NL1028595A1 - Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan. - Google Patents

Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan.

Info

Publication number
NL1028595A1
NL1028595A1 NL1028595A NL1028595A NL1028595A1 NL 1028595 A1 NL1028595 A1 NL 1028595A1 NL 1028595 A NL1028595 A NL 1028595A NL 1028595 A NL1028595 A NL 1028595A NL 1028595 A1 NL1028595 A1 NL 1028595A1
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
forming
photosensitive pattern
semiconductor device
exposure device
exposure
Prior art date
Application number
NL1028595A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1028595C2 (nl
Inventor
Shinichi Ito
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of NL1028595A1 publication Critical patent/NL1028595A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1028595C2 publication Critical patent/NL1028595C2/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
NL1028595A 2004-03-24 2005-03-22 Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan. NL1028595C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004087420A JP4220423B2 (ja) 2004-03-24 2004-03-24 レジストパターン形成方法
JP2004087420 2004-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1028595A1 true NL1028595A1 (nl) 2005-09-27
NL1028595C2 NL1028595C2 (nl) 2008-02-28

Family

ID=35046647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1028595A NL1028595C2 (nl) 2004-03-24 2005-03-22 Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan.

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7524618B2 (nl)
JP (1) JP4220423B2 (nl)
CN (1) CN100342491C (nl)
NL (1) NL1028595C2 (nl)
TW (1) TWI268544B (nl)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095891A (ja) * 2005-06-24 2007-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4535489B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
ATE450813T1 (de) 2004-05-17 2009-12-15 Fujifilm Corp Verfahren zur erzeugung eines musters
JP4759311B2 (ja) * 2004-05-17 2011-08-31 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2005353763A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
TWI322334B (en) * 2004-07-02 2010-03-21 Rohm & Haas Elect Mat Method for processing a photoresist composition in an immersion photolithography process and system and organic barrier composition used therein
US20060008746A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Yasunobu Onishi Method for manufacturing semiconductor device
JP2006049757A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
JP4271109B2 (ja) * 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
US7133114B2 (en) * 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1814144B1 (en) 2004-10-26 2012-06-06 Nikon Corporation Substrate processing method and device production system
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP2006310724A (ja) * 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5154008B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
WO2006051909A1 (ja) * 2004-11-11 2006-05-18 Nikon Corporation 露光方法、デバイス製造方法、及び基板
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4551758B2 (ja) * 2004-12-27 2010-09-29 株式会社東芝 液浸露光方法および半導体装置の製造方法
JP4591093B2 (ja) * 2005-01-18 2010-12-01 Ｊｓｒ株式会社 走査型露光方法
JP4634822B2 (ja) * 2005-02-24 2011-02-16 株式会社東芝 レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP4718893B2 (ja) * 2005-05-13 2011-07-06 株式会社東芝 パターン形成方法
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7927779B2 (en) * 2005-06-30 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. Water mark defect prevention for immersion lithography
US20070002296A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US8383322B2 (en) * 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7993808B2 (en) 2005-09-30 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TARC material for immersion watermark reduction
KR100802266B1 (ko) * 2005-11-21 2008-02-11 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법
JP4654119B2 (ja) * 2005-11-29 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置及び塗布・現像方法
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
JP5114021B2 (ja) * 2006-01-23 2013-01-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP5114022B2 (ja) * 2006-01-23 2013-01-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP4771816B2 (ja) * 2006-01-27 2011-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4807749B2 (ja) * 2006-09-15 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 露光・現像処理方法
US8518628B2 (en) * 2006-09-22 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface switchable photoresist
US8177993B2 (en) * 2006-11-05 2012-05-15 Globalfoundries Singapore Pte Ltd Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers
JP4926678B2 (ja) * 2006-12-04 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
US9632425B2 (en) * 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
JP4922858B2 (ja) * 2007-07-30 2012-04-25 株式会社東芝 パターン形成方法及び洗浄装置
NL2002983A1 (nl) * 2008-06-26 2009-12-29 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a method of operating the lithographic apparatus.
CA2856196C (en) 2011-12-06 2020-09-01 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
KR20150080557A (ko) * 2012-12-07 2015-07-09 후지필름 가부시키가이샤 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
JP2014211490A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP5931230B1 (ja) * 2015-01-15 2016-06-08 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。
JP6456238B2 (ja) * 2015-05-14 2019-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN108463437B (zh) 2015-12-21 2022-07-08 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2727481B2 (ja) * 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH1152541A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Yokogawa Electric Corp 露光マスク装置
US6291800B1 (en) * 1998-02-20 2001-09-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and substrate processing system
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2002151462A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Fujitsu Ltd ウエットエッチング終点検出方法及び装置並びにウエットエッチング方法
US6420098B1 (en) * 2000-07-12 2002-07-16 Motorola, Inc. Method and system for manufacturing semiconductor devices on a wafer
CN1286146C (zh) * 2001-03-09 2006-11-22 株式会社东芝 电子装置的制造系统
TW561516B (en) * 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI265550B (en) * 2002-05-14 2006-11-01 Toshiba Corp Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device
JP4525062B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6770424B2 (en) * 2002-12-16 2004-08-03 Asml Holding N.V. Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
JP3857692B2 (ja) 2004-01-15 2006-12-13 株式会社東芝 パターン形成方法
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4365236B2 (ja) * 2004-02-20 2009-11-18 富士フイルム株式会社 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
US20050250054A1 (en) * 2004-05-10 2005-11-10 Ching-Yu Chang Development of photolithographic masks for semiconductors
EP1814144B1 (en) 2004-10-26 2012-06-06 Nikon Corporation Substrate processing method and device production system
JP2006222284A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095891A (ja) * 2005-06-24 2007-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10048593B2 (en) 2018-08-14
NL1028595C2 (nl) 2008-02-28
CN100342491C (zh) 2007-10-10
TW200603254A (en) 2006-01-16
US20110075119A1 (en) 2011-03-31
TWI268544B (en) 2006-12-11
JP4220423B2 (ja) 2009-02-04
US20170336722A1 (en) 2017-11-23
JP2005277053A (ja) 2005-10-06
US20090190114A1 (en) 2009-07-30
US7821616B2 (en) 2010-10-26
US7524618B2 (en) 2009-04-28
CN1674228A (zh) 2005-09-28
US20050221234A1 (en) 2005-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1028595A1 (nl) Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan.
NL1028549A1 (nl) Patroonbelichtingswerkwijze en patroonbelichtingsinrichting.
NL1030153A1 (nl) Toestel voor belichten van een substraat, fotomasker en aangepast belichtingssysteem van het toestel, en werkwijze voor vormen van een patroon op een substraat onder gebruikmaking van het toestel.
NL1030699A1 (nl) Blootstellingssysteem, de blootstellingswerkwijze en werkwijze om halfgeleiderinrichting te vervaardigen.
NL1027187A1 (nl) Een masker voor inspectie van een belichtingsinrichting, een werkwijze voor inspectie van een belichtingsinrichting, en een belichtingsinrichting.
NL1028855A1 (nl) Werkwijze voor het coderen van een film.
NL1031119A1 (nl) Blootstellingswerkwijze van een patroon en inrichting.
NL1028034A1 (nl) Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat.
SG116611A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1029261A1 (nl) Inrichting en werkwijze voor het bewerken van een kleurensignaal.
NL1024805A1 (nl) Optische inrichting voor gebruik bij een lithografiewerkwijze, in het bijzonder voor de productie van een halfgeleiderinrichting, en optische lithografiewerkwijze.
NL1032187A1 (nl) Werkwijze voor het genereren van een maskerpatroon, systeem voor het genereren van een maskerpatroon en computerprogrammaproduct.
NL1028896A1 (nl) Werkwijze en inrichting voor evaluatie van een beeldscherm.
NL1029211A1 (nl) Inrichting en werkwijze voor verzadigingsaanpassende beeldversterking.
NL1029328A1 (nl) Inrichting en werkwijze voor beeldinterpolatie.
NL1029167A1 (nl) Werkwijzen en systemen voor gegevensintegratie.
SG10201802153XA (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device
NL1028923A1 (nl) Werkwijze, toestel en software voor het extraheren van chemische gegevens.
DE602006015126D1 (de) Randbelichtungsapparat, Beschichtungs- und Entwicklungsapparat und Randbelichtungsmethode
NL1031824A1 (nl) Een nieuwe inrichting en werkwijze voor immersie lithografie.
EP1816671A4 (en) EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE
NL1026914A1 (nl) Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker.
NL1029018A1 (nl) Werkwijze en inrichting voor het verbeteren van de contrastratio in een projectiesysteem.
NL1026665A1 (nl) Reticule, inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en werkwijze voor het vervaardigen van een reticule.
NL1030789A1 (nl) Polymeer voor immersielithografie, fotoresistsamenstelling dit bevat, werkwijze voor de bereiding van een halfgeleiderapparaat, en halfgeleiderapparaat.

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)
PD2B A search report has been drawn up
PD Change of ownership

Owner name: TOSHIBA MEMORY CORPORATION; JP

Free format text: DETAILS ASSIGNMENT: CHANGE OF OWNER(S), ASSIGNMENT; FORMER OWNER NAME: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Effective date: 20170719

HC Change of name(s) of proprietor(s)

Owner name: KIOXIA CORPORATION; JP

Free format text: DETAILS ASSIGNMENT: CHANGE OF OWNER(S), CHANGE OF OWNER(S) NAME; FORMER OWNER NAME: TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Effective date: 20211005

PD Change of ownership

Owner name: K.K. PANGEA; JP

Free format text: DETAILS ASSIGNMENT: CHANGE OF OWNER(S), MERGE; FORMER OWNER NAME: TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Effective date: 20211005