsgebied van de tweede geleidingssoort vanaf de afvoerelektroden naar het onderliggende gebied, waarbij het lichaamsgebied van de tweede geleidingssoort een 25 in hoofdzaak. hogere geleidbaarheid.heeft dan het onderliggende gebied.
3. Eenheid volgens conclusie 2, met het kenmerk,, dat het onderliggende gebied een epitaxiaal gegroeide laag op het lichaamsgebied is. Eenheid volgens conclusie 1, gekenmerkt door eerste en tweede verbindingsgebieden in de schijf, die van de tweede geleidingssoort zijn en 30 een relatief hoge geleidbaarheid hebben en onder de eerste en tweede bronelektroden liggen en zich tot onder de stuurelektrode-isolatielaag strekken voor de verbinding met aangrenzende einden van resp. de eerste en tweede kanalen.
5. Eenheid volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de isolerende 35 laag voor de stuurelektrode uit siliciumdioxyde bestaat. 79074 72 -16- β. Eenheid volgens conclusie 1,. met het kenmerk, dat de eerste en tweede hronelektroden en de. stuur elektrode langs een "bepaalde weg op het eerste oppervlak, verlengd zijn.
7. Eenheid volgens conclusie-1,. met het kenmerk,, dat de eerste en 5 tweede kanalen.de oppervlaktegedeelten zijn van resp..relatief diepe gebieden van de eerste geleidingssoort, waarbij de relatief, diepe gebieden elk een afgerond profiel hebben, dat zich. tot onder, en lateraal daarvan gescheiden, de buitenrand van het brongebied, dat op een lijn. is gebracht met het diepe gebied, uitstrekt.
8. MOSFET eenheid, met een lage aan-weerstand, gekenmerkt door een omkeer laag, waarvan het ene.uiteinde elektrisch, met een bronelektrode is verbonden en het andere uiteinde elektrisch, met een.sterk geleidend gebied van dezelfde geleidingssoort als van het omkeerkanaal.is verbonden, waarvan het sterke geleidend, gebied in verbinding staat met.een lichaams-15 gebied van dezelfde, geleidingssoort maar met. een lagere geleidbaarheid, en waarbij een afvoerelektrode tenslotte met het lichaamsgebied is verbonden.
9. MOSEET eenheid, verkregen door middel van D-MOS fabrikagetechnieken bestaande uit een halfgeleiderschijf, eerste en tweede gescheiden, paral-20 lelie, verlengde bronelektroden. op een oppervlak, van de schijf, een stuur— elektrode tussen de gescheiden bronelektroden,op een.isolatielaag op de schijf, door middel van een stuur spanning omkeerbare. eerste en tweede kanalen, waarbij de eerste en tweede, kanalen gescheiden, einden hebben, die zich uitstrekken.in een gemeenschappelijk halfgeleidergebied onder de 25 isolatielaag van de stuurelektrode,. de tegenovergelegen einden, van de eerste en tweede kanalen resp. met de eerste en tweede kanalen zijn verbonden, de eerste en tweede kanalen van een.eerste geleidingssoort zijn en tot de tweede geleidingssoort omgekeerd kunnen worden en het gemeenschappelijk halfgeleidergebied een stroomweg door. de, schijf bepaald gekenmerkt 30 doordat het een hoge geleidbaarheid heeft dicht bij de oppervlak van de schijf cm bestand te zijn tegen keerspanningen een lage geleidbaarheid heeft op een grotere diepte dan ongeveer 1 ^um beneden het oppervlak, waarbij het gebied met.de hoge geleidbaarheid van het gemeenschappelijk gebied de aan-weerstand van de eenheid duidelijk verlaagt.
10. Eenheid volgens conclusie 9» gekenmerkt doordat de schijf een bodem- oppervlak met een daarmee verbonden afvoeiêLektrode heeft.
11. Eenheid volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de eerste en 79074 72 V * -17- tweede kanalen eindgebieden zijn ran resp. relatief, diepe gebieden, die nit elkaar wijken en die een grote buitenste kromtestraal hebben.
12. MOSEET eenheid voor hoog vermogen bestaande uit een schijf van half-geleidennateriaal met een eerste oppervlak en. een, parallel tweede opper-5 vlak gekenmerkt doordat het eerste oppervlak een aantal met gelijke afstanden gescheiden symmetrisch opgestelde veelhoekige. brongebieden heeft, een isolatielaag voor een stuur elektrode op het eerste oppervlak tussen de brongebieden is aangebracht, een stuurelektrode op de isolatielaag voor de stuurelektrode is aangebracht, een af voerelektrode op het tweede opper-10 vlak is aangebracht, middelen voor de bronelektrode met de veelhoekige brongebieden zijn verbonden,, een ringvormig kanaal, van een eerste gelei-dingssoort rond de buitenkant van elk van de veelhoekige brongebieden en onder de isolatielaag voor de stuurelektrode is aangebracht,- een uiteinde van elk van de kanalen elektrisch met de middelen voor de bronelektrode * 15 is verbonden, het tegenovergelegen uiteinde van elk. van de kanalen met resp. gebieden, die centraal onder de isolatielaag voor de stuurelektrode zijn aangebracht, is verbonden en.van de tweede, geleidingssoort is een gebied van de tweede geleidingssoort met een relatief hoge soortelijke weerstand onder het gemeenschappelijke gebied, dat in dit gemeenschappelijk 20 gebied overgaat, waarbij het gemeenschappelijk gebied een duidelijk hogere geleidbaarheid.heeft dan het onderliggende gebied, en het gemeenschappelijk gebied en het onderliggende gebied een serieverbinding vormen voor de stroomweg vanaf de eerste: en tweede bronelektrodemiddelen voor de af-voerelektrode.
13. Eenheid volgens conclusie 12, met het kenmerk,, dat elk van de bron gebieden zeshoekig is. 1¾. Eenheid volgens conclusies 12 en 13, gekenmerkt doordat, elk van de zeshoekige brongebieden een relatief diep centraal gebied en een relatief smal uitwendig gebied hebben, waarbij het relatief diep centraal gebied 30 onder de bronelektrodemiddelen ligt.
15. MOSEET eenheid verkregen door middel van D-MOS fabrikagetechnieken bestaande uit een halfgeleiderschijf, een aantal symmetrisch aangebrachte veelhoekige brongebieden op een oppervlak van. de schijf en met de brongebieden verbonden bronelektrodemiddelen,.een. tussen de gescheiden bronge-35 bieden aangebrachte stuurelektrode op een isolatielaag, op de schijf, door middel van een stuurspanning omkeerbare eerste en tweede kanalen tussen de aangrenzende zijden van elk van de brongebieden, waarbij de eerste en 7907472 i % -18- tweede kanalen gescheiden einden hebben, die tot in.,., de gemeenschappelijke resp. halfgeleidergebieden onder de isolatielaag voor de stuur elektrode voeren, de tegenovergelegen einden van., de eerste en tweede kanalen met de bronelektrodemiddelen zijn verbonden, de..eerste, en tweede kanalen van een 5 eerste geleidingssoort. zijn en omkeerbaar zijn tot de. tweede geleidings-s oor ten bet gemeenschappelijk, halfgeleidergebied een stroomweg bepaalt door de schijf gekenmerkt doordat het een. hoge geleidbaarheid dichtbij het oppervlak van de schijf heeft en.om bestand.te zijn tegen een keer-spanning een lage geleidbaarheid., op. een diepte groter , dan ongeveer 1 ^um 10 onder het oppervlak heeft, waarbij het gebied met de, hoge geleidbaarheid van het gemeenschappelijk gebied, de aan-rweerstand van, de eenheid duidelijk verlaagt.
16. Eenheid volgens conclusie 15« met het kenmerk,, dat de schijf .een bodemoppervlak met een daarmee verbonden, afvoer elektrode heeft. 15 17· Eenheid volgens conclusie 16 , met'het kenmerk, dat de eerste en tweede kanalen de eindgebieden.zijn van resp. relatief diepe gebieden, die uit elkaar wijken en die grote buitenste kromtestralen hebben.
18. Eenheid volgens de conclusies 15» 16 en 17» met het kenmerk, dat de brongebieden zeshoekig zijn.
19. Eenheid.volgens de conclusies 12, 15, 16,. 17 en 18, met het kenmerk, dat er meer dan ongeveer 1000 veelhoekige brongebieden elk met een breedte van ongeveer 25,6 ^um aanwezig zijn. 790 74 72
NLAANVRAGE7907472,A 1978-10-13 1979-10-09 Veldeffekttransistor voor hoog vermogen en hoge werkspanning omvattende een schijfvormig lichaam van halfgeleidermateriaal en een door een isolatielaag van een oppervlak van het schijfvormig lichaam gescheiden stuurelektrode. NL175358C (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US95131078A 1978-10-13 1978-10-13
US95131078 1978-10-13
US3866279A 1979-05-14 1979-05-14
US3866279 1979-05-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7907472A true NL7907472A (nl) 1980-04-15
NL175358B NL175358B (nl) 1984-05-16
NL175358C NL175358C (nl) 1984-10-16

Family

ID=26715426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7907472,A NL175358C (nl) 1978-10-13 1979-10-09 Veldeffekttransistor voor hoog vermogen en hoge werkspanning omvattende een schijfvormig lichaam van halfgeleidermateriaal en een door een isolatielaag van een oppervlak van het schijfvormig lichaam gescheiden stuurelektrode.

Country Status (19)

Country Link
JP (2) JP2622378B2 (nl)
AR (1) AR219006A1 (nl)
BR (1) BR7906338A (nl)
CA (2) CA1123119A (nl)
CH (2) CH660649A5 (nl)
CS (1) CS222676B2 (nl)
DE (2) DE2954481C2 (nl)
DK (3) DK157272C (nl)
ES (1) ES484652A1 (nl)
FR (1) FR2438917A1 (nl)
GB (1) GB2033658B (nl)
HU (1) HU182506B (nl)
IL (1) IL58128A (nl)
IT (1) IT1193238B (nl)
MX (1) MX147137A (nl)
NL (1) NL175358C (nl)
PL (1) PL123961B1 (nl)
SE (2) SE443682B (nl)
SU (1) SU1621817A3 (nl)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4593302B1 (en) * 1980-08-18 1998-02-03 Int Rectifier Corp Process for manufacture of high power mosfet laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide
DE3040775C2 (de) * 1980-10-29 1987-01-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Steuerbares MIS-Halbleiterbauelement
US4412242A (en) 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
GB2111745B (en) * 1981-12-07 1985-06-19 Philips Electronic Associated Insulated-gate field-effect transistors
CA1188821A (en) * 1982-09-03 1985-06-11 Patrick W. Clarke Power mosfet integrated circuit
US4532534A (en) * 1982-09-07 1985-07-30 Rca Corporation MOSFET with perimeter channel
DE3346286A1 (de) * 1982-12-21 1984-06-28 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Hochleistungs-metalloxid-feldeffekttransistor- halbleiterbauteil
JPS59167066A (ja) * 1983-03-14 1984-09-20 Nissan Motor Co Ltd 縦形ｍｏｓｆｅｔ
JPS6010677A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Nissan Motor Co Ltd 縦型ｍｏｓトランジスタ
JPH0247874A (ja) * 1988-08-10 1990-02-16 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法
US5766966A (en) * 1996-02-09 1998-06-16 International Rectifier Corporation Power transistor device having ultra deep increased concentration region
IT1247293B (it) * 1990-05-09 1994-12-12 Int Rectifier Corp Dispositivo transistore di potenza presentante una regione ultra-profonda, a maggior concentrazione
US5404040A (en) * 1990-12-21 1995-04-04 Siliconix Incorporated Structure and fabrication of power MOSFETs, including termination structures
US5304831A (en) * 1990-12-21 1994-04-19 Siliconix Incorporated Low on-resistance power MOS technology
IT1250233B (it) * 1991-11-29 1995-04-03 St Microelectronics Srl Procedimento per la fabbricazione di circuiti integrati in tecnologia mos.
EP0586716B1 (de) * 1992-08-10 1997-10-22 Siemens Aktiengesellschaft Leistungs-MOSFET mit verbesserter Avalanche-Festigkeit
JPH06268227A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Ltd 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
EP0660402B1 (en) * 1993-12-24 1998-11-04 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno Power semiconductor device
DE69321965T2 (de) * 1993-12-24 1999-06-02 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania MOS-Leistungs-Chip-Typ und Packungszusammenbau
US5798287A (en) * 1993-12-24 1998-08-25 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Method for forming a power MOS device chip
EP0665597A1 (en) * 1994-01-27 1995-08-02 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe IGBT and manufacturing process therefore
US5817546A (en) * 1994-06-23 1998-10-06 Stmicroelectronics S.R.L. Process of making a MOS-technology power device
EP0689238B1 (en) * 1994-06-23 2002-02-20 STMicroelectronics S.r.l. MOS-technology power device manufacturing process
DE69418037T2 (de) * 1994-08-02 1999-08-26 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Ne Leistungshalbleitervorrichtung aus MOS-Technology-Chips und Gehäuseaufbau
US5798554A (en) * 1995-02-24 1998-08-25 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno MOS-technology power device integrated structure and manufacturing process thereof
DE69534919T2 (de) * 1995-10-30 2007-01-25 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leistungsvorrichtung in MOS-Technologie mit einer einzigen kritischen Größe
DE69533134T2 (de) * 1995-10-30 2005-07-07 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leistungsbauteil hoher Dichte in MOS-Technologie
US6228719B1 (en) 1995-11-06 2001-05-08 Stmicroelectronics S.R.L. MOS technology power device with low output resistance and low capacitance, and related manufacturing process
DE69518653T2 (de) * 1995-12-28 2001-04-19 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania MOS-Technologie-Leistungsanordnung in integrierter Struktur
EP0961325B1 (en) 1998-05-26 2008-05-07 STMicroelectronics S.r.l. High integration density MOS technology power device
WO2000062345A1 (fr) 1999-04-09 2000-10-19 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteur haute tension
JP4122113B2 (ja) * 1999-06-24 2008-07-23 新電元工業株式会社 高破壊耐量電界効果型トランジスタ
US6344379B1 (en) 1999-10-22 2002-02-05 Semiconductor Components Industries Llc Semiconductor device with an undulating base region and method therefor
JP4845293B2 (ja) * 2000-08-30 2011-12-28 新電元工業株式会社 電界効果トランジスタ
JP2006295134A (ja) 2005-03-17 2006-10-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US9484451B2 (en) 2007-10-05 2016-11-01 Vishay-Siliconix MOSFET active area and edge termination area charge balance
US9431249B2 (en) 2011-12-01 2016-08-30 Vishay-Siliconix Edge termination for super junction MOSFET devices
US9614043B2 (en) 2012-02-09 2017-04-04 Vishay-Siliconix MOSFET termination trench
US9842911B2 (en) 2012-05-30 2017-12-12 Vishay-Siliconix Adaptive charge balanced edge termination
US9530844B2 (en) 2012-12-28 2016-12-27 Cree, Inc. Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same
US10115815B2 (en) 2012-12-28 2018-10-30 Cree, Inc. Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same
JP5907097B2 (ja) * 2013-03-18 2016-04-20 三菱電機株式会社 半導体装置
US9508596B2 (en) 2014-06-20 2016-11-29 Vishay-Siliconix Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor
US9887259B2 (en) 2014-06-23 2018-02-06 Vishay-Siliconix Modulated super junction power MOSFET devices
CN106575666B (zh) 2014-08-19 2021-08-06 维西埃-硅化物公司 超结金属氧化物半导体场效应晶体管
US11489069B2 (en) 2017-12-21 2022-11-01 Wolfspeed, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness
US10615274B2 (en) 2017-12-21 2020-04-07 Cree, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015278A (en) * 1974-11-26 1977-03-29 Fujitsu Ltd. Field effect semiconductor device
JPS52106688A (en) * 1976-03-05 1977-09-07 Nec Corp Field-effect transistor
JPS52132684A (en) * 1976-04-29 1977-11-07 Sony Corp Insulating gate type field effect transistor
US4055884A (en) * 1976-12-13 1977-11-01 International Business Machines Corporation Fabrication of power field effect transistors and the resulting structures
JPS5374385A (en) * 1976-12-15 1978-07-01 Hitachi Ltd Manufacture of field effect semiconductor device
US4148047A (en) * 1978-01-16 1979-04-03 Honeywell Inc. Semiconductor apparatus
JPH05185381A (ja) * 1992-01-10 1993-07-27 Yuum Kogyo:Kk 替刃式鋸用ハンドル

Also Published As

Publication number Publication date
DK157272C (da) 1990-04-30
DK512488D0 (da) 1988-09-15
JP2643095B2 (ja) 1997-08-20
JPS6323365A (ja) 1988-01-30
SU1621817A3 (ru) 1991-01-15
DE2954481C2 (de) 1990-12-06
GB2033658B (en) 1983-03-02
PL218878A1 (nl) 1980-08-11
HU182506B (en) 1984-01-30
FR2438917B1 (nl) 1984-09-07
FR2438917A1 (fr) 1980-05-09
ES484652A1 (es) 1980-09-01
IT7926435A0 (it) 1979-10-11
SE443682B (sv) 1986-03-03
DK512388D0 (da) 1988-09-15
SE8503615D0 (sv) 1985-07-26
CS222676B2 (en) 1983-07-29
DE2940699A1 (de) 1980-04-24
SE8503615L (sv) 1985-07-26
CA1123119A (en) 1982-05-04
IT1193238B (it) 1988-06-15
IL58128A (en) 1981-12-31
GB2033658A (en) 1980-05-21
MX147137A (es) 1982-10-13
CH660649A5 (de) 1987-05-15
NL175358B (nl) 1984-05-16
DK512488A (da) 1988-09-15
PL123961B1 (en) 1982-12-31
NL175358C (nl) 1984-10-16
DE2940699C2 (de) 1986-04-03
BR7906338A (pt) 1980-06-24
SE465444B (sv) 1991-09-09
DK350679A (da) 1980-04-14
DK512388A (da) 1988-09-15
JPH07169950A (ja) 1995-07-04
SE7908479L (sv) 1980-04-14
DK157272B (da) 1989-11-27
CA1136291A (en) 1982-11-23
AR219006A1 (es) 1980-07-15
CH642485A5 (de) 1984-04-13
JP2622378B2 (ja) 1997-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7907472A (nl) Mosfet eenheid voor hoog vermogen.
US4974059A (en) Semiconductor high-power mosfet device
US5008725A (en) Plural polygon source pattern for MOSFET
US5130767A (en) Plural polygon source pattern for mosfet
US4705759A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US4680853A (en) Process for manufacture of high power MOSFET with laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide
US4593302A (en) Process for manufacture of high power MOSFET with laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide
US4959699A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US5338961A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
CN100487915C (zh) 具有超结结构的半导体器件及其制造方法
US6541820B1 (en) Low voltage planar power MOSFET with serpentine gate pattern
KR100750275B1 (ko) 상부 표면상에 위치한 드레인 접촉으로의 저 저항 경로를 갖는 트렌치 ｄｍｏｓ 트랜지스터 구조, 및 이러한 트랜지스터 구조의 형성 방법
KR100976526B1 (ko) 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스 제조 방법
US5517046A (en) High voltage lateral DMOS device with enhanced drift region
US5861657A (en) Graded concentration epitaxial substrate for semiconductor device having resurf diffusion
US4219835A (en) VMOS Mesa structure and manufacturing process
US5510648A (en) Insulated gate semiconductor device and method of fabricating
US6689662B2 (en) Method of forming a high voltage power MOSFET having low on-resistance
US20010009800A1 (en) Manufacture of trench-gate semiconductor devices
US5187552A (en) Shielded field-effect transistor devices
JPH09186328A (ja) Ｍｏｓゲートパワー装置及びパワーｍｏｓｆｅｔ
US4612465A (en) Lateral bidirectional notch FET with gates at non-common potentials
EP1408542A2 (en) High-speed MOS-technology power device integrated structure, and related manufacturing process
US5468668A (en) Method of forming MOS-gated semiconductor devices having mesh geometry pattern
KR100750411B1 (ko) 반도체 디바이스 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 19991009