JP2010205886A - 露光装置のフレア評価方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することが可能な露光装置のフレア評価方法を提供する。
【解決手段】露光装置のフレア評価方法は、単位基準積算露光量を第1の基準積算露光量で除算することにより第1の評価値を算出するとともに、単位基準積算露光量を第2の基準積算露光量で除算することにより第2の評価値を算出する工程と、第1の評価値と第1の管理限界値とを比較し、第1の評価値が第1の管理限界値を超えている場合には、照明光学系および投影光学系の全体としてのフレア量が第1の規定値を超えていると判断する工程と、第2の評価値と第2の管理限界値とを比較し、第2の評価値が第2の管理限界値を超えている場合には、照明光学系のフレア量が第2の規定値を超えていると判断する工程と、を備える。
【選択図】図4A

Description

本発明は、フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置のフレア評価方法に関する。
近年、半導体デバイスのさらなる微細化が求められている。
フォトリソグラフィ工程では、マスク(レチクル)に形成されたパターンをフォトレジスト等の感光剤が塗布された半導体基板(ウェハ)上に投影露光することが行われる。
この投影露光を行う露光装置には、例えば、レチクル上に形成されたパターンをウェハ上の所定の領域に投影露光した後、ウェハ上を一定距離だけステッピングさせ、次の領域に再び該レチクルのパターンを投影露光するものがある(所謂、ステップ・アンド・リピート方式)。
これまでの微細化は、デバイスパターンを転写するリソグラフィ工程の技術革新により可能になってきた。今後、さらなる微細化を進めるにあたり、リソグラフィ工程における露光装置の管理技術が重要となる。
このような露光装置で露光する際、露光量裕度の大きさおよび焦点深度の大きさの2つで代表される露光マージンを、確保することが重要である。
露光装置は、露光マージンを低下させないよう、適切に管理される必要がある。露光マージンを低下させる要因として、フレアは重要な因子の一つである。そのため、露光装置におけるフレアの管理は、近年ますます重要となっている。
フレアの発生原因は、露光装置の光学系の雲りである。光学系は主に、照明光学系および投影光学系から成る。雲りを生じる主な原因は、ペリクルやレジストに露光光が照射されることにより発生したアウトガスや、レチクルの出し入れによって混入した異物からの昇華物である。このような雲りにより生じるフレア量が大きいと、転写パターンの忠実性が低下し、露光マージンが減少する。
これまでに、フレアの発生を抑制する技術や、フレアを管理するための、照明光学系のフレアおよび投影光学系のフレアを計測する方法が数多く提案されている。
しかし、近年、フレアが原因となって生じる、隣接ショットの転写パターンに有効露光領域の外側のパターンが写り込む現象が問題となりつつある。
しかし、照明光学系のフレアおよび投影光学系のフレアを個別に計測する従来の方法では、有効露光領域の外側に漏れるフレアがどの程度かを直接知ることはできない。従って、フレアが原因となる問題については、明確な管理基準を設けることが難しかった。
有効露光領域の外側に漏れるフレアを管理するためには、有効露光領域の外側に光が漏れて被露光基板上に到達する光量(以降では「ショット外フレア」と呼ぶ)を抑制する技術や、計測する技術が必要である。
ここで、従来技術には、レチクル上の有効露光領域の外側に照射される照明光を遮る遮光機構を設けることにより、有効露光領域の外側に漏れるフレアを抑制するものがある(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、たとえ有効露光領域の外側に漏れるフレアが抑制された状態であっても、実際にどの程度のフレアが生じているのかを計測できていない。
特開平11−121330号公報
本発明は、露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することが可能な露光装置のフレア評価方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る露光装置のフレア評価方法は、
照明光学系から出射された照明光を投影光学系へ第1の伝達量で伝達する第1の有効露光領域と、前記第1の有効露光領域の外側に近接して配置される第1の評価パターンとがそれぞれ形成された第1の評価マスクを用いる露光装置のフレア評価方法であって、
光源から出射された照明光を、前記照明光学系を介して前記第1の評価マスクに照射することにより、前記第1の評価マスクから発せられた光を、前記投影光学系を介して、感光性膜が上面に成膜された基板上に投影する工程と、
前記第1の評価パターンが前記感光性膜の現像に要する、前記光源から出射される照明光の第1の基準積算露光量を、計測し、前記第1の有効露光領域が前記感光性膜の現像に要する、前記光源から出射される照明光の単位基準積算露光量を、計測する工程と、
前記単位基準積算露光量を前記第1の基準積算露光量で除算することにより第1の評価値を算出する工程と、
前記第1の評価値を用いて、前記照明光学系および前記投影光学系のフレア量を評価する工程と、を備える
ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る露光装置のフレア評価方法によれば、露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することができる。
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一態様である実施例1に係る露光装置1000の基本構成を示す図である。
図1に示すように、露光装置1000は、光源1と、照明光学系2と、マスク(レチクル)100と、マスクステージ3と、投影光学系4と、基板ステージ5と、を備える。
光源1からの光は、例えば、楕円反射鏡やコリメーションレンズ等からなる照明光学系2により集光され、照明光として評価マスク100に照射される。この照明光は、照明光学系2に設けられたスリット2aにより、評価マスク100上のある所定の領域(有効露光領域)を照射するように設定される。また、この評価マスク100には、後述のように評価パターンが形成されている。なお、該有効露光領域は、回路パターンの露光を行う露光装置1000の通常の使用において、1ショットで露光される領域を下回らない大きさであるものとする。実用上は、1ショットで露光することのできる原理上可能な最大の大きさであってもよい。
そして、評価マスク100に照明光を照射することにより生じる回折光(すなわち、評価マスク100を通過した光)が、投影光学系4を介して、基板ステージ5上に配置されたウェハ(基板)6に塗布された感光性膜6aに、投影露光されるものとなっている。
露光装置1000による露光は、ステップ・アンド・リピート方式もしくは、ステップ・アンド・スキャン方式により、ショットを単位とする1回の露光をウェハ上に複数回行い、なるべく多くの回路パターンがウェハ上に形成されるものとする。
図2は、図1に示す露光装置1000のフレアを評価するために用いられる評価マスク100の構成の一例を示す平面図である。
図2に示すように、感光性膜に所定のパターンを露光するために照明光が照射される有効露光領域には、第1の有効露光領域101と、この第1の有効露光領域101に隣接する第2の有効露光領域102とが含まれる。
第1の有効露光領域101は、評価マスク100に形成され、照明光学系から出射された照明光を投影光学系4へ第1の伝達量で伝達(ここでは透過)するようになっている。
第2の有効露光領域102は、照明光を投影光学系4へ該第1の伝達量よりも小さい第2の伝達量で伝達するようになっている。
該第1の伝達量である第1の有効露光領域101の透過率は、該第2の伝達量である第2の有効露光領域102の透過率よりも、高くなるように設定されている。例えば、第2の有効露光領域102には、パターンを形成せずに、透過率を約0%に設定することができる。このように、投影光学系に達する照明光の透過率に2つの水準が設けられる。
評価マスク100において、第1、第2の有効露光領域101、102の外側には、周辺領域105が配置されている。この周辺領域105は、第1の有効露光領域よりも透過率が低く設定される。
この周辺領域105のうち第1の有効露光領域101に近接する領域には、第1の評価パターン103aが配置されている。この第1の評価パターン103aは、照明光を投影光学系4に伝達(透過)するようになっている。
また、周辺領域105のうち第2の有効露光領域102に近接する領域には、第2の評価パターン103bが配置されている。この第2の評価パターン103bは、照明光を投影光学系4に伝達(透過)するようになっている。
特に、第1、第2の評価パターン103a、103bは、評価マスク100中の周辺領域105において、レチクルアライメント用のパターン等の通常有効露光領域の外側に配置されるパターンよりも内側に配置される。なお、第1、第2の評価パターン103a、103bの透過率は、第1の有効露光領域101の透過率と同じである。
このように、これらの第1、第2の評価パターン103a、103bは、有効露光領域の外側に漏れた照明光を投影光学系4に伝える役割を果たす。
すなわち、これらの第1、第2の評価パターン103a、103bは、照明光学系2に曇りが無い場合、理想的には、照明光学系2から出射された照明光が当たらない領域に形成されている。
なお、ここでは、第1、第2の有効露光領域101、102、および、第1、第2の評価パターン103a、103bは、1つの評価マスク100に形成されているが、第1の有効露光領域101と第1の評価パターン103aの組と、第2の有効露光領域102と第2の評価パターン103bの組とは、別の評価マスクに形成されていてもよい。
次に、上記のような構成を有するフレア評価マスク100を用いたフレア評価方法について述べる。なお、以下では、感光性膜を、ポジ型レジスト膜とした場合について説明するが、感光性膜を、ネガ型レジスト膜としても露光量を算出する点では同様である。
ここで、図3Aは、評価マスク100のパターンが感光性膜に転写されたウェハにおける、感光性膜の残膜量の測定位置の一例を示す図である。
図3Aに示すように、ウェハ6上面の領域のうち、評価マスク100の第1の有効露光領域101が投影される部分が、第1の基準領域6a1である。また、ウェハ6上面の領域のうち、評価マスク100の第2の有効露光領域102が投影された部分が、第2の基準領域6a2である。また、ウェハ6上面の領域のうち、第1の有効露光領域101に近接する第1の評価パターン103aが投影される部分が、第1の評価領域X1である。また、ウェハ6上面の領域のうち、第2の有効露光領域102に近接する第2の評価パターン103bが投影される部分が、第2の評価領域X2である。
また、図3Bは、図3Aの第1の評価領域X1および第2の評価領域X2で測定された感光性膜の残膜量と積算露光量との関係を示す図である。なお、ここでは、第1の評価パターン103aが投影される第1の評価領域X1および第2の評価パターン103bが投影される第2の評価領域X2について、レジスト膜の膜厚を測定している。ここで、積算露光量とは、照射される光の単位面積あたりの露光量の時間積分値である(以下同じ)。図3Bに示すように、レジスト膜の膜厚がゼロになるとき(現像されるとき)の積算露光量を、基準積算露光量とする。
ここで、図4Aは、本発明の実施例1に係る露光装置のフレア評価方法の一例を示すフローチャートである。
図4Aに示すように、まず、図2に示すマスク100を配置した露光装置1000を用いて、光源1から出射された照明光を、照明光学系2を介してマスクステージ3に配置された評価マスク100に照射する。これにより、評価マスク100から発せられた光を、投影光学系4を介して、感光性膜6aが上面に成膜されたウェハ6を配置した基板ステージ5上に投影する(ステップS1)。
次に、第1の有効露光領域101の外側の第1の評価パターン103aが第1の評価領域X1の感光性膜6aに現像される(レジスト残膜の膜厚がゼロになる)、光源1から出射される照明光の第1の基準積算露光量Eth1を、計測する。さらに、第2の有効露光領域102の外側の第2の評価パターン103bが第2の評価領域X2の感光性膜6aに現像される(レジスト残膜の膜厚がゼロになる)、光源1から出射される照明光の第2の基準積算露光量Eth2を、計測する。さらに、第1の有効露光領域101が第1の基準領域6a1の感光性膜6aに現像される(レジスト残膜の膜厚がゼロになる)、光源1から出射される照明光の単位基準積算露光量Eth0を、計測する(ステップS2)。
なお、ここでは、単位基準積算露光量Eth0が、第1の基準領域6a1の領域Y1について計測されるが、第1の基準領域6a1の他の領域であってもよい。
次に、第1の評価値Fipおよび第2の評価値Fiを算出する。まず、出射される積算露光量がある適当な値となるように光源1から照明光を第1の有効露光領域101に対して出射し、ウェハ6の第1の基準領域6a1を照射する場合を考える。このような照射を行う一定の時間を、以下では「期間」と呼ぶことにする。するとここで、ウェハ6の第1の評価領域X1に到達した第1の積算露光量E1は、同じ期間中、ウェハ6の第1の基準領域6a1に到達した単位積算露光量E0を用いて、式(1)のように見積もることが可能である。なお、式(1)は、ウェハ上の領域に到達する積算露光量は、一般にその領域のレジスト残膜の膜厚をゼロにする照明光の最小の積算露光量の逆数に比例するものと見なしてよいことに基づいている。

E1=(Eth0/Eth1)×E0・・・(1)
そして、式(1)において、単位基準積算露光量Eth0を第1の基準積算露光量Eth1で除算した量を以下の式(2)のようにFipと定義し、これを第1の評価値と呼ぶことにする。
Fip=Eth0/Eth1・・・(2)
第1の評価値Fipは、限りなくゼロに近い値をとるのが理想的であるが、通常は第1の基準積算露光量Eth1が計測可能範囲を超えない程度の有限の値をとることにより、ゼロでない値をとる。これに対し、露光装置の光学系に曇りが生じていると、露光光の一部が光学系の内部で乱反射を繰り返し、ウェハ6の第1の基準領域6a1の外に漏れて到達する光の量が増加する。つまり、ウェハ6の第1の評価領域X1に到達する光の量は増加する。この場合、前述の第1の基準積算露光量Eth1の値は小さくなる。すると、第1の評価値Fipの値は大きくなる。すると、式(1)により、ウェハ6の第1の評価領域X1に到達した第1の積算露光量E1は大きくことが期待される。このような理由で、第1の評価値Fipは露光装置の光学系の曇り量の指標とすることができる。
また、同様に、ウェハ6の第2の評価領域X2に到達した第2の積算露光量E2は、同じ期間中、ウェハ6の第1の基準領域6a1に到達した単位積算露光量E0を用いて、式(3)のように見積もることが可能である。式(3)では、式(1)と同様に、ウェハ上の領域に到達する積算露光量は、一般にレジスト残膜の膜厚をゼロにする照明光の最小の積算露光量の逆数に比例するものと見なしてよいことに基づいている。

E2=(Eth0/Eth2)×E0・・・(3)
そして、式(3)において、単位基準積算露光量Eth0を第2の基準積算露光量Eth2で除算した量を以下の式(4)のようにFiと定義し、これを第2の評価値と呼ぶことにする。

Fi=Eth0/Eth2・・・(4)
第2の評価値Fiは第1の評価値Fipと同様、露光装置の光学系の曇り量の指標とすることができるが、第1の評価値Fipよりも照明光学系の曇りに対する感度が高い。これは、前述の第2の有効露光領域102の光の伝達量は、前述の第1の有効露光領域101の光の伝達量よりも小さくなるように設計を行っているためである。つまり、第1の有効露光領域101よりも第2の有効露光領域102を用いた場合の方が、照明光学系から投影光学系に伝達される露光光の量が小さくなり、従って、ウェハ6の第1の基準領域6a1の外に漏れて到達する光の量に関して、投影光学系の内部での乱反射の寄与が抑えられる。なお、一般に、前述の第1の基準積算露光量Eth1よりも第2の基準積算露光量Eth2の方が大きな値をとり、第1の評価値Fipよりも第2の評価値Fiの方が小さな値をとる。
理想的な実施形態においては、第2の評価領域の光の伝達量をゼロにすることで、第2の評価値Fiは照明光学系の曇りの指標とすることができる。露光装置の光学系のうち、特に照明光学系に曇りが生じた場合、ウェハ6の第1の評価領域X2に到達した第2の積算露光量E2は式(4)に表される通り、大きくなることが期待される。第2の評価値Fiは実用上は、第1の評価値Fipよりも照明光学系の曇りに対する感度の高い指標として、照明光学系の曇りを管理するのに有効である。
以上のように、第1、第2の評価値Fip、Fiは、有効露光領域の外側に漏れる光量を評価する上で、より有用な指標となる。
このように、単位基準積算露光量Eth0を第1の基準積算露光量Eth1で除算することにより第1の評価値Fipを算出するとともに、単位基準積算露光量Eth0を第2の基準積算露光量Eth2で除算することにより第2の評価値Fiを算出する(ステップS3)。
ここで、フレアを管理するために、例えば、第1の評価値Fipに対して、第1の管理限界値を設定するとともに、第2の評価値Fiに対して第2の管理限界値を設定する。該第1の管理限界値は、例えば、照明光学系2および投影光学系4の全体の曇り量が管理限界(例えば、露光マージンが所定値以下)となる場合に相当する第1の評価値Fipの値である。また、該第2の管理限界値は、例えば、照明光学系2の曇りが管理限界(例えば、露光マージンが所定値以下)となる場合に相当する第2の評価値Fiの値である。
そこで、第1の評価値Fipと該第1の管理限界値とを比較し、第1の評価値Fipが該第1の管理限界値を超えている場合には、照明光学系2および投影光学系4の全体としてのフレア量が第1の規定値を超えていると判断する。さらに、第2の評価値Fiと該第2の管理限界値とを比較し、第2の評価値Fiが該第2の管理限界値を超えている場合には、照明光学系4のフレア量が第2の規定値を超えていると判断する。或いは、第1の評価値Fipが該第1の管理限界値を超えており、且つ、第2の評価値Fiが該第2の管理限界値を超えていない場合には、投影光学系4のフレア量が第2の規定値を超えていると判断する(ステップS4)。
一方、第1の評価値Fipが該第1の管理限界値以下であり、且つ、第2の評価値Fiが該第2の管理限界値以下である場合には、各光学系の曇りが管理限界ではないとして、フローを終了する。
次に、ステップS4において、第1の評価値Fipが該第1の管理限界値を超えている場合には、該当する光学系である投影光学系および照明光学系の全体としての曇り量が管理限界を超えているものとして判断される。この場合、投影光学系および投影光学系の少なくとも何れか一方について、曇りを除去するためのメンテナンスをする(ステップS5)。これにより、第1の評価値Fipを第1の管理限界値以下に復帰させる。
また、第2の評価値Fiが該第2の管理限界値を超えている場合には、該当する光学系である照明光学系2の曇り量が管理限界を超えているものとして判断される。この場合、照明光学系2の曇りを除去するためのメンテナンスを行う。これにより、第2の評価値Fiを第2の管理限界値以下に復帰させる。
特に、第1の評価値Fipが該第1の管理限界値を超えており、且つ、第2の評価値Fiが該第2の管理限界値を超えていない場合には、管理限界を超える要因が照明光学系2の曇りではないと考えられるため、投影光学系4をメンテナンスする。
そして、このステップS5のメンテナンス後、ステップS1に戻り、既述のように、評価マスク100から発せられた光を、基板ステージ5上のウェハ6に投影する。このステップS1の後、既述のステップS2、ステップS3を経て、再度、第1の評価値Fipおよび第2の評価値Fiを算出する。
そして、ステップS4において、再度算出した第1の評価値Fipと該第1の管理限界値とを比較し、再度算出した第1の評価値Fipが第1の管理限界値を超えている場合には、既述のように、照明光学系2および投影光学系4の全体としてのフレア量が第1の規定値を超えていると判断する。さらに、再度算出した第2の評価値Fiと該第2の管理限界値とを比較し、再度算出した第2の評価値Fiが該第2の管理限界値を超えている場合には、既述のように、照明光学系のフレア量が第2の規定値を超えていると判断する。
以降は、ステップS5に進んで、同様の処理が実施される。
一方、第1の評価値Fipが該第1の管理限界値以下であり、且つ、第2の評価値Fiが該第2の管理限界値以下である場合には、各光学系の曇りが管理限界ではないとして、フローを終了する。
以上のようにして、露光装置1000の各光学系の曇りが、適切に管理される。
なお、基板ステージ5に露光量を測定するセンサ装置(図示せず)を設置して、ウェハ6の上面が位置する高さ近傍(基板表面位置)において、該センサ装置により既述の第1、第2、単位積算露光量E1、E2、E0を直接測定するようにしてもよい。この場合、ウェハ6の上面が位置する高さ近傍(基板表面位置)において測定された第1、第2、単位積算露光量E1、E2、E0に基づいて、式(2)、(4)から第1の評価値Fip、第2の評価値Fiが算出されることとなる。以下、この場合のフローについて説明する。
ここで、図4Bは、本発明の実施例1に係る露光装置のフレア評価方法の他の例を示すフローチャートである。この図4Bにおいて、ステップS4、ステップS5は、図4Aと同じである。
図4Bに示すように、まず、図2に示すマスク100を配置した露光装置1000を用いて、光源1から出射された照明光を、照明光学系2を介してマスクステージ3に配置された評価マスク100に照射する。これにより、評価マスク100から発せられた光を、投影光学系4を介して、ウェハ6を配置するための基板ステージ5上に投影する(ステップS1a)。
次に、該センサ装置により、それぞれ同じ時間だけ(好ましくは同じ期間中)、第1の評価パターン103aが投影された基板ステージ5上の第1の基板表面位置における第1の積算露光量E1を計測し、第2の評価パターン103bが投影された基板ステージ5上の第2の基板表面位置における第2の積算露光量E2を計測し、第1の有効露光領域が投影された基板ステージ上の基準基板表面位置における単位積算露光量E0を計測する(ステップS2a)。
なお、第1、第2、単位積算露光量を異なる期間で計測する場合には、光源1から出射される照明光の光量は、同じである必要がある。
次に、式(5)に示すように、第1の積算露光量E1を単位積算露光量E0で除算することにより第1の評価値Fipを算出する。

Fip=E1/ E0・・・(5)
さらに、式(6)に示すように、第2の積算露光量E2を単位積算露光量E0で除算することにより第2の評価値Fiを算出する(ステップS3a)。

Fi=E2/E0・・・(6)
以降のフローは、既述のように、図4Aに示すフローと同様に処理される。この図4Bに示す方法によっても、露光装置1000の各光学系の曇りを、適切に管理することはできる。
ここで、図5Aは、評価マスク100の第1の評価パターン103aが投影された第1の評価領域X1のレジスト膜厚と光源1が出射した照明光の積算露光量との関係を示す図である。また、図5Bは、評価マスク100の第2の評価パターン103bが投影された第2の評価領域X2のレジスト膜厚と光源1が出射した照明光の積算露光量との関係を示す図である。なお、図5A、図5Bにおいて、光学系のメンテナンス後にレジストを露光した場合と、その3ヶ月後にレジストを露光した場合とについて、データをプロットしている。
図5Aに示すように、第1の有効露光領域101に近接する第1の評価パターン103aが投影される位置のレジスト膜の膜厚には経時変化が見られる。
一方、図5Bに示すように、第2の有効露光領域102に近接する第2の評価パターン103bの位置のレジスト膜の膜厚には経時変化が見られない。
これにより、露光装置1000の照明光学系2には雲りが生じていないが、投影光学系4には雲りが生じていると判断できる。したがって、必要な箇所(投影光学系4)に対して適切にメンテナンスを施すことができる。
以上のように、本実施例に係る露光装置のフレア評価方法によれば、露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することができる。
特に、有効露光領域の外側に漏れるフレアの発生箇所が照明光学系なのか投影光学系を特定することができ、必要箇所のメンテナンスを効率的に行うことができる。
実施例1に述べられた評価マスクは、ArF光露光装置、KrF光露光装置、i線露光装置などに適用される、照明光を透過する形式のマスクである。
しかし、照明光を反射するEUV(Extreme Ultra−Violet)露光装置についても同様に適用可能である。
そこで、実施例2では、照明光を反射する形式の評価マスクを適用した場合について説明する。
図6は、本発明の一態様である実施例2に係る露光装置2000の基本構成を示す図である。
図6に示すように、露光装置2000は、光源2001と、照明光学系2002と、マスク(レチクル)200と、マスクステージ2003と、投影光学系2004と、基板ステージ2005と、を備える。
光源2001からの光は、例えば、楕円反射鏡やコリメーションレンズ等からなる照明光学系2により集光され、照明光として評価マスク200に照射される。この照明光は、照明光学系2に設けられたスリット2aにより、評価マスク100上に形成された回路パターン1単位分を含む露光領域(有効露光領域)を照射するように設定される。また、この評価マスク200には、実施例1の評価マスクと同様に評価パターンが形成されている。
そして、評価マスク100に照明光を照射することにより生じる反射光(すなわち、評価マスク100を反射した光)が、投影光学系2004を介して、基板ステージ2005上に配置されたウェハ(基板)6に塗布された感光性膜6aに、投影露光されるものとなっている。
評価マスク200には、図2に示す評価マスク100と同様に、感光性膜に所定のパターンを露光するために照明光が照射される有効露光領域には、第1の有効露光領域101と、この第1の有効露光領域101に隣接する第2の有効露光領域102とが含まれる。
第1の有効露光領域101は、照明光学系から出射された照明光を投影光学系へ第1の伝達量で伝達(ここでは反射)するようになっている。
第2の有効露光領域102は、照明光を投影光学系4へ該第1の伝達量よりも小さい第2の伝達量で伝達するようになっている。
該第1の伝達量である第1の有効露光領域101の反射率は、該第2の伝達量である第2の有効露光領域102の反射率よりも、高くなるように設定されている。例えば、第2の有効露光領域102の反射率は、約0%に設定される。このように、投影光学系に達する照明光の反射率に2つの水準が設けられる。
また、実施例1と同様に、評価マスク200において、第1、第2の有効露光領域101、102の外側には、周辺領域105が配置されている。この周辺領域105は、第1の有効露光領域よりも反射率が低く設定される。
この周辺領域105のうち第1の有効露光領域101に近接する領域には、第1の評価パターン103aが配置されている。この第1の評価パターン103aは、照明光を投影光学系4に伝達(反射)するようになっている。
また、周辺領域105のうち第2の有効露光領域102に近接する領域には、第2の評価パターン103bが配置されている。この第2の評価パターン103bは、照明光を投影光学系4に伝達(反射)するようになっている。
特に、第1、第2の評価パターン103a、103bは、評価マスク100中の周辺領域105において、レチクルアライメント用のパターン等の通常有効露光領域の外側に配置されるパターンよりも内側に配置される。なお、第1、第2の評価パターン103a、103bの反射率は、第1の有効露光領域101の反射率と同じである。
実施例1と同様に、これらの第1、第2の評価パターン103a、103bは、有効露光領域の外側に漏れた照明光を投影光学系4に伝える役割を果たす。
すなわち、これらの第1、第2の評価パターン103a、103bは、照明光学系2に曇りが無い場合、理想的には、照明光学系2から出射された照明光が当たらない領域に形成されている。
なお、ここでは、第1、第2の有効露光領域101、102、および、第1、第2の評価パターン103a、103bは、1つの評価マスク100に形成されているが、第1の有効露光領域101と第1の評価パターン103aの組と、第2の有効露光領域102と第2の評価パターン103bの組とは、別の評価マスクに形成されていてもよい。
このように、実施例1における評価マスク100に対して、有効露光領域101および102の、投影光学系に達する照明光の透過率ではなく、反射率に対して2つの水準を設ける評価マスク200により本発明の適用が可能である。
また、各有効露光領域の外側に設けられる評価パターンは、有効露光領域の外側に漏れた照明光を投影光学系に伝えるよう、十分に反射率を高くなるような材料で形成させておくことで本発明の適用が可能である。
以上のように、本実施例に係る露光装置のフレア評価方法によれば、実施例1と同様に、露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することができる。
本発明の一態様である実施例1に係る露光装置1000の基本構成を示す図である。 図1に示す露光装置1000のフレアを評価するために用いられる評価マスク100の構成の一例を示す平面図である。 評価マスク100のパターンが感光性膜に転写されたウェハにおける、感光性膜の残膜量の測定位置の一例を示す図である。 図3Aの第1の評価領域X1および第2の評価領域X2で測定された感光性膜の残膜量と積算露光量との関係を示す図である。 本発明の実施例1に係る露光装置のフレア評価方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の実施例1に係る露光装置のフレア評価方法の他の例を示すフローチャートである。 評価マスク100の第1の評価パターン103aが投影された第1の評価領域X1のレジスト膜厚と光源1が出射した照明光の積算露光量との関係を示す図である。 評価マスク100の第2の評価パターン103bが投影された第2の評価領域X2のレジスト膜厚と光源1が出射した照明光の積算露光量との関係を示す図である。 本発明の一態様である実施例2に係る露光装置2000の基本構成を示す図である。
1、2001 光源
2、2002 照明光学系
2a スリット
3、2003 マスクステージ
4、2004 投影光学系
5、2005 基板ステージ
6 ウェハ(基板)
6a 感光性膜
6a1 第1の基準領域
6a2 第2の基準領域
100、200 評価マスク
101 第1の有効露光領域
102 第2の有効露光領域
103a 第1の評価パターン
103b 第2の評価パターン
1000、2000 露光装置
X1 第1の評価領域
X2 第2の評価領域
Y1 領域

Claims (5)

  1. 照明光学系から出射された照明光を投影光学系へ第1の伝達量で伝達する第1の有効露光領域と、前記第1の有効露光領域の外側に近接して配置される第1の評価パターンとがそれぞれ形成された第1の評価マスクを用いる露光装置のフレア評価方法であって、
    光源から出射された照明光を、前記照明光学系を介して前記第1の評価マスクに照射することにより、前記第1の評価マスクから発せられた光を、前記投影光学系を介して、感光性膜が上面に成膜された基板上に投影する工程と、
    前記第1の評価パターンが前記感光性膜の現像に要する、前記光源から出射される照明光の第1の基準積算露光量を、計測し、前記第1の有効露光領域が前記感光性膜の現像に要する、前記光源から出射される照明光の単位基準積算露光量を、計測する工程と、
    前記単位基準積算露光量を前記第1の基準積算露光量で除算することにより第1の評価値を算出する工程と、
    前記第1の評価値を用いて、前記照明光学系および前記投影光学系のフレア量を評価する工程と、を備える
    ことを特徴とする露光装置のフレア評価方法。
  2. 照明光を投影光学系へ前記第1の伝達量よりも小さい第2の伝達量で伝達する第2の有効露光領域と、前記第2の有効露光領域の外側に近接して配置される第2の評価パターンとがそれぞれ形成された前記第1の評価マスク又は前記第1の評価マスクとは異なる第2の評価マスクを用いる前記露光装置のフレア評価方法であって、
    前記光源から出射された照明光を、前記照明光学系を介して、前記第2の有効露光領域および前記第2の評価パターンが形成された前記第1の評価マスク、または前記第2の評価マスクに照射することにより、前記第1の評価マスクまたは前記第2の評価マスクから発せられた光を、前記投影光学系を介して、前記感光性膜が上面に成膜された前記基板上に投影する工程と、
    前記第2の評価パターンが前記感光性膜の現像に要する、前記光源から出射される照明光の第2の基準積算露光量を、計測する工程と、
    前記単位基準積算露光量を前記第2の基準積算露光量で除算することにより第2の評価値を算出する工程と、
    前記第2の評価値を用いて、前記照明光学系のフレア量を評価する工程と、をさらに備える
    ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置のフレア評価方法。
  3. 前記第2の伝達量は、約0%であることを特徴とする請求項2に記載の露光装置のフレア評価方法。
  4. 前記第2の有効露光領域には、パターンが形成されていないことを特徴とする請求項1ないし3の何れかに記載の露光装置のフレア評価方法。
  5. 前記第1の評価値が前記第1の管理限界値を超えている場合には、前記照明光学系および前記投影光学系の少なくとも何れか一方をメンテナンスすることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の露光装置のフレア評価方法。
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JP4051240B2 (ja) * 2002-07-31 2008-02-20 富士通株式会社 試験用フォトマスク、フレア評価方法、及びフレア補正方法
JP4084312B2 (ja) * 2004-01-16 2008-04-30 株式会社東芝 リソグラフィプロセス評価システム、リソグラフィプロセス評価方法、露光装置評価方法、マスクパターン設計方法及び半導体装置の製造方法
US7277165B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-02 Invarium, Inc. Method of characterizing flare
US7096127B2 (en) * 2004-10-13 2006-08-22 Infineon Technologies Ag Measuring flare in semiconductor lithography

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