NL1010914C2 - Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt. - Google Patents

Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt. Download PDF

Info

Publication number
NL1010914C2
NL1010914C2 NL1010914A NL1010914A NL1010914C2 NL 1010914 C2 NL1010914 C2 NL 1010914C2 NL 1010914 A NL1010914 A NL 1010914A NL 1010914 A NL1010914 A NL 1010914A NL 1010914 C2 NL1010914 C2 NL 1010914C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
formula
norbornene
copolymer resin
represented
maleic anhydride
Prior art date
Application number
NL1010914A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1010914A1 (nl
Inventor
Jae Chang Jung
Cheol Kyu Bok
Ki Ho Baik
Min-Ho Jung
Original Assignee
Hyundai Electronics Ind
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Ind filed Critical Hyundai Electronics Ind
Publication of NL1010914A1 publication Critical patent/NL1010914A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1010914C2 publication Critical patent/NL1010914C2/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/04—Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
    • C08F222/06—Maleic anhydride
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/115—Cationic or anionic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Description

Titel: Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt.
De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen betrekking op een copolymere hars voor een fotolak die gebruikt wordt in de bereiding van elektronische inrichtingen. De fotolak kan gebruikt worden met een ultra-5 violette lichtbundel zoals KrF of ArF. Meer in het bijzonder heeft de onderhavige uitvinding betrekking op werkwijzen voor de bereiding van de fotolak, werkwijzen die gebruik maken van de fotolak, en de fotolak zelf. In een voorbeelduitvoering, heeft de uitvinding betrekking op een 10 fotolak, waarin een mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaateenheid geïntroduceerd is in een norborneen-maleTnezuuranhydride copolymere structuur voor een fotolak, te gebruiken in een lithografische werkwijze die gebruik maakt van een KrF (248 nm) of ArF (193) lichtbron, en onder 15 andere toegepast zou kunnen worden in 1G of 4G DRAM- inrichtingen; een werkwijze voor de bereiding daarvan; en een fotolak die hetzelfde hars bevat.
Verschillende typen fotolakken zijn gebruikt of voorgesteld. Deze fotolakken hebben vaak een veelheid aan 20 karakteristieken of eigenschappen zoals etsweerstand, hechting, en andere. In het algemeen zijn etsweerstand, hechting met lage lichtabsorptie op 193 nm golflengte gewenst voor een copolymere hars voor ArF. De copolymere hars moet ook ontwikkelbaar zijn gebruik makend van 25 2,38 gew.% waterige tetramethylammoniumhydroxide (TMAH) oplossing. Het is echter moeilijk om een copolymere hars te synthetiseren die aan één of meer van deze eigenschappen voldoet. Veel onderzoeken zijn gericht geweest op studies van norbolac-type hars als een hars om de lichtdoorlaat-30 baarheid op een golflengte van 193 nm te verhogen en de etsweerstand te verhogen. Als een voorbeeld is bij Bell Lab. geprobeerd om een alicyclische eenheid in de hoofdketen te introduceren teneinde de etsweerstand te verhogen. De copolymere hars waarin de hoofdketen norboraan, acrylaat 1 o 1 no 1 a 2 en maleïnezuuranhydridesubstituenten bevat is bijvoorbeeld weergegeven door chemische formule I: [Formule I] 5 __
A I 0 OH
A i „ i o=S V=o c=0 oo : ” ** De copolymere hars van formule I, waarin het 15 maleïnezuuranhydridegedeelte (A gedeelte) gebruikt wordt voor het polymeriseren van alicyclische olefinegroepen, is echter het enige materiaal dat gepolymeriseerd kan worden met norborneen, de alicyclische eenheid, zonder dat ArF 1 licht met een golflengte van 193 nm wordt geabsorbeerd. Als 20 gevolg daarvan kan het in het algemeen niet gebruikt worden ' als hars voor ArF, omdat het tamelijk oplosbaar is in ^ 2,38 gew.% waterige TMAH-oplossing. De oplosbaarheid vindt plaats zelfs zonder blootstelling waardoor een "top loss" verschijnsel (de top van het patroon wordt gevormd in een 25 ronde vorm) hetgeen in het algemeen wordt gezien in conventionele fotolakpatroonontwikkeling.
Derhalve, teneinde zo'n verschijnsel te voorkomen, moet*het y-gedeelte dat een tert-butylsubstituent heeft verhoogd worden. Een relatieve afname van het z-gedeelte, 30 welke de gevoeligheid en hechting met het substraat verbetert, veroorzaakt nadelen daar de fotolak verwijderd wordt van de wafel in conventionele patroonontwikkeling j zodat het patroon niet effectief gevormd kan worden. Andere ' lakproducten zijn voorgesteld, maar deze lakproducten i 35 kunnen talloze beperkingen hebben zoals lastige bereiding, f aanstootgevende geuren, en dergelijke.
1010914 3
Uit het bovenstaande kan worden opgemaakt dat een fotolak met een betere hechting en een verbeterde resolutie gewenst is.
Volgens de onderhavige uitvinding, hebben de 5 onderhavige uitvinders een maleïnezuuranhydridetype copolymere hars ontwikkeld die 5-norborneen-2-carboxyl-zuurmonomeer omvat, weergegeven door chemische formule II als de belangrijkste component, en hebben een octrooiaanvrage ingediend (Koreaanse octrooiaanvrage 97-26807 ïo ingediend op 21 juni 1997) , in een poging om de beperkingen van de conventionele fotolakproducten op te lossen.
[Formule II] q o=o <!h 20
Hoewel fotolakken die gebruik maken van maleine-zuuranhydride-type copolymere harsen, zoals gesuggereerd in de bovengenoemde octrooiaanvrage een polymere hars en zijn met een hoge hechting, gevoeligheid en uitstekende 25 resolutie, is er een probleem in de praktische bereiding, aangezien één van de belangrijkste componenten, 5-norborneen-2-carboxylzuur, een zeer aanstootgevende geur kan ^feven gedurende de synthese. Derhalve hebben de onderhavige uitvinders een nieuwe fotolak ontwikkeld, welke 30 uitstekende resolutie heeft zonder het probleem van de aanstootgevende geur te veroorzaken.
In een bijzondere uitvoeringsvorm, levert de onderhavige uitvinding een techniek om de aanstootgevende geur die wordt veroorzaakt door conventionele lakproducten 35 te beperken. Meer in het bijzonder levert de onderhavige uitvinding een methode voor het introduceren van mono- 1010°14 4 methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaateenheid in plaats van een 5-norborneen-2-carboxylzuur in de norborneen-maleïnezuuranhydride copolymere structuur. De onderhavige methode lost gedeeltelijk ieder probleem van 5 uitstoot van een aanstootgevende geur op. Volgens een voorkeursuitvoering levert de onderhavige methode een laklaag zonder noemenswaardige verslechtering van de gevoeligheid van de laklaag. De onderhavige fotolak heeft ook eigenschappen als een uitstekende hechting en resolutie ïo (0,13 μπι) . De onderhavige lak kan verkregen worden met het gemak van de controle van de samenstelling van de bestanddelen gedurende de synthese van de fotolak teneinde . massaproductie mogelijk te maken.
: — Vele voordelen of gunstige effecten worden bereikt 15 door middel van de onderhavige uitvinding ten aanzien van conventionele technieken. In een bijzondere uitvoeringsvorm, levert de onderhavige uitvinding een copolymere hars bevattende mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxy-: laateenheid. In een alternatieve uitvoeringsvorm, levert de ! 20 onderhavige uitvinding een werkwijze voor het bereiden van de copolymere hars die een mono-methyl-cis-5-norborneen-- endo-2,3-dicarboxylaateenheid omvat. In nog een andere uitvoeringsvorm, levert de onderhavige uitvinding een fotolak omvattende de bovengenoemde norborneen-25 maleinezuuranhydride copolymere hars, een organisch oplosmiddel, en een fotozuurgenerator. Bovendien levert de onderhavige uitvinding een halfgeleiderelement bereid door gebrfTik te maken van de fotolak omvattende de bovengenoemde copolymere hars. Deze en andere voordelen worden beschreven 30 in de beschrijving en meer in het bijzonder hieronder.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een copolymere hars voor fotolakken omvattende mono-methyl-cis- 5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaateenheid welke is weergegeven door de volgende chemische formule III: : 1010914 5 [Formule III] ^ Vr) ~ 5 c=o c=o o=c c=o £ i i in R 0¾ CH3
Ah io waarin, R tert-butyl, tetrahydropyranyl, tetrahydrofuranyl of een ethoxyethylgroep, en de verhouding x : y : z (0,1-99%) : (0,1-99%) : (0,1-99%) is.
De copolymere harsen volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvatten bij voorkeur norborneen-15 maleïnezuuranhydride copolymere harsen weergegeven door chemische formules IV tot en met VII.
[Formule IV] C=0 0=0 0=C 0=0 i I 11
0 o O OH
I I
-- 0¾ Oï,
25 ÓH
[Formule V] 3° ^ ^0==^0^==° c=o C=0 o=c c=o o ó i Ah
. O F
1010914 6 [Formule VI] j ^ (-4 oX^o ^ (--) o=L0X=o o=Loy=o • ^=o > Λ A ό ó Ϊη ά Ê “ 10 [Formule VII] .! o=Co3=^ ^ o=CoJt=o ο=(.οΛ=οζ c=o c=o o=c c=o
f jL j|> iH
CHj—CH r*2 O—C2Hj I 2
OH
J 2 0
In de formules zijn R, x, y en z gedefinieerd als
'J
' hierboven.
i De copolymere hars van de onderhavige uitvinding, 25 weergegeven door formule III, kan worden bereid door de norborneenderivaten van formule VIII, 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat van formule IX, maleïnezuur-anhydride van formule X, en mono-methyl-cis-5-norborneen-i endo-2,3-dicarboxylaat van formule XI in de aanwezigheid 30 van een radicaalinitiator te polymeriseren.
10109] 4 [Formule VIII] 7 10 [Formule IX] - % < C&2 t 20 [Formule X] 0==^3=° 25 [Formule XI] o=c c=o <!> 6h £h3 1010814 8
In de bovenstaande formules staat R voor tert-butyl, 2-tetrahydropyranyl, 2-tetrahydrofuranyl of ethoxyethyl of aanverwante groepen.
In de bereiding van de copolymere hars volgens de 5 onderhavige uitvinding, worden de norborneenderivaten volgens chemische formule VIII bij voorkeur geselecteerd uit de groep omvattende tert-butyl-5-norborneen-2-carboxy-laat, 2-tetrahydropyranyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 2-tetrahydrofuranyl 5-norborneen-2-carboxylaat en 10 2-ethoxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat.
De copolymere harsen volgens de onderhavige uitvinding kunnen bereid worden door een conventionele polymerisatiewerkwijze zoals een bulkpolymerisatie of oploesingspolymerisatie. Als oplosmiddel kunnen 15 cyclohexanon, methylethylketon, benzeen, tolueen, dioxaan en/of dimethylformamide afzonderlijk of als mengsel gebruikt worden. Polymerisatie-initiators bruikbaar in de onderhavige uitvindingen omvatten benzoylperoxide, 2,21-azobisisobutyronitril (AIBN), acetylperoxide, 3 20 laurylperoxide, tert-butylperacetaat, di-tert-butylperoxide of aanverwanten.
In de werkwijze voor het bereiden van de copolymere hars volgens de onderhavige uitvinding, kunnen algemene polymerisatiecondities omvattende temperatuur en druk van 25 de radicaalpolymerisatie gecontroleerd worden afhankelijk van de eigenschappen van de reactanten, maar bij voorkeur wordt de polymerisatiereactie uitgevoerd bij een temperatuur tussen 60 en 200°C.
= De copolymere hars volgens de onderhavige uitvinding ! 30 kan gebruikt worden in de vorming van een positieve micro- ί afbeelding door een fotolakoplossing te maken waarin de hars gemengd is met een organisch oplosmiddel en een j conventionele fotozuurgenerator volgens een conventionele werkwijze voor het bereiden van een fotolaksamenstelling. i 35 In de werkwijze voor het vormen van een fotolakpatroon van een halfgeleiderelement, hangt de hoeveelheid copolymere 1010914 9 hars volgens de onderhavige uitvinding af van het organische oplosmiddel of de fotozuurgenerator die gebruikt worden, en de lithografische omstandigheden, maar gewoonlijk bedraagt deze 10 tot 30 gew.% op basis van het 5 organische oplosmiddel gebruikt in de bereiding van de fotolak.
De werkwijze voor het vormen van een fotolakpatroon op een halfgeleiderinrichting, gebruikmakend van de copolymere hars volgens de onderhavige uitvinding is hier-ïo onder in meer detail beschreven:
De copolymere hars volgens de onderhavige uitvinding wordt opgelost in cyclohexanon bij een concentratie van 10 tot 30 gew.%. Fotozuurgenerator (0,1-10 gew.%), zoals trif-enylsulfoniumtriplaat, dibutylnaf tylsulfoniumtriplaat, 15 2,6-dimethylfenylsulfonaat, bis(arylsulfonyl)-diazomethaan, oximsulfonaat of 2,l-diazonaftochinon-4-sulfonaat, wordt ingebracht in de fotolakhars. Het mengsel wordt dan gefiltreerd door een ultra-microfilter om de fotolak-oplossing te bereiden. De fotolakoplossing wordt gespincoat 20 op een siliciumwafel, teneinde een dunne film te vormen, welke vervolgens zacht gebakken wordt in een oven op 80-150 °C of op een hete plaat voor 1-5 minuten, blootgesteld aan licht door gebruik te maken van een verre ultraviolet exposer of een eximer laser-exposer, en gebakken op een 25 temperatuur tussen 100°C en 200°C voor 10 seconden tot 60 minuten. De blootgestelde wafel wordt geïmpregneerd in 2,38% waterige TMAH-oplossing voor 1-30 seconden teneinde een ]Jbsitief fotolakpatroon te verkrijgen.
Een beter begrip van de onderhavige uitvinding kan 30 worden verkregen in het licht van de volgende voorbeelden die aangevoerd worden ter illustratie, maar niet begrepen dienen te worden als beperkend voor de onderhavige uitvinding.
1010914 10
Preparatief voorbeeld I
Synthese van tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat [Formule Villa]
· Q
C=0 : 6 1 10 _ In een reactor werden cyclopentadieen (66 g) en ; tetrahydrofuraanoplosmiddel (500 g) geladen, en het mengsel : 15 werd geroerd totdat het homogeen was. Aan het reactie- mengsel werd tert-butylacrylaat (128 g) toegevoegd en het ” resulterende mengsel werd geroerd op een temperatuur tussen -30°C en 60°C voor ongeveer 10 uur teneinde de reactie uit - te voeren. Zodra de reactie compleet was, werd het 20 oplosmiddel verwijderd door middel van een roterende ^ verdamper, en het residu werd gedestilleerd onder 1 gereduceerde druk teneinde 176 g (opbrengst: 90%) tert- = butyl-5-norborneen-2-carboxylaat weergegeven door chemische formule Villa te verkrijgen. 1 2 3 4 5 6 1010914
Preparatief voorbeeld II
2
Synthese van 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat 3 ~ (formule IX) 4 5
Dezelfde procedure als beschreven in preparatief voorbeeld I werd herhaald, maar 2-hydroxyethylacrylaat 6 (116 g) werd gebruikt in plaats van tert-butylacrylaat ; teneinde 155 g (opbrengst: 85%) 2-hydroxyethyl-5- norborneen-2-carboxylaat weergegeven door bovenstaande formule IX te verkrijgen.
11
Preparatief voorbeeld III
Synthese van 2 -tetrahydropyranyl-5-norborneen-2-carboxylaat [Formule VUIb] %
A
” 6
Dezelfde procedure als beschreven in preparatief 15 voorbeeld I werd herhaald, maar 2-tetrahydropyranylacrylaat (156 g) werd gebruikt in plaats van tert-butylacrylaat teneinde 186 g (opbrengst: 84%) 2-tetrahydropyranyl-5-norborneen-2-carboxylaat weergegeven door formule VUIb te verkrijgen.
20 Preparatief voorbeeld IV
Synthese van 2-tetrahydrofuranyl-5-norborneen-2-carboxylaat [Formule VIIIc]
25 Q
f=° o
Dezelfde procedure als beschreven in preparatief voorbeeld I werd herhaald, maar 2-tetrahydrofuranylacrylaat 101 CS 14 12 (144 g) werd gebruikt in plaats van tert-butylacrylaat teneinde 172 g (opbrengst: 82%) 2-hydroxyfuranyl-5-norborneen-2-carboxylaat weergegeven door formule VIIIc te verkrijgen.
5 Preparatief voorbeeld V
Synthese van l-ethoxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat [Formule VIIld] _ 10 ^
CH3—CH
d>—C2H5
Dezelfde procedure als beschreven in preparatief voorbeeld I werd herhaald, maar 1-ethoxy-ethylacrylaat 20 (144 g) werd gebruikt in plaats van tert-butylacrylaat t teneinde 174 g (opbrengst: 83%) ethoxyethyl-5-norborneen-2- - carboxylaat weergegeven door formule VIIld te verkrijgen.
Preparatief voorbeeld VI
Synthese van mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-25 dicarboxylaat (formule XI)
In een reactor werd cyclopentadieen (66 g) gebracht en tetrahydrofuranoplosmiddel (500 g) en maleïnezuur-j anhydride (98 g) werden hieraan toegevoegd, en het mengsel ( werd geroerd totdat het homogeen was. Aan het reactie- 30 mengsel werd pure ethanol (500 g) toegevoegd en de reactie werd uitgevoerd onder roeren op 50°C gedurende 8 uur. Zodra de reactie was afgelopen, werd het oplosmiddel verwijderd ί door gebruik te maken van een roterende verdamper, en werd 101 OP 14 13 het residu gedestilleerd onder gereduceerde druk teneinde 156 g (opbrengst: 87%) mono-methyl-cis-5-norborneen-endo- 2,3-dicarboxylaat weergegeven door chemische formule XI te verkrijgen.
5 Voorbeeld I
Synthese van poly[tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat / mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / maleïnezuuranhydride] copolymere hars (formule IV) io In tetrahydrofuran of tolueen werden maleïnezuur anhydride (1 mol), tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,5-0,9 mol) bereid volgens preparatief voorbeeld I, 2-hycïroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,05-0,08 mol) bereid volgens voorbeeld II, en mono-methyl-cis-5-15 norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat (0,01-0,5 mol) bereid volgens preparatief voorbeeld VI, opgelost. Vervolgens werd 2,2'-azobisisobutyronitril (AIBN) (0,5-10 g) daaraan toegevoegd als een polymerisatie-initiator en werd de reactie uitgevoerd op een temperatuur tussen 65°C en 70°C 20 onder stikstof of argonatmosfeer voor 4-24 uur. Het aldus verkregen ruwe product werd geprecipiteerd vanuit ethylether of hexaan en het precipitaat werd gedroogd teneinde de copolymere hars uit de titel te leveren (formule IV) met een molecuulgewicht van 3.000-100.000 25 (opbrengst: 63%). De copolymere hars op deze wijze bereid heeft een hoge lichtdoorlaatbaarheid voor ArF-licht, verhoogde etsweerstand en uitstekende hechting en is ontwikkelbaar door 2,38 gew.% waterige TMAH-oplossing.
mioou 14
Voorbeeld II
Synthese van poly[2-tetrahydropyranyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat / mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / 5 maleïnezuuranhydride] copolymere hars (formule V)
Dezelfde procedure als beschreven in voorbeeld I werd herhaald, maar 2-tetrahydropyranyl-5-norborneen-2-carboxylaat bereid volgens preparatief voorbeeld III werd gebruikt in plaats van tert-butyl-5-norborneen-2-10 carboxylaat teneinde de copolymere hars uit de titel , (formule V) met een molecuulgewicht van 3.000-100.000 (opbrengst: 68%) te verkrijgen. Hoewel de beschermende groep van de copolymere hars op deze wijze bereid ° gesubstitueerd was door een acetaalgroep, was de ~ 15 etsweerstand van de hars niet verslechterd, en had de hars een uitstekende gevoeligheid (gevoeligheid: 11 Nj/cm2) .
Voorbeeld III
Synthese van poly[2-tetrahydrofuranyl-5-norborneen-2-1 carboxylaat / 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat / ’ 20 mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / ^ maleïnezuuranhydride] copolymere hars (formule VI)
Dezelfde procedure als beschreven in voorbeeld I werd herhaald, maar 2-tetrahydrofuranyl-5-norborneen-2-carboxylaat bereid volgens preparatief voorbeeld IV werd 25 gebruikt in plaats van tert-butyl-5-norborneen-2-, carboxylaat teneinde de copolymere hars uit de titel (formule VI) met een molecuulgewicht van 4.000-100.000 (opbrengst: 64%) te verkrijgen. De copolymere hars op deze wijze verkregen had vergelijkbare eigenschappen als die uit 30 voorbeeld II.
1010914 15
Voorbeeld IV
Synthese van poly[l-ethoxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat / mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / 5 maleïnezuuranhydride] copolymere hars (formule VII)
Dezelfde procedure als beschreven in voorbeeld I werd herhaald, maar l-ethoxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat bereid volgens preparatief voorbeeld V werd gebruikt in plaats van tert-butyl-5-norborneen-2-10 carboxylaat teneinde de copolymere hars uit de titel (formule VII) met een molecuulgewicht van 4.000-100.000 (opbrengst: 59%) te verkrijgen. De copolymere hars op deze wijze verkregen had vergelijkbare eigenschappen met die uit voorbeeld I, maar had betere eigenschappen met betrekking 15 tot het contrast.
Voorbeeld V
De copolymere hars (formule IV) (10 g) verkregen volgens voorbeeld I werd opgelost in 3-methoxymethyl-propionaat (40 g, oplosmiddel), en trifenylsulfonium-20 triplaat of dibutylnaftylsulfoniumtriplaat (ongeveer 0,2-1 g) als een fotozuurgenerator, werd hieraan toegevoegd. Na roeren werd het mengsel gefilterd door een 0,10 μτη-filter teneinde een fotolakoplossing op te leveren. Vervolgens werd de fotolakoplossing gespincoat op een 25 oppervlak van een wafel teneinde een dunne film te vervaardigen met een dikte van 0,4-1,2 μπι, en de wafel werd zacht gebakken in een oven op 70-150°C of op een hete plaat voor 1-5 minuten. Na blootstelling aan licht met een golflengte van 250 nm door middel van een exposer, werd de 30 wafel nagebakken op 90-160°C. Vervolgens werd de geëxposeerde wafel in een waterige TMAH-oplossing met een concentratie van 0,01-5 gew.% als een ontwikkeloplossing, 1010914 16 gedompeld voor 1,5 minuten teneinde een ultra-micro-fotolakpatroon te verkrijgen (resolutie: 0,13 μιτι) .
Voorbeeld VI
Dezelfde procedure als beschreven in voorbeeld V 5 werd herhaald alleen werd gebruik gemaakt van de copolymere hars (formule V) bereid volgens voorbeeld II als een fotolak, teneinde een ultra-micro-fotolakpatroon te vormen.
Voorbeeld VII
Dezelfde procedure als beschreven in voorbeeld V 10 werd herhaald alleen werd gebruik gemaakt van de copolymere hars_ (formule VI) bereid volgens voorbeeld III als een fotolak, teneinde een ultra-micro-fotolakpatroon te vormen.
Voorbeeld VIII
Dezelfde procedure als beschreven in voorbeeld V 15 werd herhaald alleen werd gebruik gemaakt van de copolymere hars (formule VII) bereid volgens voorbeeld IV als een fotolak, teneinde een fotolakpatroon te vormen.
Wanneer een patroon wordt gevormd door gebruik te maken van de fotolak als hierboven beschreven, kan een 20 halfgeleiderelement met een micro-patroon van 0,13 μπι worden vervaardigd, zodat een element met een hoge mate van integratie op voordelige wijze kan worden verkregen.
* Zoals hierboven beschreven kan de copolymere hars voor KrF- (248 nm) of ArF- (193 nm) fotolak volgens de 25 onderhavige uitvinding gemakkelijk bereid worden door conventionele radicaalpolymerisatie als gevolg van de introductie van mono-methyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaateenheid in de polymere structuur. De hars heeft een hoge lichtdoorlaatbaarheid op een golflengte 30 van 193 nm, biedt een verhoogde etsweerstand en lost het probleem van de aanstootgevende geur die ontstaat in de
10109U
17 loop van de copolymere harssynthese op. Bovendien kan, aangezien de harssamenstelling gemakkelijk gecontroleerd kan worden tengevolge van de moleculaire structuur, de hars bereid worden op een grote schaal. Derhalve kan de 5 copolymere hars voor KrF of ArF volgens de onderhavige uitvinding zeer nuttig worden toegepast in een lithografiewerkwijze.
Vele aanpassingen en variaties van de onderhavige uitvinding zijn mogelijk met betrekking tot de bovenstaande 10 beschrijvingen. Het spreekt daarom vanzelf dat binnen de omvang van de aangehechte conclusies de uitvinding uitgevoerd kan worden anders dan specifiek beschreven staat.
1010914

Claims (18)

1. Copolymere hars met een moleculair gewicht van 3.000-100.000, welke een mono-methyl-cis-5-norborneen-endo- 2,3-dicarboxylaatmonomeer omvat en wordt weergegeven door de volgende formule III: 5 [Formule III] c=o c=o o=c c=o 1 _ <£ 9 ά 6h R σί2 ch, CH2 ÓH ^ 15 waarin, R tert-butyl, hydropyranyl, hydrofuranyl of een * ethoxyethylgroep en de verhouding x : y : z, (0,1-99%) : ' (0,1-99%) : (0,1-99%) is.
2. Copolymere hars volgens conclusie 1, welke een 20 norborneen-maleïnezuuranhydride copolymere hars is, * weergegeven door de volgende formule IV: [Formule IV] i 25 c=o <p=o of 0=0 i o Ó OH —U- 0¾ CHj
30. Oil hm waarin de verhouding x : y : z is (0,1-99%) : (0,1-99%) : - (0,1-99%). '.‘5 -f 1010914
3. Copolymere hars volgens conclusie 1, welke een norborneen-maleïnezuuranhydride copolymere hars is, weergegeven door de volgende formule V: [Formule V] 5 c=o c=o o=c c=o 10 <? 9 0 Ïh o I 15 waarin de verhouding x : y : z is (0,1-99%) : (0,1-99%) : (0,1-99%).
4. Copolymere hars volgens conclusie 1, welke een norborneen-maleïnezuuranhydride copolymere hars is, 20 weergegeven door de volgende formule VI: [Formule VI] : c=0 C=o o=è:=o 9 o 6 6h 6 fe ^ ÓH 3 waarin de verhouding x : y : z, (0,1-99%) : (0,1-99%) : (0,1-99%) is. ..d 010914
5. Copolymere hars volgens formule 1, welke een norborneen-maleïnbezuuranhydride copolymere hars is, weergegeven door de volgende formule VII: [Formule VII] 5 Ί>0 > 0Ά0 10 ó 0 9 OH CHj—CH fa
6. Werkwij ze voor het bereiden van de copolymere hars uit formule III als gedefinieerd in conclusie 1, welke omvat de stap van polymeriseren, in de aanwezigheid van een - 20 radicaalinitiator, het norborneenderivaat weergegeven door formule VIII, 2-hydroxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat, weergegeven door formule IX, maleïnezuuranhydride = weergegeven door formule X en mono-methyl-cis-5-norborneen- endo-2,3-dicarboxylaat weergegeven door formule XI: 25 [Formule III] 3o C=0 0=0 o=c t=0 4 i 4 d)H R fa OU i 2 ÓH ’ 35 1010914 [Formule VIII] 5 R 10 [Formule IX] % ff 20 [Formule X] [Formule XI] ö 41-0 6 d)H 35 hii
101 OP 14 waarin R tert-butyl, 2-tetrahydropyranyl, 2-tetra-hydrofuranyl of 1-ethoxyethyl is.
6-C2Hj Γ*2 ÓH , 15 waarin x : y : z, (0,1-99%) : (0,1:-99%) : (0,1-99%) is.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarin het 5 norborneenderivaat tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat, weergegeven door de volgende formule Villa is: [Formule Villa] : . Q c=o i 15
8. Werkwijze volgens conclusie 6, waarin het norborneenderivaat 2-tetrahydropyranyl-5-norborneen-2-carboxylaat, weergegeven door de volgende formule VlIIb is: [Formule VlIIb] % i * · Ó
9. Werkwijze volgens conclusie 6, waarin het 30 norborneenderivaat 2-tetrahydrofuranyl-5-norborneen-2- carboxylaat, weergegeven door de volgende formule VIIIc is: 1010914 [Formule VIIIc] _ 9 f=° o Ó> io
10. Werkwijze volgens conclusie 6, waarin het norborneenderivaat 2-ethoxyethyl-5-norborneen-2-carboxylaat, weergegeven door de volgende formule VlIId is: [Formule VlIId] 15 20 ( ch3—ch ó-c2h5
11. Werkwijze voor het bereiden van de copolymere hars 25 volgens conclusie 6, waarin de polymerisatie-initiator gekozen wordt uit de groep omvattende benzoylperoxide, 2,2'-azobisisobutyronitril, acetylperoxide, laurylperoxide, tert-butylperacetaat en di-tert-butylperoxide. 1 2 3 4 5 6 1010914
12. Werkwijze voor het bereiden van de copolymere hars 2 volgens conclusie 6, waarin de polymerisatie wordt 3 uitgevoerd in de aanwezigheid van een oplosmiddel of een 4 oplosmiddelmengsel gekozen uit de groep omvattende 5 cyclohexanon, methylethylketon, benzeen, tolueen, dioxaan 6 en dimethylformamide.
13. Werkwijze voor het bereiden van de copolymere hars volgens conclusie 6, waarin de polymerisatie wordt uitgevoerd op een temperatuur tussen 60°C en 200°C onder 5 argon of stikstofatmosfeer.
14. Fotolaksamenstelling omvattende een norborneen- maleïnezuuranhydride copolymere lak gedefinieerd door conclusies 1, een organisch oplosmiddel en een ïo fotozuurgenerator.
, 15. Fotolaksamenstelling volgens conclusie 14, waarin de fotozuurgenerator trifenylsulfoniumtriplaat of dibutylnaftylsulfoniumtriplaat is. 15
16. Fotolaksamenstelling volgens conclusie 14, waarin de 3 copolymere hars aanwezig is in een hoeveelheid van tussen 10 gew.% en 30 gew.% betrokken op de hoeveelheid . oplosmiddel. , 20
17. Fotolaksamenstelling volgens conclusie 14, waarin de : fotozuurgenerator aanwezig is in een hoeveelheid van tussen 0,01 gew.% en 10 gew.% betrokken op de hoeveelheid 3 copolymere hars. | 25
18. Een halfgeleiderinrichting vervaardigd door gebruik te maken van de fotolaksamenstelling van conclusie 14. " 1010914
NL1010914A 1997-12-29 1998-12-29 Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt. NL1010914C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR19970077412 1997-12-29
KR1019970077412A KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 1997-12-29 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1010914A1 NL1010914A1 (nl) 1999-06-30
NL1010914C2 true NL1010914C2 (nl) 1999-08-26

Family

ID=19529569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1010914A NL1010914C2 (nl) 1997-12-29 1998-12-29 Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt.

Country Status (10)

Country Link
US (2) US6369181B1 (nl)
JP (1) JP3847991B2 (nl)
KR (1) KR100321080B1 (nl)
CN (1) CN1149237C (nl)
DE (1) DE19860654A1 (nl)
FR (1) FR2773160B1 (nl)
GB (1) GB2332679B (nl)
IT (1) IT1312366B1 (nl)
NL (1) NL1010914C2 (nl)
TW (1) TW515930B (nl)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6103845A (en) 1996-10-11 2000-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemically amplified resist polymers
US6114084A (en) 1997-02-27 2000-09-05 Samsung Electronics Co. Ltd. Chemically amplified resist composition
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100520148B1 (ko) 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
JPH11231541A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Daicel Chem Ind Ltd 放射線感光材料及びそれを使用したパターン形成方法
DE59908549D1 (de) * 1998-04-24 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Strahlungsempfindliches Gemisch und dessen Verwendung
KR100403325B1 (ko) 1998-07-27 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
KR100271420B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100271419B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
US6235447B1 (en) * 1998-10-17 2001-05-22 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
JP4144957B2 (ja) * 1999-01-22 2008-09-03 富士通株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
KR100634973B1 (ko) 1999-04-09 2006-10-16 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법
KR100301063B1 (ko) 1999-07-29 2001-09-22 윤종용 감광성 중합체 및 이들을 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물
KR20010011771A (ko) * 1999-07-30 2001-02-15 김영환 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
KR100682168B1 (ko) * 1999-07-30 2007-02-12 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
KR100557594B1 (ko) * 1999-08-17 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물
JP4714955B2 (ja) * 1999-09-29 2011-07-06 日本ゼオン株式会社 環状オレフィン系付加重合体およびその製造方法
US6365322B1 (en) 1999-12-07 2002-04-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV radiation
JP2001215703A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
US6777157B1 (en) * 2000-02-26 2004-08-17 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising same
US6306554B1 (en) * 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
KR100583092B1 (ko) * 2000-06-15 2006-05-24 주식회사 하이닉스반도체 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물의 첨가제
JP3589160B2 (ja) * 2000-07-07 2004-11-17 日本電気株式会社 レジスト用材料、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法
US6946523B2 (en) * 2001-02-07 2005-09-20 Henkel Corporation Heterobifunctional monomers and uses therefor
TW591329B (en) * 2001-04-21 2004-06-11 Samsung Electronics Co Ltd Acetal group containing norbornene copolymer for photoresist, method for producing the same and photoresist composition containing the same
KR20020082006A (ko) * 2001-04-23 2002-10-30 금호석유화학 주식회사 신규한 산-민감성 중합체 및 이를 함유하는 레지스트 조성물
US6989224B2 (en) * 2001-10-09 2006-01-24 Shipley Company, L.L.C. Polymers with mixed photoacid-labile groups and photoresists comprising same
JP2003295444A (ja) * 2001-10-09 2003-10-15 Shipley Co Llc アセタール／脂環式ポリマーおよびフォトレジスト組成物
KR20030035006A (ko) * 2001-10-29 2003-05-09 삼성에스디아이 주식회사 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 중합체 및포토레지스트 조성물
US6723488B2 (en) 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
US20030235775A1 (en) 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
US7674847B2 (en) * 2003-02-21 2010-03-09 Promerus Llc Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof
CN100440431C (zh) * 2003-03-04 2008-12-03 东京応化工业株式会社 液浸曝光工艺用浸渍液及使用该浸渍液的抗蚀剂图案形成方法
US7282159B2 (en) * 2005-02-25 2007-10-16 E.I. Dupont De Nemours And Company Process for heat transfer utilizing a polytrimethylene ether glycol or polytrimethylene ether ester glycol based heat transfer fluid
EP1770442B1 (en) 2005-10-03 2014-06-04 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositions and processes for photolithography
US20100136477A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-03 Ng Edward W Photosensitive Composition
US9550846B2 (en) * 2013-03-13 2017-01-24 The Curators Of The University Of Missouri Flexible to rigid nanoporous polyurethane-acrylate (PUAC) type materials for structural and thermal insulation applications

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB768813A (en) 1954-05-07 1957-02-20 Geigy Ag J R Substituted 1.2-diphenyl-3.5-dioxo-pyrazolidines and processes for the production thereof
US3370047A (en) 1964-09-03 1968-02-20 Union Carbide Corp Pour point depressants and lubricating compositions thereof
NL6914466A (nl) 1969-09-24 1971-03-26
US3715330A (en) 1970-05-20 1973-02-06 Asahi Chemical Ind Self-thermoset unsaturated polyesters and method for preparation thereof
GB1335095A (en) 1971-01-14 1973-10-24 Kodak Ltd Polycondensation copolymers
JPS5818369B2 (ja) 1973-09-05 1983-04-12 ジェイエスアール株式会社 ノルボルネンカルボンサンアミドオヨビ ／ マタハイミドルイノ （ キヨウ ） ジユウゴウタイノセイゾウホウホウ
US4106943A (en) 1973-09-27 1978-08-15 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition
JPS5628257B2 (nl) 1973-09-27 1981-06-30
US4202955A (en) 1975-12-16 1980-05-13 Borg-Warner Corporation Copolymers of cyclic conjugated dienes and maleic anhydride
US4126738A (en) * 1976-02-17 1978-11-21 Borg-Warner Corporation Copolymers of 5-norbornene 2,3-dicarboxylic anhydride and maleic anhydride
US4440850A (en) 1981-07-23 1984-04-03 Ciba-Geigy Corporation Photopolymerisation process with two exposures of a single layer
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4857435A (en) 1983-11-01 1989-08-15 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist thermally stable compositions and elements having deep UV response with maleimide copolymer
JPH0717740B2 (ja) 1986-10-01 1995-03-01 帝人株式会社 架橋重合体成型物の製造方法
US4948856A (en) 1987-05-22 1990-08-14 B. F. Goodrich Company Homogeneous addition copolymers of ethylene and cycloolefin monomers and method for producing same
US4986648A (en) 1987-06-18 1991-01-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Lens and optical disc base plate obtained from copolymer of norbornyl (meth)acrylate
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US5212043A (en) 1988-02-17 1993-05-18 Tosho Corporation Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent
JPH0251511A (ja) 1988-08-15 1990-02-21 Mitsui Petrochem Ind Ltd 極性基含有環状オレフイン系共重合体およびその製法
DE3922546A1 (de) 1989-07-08 1991-01-17 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von cycloolefinpolymeren
US5252427A (en) 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
KR950009484B1 (ko) 1990-06-06 1995-08-23 미쓰이세끼유 가가꾸고오교오 가부시끼가이샤 폴리올레핀 수지 조성물
JP3000745B2 (ja) 1991-09-19 2000-01-17 富士通株式会社 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JPH05297591A (ja) 1992-04-20 1993-11-12 Fujitsu Ltd ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法
TW304235B (nl) 1992-04-29 1997-05-01 Ocg Microelectronic Materials
JP2715881B2 (ja) 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
DE69624968T2 (de) 1995-04-21 2003-11-06 Arch Spec Chem Inc Vernetzte Polymere
DE19518693A1 (de) 1995-05-22 1996-11-28 Henkel Kgaa Maschinelle Geschirrspülmittel mit Silberkorrosionsschutzmittel
US5705503A (en) 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
WO1997006216A1 (fr) 1995-08-10 1997-02-20 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Composition de revetement durcissable a chaud
JP3804138B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-02 Ｊｓｒ株式会社 ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
AU725653B2 (en) 1996-03-07 2000-10-19 B.F. Goodrich Company, The Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
WO1998007759A1 (en) 1996-08-23 1998-02-26 First Chemical Corporation Polymerization processes using aliphatic maleimides
KR100261022B1 (ko) 1996-10-11 2000-09-01 윤종용 화학증폭형 레지스트 조성물
KR100211548B1 (ko) * 1996-12-20 1999-08-02 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
KR100220953B1 (ko) 1996-12-31 1999-10-01 김영환 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지
KR100225956B1 (ko) 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
KR100195583B1 (ko) * 1997-04-08 1999-06-15 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
EP0878738B1 (en) 1997-05-12 2002-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition
KR100252546B1 (ko) 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법
KR100254472B1 (ko) * 1997-11-01 2000-05-01 김영환 신규한 말레이미드계 또는 지방족 환형 올레핀계 단량체와 이들 단량체들의 공중합체수지 및 이수지를 이용한 포토레지스트
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100376984B1 (ko) 1998-04-30 2003-07-16 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
KR100376983B1 (ko) 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3847991B2 (ja) 2006-11-22
KR100321080B1 (ko) 2002-11-22
JPH11255840A (ja) 1999-09-21
US6369181B1 (en) 2002-04-09
US6608158B2 (en) 2003-08-19
IT1312366B1 (it) 2002-04-15
FR2773160A1 (fr) 1999-07-02
ITTO981083A0 (it) 1998-12-23
US20020068803A1 (en) 2002-06-06
TW515930B (en) 2003-01-01
CN1226565A (zh) 1999-08-25
ITTO981083A1 (it) 2000-06-23
GB2332679B (en) 2002-07-24
KR19990057361A (ko) 1999-07-15
GB9827043D0 (en) 1999-02-03
GB2332679A (en) 1999-06-30
NL1010914A1 (nl) 1999-06-30
CN1149237C (zh) 2004-05-12
FR2773160B1 (fr) 2001-01-12
DE19860654A1 (de) 1999-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1010914C2 (nl) Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt.
US6312865B1 (en) Semiconductor device using polymer-containing photoresist, and process for manufacturing the same
NL1007939C2 (nl) Werkwijze en inrichting waarin ArF fotoresist wordt gebruikt.
US6235447B1 (en) Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
US20030191259A1 (en) Novel polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
US6200731B1 (en) Photoresist cross-linking monomers, photoresist polymers and photoresist compositions comprising the same
US6291131B1 (en) Monomers for photoresist, polymers thereof, and photoresist compositions using the same
KR100334387B1 (ko) 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
US6410670B1 (en) Photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same
US6465147B1 (en) Cross-linker for photoresist, and process for forming a photoresist pattern using the same
JP3536015B2 (ja) フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
US20030211734A1 (en) Resist resin, chemical amplification type resist, and method of forming of pattern with the same
KR20020096666A (ko) 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체
KR100539224B1 (ko) 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물과,포토레지스트 패턴 형성 방법
US6713228B2 (en) Ether monomers and polymers having multi-ring structures, and photosensitive polymers and resist compositions obtained from the same
KR100520167B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물
KR100362935B1 (ko) 신규한포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR19990065461A (ko) 포토레지스트용 공중합체 및 그 제조방법
KR100557620B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20000026059A (ko) 신규한 모노머, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 제조방법
KR100585182B1 (ko) 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물과,포토레지스트 패턴 형성 방법
Lee et al. Investigation of cyclopolymerization for ArF positive photoresist
JP2000351812A (ja) 新規な（メタ）アクリル酸エステル、新規なノルボルネン誘導体、およびそれらから誘導される新規なポリマー
KR20000034147A (ko) 신규의 단량체, 그의 중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20070075195A (ko) 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
AD1B A search report has been drawn up
MM Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20160101