NL1028034A1 - Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat. - Google Patents

Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat.

Info

Publication number
NL1028034A1
NL1028034A1 NL1028034A NL1028034A NL1028034A1 NL 1028034 A1 NL1028034 A1 NL 1028034A1 NL 1028034 A NL1028034 A NL 1028034A NL 1028034 A NL1028034 A NL 1028034A NL 1028034 A1 NL1028034 A1 NL 1028034A1
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
evaluating
illuminators
generating
semiconductor device
manufacturing
Prior art date
Application number
NL1028034A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1028034C2 (nl
Inventor
Kazuya Fukuhara
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of NL1028034A1 publication Critical patent/NL1028034A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1028034C2 publication Critical patent/NL1028034C2/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
NL1028034A 2004-01-16 2005-01-14 Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat. NL1028034C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004009816A JP4084312B2 (ja) 2004-01-16 2004-01-16 リソグラフィプロセス評価システム、リソグラフィプロセス評価方法、露光装置評価方法、マスクパターン設計方法及び半導体装置の製造方法
JP2004009816 2004-01-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1028034A1 true NL1028034A1 (nl) 2005-07-19
NL1028034C2 NL1028034C2 (nl) 2008-09-16

Family

ID=34805338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1028034A NL1028034C2 (nl) 2004-01-16 2005-01-14 Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7691542B2 (nl)
JP (1) JP4084312B2 (nl)
CN (1) CN1641485B (nl)
NL (1) NL1028034C2 (nl)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4371891B2 (ja) * 2004-04-20 2009-11-25 株式会社東芝 パターン形成プロセスの評価方法及び評価用フォトマスク又はフォトマスクセット
JP4481723B2 (ja) 2004-05-25 2010-06-16 株式会社東芝 評価方法、マスクパターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US20060199087A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Lucas Kevin D Method of making an integrated circuit by modifying a design layout by accounting for a parameter that varies based on a location within an exposure field
TW200721260A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Nikon Corp Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask and device manufacturing method
US7713889B2 (en) 2005-11-16 2010-05-11 Nikon Corporation Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask, and device manufacturing method
JP4882371B2 (ja) * 2005-12-27 2012-02-22 富士通セミコンダクター株式会社 フレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法
JP2007324342A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Nikon Corp 露光方法、露光システムの管理方法、露光システム、及びデバイス製造方法
JP5038743B2 (ja) * 2007-03-05 2012-10-03 株式会社東芝 リソグラフィシミュレーション方法及びプログラム
US20090046281A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Joseph Straub Method and System for Automated Inspection System Characterization and Monitoring
WO2009044434A1 (ja) * 2007-10-05 2009-04-09 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置の製造方法、露光用マスク製造方法、及びその製造に用いられるプログラム
CN100559284C (zh) * 2008-01-21 2009-11-11 上海微电子装备有限公司 一种光刻机杂散光的自动测量方法
JP2010205886A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Toshiba Corp 露光装置のフレア評価方法
JP5397596B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 株式会社ニコン フレア計測方法及び露光方法
US8910093B2 (en) * 2010-09-29 2014-12-09 Nikon Corporation Fast photoresist model
CN103839847B (zh) * 2012-11-23 2017-09-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 图形检测方法
US9372394B2 (en) 2014-01-24 2016-06-21 International Business Machines Corporation Test pattern layout for test photomask and method for evaluating critical dimension changes
CN109188867A (zh) * 2018-09-11 2019-01-11 惠科股份有限公司 曝光补偿表的生成方法、光阻曝光补偿的方法及曝光机台
US11867711B2 (en) 2019-05-30 2024-01-09 Esko-Graphics Imaging Gmbh Process and apparatus for automatic measurement of density of photopolymer printing plates
CN112687559B (zh) * 2019-10-18 2022-07-26 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆检测方法
CN112034679B (zh) * 2020-10-20 2024-03-19 上海华力微电子有限公司 一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5586059A (en) * 1995-06-07 1996-12-17 Advanced Micro Devices, Inc. Automated data management system for analysis and control of photolithography stepper performance
JP3300203B2 (ja) * 1995-07-04 2002-07-08 松下電器産業株式会社 半導体マスク装置、その製造方法及び半導体装置の製造方法
US5902703A (en) * 1997-03-27 1999-05-11 Vlsi Technology, Inc. Method for measuring dimensional anomalies in photolithographed integrated circuits using overlay metrology, and masks therefor
JP3123548B2 (ja) * 1998-06-30 2001-01-15 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
JP2000235945A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Nikon Corp 走査型露光装置及び走査露光方法
JP2001222097A (ja) 2000-02-09 2001-08-17 Fujitsu Ltd 位相シフトマスク及びその製造方法
JP4068281B2 (ja) 2000-03-27 2008-03-26 株式会社東芝 フォトマスクの製造方法
JP2001296646A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Fujitsu Ltd フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置
US6459480B1 (en) * 2000-09-14 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Measurement method of Zernike coma aberration coefficient
WO2002041389A2 (en) * 2000-11-16 2002-05-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method for monitoring line width of electronic circuit patterns
US6544699B1 (en) * 2001-02-07 2003-04-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method to improve accuracy of model-based optical proximity correction
JP4460794B2 (ja) 2001-04-23 2010-05-12 株式会社東芝 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム
JP2003086501A (ja) * 2001-07-04 2003-03-20 Nikon Corp 波面収差計測機
US6835507B2 (en) * 2001-08-08 2004-12-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Mask for use in measuring flare, method of manufacturing the mask, method of identifying flare-affected region on wafer, and method of designing new mask to correct for flare
US6880135B2 (en) * 2001-11-07 2005-04-12 Synopsys, Inc. Method of incorporating lens aberration information into various process flows
JP4029625B2 (ja) * 2002-02-12 2008-01-09 三菱電機株式会社 マスクブランク、並びにマスクブランクの製造方法とフォトマスクの製造方法
JP3708058B2 (ja) * 2002-02-28 2005-10-19 株式会社東芝 フォトマスクの製造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
JP2003318095A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Nikon Corp フレア計測方法及びフレア計測装置、露光方法及び露光装置、露光装置の調整方法
US6954911B2 (en) * 2002-05-01 2005-10-11 Synopsys, Inc. Method and system for simulating resist and etch edges
KR100570196B1 (ko) * 2002-07-26 2006-04-11 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 마스크 생성방법 및 장치, 패턴프린팅 방법, 및 컴퓨터프로그램물
JP4051240B2 (ja) * 2002-07-31 2008-02-20 富士通株式会社 試験用フォトマスク、フレア評価方法、及びフレア補正方法
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク

Also Published As

Publication number Publication date
US7691542B2 (en) 2010-04-06
US20050170264A1 (en) 2005-08-04
CN1641485B (zh) 2011-05-25
JP4084312B2 (ja) 2008-04-30
JP2005203637A (ja) 2005-07-28
CN1641485A (zh) 2005-07-20
NL1028034C2 (nl) 2008-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1028034A1 (nl) Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat.
NL1028595A1 (nl) Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan.
NL1027187A1 (nl) Een masker voor inspectie van een belichtingsinrichting, een werkwijze voor inspectie van een belichtingsinrichting, en een belichtingsinrichting.
NL1030153A1 (nl) Toestel voor belichten van een substraat, fotomasker en aangepast belichtingssysteem van het toestel, en werkwijze voor vormen van een patroon op een substraat onder gebruikmaking van het toestel.
NL1031119A1 (nl) Blootstellingswerkwijze van een patroon en inrichting.
EP1986222A4 (en) EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
NL1021853A1 (nl) Werkwijze voor het inspecteren van een belichtingsinrichting, een belichtingswerkwijze voor het corrigeren van een brandpunt, en een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
TWI315454B (en) Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1032187A1 (nl) Werkwijze voor het genereren van een maskerpatroon, systeem voor het genereren van een maskerpatroon en computerprogrammaproduct.
NL1028549A1 (nl) Patroonbelichtingswerkwijze en patroonbelichtingsinrichting.
SG128659A1 (en) Metrology apparatus, lithographic apparatus, process apparatus metrology method and device manufacturing method
NL2002883A1 (nl) Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus.
HK1169215A1 (en) Euv light source, euv exposure system, and production method for semiconductor device
TWI319517B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method
DE602005010658D1 (de) Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
NL1030699A1 (nl) Blootstellingssysteem, de blootstellingswerkwijze en werkwijze om halfgeleiderinrichting te vervaardigen.
EP1879219A4 (en) EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS AND FILM EVALUATION METHOD
DE602005019500D1 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zum Kalibrieren desselben
EP1814144A4 (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
EP1901339A4 (en) EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD, COMPONENT MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM
SG128670A1 (en) Lithographic apparatus, contaminant trap, and device manufacturing method
DE602006015126D1 (de) Randbelichtungsapparat, Beschichtungs- und Entwicklungsapparat und Randbelichtungsmethode
NL2003181A1 (nl) A source module of an EUV lithographic apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing a device.
EP1965414A4 (en) EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
EP2009677A4 (en) EXPOSURE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND EXPOSURE METHOD

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20080715

PD2B A search report has been drawn up
MM Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20160201