KR19990065461A - 포토레지스트용 공중합체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 나타내어지는 초고집적 반도체의 ArF 엑사이머 레이저 미세가공에 사용되는 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체 및 그 제조방법에 관한 것이다:
상기 화학식 1에서 R1은 O, NH 또는 NCH2CH3이고 R2는 H 또는 CH3이고 R3는 H, CH3, CH2CH3, CH2CH2OH, CH2CH2CH2CH3또는 C(CH3)3이고, X는 COOC(CH3)3와 같은 산소수 1∼4인 화합물이고 m과 n은 각각의 단량체가 25∼50 몰% 및 10∼33 몰%가 되는 값이다.

Description

포토레지스트용 공중합체 및 그 제조방법
본 발명은 원자외선(DUV) 플루오르화 아르곤(ArF) 엑사이머(excimer) 레이저 미세가공 공정에 사용되기에 적당한 포토레지스트용 매트릭스 수지에 관한 것이다. 보다 구체적으로 ArF 엑사이머 레이저 영역(193 nm)에서 투명성, 해상도, 감도 및 건식 에칭 내성(dry etching resistance)이 향상되고 기판에 대한 접착력이 개선된 포토레지스트의 매트릭스 수지로 사용되는 디놀보넨 함유 공중합체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 미세가공기술(lithography)은 메모리 반도체인 DRAM의 고직접도를 이루는 핵심기술이 되고 있다. 특히 초고집적 반도체(VLSI) 제조에서는 보다 미세한 초미세가공 기술이 필요하므로 이에 관련한 고성능의 레지스트 재료가 절실히 요구된다. 원자외선(DUV), 전자선(EB) 및 X-선 등을 이용한 회로 선폭(line and space)의 초미세가공기술(microlithography)이 활발히 연구되고 있다. 현재 1기가 비트(Gb) DRAM 이상의 고집적 반도체를 만들기 위해서는 ArF 엑사이머 레이저를 이용한 0.18 ㎛ 이하 0.10 ㎛ 까지의 초미세선폭 가공 기술이 요구된다.
기존의 i-선(365 nm)과 KrF 엑사이머 레이저(248 nm) 미세가공 기술에서 포토레지스트용 매트릭스 수지로 사용되고 있는 노볼락(novolak) 수지와 폴리히드록시스티렌과 같은 페놀류의 수지는 193 nm에서 흡광도가 높아서 불투명하기 때문에 엑사이머 레이저를 이용한 단층 포토레지스트 공정에서는 사용할 수가 없다. 이에 비하여 아크릴 및 메타크릴계 고분자는 193 nm에서 흡광도가 낮아서 ArF 포토레지스트용 매트릭스 수지로 주목받았으나 이들은 건식 에칭에 대한 내성이 취약한 단점이 있다.
최근 들어 이러한 아크릴 고분자의 건식 에칭에 대한 내성을 증가시키기 위하여 탄소수가 많은 지환족 치환기(alicyclic pendant groups)를 주사슬이나 곁사슬에 도입하고 있다. 주사슬에 도입되는 지환족 단량체로는 놀보넨(norbornene) (Proc. SPIE. vol. 3049, 84, 1997), 놀보넨 유도체 (Proc. SPIE, vol 3049, 92104430, 1997), 시클로디엔(J. Photopolym. Sci. Technol, vol. 10, 535, 1997) 및 노르트리시클렌(Proc. SPIE, vol. 3049, 113, 1997) 등이 있다. 또한 곁사슬에 사용되고 있는 지환족 치환기로는 아다만틸(adamantyl) 기 (USP 5399647, 1995), 이소보닐(isobornyl) 기 (Proc. SPIE, vol. 2724, 334, 1996), 멘틸(mentyl) 기 (J. Photopolym. Sci. Technol, vol. 9, 457, 1996), 트리시클로데카닐(tricyclodecanyl) 기 (Proc. SPIE, vol. 3049, 126, 1997), 노르보닐(norbornyl) 기 (Proc. SPIE, vol. 3049, 485, 1997) 및 테트라시클로도데실(tetracyclododecyl) 기 (Proc. SPIE, vol. 3049, 55, 1997) 등이 있다.
그러나 주쇄가 지환족 구조로 이루어진 매트릭스 수지는 제조하기가 용이하지 않을 뿐 아니라, 이러한 지환기를 함유한 고분자는 각기 다른 기본 특성을 갖는 단량체로 되어 있어서 상대적으로 건식 에칭에 대한 내성을 나타내는 지환족의 함량이 전체의 50%가 되지 않기 때문에 건식 에칭에 대한 내성이 떨어진다. 또한 곁사슬에 지환기를 함유한 고분자는 메타크릴 고분자가 주사슬로 되어 있어서 지환족의 함량이 전체의 50% 이상이 되지 않기 때문에 알칼리 수용액에서 낮은 용해도를 나타내고 감도와 기판에 대한 접착력이 떨어지는 단점이 있다.
본 발명자들은 상기의 문제점을 해결하고자 초고집적 반도체의 ArF 엑사이머 레이저 미세가공 공정에 사용되는 투명성, 고감도 및 고해상도, 건식 에칭 내성을 가지고 회로 기판에 대한 접착력을 향상시키는 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체 및 그 제조방법을 개발하기에 이르렀다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 ArF 엑사이머 레이저 미세가공에 사용되는 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자하는 다른 기술적 과제는 ArF 엑사이머 레이저 영역(193 nm)에서 투명성, 고감도 및 고해상도를 나타내는 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자하는 또 다른 기술적 과제는 건식 에칭 내성을 향상시키는 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자하는 또 다른 기술적 과제는 아크릴레이트계 단량체를 도입시킴으로써 감도와 기판에 대한 접착력을 개선시키고 알칼리 현상액을 사용할 수 있는 포토레지스트용 매트릭스 수지를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자하는 또 다른 기술적 과제는 ArF 엑사이머 레이저 미세가공용 포토레지스트 공중합체의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 초고집적 반도체의 ArF 엑사이머 레이저 미세가공에 사용되는 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체 또는 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 디놀보넨을 함유하는 공중합체는 하기 화학식 1로 나타내어지며 메타크릴 고분자와는 달리 디놀보넨 또는 그 유도체가 주사슬에 존재한다:
화학식 1
상기 화학식 1에서 R1은 O, NH 또는 NCH2CH3이고 R2는 H 또는 CH3이고 R3는 H, CH3, CH2CH3, CH2CH2OH, CH2CH2CH2CH3또는 C(CH3)3이고, X는 COOC(CH3)3와 같은 산소수 1∼4인 화합물이고 m과 n은 각각의 단량체가 25∼50 몰% 및 10∼33 몰%가 되는 값이다.
본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체는 적어도 2∼4개의 다른 단량체로 구성되어 있으며, 세 개의 단량체로부터 제조되는 삼원공중합체(terpolymer)와 네 개의 단량체로부터 제조되는 사원공중합체(quadpolymer)를 모두 포함한다.
본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체의 제조에 사용되는 디놀보넨 유도체로는 t-부틸옥시카르보닐(t-Boc) 기를 함유하는 디놀보넨(tBDN), 즉 카르복시-테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10] 도데센의 t-부틸에스테르가 바람직하며 하기 화학식 2로 나타내어진다:
상기 유도체는 하나의 놀보넨과 달리 탄소수가 더 많은 두 개의 놀보넨 구조로 되어 있어서 건식 에칭에 대한 내성이 우수하고 특히 디놀보넨이 주사슬에 있어서 ArF 엑사이머 레이저(193 nm) 영역에서 투명 할 뿐만 아니라 tBOC기를 함유하고 있기 때문에 노광시 산발생의 기능을 갖는 화학증폭성(chemical-amplification) 단량체로도 역할을 할 수 있다. 또한 tBOC기가 탈리되면 카르복시가 생성되어 용해도 차이에 의해서 기존의 알칼리 현상액을 사용하여 용해시킬 수 있다. 특히 노볼락 수지와 동등한 건식 에칭 내성을 나타내기 위해서 디놀보넨 유도체가 전체 공중합체에 대해서 그 함량이 최소한 25 몰% 이상이어야 하며 50 몰% 이하인 것이 바람직하다.
상기 디놀보넨 유도체 tBDN(카르복시-테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10] 도데센의 t-부틸 에스테르)는 딜스-알더(Diels-Alder) 반응에 의하여 합성되며 그 반응식은 하기와 같다:
상기 반응식 1에서 아크릴산 t-부틸(t-BA)와 디시클로펜타디엔(DCP)을 고온에서 비교적 장시간 반응시킨 다음 진공하에서 증류한 후 실리카 겔 칼럼을 이용하여 정제된 무색 고점도를 가진 tBOC을 함유한 디놀보넨 유도체(tBDN)를 함성한다. tBDN은 상기 반응에서 100∼250℃로 6∼24시간 동안 반응시켜 1 : 1의 합체가 30 %의 수율로 얻어진다.
디놀보넨 유도체 tBDN은 전자 풍부성 단량체로 라디칼 중합시 단독으로 중합이 잘 되지 않기 때문에 전자 결핍성의 단량체인 무수 말레산(maleic anhydrade, MA)이나 말레이미드(maleimide, MI), 에틸 말레이미드(ethylmaleimide, EMI) 등의 말레이미드류를 사용하여 1 : 1 교대 구조(alternating structure)의 공중합을 유도할 수 있다. 일반적으로 말레이미드류가 무수 말레산보다 중합도 잘 될 뿐만 아니라 말레이미드의 N-위치에 기능성 관능기(functional group)를 용이하게 도입할 수 있다. 그러므로 N-치환 말레이미드 단량체를 사용하여 여러 가지 기능성 말레이미드 고분자를 용이하게 합성할 수 있다. 사용한 전자 결핍성 단량체의 함량은 디놀보넨 유도체의 함량과 같은 비율로 공중합체에 존재하는 것이 바람직하다.
고분자의 필름 코팅을 쉽게 하고 투명성을 더욱 부여할 뿐만 아니라 tBOC 함유 디놀보넨이 tBDN으로 인한 유리전이온도(TG)를 낮춰서 기판에 대한 접착성을 개선하기 위하여 메타크릴산 메틸(MMA), 아크릴산 에틸(EA), 아크릴산 n-부틸(nBA) 및 아크릴산 t-부틸(tBA) 등의 아크릴산 에스테르 단량체를 사용하여 공중합한다. 아크릴산 에스테르의 함량은 전체 공중합체에 대해서 10∼33 몰% 정도이면 충분하다.
본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체의 알칼리 용해성을 증가시키고 기판에 대한 접착성을 개선하기 위해서 아크릴산(AA), 히드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA) 등의 아크릴계 단량체가 사용될 수 있다. 그 함량은 전체 공중합체에 대하여 0∼20 몰%가 바람직하고 0∼10 몰%가 더욱 바람직하다.
본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체는 라디칼 중합개시제를 사용하여 통상의 라디칼 중합방법에 따라 공중합하여 제조한다. 사용한 개시제로는 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 벤조일 퍼옥사이드(BPO), 디 t-부틸 퍼옥사이드(DTBP) 등의 열중합 개시제와 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(DMPA)등의 광중합 개시제가 있다. 사용한 용매로는 디옥산, 테트라히드로퓨란(THF), 프로필렌 글리콜 모노에틸에테르 아세테이트(PGMEA) 및 아세톤 등이 있다.
상기 중합반응은 50∼150 ℃의 온도 범위에서 3∼24시간 동안 질소 분위기하에서 수행되었으며 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography (GPC))에 의한 공중합체의 분자량은 3,000∼20,000 정도로 개시제 또는 용매의 양에 의해 조절이 가능하다. 일반적으로 본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체의 수율이 60 % 이상으로 높으며, 디놀보넨계 단량체와 무수 말레산 또는 말레이미드계 단량체를 1 : 1 몰비로 중합시켜 생성된 공중합체는 원소분석 결과 상기 두 종류의 단량체의 몰비가 1 : 1인 교대 공중합체 구조로 확인된다.
본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체는 모두 양호한 필름 성형성을 나타내며, 자외선 분광기로 측정한 193 nm에서 1 ㎛ 두께당 0.35∼0.5 이하의 낮은 광흡수율을 나타내어 ArF 엑사이머 레이저의 노광원을 사용하는 레지스트 응용에 매우 적절한 고분자이다. 본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체는 탈보호하기 전에는 트리메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 수용액 (2.38 중량%)과 같은 알칼리 현상액에는 녹지 않으나 시클로헥사논 또는 아니솔과 같은 유기용매에는 잘 용해되고, 반면에 탈보호된 중합체는 알칼리 수용액에 잘 녹게 되어 산반응성 보호기의 탈보호에 따른 극성변화가 고분자의 용해도를 크게 변화시킨다.
본 발명의 디놀보넨 함유 공중합체는 열중량 분석(TGA)에서 220∼250℃까지 안정한 내열성을 나타내며 이 온도 이상에서는 tBOC기의 탈보호가 일어나 카르복실산이 생성된다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며 하기의 실시예는 본 발명의 예시목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1
디놀보넨 유도체 tBDN의 제조
고압 반응기에 아크릴산 t-부틸(tBA) 60 g(0.45 mol)와 디시클로펜타디엔(DCP) 64 g(0.45 mol)과 에틸에테르 120 ml를 넣고 소량의 중합금지제 히드로퀴논 0.05 g(0.45 mmol)을 첨가한 다음 180 ℃에서 18시간 교반하면서 반응시켰다. 얻어진 생성물을 진공하에서(bp 96-98 ℃/10torr) 분별 증류하여 무색 점성액 tBOC-놀보넨(tBN) 38 g을 얻고, 계속해서 n-헥산:에틸 아세테이트가 2 : 1인 전개 용매를 사용하여 실리카 겔 칼럼을 통과시켜 정제된 무색 고점성의 tBOC-디놀보넨(tBDN) 40 g을 얻었고 수율은 33 %이었다.
합성된 tBDN의 적외선(IR) 분석결과, 1727 cm-1에서의 tBOC의 에스테르 흡수띠, 1150 cm-1에서의 tBOC의 C-O 흡수띠, 1366 cm-1에서의 tBOC의 메틸 흡수띠, 1450 cm-1에서의 디놀보넨의 메틸렌 흡수띠 및 3050 cm-1에서의 디놀보넨의 이중결합 흡수띠가 각각 나타났다. 또한 양성자 핵자기공명(1H-NMR) 분광기의 분석 결과, 이중결합의 2개 프로톤의 5.85 ppm에서 단일선, 메틸기가 2.77 ppm에서 단일선, 메틸렌기가 1.80-2.55 ppm에서 다중선 및 메틸, 메틸렌과 메틸기의 혼합 피크가 0.58-1.80 ppm에서 다중선으로 나타났다. IR 및 NMR 결과로부터 디놀보넨 유도체인 tBDN이 합성되었음을 확인할 수 있었다.
디놀보넨 함유 삼원공중합체 P(tBDN/MA-MMA)의 제조
중합용기에 상기에서 제조된 tBDN 단량체 1g (3.85 mmol), 무수 말레산(MA) 0.38g (3.85 mmol), 메타크릴산 메틸(MMA) 0.38g (3.85 mmol) 및 개시제 BPO 27.9mg (0.12 mmol)을 넣고 디옥산 4 ml로 용해시킨 다음 아르곤 기체하에서 3번의 동결-해동(freeze-thaw) 과정을 거쳐 진공하에 봉합하였다. 밀봉된 중합 용기를 80 ℃의 항온조에서 18시간 동안 반응하였다. 이렇게 중합한 반응액을 메탄올에 침전시킨 다음 여과하고 건조하여 디놀보넨 함유 삼원공중합체인 P(tBDN/MA-MMA)를 합성하였다.
얻어진 P(tBDN/MA-MMA)의 수율은 70 % 이었으며 IR 분석 결과, tBDN에 비해서 3050 cm-1에서의 디놀보넨의 이중결합 흡수띠가 사라지고 대신 1780 및 1860 cm-1에서의 MA의 C=O 흡수띠와 1730 cm-1에서의 MMA의 에스테르 흡수띠가 더 나타난 것으로써 삼원공중합체의 합성이 확인되었다. P(tBDN/MA-MMA)의 GPC 측정에 의한 분자량은 5,000으로 필름 성형이 잘 되었으며, UV 분광기에 의한 193 nm에서의 흡광도는 1 ㎛ 두께당 0.35로 매우 높은 투명성을 나타내었다.
실시예 2
디놀보넨 함유 삼원공중합체 P(tBDN/MI-tBA)의 제조
중합용기에 실시예 1에서 제조된 tBDN 단량체 1g (3.85 mmol), 말레이미드(MI) 0.37g (3.85 mmol), 메타크릴산 t-부틸 (tBA) 0.5g (3.85 mol) 및 개시제 AIBN 18.9mg (0.115 mmol)을 넣고 THF 4 ml로 용해시킨 다음 아르곤 기체하에서 3번의 동결-해동과정을 거쳐 진공하에 봉합하였다. 밀봉된 중합 용기를 60℃의 항온조에서 24시간 동안 반응하였다. 이렇게 중합한 반응액을 메탄올에 침전시킨 다음 여과하고 건조하여 디놀보넨 삼원공중합체인 P(tBDN/MI-tBA)를 합성하였다.
얻어진 P(tBDN/MI-tBA)의 수율은 88% 이었으며 IR 분석 결과, tBDN에 비해서 3050 cm-1에서의 디놀보넨의 이중결합 흡수띠가 사라지고 그 대신 1760 및 1840 cm-1에서의 MI의 C=O 흡수띠와 1730 cm-1에서의 tBA의 에스테르 흡수띠가 더 나타난 것으로써 삼원공중합체의 합성이 확인되었다. P(tBDN/MI-tBA)의 GPC 측정에 의한 분자량은 15,000으로 필름 성형이 잘 되었으며, UV 분광기에 의한 193 nm에서의 흡광도는 1 ㎛ 두께당 0.5로 비교적 높은 투명성을 나타내었다.
실시예 3
디놀보넨 함유 사원공중합체 P(tBDN/MA-EA-AA)의 제조
중합 용기에 실시예 1에서 제조된 tBDN 단량체 1g(3.85 mmol), 무수 말레산(MA) 0.38 g(3.85 mmol), 아크릴산 에틸(EA) 0.19g (1.93 mmol), 아크릴산(AA) 0.139g (1.93 mmol) 및 개시제 DTBP 8.9mg (0.035 mmol)을 넣고 PGMEA 5 ml로 용해시킨 다음 아르곤 기체하에서 3번의 동결-해동 과정을 거쳐 진공하에 봉합하였다. 밀봉된 중합 용기를 130 ℃의 항온조에서 12시간 동안 반응하였다. 이렇게 중합한 반응액을 메탄올에 침전시킨 다음 여과하고 건조하여 디놀보넨 함유 사원공중합체인 P(tBDN/MA-EA-AA)를 합성하였다.
얻어진 P(tBDN/MA-EA-AA)의 수율은 60%이었으며 IR 분석 결과, tBDN에 비해서 3050 cm-1에서의 디놀보넨의 이중결합 흡수띠가 사라지고 대신 1780 및 1860 cm-1에서의 MA의 C=O 흡수띠, 1730 cm-1에서의 EA의 에스테르 흡수띠 및 3000-3600 cm-1에서의 AA의 -OH 흡수띠가 더 나타난 것으로 보아 사원공중합체의 합성이 확인되었다. P(tBDN/MA-EA-AA)의 GPC 측정에 의한 분자량은 8,000으로 필름 성형이 잘 되었으며, UV 분광기에 의한 193 nm에서의 흡광도는 1 ㎛ 두께당 0.4로 높은 투명성을 나타내었다.
실시예 4
디놀보넨 함유 사원공중합체 P(tBDN/EMI-nBA-HEMA)의 제조
중합용기에 실시예 1에서 제조된 tBDN 단량체 1g (3.85 mmol), 에틸 말레이미드(EMI) 0.48g (3.85 mmol), 아크릴산 n-부틸(nBA) 0.25g (1.93 mmol), 히드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA) 0.22g (1.93 mmol) 및 개시제 DMPA 8.9mg (0.035 mmol)을 넣고 아세톤 4 ml로 용해시킨 다음 아르곤 기체하에서 3번의 동결-해동 과정을 거쳐 진공하에 봉합하였다. 밀봉된 중합용기를 UV로 6시간 동안 조사하였다. 이렇게 중합한 반응액을 메탄올에 침전시킨 다음 여과하고 건조하여 디놀보넨 함유 사원공중합체인 P(tBDN/EMI-nBA-HEMA)를 합성하였다.
얻어진 P(tBDN/EMI-nBA-HEMA)의 수율은 75%이었으며 IR 분석 결과, tBDN에 비해서 3050 cm-1에서의 디놀보넨의 이중결합 흡수띠가 사라지고 대신 1760 및 1840 cm-1에서의 EMI의 C=O 흡수띠, 1730 cm-1에서의 nBA의 에스테르 흡수띠 및 3400 cm-1에서의 HEMA의 -OH 흡수띠가 더 나타난 것으로 보아 사원공중합체의 합성을 확인하였다. P(tBDN/EMI-nBA -HEMA)의 GPC 측정에 의한 분자량은 10,000으로 필름 성형이 잘 되었으며, UV 분광기에 의한 193 nm에서의 흡광도는 1 ㎛ 두께당 0.4로 높은 투명성을 나타내었다.
미세화상 형성방법
본 발명에서 합성된 디놀보넨 함유 공중합체의 포토레지스트로서의 응용 가능성을 조사하기 위하여 통상의 화학증폭성 레지스트와 같은 미세형성실험을 실시하였다. 시클로헥사논에 실시예1의 디놀보넨 함유 공중합체인 P(tBDN/MA-MMA)를 5 내지 20 중량%로 녹이고 알려진 광산 발생제인 트리페닐술포늄 트리플레이트를 공중합체에 대하여 1∼10 중량%로 녹여서 0.45 ㎛ 필터로 여과하여 화학증폭성 레지스트 용액을 만들었다. 레지스트 용액을 실리콘 기판에 회전 도포하여 두께 0.5 내지 1 ㎛의 박막을 제조하였다. 이 시료 기판을 100℃의 핫플레이트(hot plate) 위에서 1-3분간 전열처리(prebaking) 하고 엑사이머 레이저 장치를 이용하여 노광하고 80∼120 ℃ 범위의 어느 일정온도에서 30초∼2분간 후열처리(post-exposure baking)하여 TMAH 알칼리 수용액(2.38 중량%)에 10∼60초간 침지현상한 결과 노광부분이 용해되어 서브미크론의 포지티브형의 미세화상이 형성되었다.
본 발명의 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체는 ArF 엑사이머 레이저 미세가공에 사용되고, ArF 엑사이머 레이저 영역(193 nm)에서 투명성, 고감도 및 고해상도를 나타내고, 건식 에칭 내성을 향상시키는 발명의 효과를 가지며 아크릴레이트계 단량체를 도입시킴으로써 감도와 기판에 대한 접착력을 개선시키고 알칼리 현상액을 사용할 수 있는 발명의 효과를 갖는다. 본 발명의 포토레지스트용 디놀보넨 함유 공중합체는 ArF 엑사이머 레이저 미세가공에 사용된다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (6)

  1. 하기의 화학식 1에 의하여 나타내어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체:
    화학식 1
    상기 화학식 1에서 R1은 O, NH 또는 NCH2CH3이고 R2는 H 또는 CH3이고 R3는 H, CH3, CH2CH3, CH2CH2OH, CH2CH2CH2CH3, 또는 C(CH3)3이고 X는 산소수 1∼4인 화합물이고 m과 n은 각각의 단량체가 25∼50 몰% 및 10∼33 몰%가 되는 값임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공중합체가 하기 화학식 2의 카르복시-테트라시클로 [4.4.0.12,5.1.7,10] 도데센의 t-부틸에스테르(tBDN) 단량체 25∼50 몰%, 무수 말레산 또는 말레이미드계 단량체 25∼50 몰%, 및 아크릴산에스테르 단량체 10∼33 몰% 및/또는 아크릴계 단량체 0∼20 몰%로 중합되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체:
    화학식 2
  3. 제2항에 있어서, 상기 아크릴산 에스테르 단량체가 메타크릴산 메틸 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸 및 아크릴산 t-부틸로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 아크릴계 단량체가 아크릴산 또는 히드록시 에틸인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.
  5. 제2항에 있어서, 상기 아크릴계 단량체가 전체 공중합체에 대하여 0∼10 몰%로 중합되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 공중합체의 분자량이 3,000∼20,000인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 공중합체.
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