NL1025480A1 - Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL1025480A1
NL1025480A1 NL1025480A NL1025480A NL1025480A1 NL 1025480 A1 NL1025480 A1 NL 1025480A1 NL 1025480 A NL1025480 A NL 1025480A NL 1025480 A NL1025480 A NL 1025480A NL 1025480 A1 NL1025480 A1 NL 1025480A1
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
processor
manufacturing
semiconductor device
inspection method
inspection
Prior art date
Application number
NL1025480A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1025480C2 (nl
Inventor
Kazuya Fukuhara
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of NL1025480A1 publication Critical patent/NL1025480A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1025480C2 publication Critical patent/NL1025480C2/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
NL1025480A 2003-02-13 2004-02-13 Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. NL1025480C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003035383A JP3787123B2 (ja) 2003-02-13 2003-02-13 検査方法、プロセッサ及び半導体装置の製造方法
JP2003035383 2003-02-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1025480A1 true NL1025480A1 (nl) 2004-08-16
NL1025480C2 NL1025480C2 (nl) 2007-11-20

Family

ID=33020820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1025480A NL1025480C2 (nl) 2003-02-13 2004-02-13 Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7676078B2 (nl)
JP (1) JP3787123B2 (nl)
NL (1) NL1025480C2 (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7462809B2 (en) * 2004-10-22 2008-12-09 Northrop Grumman Corporation Spectral filter system for infrared imaging of substrates through coatings
US7164146B2 (en) * 2004-10-22 2007-01-16 Northrop Grumman Corporation System for detecting structural defects and features utilizing blackbody self-illumination
KR100655080B1 (ko) * 2005-12-09 2006-12-11 삼성전자주식회사 오버레이 계측설비 및 그의 오버레이 계측방법
CN1996083A (zh) * 2006-01-05 2007-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镜头模块
DE102006001435B4 (de) 2006-01-10 2009-10-08 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Beleuchtung und zur Inspektion einer Oberfläche
JP4982213B2 (ja) * 2007-03-12 2012-07-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5321775B2 (ja) * 2007-07-30 2013-10-23 株式会社東芝 パターン検査方法およびパターン検査装置
NL1036702A1 (nl) * 2008-04-15 2009-10-19 Asml Holding Nv Diffraction elements for alignment targets.
JP5175616B2 (ja) * 2008-05-23 2013-04-03 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5330019B2 (ja) * 2009-02-18 2013-10-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクパターンの検査方法およびマスクパターン検査装置
US9529268B2 (en) * 2014-04-03 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for improving pattern transfer
DE102015213045B4 (de) * 2015-07-13 2018-05-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturelementen einer photolithographischen Maske
US10304178B2 (en) * 2015-09-18 2019-05-28 Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. Method and system for diagnosing a semiconductor wafer

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6076606A (ja) 1983-10-03 1985-05-01 Nippon Kogaku Kk <Nikon> マスクの欠陥検査方法
JP2928277B2 (ja) 1989-08-03 1999-08-03 株式会社日立製作所 投影露光方法及びその装置
JP3200894B2 (ja) * 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
US5348837A (en) * 1991-09-24 1994-09-20 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith
JP2756620B2 (ja) * 1992-01-10 1998-05-25 キヤノン株式会社 半導体露光方法およびその装置
US5703675A (en) * 1992-01-17 1997-12-30 Nikon Corporation Projection-exposing apparatus with deflecting grating member
JP3321194B2 (ja) 1992-02-10 2002-09-03 株式会社クラレ フォトマスク
US5812261A (en) * 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3555230B2 (ja) * 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3445045B2 (ja) * 1994-12-29 2003-09-08 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2705609B2 (ja) 1995-02-21 1998-01-28 日本電気株式会社 露光装置および露光方法
US6148097A (en) * 1995-06-07 2000-11-14 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Optical member inspecting apparatus and method of inspection thereof
JPH08272078A (ja) 1995-03-31 1996-10-18 Seiko Epson Corp パターンの検査方法及び検査装置
US5838433A (en) * 1995-04-19 1998-11-17 Nikon Corporation Apparatus for detecting defects on a mask
US5830612A (en) * 1996-01-24 1998-11-03 Fujitsu Limited Method of detecting a deficiency in a charged-particle-beam exposure mask
US6064484A (en) * 1996-03-13 2000-05-16 Fujitsu Limited Pattern inspection method and system
JP3884098B2 (ja) * 1996-03-22 2007-02-21 株式会社東芝 露光装置および露光方法
JPH09320505A (ja) * 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5777729A (en) * 1996-05-07 1998-07-07 Nikon Corporation Wafer inspection method and apparatus using diffracted light
US5973771A (en) 1997-03-26 1999-10-26 International Business Machines Corporation Pupil imaging reticle for photo steppers
US6078738A (en) * 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
US6849363B2 (en) * 1997-06-27 2005-02-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device
US6396945B1 (en) * 1997-12-25 2002-05-28 Nec Corporation Image defect detection apparatus and method
JP3256678B2 (ja) * 1998-02-19 2002-02-12 株式会社東芝 レンズの収差測定方法
US6091845A (en) * 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
JP3302926B2 (ja) 1998-07-02 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP4206192B2 (ja) * 2000-11-09 2009-01-07 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
JP2000195914A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Mitsubishi Electric Corp ロット判定装置、方法および記録媒体
WO2000068738A1 (fr) * 1999-05-07 2000-11-16 Nikon Corporation Table de montage, micro-appareil, masque photographique, procede d'exposition, et procede de fabrication d'appareil
US6606159B1 (en) * 1999-08-02 2003-08-12 Zetetic Institute Optical storage system based on scanning interferometric near-field confocal microscopy
KR100389524B1 (ko) * 1999-08-24 2003-06-27 히다치 덴시 엔지니어링 가부시키 가이샤 결함 검사 방법 및 그 장치
US6268093B1 (en) * 1999-10-13 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reticle inspection using aerial imaging
JP3302965B2 (ja) * 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP3302966B2 (ja) 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法及び露光装置検査用フォトマスク
JP2002141268A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Hitachi Ltd 電子デバイス及び半導体集積回路装置の製造方法
JP2002139406A (ja) 2000-11-06 2002-05-17 Nikon Corp 光学特性計測用マスク、光学特性計測方法、及び露光装置の製造方法
US6950547B2 (en) * 2001-02-12 2005-09-27 3M Innovative Properties Company Web inspection method and device
JP4014379B2 (ja) * 2001-02-21 2007-11-28 株式会社日立製作所 欠陥レビュー装置及び方法
JP4230676B2 (ja) * 2001-04-27 2009-02-25 株式会社東芝 露光装置の照度むらの測定方法、照度むらの補正方法、半導体デバイスの製造方法及び露光装置
US6921920B2 (en) * 2001-08-31 2005-07-26 Smith & Nephew, Inc. Solid-state light source
US6884552B2 (en) * 2001-11-09 2005-04-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof
US7206442B1 (en) * 2001-11-16 2007-04-17 Rudolph Technologies, Inc. Optical inspection method utilizing ultraviolet light
AU2003220830A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-22 Olympus Corporation Semiconductor manufacturing method and device thereof
DE60232024D1 (de) * 2002-04-17 2009-05-28 Canon Kk Retikel und verfahren zur messung optischer eigenschaften
US6974653B2 (en) * 2002-04-19 2005-12-13 Nikon Precision Inc. Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks
US6853926B2 (en) * 2002-06-05 2005-02-08 Research Foundation Of Cuny Systems and methods for non-destructively detecting material abnormalities beneath a coated surface
JP3651676B2 (ja) * 2002-07-11 2005-05-25 株式会社東芝 検査方法及びフォトマスク
JP4005881B2 (ja) * 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 露光装置の検査方法
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US6700950B1 (en) * 2002-10-31 2004-03-02 Inficon Lt Inc. Methods and systems for controlling critical dimension (CD) error
KR100958702B1 (ko) * 2003-03-24 2010-05-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 가장자리 칩들에 기인하는 결함들을제거하기 위한 반도체 공정
US7221788B2 (en) * 2003-07-01 2007-05-22 Infineon Technologies Ag Method of inspecting a mask or reticle for detecting a defect, and mask or reticle inspection system
JP3718511B2 (ja) * 2003-10-07 2005-11-24 株式会社東芝 露光装置検査用マスク、露光装置検査方法及び露光装置
US7794897B2 (en) * 2004-03-02 2010-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask pattern correcting method, mask pattern inspecting method, photo mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2006278767A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Toshiba Corp オーバーレイ制御システム及びオーバーレイ制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3787123B2 (ja) 2006-06-21
NL1025480C2 (nl) 2007-11-20
US7676078B2 (en) 2010-03-09
JP2004247495A (ja) 2004-09-02
US20050031974A1 (en) 2005-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1024074A1 (nl) Inregelinstrument-evaluatiesysteem, inregelinstrument-evaluatiewerkwijze, een computerprogrammaproduct en een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL1021853A1 (nl) Werkwijze voor het inspecteren van een belichtingsinrichting, een belichtingswerkwijze voor het corrigeren van een brandpunt, en een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL1030699A1 (nl) Blootstellingssysteem, de blootstellingswerkwijze en werkwijze om halfgeleiderinrichting te vervaardigen.
HK1096473A1 (en) Semiconductor device and processing method for starting the same
NL1029261A1 (nl) Inrichting en werkwijze voor het bewerken van een kleurensignaal.
TWI316293B (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
SG119329A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
NL1024805A1 (nl) Optische inrichting voor gebruik bij een lithografiewerkwijze, in het bijzonder voor de productie van een halfgeleiderinrichting, en optische lithografiewerkwijze.
EP1921674A4 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
NL1022210A1 (nl) Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten.
NL1028896A1 (nl) Werkwijze en inrichting voor evaluatie van een beeldscherm.
EP1887624A4 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
NL1027187A1 (nl) Een masker voor inspectie van een belichtingsinrichting, een werkwijze voor inspectie van een belichtingsinrichting, en een belichtingsinrichting.
NL1028888A1 (nl) Inrichting voor ontvlechten en werkwijze met gebruikmaking van gedetecteerde lijnbibber.
TWI372439B (en) Semiconductor wafer positioning method, and apparatus using the same
NL1024689A1 (nl) Werkwijze en inrichting voor het detecteren van structurele, perfusie-, en functionele afwijkingen.
NL1029328A1 (nl) Inrichting en werkwijze voor beeldinterpolatie.
EP1966826A4 (en) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THEIR FORMING
NL1023020A1 (nl) Bewakingswerkwijze, belichtingswerkwijze, een vervaardigingswerkwijze voor een halfgeleider-inrichting omvattende een etswerkwijze en een belichtingsverwerkingseenheid.
NL1029018A1 (nl) Werkwijze en inrichting voor het verbeteren van de contrastratio in een projectiesysteem.
NL1026665A1 (nl) Reticule, inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en werkwijze voor het vervaardigen van een reticule.
NL1025480A1 (nl) Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
GB2445487B (en) Transistor, method for manufacturing same, and semiconductor device comprising such transistor
NL1026914A1 (nl) Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker.
NL1022714A1 (nl) Inrichting voor het verwerken van fruit in meerdere lagen.

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20070919

PD2B A search report has been drawn up
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20130901