ITTO981083A1 - Resina copolimerica, sua preparazione e photoresist che la utilizza. - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 47
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 25
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 title description 3
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 8
- BZBMBZJUNPMEBD-UHFFFAOYSA-N tert-butyl bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OC(C)(C)C)CC1C=C2 BZBMBZJUNPMEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NNCLXDFOVCATLM-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OCCOCC)CC1C=C2 NNCLXDFOVCATLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- -1 2- (2-hydroxyethyl) carboxyl-5 -norbornene Chemical compound 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 claims description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 1-dodecylperoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCC LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 claims description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 2
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical group [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000003518 norbornenyl group Chemical class C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 claims 5
- CHWKGJOTGCSFNF-UHFFFAOYSA-N norbornene anhydride Chemical compound C1CC2C3C(=O)OC(=O)C3=C1C2 CHWKGJOTGCSFNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229920005996 polystyrene-poly(ethylene-butylene)-polystyrene Polymers 0.000 claims 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- PHSXOZKMZYKHLY-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OCCO)CC1C=C2 PHSXOZKMZYKHLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000019645 odor Nutrition 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYGUSUBEMUKACF-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylic acid Chemical compound C1C2C(C(=O)O)CC1C=C2 FYGUSUBEMUKACF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000002848 norbornenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BRETYAHLENMEAI-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1S(O)(=O)=O BRETYAHLENMEAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFQCQIGMURIECL-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(diethylamino)ethyl]-2',6'-dimethylspiro[isoquinoline-4,4'-oxane]-1,3-dione;phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O.O=C1N(CCN(CC)CC)C(=O)C2=CC=CC=C2C21CC(C)OC(C)C2 OFQCQIGMURIECL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOC(=O)C=C FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940095095 2-hydroxyethyl acrylate Drugs 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- DKJCSMHIPYRALV-UHFFFAOYSA-N methoxymethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCOC DKJCSMHIPYRALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N norbornene Chemical compound C1C2CCC1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethaneperoxoate Chemical compound CC(=O)OOC(C)(C)C SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/04—Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
- C08F222/06—Maleic anhydride
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
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Description
DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale .
SFONDO DELL'INVENZIONE
La presente invenzione si riferisce in generale ad una resina copolimerica per un photoresist usato nella produzione di dispositivi elettronici. Il photoresist può venire usato con raggi ultravioletti come KrF oppure ArF. Più particolarmente/ la presente invenzione si riferisce a procedimenti per la preparazione del photoresist, a procedimenti che utilizzano il photoresist ed al photoresist stesso. In una realizzazione di esempio, l'invenzione si riferisce ad una resina per photoresist, in cui una unità di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2,3-dicarbossilato è stata introdotta in una struttura di copolimero norbornene-anidride maleica per un photoresist, utilizzabile in un procedimento litografico usando una fonte di luce di KrF (248 nm) oppure ArF (193) che può venire applicata in dispositivi DRAM 1G oppure 4G e altri; ad un procedimento per la sua preparazione; e ad un photoresist contenente la resina stessa.
Sono stati usati o proposti vari tipi di photoresist. Questi photoresist hanno spesso una varietà di caratteristiche o proprietà come resistenza alla corrosione, adesività e altre. In generale, la resistenza alla corrosione e l'adesività con un basso assorbimento di luce ad una lunghezza d'onda di 193 nm, sono desiderabili per una resina copolimerica per ArF. La resina copolimerica dovrebbe anche essere sviluppabile usando una soluzione acquosa al 2,38% in peso di idrossido di tetrametilammonio (TMAH). Tuttavia è difficile sintetizzare una resina copolimerica che soddisfi una o più di queste proprietà. Molte ricerche si sono focalizzate su studi su resina di tipo norbolac come resina per aumentare la trasparenza alla lunghezza d'onda di 193 nm e aumentare la resistenza alla corrosione. Come esempio, Bell Lab. ha cercato di introdurre unità alicicliche nella catena dello scheletro per aumentare la resistenza alla corrosione. La resina copolimerica in cui la catena dello scheletro ha un sostituente dì norborano, acrilato e anidride maleica è, per esempio, rappresentata dalla formula chimica I:
[FORMULA I]
La resina copolimerica di formula I, in cui la porzione di anidride maleica (porzione A) usata per la polimerizzazione del gruppo olefinico aliciclico, è il solo prodotto da polimerizzare con norbornene, l'unità aliciclica, senza assorbire luce di ArF avente lunghezza d'onda di 193 nm. Per conseguenza, generalmente non viene usata come resina per ArF, poiché è molto solubile in soluzione acquosa al 2,38% di TMAH . La solubilità si verifica anche senza esposizione per creare un fenomeno di 'perdita nella parte superiore' (la parte superiore del modello viene formata con forma arrotondata) che si vede generalmente nei modelli di photoresist convenzionali.
Quindi, per impedire tale fenomeno, una porzione y avente un sostituente terz-butilico dovrebbe venire aumentata. Una diminuzione relativa della porzione z, che aumenta la sensibilità e l'adesività con il substrato, comporta svantaggi in quanto il photoresist viene rimosso dalla fetta di silicio nel modello convenzionale in modo che il modello non può venire formato efficacemente. Sono stati proposti altri prodotti resist, ma questi prodotti resist possono avere numerose limitazioni come difficoltà di produzione, odori sgradevoli e simili.
Da quanto precede, si vede che è si desidera un photoresist avente adesività migliore e migliorata risoluzione .
SOMMARIO DELL'INVENZIONE
Secondo la presente invenzione, i presenti inventori hanno sviluppato una resina copolimerica di tipo anidride maleica comprendente un monomero di acido 5-norbornen-2-carbossilico rappresentato dalla formula chimica II come costituente principale, e depositato una domanda di brevetto (Domanda di Brevetto Coreano n. 97-26807 depositata il 21 giugno 1997) , come tentativo di risolvere le limitazioni dei prodotti photoresist convenzionali.
[FORMULA II]
Sebbene il photoresist con l'impiego della resina copolimerica di tipo anidride maleica suggerita dalla domanda precedente sia una resina polimerica con adesività e sensibilità elevate e con eccellente risoluzione, vi è un problema nella produzione pratica, poiché uno dei costituenti principali, acido 5-norbornen-2-carbossilico, può generare odore molto sgradevole durante il procedimento di sintesi. Quindi, i presenti inventori hanno sviluppato un nuovo photoresist avente eccellente risoluzione, senza causare il problema dell'odore sgradevole.
In una realizzazione specifica, la presente invenzione provvede una tecnica per limitare l'odore sgradevole provocato dai prodotti resist convenzionali. Più particolarmente, la presente invenzione provvede un metodo per introdurre una unità di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2 ,3-carbossilato invece dell'acido 5-norbornen-2-carbossilico nella struttura del copolimero norbornene-anidride maleica. Il presente metodo risolve, in parte, qualsiasi problema di emissione di odore sgradevole. In una realizzazione preferita, il presente metodo provvede un resist risultante senza sostanzialmente deteriorare la sensibilità del resist. Il presente photoresist ha anche caratteristiche come eccellente adesività e risoluzione (0,13 μm). Il presente resist può venire ottenuto controllando facilmente la composizione del costituente durante la sintesi della resina del photoresist per rendere possibile la produzione in massa.
Con la presente invenzione vengono ottenuti numerosi vantaggi rispetto alla tecniche convenzionali. In una realizzazione specifica, la presente invenzione provvede una resina copolimerica comprendente unità di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2, 3-dicarbossilato. In una realizzazione alternativa, la presente invenzione provvede un procedimento per la preparazione della resina copolimerica comprendente unità di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2, 3-dicarbossilato . In ancora una ulteriore realizzazione, la presente invenzione provvede un photoresist comprendente la summenzionata resina copolimerica norbornene-anidride maleica, solvente organico e un generatore di acido inorganico. Ancora, la presente invenzione provvede un elemento semiconduttore prodotto usando il photoresist comprendente la suddetta resina copolìmerica. Questi ed altri vantaggi vengono descritti nella descrizione e più particolarmente in seguito.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DELL'INVENZIONE
La presente invenzione si riferisce ad una resina copolimerica per photoresist, comprendente unità di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2, 3-dicarbossilato che è rappresentata dalla seguente formula chimica III :
[FORMULA III]
in cui R rappresenta un gruppo terz-butile, idropiranile, idrofuranile oppure etossietile, e il rapporto x:y :z è (0,1-99%):(0,1-99%) :(0,1-99%) .
Le resine copolimeriche secondo una realizzazione della presente invenzione comprendono preferibilmente resine copolimeriche norbornene-anidride maleica rappresentate dalle formule chimiche IV a VII. [FORMULA IV]
[FORMULA V]
[FORMULA VI]
[FORMULA VII]
Nelle formule, R, x, y e z sono come definiti in precedenza .
La resina copolimerica della presente invenzione, rappresentata dalla formula III, può venire preparata polimerizzando il derivato di norbornene di formula Vili, 2-idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato di formula IX, anidride maleica di formula X e mono-metil-cis-5-norbornen-endo-2, 3-dicarbossilato di formula XI in presenza di un iniziatore radicalico. [FORMULA VIII]
[FORMULA IX]
[FORMULA X]
[FORMULA XI]
Nelle formule precedenti, R rappresenta terzbutile, idropiranile, idrofuranile oppure etossietile o gruppi simili.
Nella preparazione della resina copolimerica secondo la presente invenzione, i derivati di norbornene di formula chimica VIII vengono preferibilmente scelti dal gruppo formato da terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato, 2-idropiranil-5-norbornen-2-carbossilato, ìdrofuranìl-5-norbornen-2-carbossilato e 2-etossietil-5-norbornen-2-carbossilato .
Le resine copolimeriche secondo la presente invenzione possono venire preparate mediante un procedimento di polimerizzazione convenzionale come polimerizzazione in blocco oppure polimerizzazione in soluzione. Come solvente, cicloesanone, metiletil chetone, benzene, toluene, diossano e/oppure dimetilformammide, possono venire usati singolarmente, oppure in miscela. Iniziatori di polimerizzazione utilizzabili nella presente invenzione comprendono perossido di benzoile, 2,2'-azobisisobutirronitrile (AIBN), perossido di acetile, perossido di laurile, peracetato di terz-butile, perossido di di-terz-butile o simili.
Nel procedimento per la preparazione della resina copolimerica secondo la presente invenzione, le condizioni generali di polimerizzazione, comprendenti temperatura e pressione della polimerizzazione radicalica, possono venire controllate in base alle proprietà dei reagenti, ma è preferibile eseguire la reazione di polimerizzazione ad una temperatura fra 60 e 200°C.'
La resina copolimerica secondo la presente invenzione può venire usata nella formazione di una microimmagine positiva preparando una soluzione di photoresist in cui la resine è miscelata con un solvente organico e un generatore di acido inorganico convenzionale secondo un procedimento convenzionale per la preparazione della composizione di photoresist. Nel procedimento per la formazione del modello di photoresist dell'elemento semiconduttore, la quantità di resina copolimerica secondo la presente invenzione dipende dal solvente organico oppure dal generatore di acido inorganico usati, e dalla condizione di litografia, ma convenzionalmente è da circa il 10 al 30% in peso rispetto al solvente organico usato nella preparazione del photoresist.
Il procedimento per la formazione del modello di photoresist di un elemento semiconduttore usando la resina copolimerica secondo la presente invenzione viene descritto dettagliatamente in seguito:
la resina copolimerica secondo la presente invenzione viene disciolta in cicloesanone ad una concentrazione dal 10 al 30% in peso. Il generatore di acido inorganico (0,1-10% in peso), come triflato di trifenilsolfonio, triflato di dibutilnaftilsolfonio, 2,6-dimetilfenilsolfonato, bis(arilsolfonil)diazometano, solfonato di ossima oppure 2,1-diazonaftochinon-4-solfonato, viene incorporato nella resina di photoresist. La miscela viene quindi filtrata attraverso un dispositivo di ultra-microfiltrazione per preparare la soluzione di photoresist. La soluzione di photoresist viene applicata mediante rivestimento centrifugo su una fetta di silicio per formare una pellicola sottile, che viene quindi cotta moderatamente in un forno a 80-150°C oppure su una piastra calda per 1-5 minuti, esposta alla luce usando un dispositivo di esposizione all'ultravioletto lontano oppure un dispositivo di esposizione con laser a eccimeri e cotta ad una temperatura fra 100°C e 200°C per un tempo da 10 s a 60 minuti. La fetta di silicio viene impregnata in una soluzione acquosa al 2,38% in peso di TMAH per un tempo da 1 a 30 s per ottenere un modello di photoresist positivo.
Una migliore comprensione della presente invenzione può venire ottenuta alla luce dei seguenti esempi che vengono dati per illustrare, ma non intendono limitare, la presente invenzione.
ESEMPIO DI PREPARAZIONE I
Sintesi di terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato [FORMULA Villa]
in un reattore, si caricano come solvente ciclopentadiene (66 g) e tetraidrofurano (500 g), e la miscela viene agitata omogeneamente. Alla miscela di reazione si aggiunte terz-butilacrilato (128 g), e la miscela risultante viene agitata ad una temperatura fra -30°C e 60°C per circa 10 ore per eseguire la reazione. Quando la reazione è completata, il solvente viene allontanato usando un evaporatore rotante, e il residuo viene distillato sotto pressione ridotta per ottenere 176 g (resa: 90%) di terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato rappresentato dalla formula chimica Villa.
ESEMPIO DI PREPARAZIONE II
Sintesi di 2-idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato (formula IX)
Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio di preparazione I, ma si usa 2-idrossietilacrilato (116 g) invece del terz-butilacrilato, per ottenere 155 g (resa: 85%) di 2-idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato rappresentato dalla formula IX.
ESEMPIO DI PREPARAZIONE III
Sintesi di idropiranil-5-norbornen-2-carbossilato [FORMULA VlIIb]
Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio di preparazione I, ma si usa 2-idrossifuranilacrilato (156 g) invece del terz-butilacrilato, per ottenere 186 g (resa: 84%) di 2-idrofuranil-5-norbornen-2-carbossilato rappresentato dalla formala VIIIb.
ESEMPIO DI PREPARAZIONE IV
Sintesi di 2-idrossifuranilnorbornen-2-carbossilato [FORMULA Ville]
procedimento nell'Esempio di preparazione I, ma si usa 2-idrossifuranilacrilato (144 g) invece del terz-butilacrilato, per ottenere 172 g (resa: 82%) di 2-idrossifuranilnorbornen-2-carbossilato rappresentato dalla formula Ville.
ESEMPIO DI PREPARAZIONE V
Sintesi di etossietil-5-norbornen-2-carbossilato [FORMULA VI Id]
Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio di preparazione I, ma si usa etossietilacrilato (144 g) invece di terz-butilacrilato, per ottenere 174 g (resa: 83%) di etossietil-5-norbornen-2-carbossilato rappresentato dalla formula VIIId.
ESEMPIO DI PREPARAZIONE VI
Sintesi di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2,3-dicarbossilato (formula XI) In un reattore si carica ciclopentadiene (66 g) e si aggiungono tetraidrofurano (500 g) come solvente e anidride maleica (98 g), e la miscela viene agitata omogeneamente. Alla miscela di reazione si aggiunge etanolo assoluto (500 g) e la reazione viene eseguita sotto agitazione a 50°C per 8 ore. Quando la reazione è completa, si allontana il solvente usando un evaporatore rotante e si distilla il residuo sotto pressione ridotta per ottenere 156 g (resa: 87%) di monometil cis-5-norbornen-endo-2 ,3-dicarbossilato rappresentato dalla formula chimica XI.
ESEMPIO I
Sintesi della resina copolimerica poli[terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato/2-idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato/mono-metil cis-5-norbornen-endo-2,3-dicarbossilato/anidride maleica] (Formula IV) In tetraidrofurano o toluene, si discioglie anidride maleica (1 mole), terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato (0,5-0,9 moli) preparato secondo l'Esempio di preparazione I, 2-idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato (0,05-0,8 moli) preparato secondo l'Esempio II e mono-metil cis-5-norbornen-endo-2,3-dicarbossilato (0,01-0,5 moli) preparato secondo l'Esempio di preparazione VI, 2-terz-butossicarbonil-5-idrossi-6-norbornil (met)acrilato (0,05 moli) e 2-carbossilico-5-idrossi-6-norbornil (met)acrilato (0,05 moli). Quindi, si aggiunge 2,2'-azobisisobutirronitrile (AIBN) (0,5-10 g) come iniziatore di polimerizzazione, e la reazione viene eseguita ad una temperatura fra 65°C e 70°C in atmosfera di azoto o argon per 4-24 ore. Il prodotto grezzo così ottenuto viene precipitato da etere etilico o esano, e il precipitato viene essiccato per ottenere la resina copolimerica del titolo (Formula IV) avente peso molecolare di 3.000-100.000 (resa: 63%). La resina copolimerica cosi preparata ha elevata trasparenza alla luce ArF, aumentata resistenza alla corrosione ed eccellente adesività, ed è sviluppabile con soluzione acquosa al 2,38% di TMAH.
ESEMPIO II
Sintesi della resina copolimerica poli[idropiranil-5-norbornen-2-carbossilato/2 -idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato/mono-etil cis-5-norbornen-endo-2,3-dicarbossilato/anidride maleica] (Formula V) Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio I, ma si usa idropiranil-5-norbornen-2-carbossilato preparato secondo l'Esempio di preparazione III invece di terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato, per ottenere la resina copolimerica del titolo (formula V) avente peso molecolare di 3.000-100.000 (resa: 68%). Sebbene il gruppo di protezione della resina copolimerica così preparata venga sostituito con un gruppo acetale, la resistenza alla corrosione della resina non viene deteriorata, e la resina ha eccellente sensibilità (sensibilità: 11 Nj/cm2).
ESEMPIO III
Sintesi della resina copolimerica poli[2-idrossifuranil-5-norbornen-2-carbossilato/2-idrossietil-5-norbornen-2 -carbossilato/mono-metil cis-5-norbornen-endo-2 ,3-dicarbossilato/anidride maleica] (Formula VI) Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio I, ma si usa 2-idrossifuranil-4-norbornen-2-carbossilato preparato secondo l'Esempio di preparazione IV, invece di terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato, per ottenere la resina copolimerica (formula VI) avente peso molecolare di 4.000-100.000 (resa: 64%). La resina copolimerica così ottenuta ha proprietà simili a quella dell'Esempio II.
ESEMPIO IV
Sintesi della resina copolimerica poli[2-etossietil-5-norbornen-2-carbossilato/2-idrossietil-5-norbornen-2-carbossilato/mono-metil cis-5-norbornen-endo-2,3-dicarbossilato/anidride maleica] (Formula VII) Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio I, ma si usa 2-etossietil-5-norbornen-2-carbossilato preparato secondo l'Esempio di preparazione V, invece di terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato, per ottenere la resina copolimerica del titolo (formula VII) avente peso molecolare di 4.000-100.000 (resa: 59%). La resina copolimerica così ottenuta ha proprietà simili a quella dell'Esempio I, ma ha proprietà migliori come contrasto.
ESEMPIO V
Si discioglie la resina copolimerica (Formula IV) (10 g) ottenuta secondo l'Esempio 1, in 3metossimetilpropionato (40 g, solvente) e si aggiunge, come generatore di acido inorganico, triflato di trif enilsolfonio oppure triflato di dibutilnaftilsolfonio (circa 0,2-1 g). Dopo agitazione, si filtra la miscela attraverso un filtro a 0,10 μm per ottenere una soluzione di photoresist. La soluzione di photoresist viene quindi applicata mediante rivestimento centrifugo su una superficie di una fetta di silicio per preparare una pellicola sottile avente lo spessore di 0,4-1,2 μm e la fetta di silicio viene cotta moderatamente in un forno a 70-150°C oppure su una piastra calda per 1-5 minuti. Dopo esposizione a luce ad una lunghezza d'onda di 250 nm usando un dispositivo di esposizione, viene sottoposta a cottura successiva a 90-160°C. Quindi, la fetta di silicio esposta viene impregnata per 1,5 minuti in una soluzione acquosa di TMAH avente una concentrazione dello 0,01-5% in peso come soluzione di sviluppo, per ottenere un modello di photoresist ultra-micro (risoluzione: 0,13 μπι).
ESEMPIO VI
Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio IV, tranne che come resina di photoresist si usa la resina copolimerica (formula V) preparata secondo l'Esempio II, per formare un modello di photoresist ultra-micro.
ESEMPIO VII
Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio IV, tranne che come resina di photoresist si usa la resina copolimerica (formula VI) preparata secondo l'Esempio II, per formare un modello di photoresist ultra-micro.
ESEMPIO Vili
Si ripete lo stesso procedimento descritto nell'Esempio IV, tranne che come resina di photoresist si usa la resina copolimerica (formula VII) preparata secondo l'Esempio II, per formare un modello di photoresist.
Nel caso in cui un modello venga formato usando il photoresist suddescritto, si può produrre un elemento semiconduttore avente un micromodello di 0,13 μm, per cui si può vantaggiosamente ottenere un elemento altamente integrato.
Come suddescritto, la resina copolimerica per il photoresist di KrF oppure ArF secondo la presente invenzione, viene preparata facilmente mediante polimerizzazione radicalica convenzionale per effetto dell'introduzione di unità di mono-metil cis-5-norbornen-endo-2,3-carbossilato nella struttura del polimero. La resina ha elevata trasparenza alla lunghezza d'onda di 193 nm, fornisce aumentata resistenza alla corrosione e risolve il problema dell'odore sgradevole che si verifica nel corso della sintesi della resina copolimerica. Inoltre, siccome la composizione di resina può venire controllata facilmente in virtù della struttura molecolare, la resina può venire prodotta su scala industriale. Quindi, la resina copolimerica per KrF oppure ArF secondo la presente invenzione, può venire utilmente impiegata ih un procedimento litografico. .
Alla luce degli insegnamenti precedenti sono possibili molte modificazioni e variazioni della presente invenzione. Quindi, si comprenderà che entro il campo delle rivendicazioni allegate, l'invenzione può venire realizzata diversamente da come specificamente descritto .
Claims (18)
- RIVENDICAZIONI 1. Resina copolimerica avente peso molecolare di 3.000-100.000, che comprende un monomero di monometil cis-5-norbornen-endo-2, 3-dicarbossilato ed è rappresentata dalla seguente formula III:in cui R rappresenta un gruppo terz-butile, idropiranile, idrofuranile oppure etossietile, e il rapporto x: y:z è (0,1-99%): (0,1-99%): (0,1-99%).
- 2. Resina copolimerica secondo la rivendicazione 1, che è una resina copolimerica norborneneanidride maleica rappresentata dalla seguente formulain cui il rapporto x:y:z è·(0,1—99%):(0,1-99%) :(0,1-99%) .
- 3. Resina copolimerica secondo la rivendicazione 1, che è una resina copolimerica norborneneanidride maleica rappresentata dalla seguente formulain cui il rapporto x:y:z è (0,1-99%):(0,1-99%): (0,1-99%) .
- 4. Resina copolimerica secondo la rivendicazione 1, che è una resina copolimerica norborneneanidride maleica rappresentata dalla seguente formulain cui il rapporto x:y:z è (0,1—99%):(0,1—99%):(0,1— 99%) .
- 5. Resina copolimerica secondo la rivendicazione 1, che è una resina copolimerica norborneneanidride maleica rappresentata dalla seguente formulain cui il rapporto x:y:z è (0,1—99%):(0,1—99%):(0,1— 99%) .
- 6. Procedimento per la preparazione della resina copolimerica di formula I secondo la rivendicazione 1, che comprende la fase di polimerizzare, in presenza di un iniziatore radicalico, il derivato di norbornene rappresentato dalla formula VIII, 2- (2-idrossietil) carbossilico-5-norbornene rappresentato dalla formula IX, anidride maleica rappresentata dalla formula X e mono-metil-cis-5-norbornen-endo-2, 3-carbossilato rappresentato dalla formula XI:in cui R rappresenta terz-butile, idropiranile, idrofuranile oppure etossietile.
- 7. Procedimento secondo la rivendicazione 6, in cui la resina copolimerica norbornene-anidride maleica di formula IV secondo la rivendicazione 2, viene preparata usando terz-butil-5-norbornen-2-carbossilato come derivato di norbornene di formula Vili.
- 8. Procedimento secondo la rivendicazione 6, in cui la resina copolimerica norbornene-anidride maleica di formula V secondo la rivendicazione 3, viene preparata usando idropiranil-5-norbornen-2-carbossilato come derivato di norbornene di formula Vili.
- 9. Procedimento secondo la rivendicazione 6, in cui la resina copolimerica norbornene-anidride maleica di formula VI secondo la rivendicazione 4, viene preparata usando idrofuranil-5-norbornen-2-carbossilato come derivato di norbornene di formula VIII.
- 10. Procedimento secondo la rivendicazione 6, in cui la resina copolimerica norbornen-anidride maleica di formula VII secondo la rivendicazione 5, viene preparata usando 2-etossietil-5-norbornen-2-carbossilato come derivato di norbornene di formula VIII.
- 11. Procedimento per la preparazione della resina copolimerica secondo la rivendicazione 6, in cui l'iniziatore di polimerizzazione viene scelto dal gruppo formato da perossido di benzoile, 2,2'-azobisisobutirronitrile, perossido di acetile, perossido di laurile, peracetato di terz-butile e perossido di diterz-butile .
- 12. Procedimento per la preparazione della resina copolimerica secondo la rivendicazione 6, in cui la polimerizzazione viene eseguita in presenza di un solvente oppure una miscela solvente scelti dal gruppo formato da cicloesanone, metiletil chetone, benzene, toluene, diossano e dimetilformammide.
- 13. Procedimento per la preparazione della resina copolimerica secondo la rivendicazione 6, in cui la polimerizzazione viene eseguita ad una temperatura fra 60°C e 200°C sotto atmosfera di argon e azoto.
- 14. Photoresist comprendente una resina copolimerica norbornene-anidride maleica secondo una delle rivendicazioni 1 a 5, un solvente organico e un generatore di acido inorganico.
- 15. Photoresist secondo la rivendicazione 14, in cui il generatore di acido inorganico è triflato di trifenilsolfonio oppure triflato di dibutilnaftilsolfonio.
- 16. Photoresist secondo la rivendicazione 14, in cui la resina copolimerica è contenuta in una quantità fra il 10% in peso ed il 30% in peso in base alla quantità di solvente.
- 17. Photoresist secondo la rivendicazione 14, in cui il generatore di acido inorganico è contenuto in una quantità fra lo 0,01% in peso ed il 10% in peso in base alla quantità di resina copolimerica.
- 18. Elemento semiconduttore prodotto usando un photoresist comprendente la resina copolimerica secondo una delle rivendicazioni 1 a 5.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970077412A KR100321080B1 (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ITTO981083A0 ITTO981083A0 (it) | 1998-12-23 |
| ITTO981083A1 true ITTO981083A1 (it) | 2000-06-23 |
| IT1312366B1 IT1312366B1 (it) | 2002-04-15 |
Family
ID=19529569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| IT1998TO001083A IT1312366B1 (it) | 1997-12-29 | 1998-12-23 | Resina copolimerica, sua preparazione e photoresist che la utilizza. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6369181B1 (it) |
| JP (1) | JP3847991B2 (it) |
| KR (1) | KR100321080B1 (it) |
| CN (1) | CN1149237C (it) |
| DE (1) | DE19860654A1 (it) |
| FR (1) | FR2773160B1 (it) |
| GB (1) | GB2332679B (it) |
| IT (1) | IT1312366B1 (it) |
| NL (1) | NL1010914C2 (it) |
| TW (1) | TW515930B (it) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103845A (en) | 1996-10-11 | 2000-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemically amplified resist polymers |
| US6114084A (en) | 1997-02-27 | 2000-09-05 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Chemically amplified resist composition |
| KR100321080B1 (ko) | 1997-12-29 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
| KR100520148B1 (ko) | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
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| DE59908549D1 (de) * | 1998-04-24 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch und dessen Verwendung |
| KR100403325B1 (ko) | 1998-07-27 | 2004-03-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물 |
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| KR100376984B1 (ko) | 1998-04-30 | 2003-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법 |
| KR100376983B1 (ko) | 1998-04-30 | 2003-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법 |
-
1997
- 1997-12-29 KR KR1019970077412A patent/KR100321080B1/ko active IP Right Grant
-
1998
- 1998-12-08 TW TW087120308A patent/TW515930B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-09 GB GB9827043A patent/GB2332679B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-22 JP JP36522798A patent/JP3847991B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-23 IT IT1998TO001083A patent/IT1312366B1/it active
- 1998-12-28 FR FR9816498A patent/FR2773160B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-29 NL NL1010914A patent/NL1010914C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1998-12-29 CN CNB98126607XA patent/CN1149237C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-29 DE DE19860654A patent/DE19860654A1/de not_active Withdrawn
- 1998-12-29 US US09/222,053 patent/US6369181B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-22 US US10/055,674 patent/US6608158B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3847991B2 (ja) | 2006-11-22 |
| KR100321080B1 (ko) | 2002-11-22 |
| JPH11255840A (ja) | 1999-09-21 |
| US6369181B1 (en) | 2002-04-09 |
| US6608158B2 (en) | 2003-08-19 |
| IT1312366B1 (it) | 2002-04-15 |
| FR2773160A1 (fr) | 1999-07-02 |
| ITTO981083A0 (it) | 1998-12-23 |
| US20020068803A1 (en) | 2002-06-06 |
| TW515930B (en) | 2003-01-01 |
| CN1226565A (zh) | 1999-08-25 |
| GB2332679B (en) | 2002-07-24 |
| KR19990057361A (ko) | 1999-07-15 |
| GB9827043D0 (en) | 1999-02-03 |
| GB2332679A (en) | 1999-06-30 |
| NL1010914A1 (nl) | 1999-06-30 |
| CN1149237C (zh) | 2004-05-12 |
| NL1010914C2 (nl) | 1999-08-26 |
| FR2773160B1 (fr) | 2001-01-12 |
| DE19860654A1 (de) | 1999-07-08 |
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