NL1023656A1 - Werkwijze voor het structureren van een lithografiemasker. - Google Patents

Werkwijze voor het structureren van een lithografiemasker.

Info

Publication number
NL1023656A1
NL1023656A1 NL1023656A NL1023656A NL1023656A1 NL 1023656 A1 NL1023656 A1 NL 1023656A1 NL 1023656 A NL1023656 A NL 1023656A NL 1023656 A NL1023656 A NL 1023656A NL 1023656 A1 NL1023656 A1 NL 1023656A1
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
structuring
lithography mask
lithography
mask
Prior art date
Application number
NL1023656A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1023656C2 (nl
Inventor
Klaus Elian
Armelie Vix
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Ag filed Critical Infineon Technologies Ag
Publication of NL1023656A1 publication Critical patent/NL1023656A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1023656C2 publication Critical patent/NL1023656C2/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/093—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
NL1023656A 2002-06-26 2003-06-13 Werkwijze voor het structureren van een lithografiemasker. NL1023656C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10228546A DE10228546B4 (de) 2002-06-26 2002-06-26 Verfahren zur Strukturierung einer Lithographiemaske
DE10228546 2002-06-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1023656A1 true NL1023656A1 (nl) 2003-12-30
NL1023656C2 NL1023656C2 (nl) 2005-03-31

Family

ID=30009762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1023656A NL1023656C2 (nl) 2002-06-26 2003-06-13 Werkwijze voor het structureren van een lithografiemasker.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7005220B2 (nl)
DE (1) DE10228546B4 (nl)
NL (1) NL1023656C2 (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7302672B2 (en) * 2002-07-12 2007-11-27 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
US7231628B2 (en) * 2002-07-12 2007-06-12 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask inspection
WO2004008246A2 (en) 2002-07-12 2004-01-22 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
US7024638B2 (en) * 2003-07-14 2006-04-04 Cadence Design Systems, Inc. Method for creating patterns for producing integrated circuits
CN103488046B (zh) * 2013-09-26 2019-10-22 上海集成电路研发中心有限公司 一种纳米压印光刻装置及其方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5306601A (en) * 1988-06-29 1994-04-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fine pattern forming material and pattern forming method
JPH03228053A (ja) * 1990-02-01 1991-10-09 Fujitsu Ltd 光露光レチクル
US5242770A (en) 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
JP3453435B2 (ja) * 1993-10-08 2003-10-06 大日本印刷株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
US5821014A (en) 1997-02-28 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask

Also Published As

Publication number Publication date
US20040013952A1 (en) 2004-01-22
NL1023656C2 (nl) 2005-03-31
DE10228546B4 (de) 2006-08-10
US7005220B2 (en) 2006-02-28
DE10228546A1 (de) 2004-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1028856A1 (nl) Werkwijze voor het coderen van een film.
NL1028595A1 (nl) Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan.
NL1030153A1 (nl) Toestel voor belichten van een substraat, fotomasker en aangepast belichtingssysteem van het toestel, en werkwijze voor vormen van een patroon op een substraat onder gebruikmaking van het toestel.
NL1024805A1 (nl) Optische inrichting voor gebruik bij een lithografiewerkwijze, in het bijzonder voor de productie van een halfgeleiderinrichting, en optische lithografiewerkwijze.
NL1027187A1 (nl) Een masker voor inspectie van een belichtingsinrichting, een werkwijze voor inspectie van een belichtingsinrichting, en een belichtingsinrichting.
NL1028349A1 (nl) Systeem en werkwijze voor het gebruik van een zijdelings gemonteerde interferometer voor het verwerven van positie-informatie.
NL1027673A1 (nl) Werkwijze voor genereren van resultaatbeelden van een onderzoeksobject.
NL1032187A1 (nl) Werkwijze voor het genereren van een maskerpatroon, systeem voor het genereren van een maskerpatroon en computerprogrammaproduct.
NL1031119A1 (nl) Blootstellingswerkwijze van een patroon en inrichting.
NO20053170D0 (no) Fremgangsmate for a forhindre gjenbruk i et analyttmalesystem.
NL1023892A1 (nl) Inspectiewerkwijze en een fotomasker.
NL1029167A1 (nl) Werkwijzen en systemen voor gegevensintegratie.
NL1026724A1 (nl) Niveauverschuivingsinrichting voor het detecteren van een geaarde voedingsbron, alsmede een niveauverschuivingswerkwijze.
NL1030699A1 (nl) Blootstellingssysteem, de blootstellingswerkwijze en werkwijze om halfgeleiderinrichting te vervaardigen.
NL1031824A1 (nl) Een nieuwe inrichting en werkwijze voor immersie lithografie.
NL1026914A1 (nl) Fotomasker, lithografiewerkwijze, en werkwijze voor het vervaardigen van het fotomasker.
NL1028888A1 (nl) Inrichting voor ontvlechten en werkwijze met gebruikmaking van gedetecteerde lijnbibber.
NL1026665A1 (nl) Reticule, inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en werkwijze voor het vervaardigen van een reticule.
NL1029018A1 (nl) Werkwijze en inrichting voor het verbeteren van de contrastratio in een projectiesysteem.
NL1031104A1 (nl) Systeem en werkwijze voor lithografie in halfgeleider productie.
NL1025480A1 (nl) Inspectiewerkwijze, processor en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL1026366A1 (nl) Zeer doelmatig projectiesysteem en werkwijze voor het vormen van een kleurenbeeld door gebruik daarvan.
NL1022281A1 (nl) Inrichting en werkwijze voor het wikkelen van een buigzame leiding.
NL1025558A1 (nl) Inrichting voor het walsen en een werkwijze voor walsen.
NL1032126A1 (nl) Inrichting en werkwijzen voor immersie lithografie.

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20050126

PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20080101