WO2009044434A1 - 半導体装置の製造方法、露光用マスク製造方法、及びその製造に用いられるプログラム - Google Patents

半導体装置の製造方法、露光用マスク製造方法、及びその製造に用いられるプログラム Download PDF

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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

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Abstract

　メインパターンを形成するための第１のメインマスクパターンと、ダミーパターンを形成するための第１のダミーマスクパターンとが形成された第１のマスクを用いて、基板に露光を行う。次に、メインパターンを形成するための第２のメインマスクパターンと、前記ダミーパターンを形成するための第２のダミーマスクパターンとが形成された第２のマスクを用いて、前記基板に露光を行う。第１のダミーマスクパターンが基板上に転写された転写パターンと、第２のダミーマスクパターンが基板上に転写された転写パターンとが一致しない。
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