NL1026914A1 - Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker. - Google Patents

Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker.

Info

Publication number
NL1026914A1
NL1026914A1 NL1026914A NL1026914A NL1026914A1 NL 1026914 A1 NL1026914 A1 NL 1026914A1 NL 1026914 A NL1026914 A NL 1026914A NL 1026914 A NL1026914 A NL 1026914A NL 1026914 A1 NL1026914 A1 NL 1026914A1
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
photo mask
manufacturing
lithography
lithography method
photo
Prior art date
Application number
NL1026914A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1026914C2 (nl
Inventor
Takashi Sato
Takashi Sakamoto
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of NL1026914A1 publication Critical patent/NL1026914A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1026914C2 publication Critical patent/NL1026914C2/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
NL1026914A 2003-08-27 2004-08-26 Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker. NL1026914C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003303479A JP4015087B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 レチクル、及び露光方法
JP2003303479 2003-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1026914A1 true NL1026914A1 (nl) 2005-03-01
NL1026914C2 NL1026914C2 (nl) 2008-01-03

Family

ID=34407471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1026914A NL1026914C2 (nl) 2003-08-27 2004-08-26 Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker.

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7482102B2 (nl)
JP (1) JP4015087B2 (nl)
CN (1) CN1277152C (nl)
NL (1) NL1026914C2 (nl)
TW (1) TWI241396B (nl)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4512395B2 (ja) * 2004-03-30 2010-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光プロセスモニタ方法及びその装置
JP2006039148A (ja) * 2004-07-26 2006-02-09 Toshiba Corp ホトマスク、それを用いたフォーカス測定方法および半導体装置の製造方法
US20060045383A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Picciotto Carl E Displacement estimation system and method
JP4566666B2 (ja) * 2004-09-14 2010-10-20 富士通セミコンダクター株式会社 露光用マスクとその製造方法
JP4450743B2 (ja) * 2005-02-08 2010-04-14 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 フォトマスク、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR101368601B1 (ko) * 2005-12-23 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 결상 오차 결정부를 갖춘 광학 결상 장치
DE102005062618B4 (de) 2005-12-23 2008-05-08 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren mit Bestimmung von Abbildungsfehlern
CN1794095A (zh) * 2006-01-06 2006-06-28 上海微电子装备有限公司 投影曝光装置中的同轴位置对准系统和对准方法
US8544191B2 (en) * 2007-04-10 2013-10-01 Reebok International Limited Smooth shoe uppers and methods for producing them
JP2009175587A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toshiba Corp 露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法
US8893061B2 (en) * 2009-01-30 2014-11-18 Synopsys, Inc. Incremental concurrent processing for efficient computation of high-volume layout data
EP2498129A4 (en) 2009-11-05 2018-01-03 Nikon Corporation Focus test mask, focus measuring method, exposure apparatus, and exposure method
JP5841797B2 (ja) * 2011-10-07 2016-01-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回折格子の製造方法
US9766554B2 (en) 2015-03-16 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for estimating focus and dose of an exposure process
JP6723269B2 (ja) 2015-05-15 2020-07-15 ケーエルエー コーポレイション 焦点感応オーバーレイターゲットを使用する焦点決定のためのシステムおよび方法
CN105137726A (zh) * 2015-10-19 2015-12-09 上海华力微电子有限公司 光刻工艺曝光焦距的监测方法
CN106816557A (zh) * 2017-03-02 2017-06-09 广州新视界光电科技有限公司 一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示面板
CN114740572B (zh) * 2022-04-07 2024-04-12 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于平板集成光学系统的宽带垂直耦合的多脊光栅耦合器

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH035753A (ja) 1989-06-01 1991-01-11 Fujitsu Ltd 薄膜パターンの形成方法
JPH04181251A (ja) 1990-11-16 1992-06-29 Nikon Corp フォトマスク検査装置
US5300786A (en) * 1992-10-28 1994-04-05 International Business Machines Corporation Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process
JPH06302492A (ja) 1993-04-12 1994-10-28 Hitachi Ltd 露光条件検定パターンおよび露光原版ならびにそれらを用いた露光方法
KR0144081B1 (ko) 1994-03-31 1998-08-17 김주용 버니어
JPH08248620A (ja) 1995-03-15 1996-09-27 Nippon Precision Circuits Kk レチクルおよびこれを用いたデフォーカスレベル判定方法
JP3197484B2 (ja) 1995-05-31 2001-08-13 シャープ株式会社 フォトマスク及びその製造方法
KR0166854B1 (ko) 1996-06-27 1999-01-15 문정환 위상반전 마스크의 결함 수정방법
JPH10104817A (ja) 1996-09-30 1998-04-24 Fujitsu Ltd 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH1115128A (ja) 1997-06-20 1999-01-22 Hitachi Ltd ホトマスク及びそれを用いたパタン形成方法
US6088113A (en) * 1998-02-17 2000-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Focus test mask for projection exposure system, focus monitoring system using the same, and focus monitoring method
US6091486A (en) * 1999-01-05 2000-07-18 International Business Machines Corporation Blazed grating measurements of lithographic lens aberrations
JP2001100392A (ja) 1999-09-28 2001-04-13 Toshiba Corp フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法
JP3848037B2 (ja) 1999-12-28 2006-11-22 株式会社東芝 フォーカスモニタマスク及びフォーカスモニタ方法
JP3949853B2 (ja) 1999-09-28 2007-07-25 株式会社東芝 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
JP2001351853A (ja) 2000-06-08 2001-12-21 Toshiba Corp フォーカスモニタ方法
JP3297423B2 (ja) 2000-08-09 2002-07-02 株式会社東芝 フォーカステストマスク、並びにそれを用いたフォーカス及び収差の測定方法
JP4091263B2 (ja) 2001-03-27 2008-05-28 株式会社東芝 フォーカスモニタ方法及び露光装置
US6701512B2 (en) * 2001-01-24 2004-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Focus monitoring method, exposure apparatus, and exposure mask
JP3768819B2 (ja) * 2001-01-31 2006-04-19 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3906035B2 (ja) 2001-03-29 2007-04-18 株式会社東芝 半導体製造装置の制御方法
US6606151B2 (en) * 2001-07-27 2003-08-12 Infineon Technologies Ag Grating patterns and method for determination of azimuthal and radial aberration
JP2003114514A (ja) 2001-10-02 2003-04-18 Sharp Corp マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法
US6884552B2 (en) * 2001-11-09 2005-04-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof
US6842237B2 (en) * 2001-12-28 2005-01-11 International Business Machines Corporation Phase shifted test pattern for monitoring focus and aberrations in optical projection systems
JP3727911B2 (ja) * 2002-09-25 2005-12-21 株式会社東芝 マスク、マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2007140212A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Toshiba Corp フォトマスク及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090098473A1 (en) 2009-04-16
US20050112475A1 (en) 2005-05-26
TW200517634A (en) 2005-06-01
NL1026914C2 (nl) 2008-01-03
CN1590957A (zh) 2005-03-09
CN1277152C (zh) 2006-09-27
US7482102B2 (en) 2009-01-27
JP2005070672A (ja) 2005-03-17
TWI241396B (en) 2005-10-11
US8068213B2 (en) 2011-11-29
JP4015087B2 (ja) 2007-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1024805A1 (nl) Optische inrichting voor gebruik bij een lithografiewerkwijze, in het bijzonder voor de productie van een halfgeleiderinrichting, en optische lithografiewerkwijze.
NL1028595A1 (nl) Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan.
NL1030699A1 (nl) Blootstellingssysteem, de blootstellingswerkwijze en werkwijze om halfgeleiderinrichting te vervaardigen.
NL1026914A1 (nl) Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker.
NL1028855A1 (nl) Werkwijze voor het coderen van een film.
NL1029167A1 (nl) Werkwijzen en systemen voor gegevensintegratie.
NL1028397A1 (nl) Werkwijze voor automatisch bepalen van het sagittale vlak.
NL1022210A1 (nl) Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten.
NL1019802A1 (nl) CMOS halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL1022018A1 (nl) Belichtingswerkwijze.
NL1027187A1 (nl) Een masker voor inspectie van een belichtingsinrichting, een werkwijze voor inspectie van een belichtingsinrichting, en een belichtingsinrichting.
DE602004001378D1 (de) Fahrzeugsitz.
NL2000103A1 (nl) Systeem en werkwijze voor de fotolithografie bij vervaardiging van halfgeleiders.
NL1026771A1 (nl) Schakelingen en werkwijzen voor aansturen van platte beeldschermen.
NL1026665A1 (nl) Reticule, inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en werkwijze voor het vervaardigen van een reticule.
NL1031104A1 (nl) Systeem en werkwijze voor lithografie in halfgeleider productie.
NL1025480A1 (nl) Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
DE602004001528D1 (de) Kindersitz.
AU2003293308A1 (en) Masks, lithography device and semiconductor component
NL1026600A1 (nl) Lithografie-inrichting.
NL1022544A1 (nl) Lithografiewerkwijze met meervoudige belichting en systeem voor het verschaffen van een verbeterde overlappingsnauwkeurigheid.
NL1025769A1 (nl) Projectiesysteem.
NL1031680A1 (nl) Startapparaat voor autogasvoertuig en werkwijze voor aansturing daarvan.
ITTO20030902A1 (it) Veicolo di piccole dimensioni.
NL1023656A1 (nl) Werkwijze voor het structureren van een lithografiemasker.

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)
PD2B A search report has been drawn up
MM Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20150901