KR980011808A - 플라스마 처리장치 - Google Patents

플라스마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR980011808A
KR980011808A KR1019970032729A KR19970032729A KR980011808A KR 980011808 A KR980011808 A KR 980011808A KR 1019970032729 A KR1019970032729 A KR 1019970032729A KR 19970032729 A KR19970032729 A KR 19970032729A KR 980011808 A KR980011808 A KR 980011808A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
electrode
lattice
gas ejection
ejection plate
Prior art date
Application number
KR1019970032729A
Other languages
English (en)
Inventor
도시미치. 이시다
유이치로 야마다
다카히로 다키사와
히로시 다나베
Original Assignee
모리시타 요이치
마츠시다 덴키 산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시타 요이치, 마츠시다 덴키 산교 가부시키가이샤 filed Critical 모리시타 요이치
Publication of KR980011808A publication Critical patent/KR980011808A/ko

Links

Classifications

    • H01L21/205—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(과제) 열에 의한 상부전극겸용 가스분출 플레이트의 변형이 없고, 대형의 기판의 플라스마 처리가 가능한 플라스마 처리장치의 제공. (해결수단)감암챔버(1)와, 처리가스를 플라스마화하는 한쌍의 대향전극(4,105)과, 처리가스 공급수단(106) 및 고주파전원(8)과, 전극(4)에 설치된 피처리물(2)을 가열하는 가열수단(3)과를 갖는 플라스마 처리장치에 있어서, 전극(105)측을 온도조절부재(106a)와, 다수의 가스분출구멍(105a)을 등간격으로 갖는 전극겸용 가스분출 플레이트(105)와, 상기 양자간에 협지되어 처리가스 및 공급수단(106)의 처리가스를 균일화하여 가스분출구멍(105a)에서 분출시키는 복수의 가스균압화공간(109a)을 형성하고 동시에 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 열을 온도조절부재(106a)에 전달하는 격자형상의 열전달부재(109)로 구성한다.

Description

플라스마 처리장치
본 발명은 플라스마 CVD 법에 의하여 기판에 박막형성을 행하는 플라스마 처리장치에 관하고, 특히 액정용 글라스기판등의 대형 기판에 플라스마 CVD 법에 의하여 박막형성을 행하는 플라스마 처리장치에 관한 것이다.
플라스마 CVD 법에 의하여 기판에 박막형성을 행하는 플라스마 처리장치의 종래예의 구성을 도시하는 제6도에 있어서, 진공배기구(12)로부터 진공배기되는 챔버(1)의 내부에는 그 하부에 접지된 하부전극(4)이 있고, 그 하부전극(4)은 히터(3)을 내장하여 예를들면 약 400℃로 가열되고 있고, 글라스 등으로 이루어지는 기판(2)이, 상기 하부전극(4)에 재치되어 소정온도로 가열되어 있다.
챔버(1)의 상부에는 덮개(11)가 있고 이 위 덮개(1)는 장치된 절연체(10)을 통하여 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)를 상기 하부전극(4)의 상방에 상기 하부 전극(4)과 평행으로 계속 유지하고 있다. 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)는 알루미늄합금등으로 이루어지고 균일하게 분포한 가스분출구멍(5a)을 갖는다.
상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)의 상방에는 상기 위덮개(11)에 장치된 상기 절연체(10)에 계속 유지된 처리가스를 도입하는 가스도입파이프(6)가 설치되고, 상기 가스도입파이프(6)와 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)와의 사이에는 다수의 가스분출구멍(9a)을 갖는 가스분산판(9)이 설치되어, 상기 가스분산판(9)과 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)와의 사이에 가스균일화공간(9b)이 형성되고, 형성된 가스균압화공간(9b)이, 처리가스의 압력을 균등화하여 처리가스가 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)의 다수의 가스분출구멍(5a)에서 균등하게 분출하도록 하고 있다.
상기 가스도입파이프(6)와 상기 가스분산판(9)과 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)에는 임피던스를 정합하는 정합기(7)를 통하여 고주파전원(8)이 접속되어 있다.
플라스마 처리를 행하는 경우에는 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)로부터 SiH4, NH3, N2, H2등의 처리가스를 분출하면서 고주파전원(8)에 의하여 고주파전력을 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)에 인가하면, 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)와 접지된 하부전극(4)과의 사이에서 플라스마가 발생하고, 기판(2)의 표면에 예를들면 질화막등의 박막이 형성된다.
상기의 종래예의 구성에서는 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)의 하면의 플라스마 발명면에는 플라스마 발생시에 이상 방전하는 것을 방지하기 위하여 장치 볼트를 설치할 수가 없고, 또 처리가스를 균등하게 분출시키기 위한 상기 가스균압화공간(9b)이 필요하므로, 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)의 중앙부근은 기계적으로 계속유지할 수 없는 구조로 되어 있다.
이 구조라도 비교적 소형의 기판의 박막형성에는 문제가 없지만 최근에와서 박막을 형성하는 기판의 사이즈를 크게하는 것이 요구되어 큰 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리장치가 필요하게 된다.
그러나, 상기의 종래예의 구성에서는 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)가 받는 약 400℃의 하부전극(4)으로부터 복사열과, 처리중의 플라스마로부터 받는열이 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)의 둘레가장자리로부터 밖에는 달아날 수 없으므로 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)가 어느정도 이상으로 크게되면, 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)의 중앙부근에 열이 모여서 200∼300℃까지 온도가 상승하고, 중앙부근과 둘레가장자리부와의 온도차가 크게되고, 열팽창량이 틀리게되어, 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)가 변형하여 팽창한다는 문제점이 있다. 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)가 변형하여 팽창하면 하부전극(4)과 상부전극겸용 가스분출 플레이트(5)와의 사이의 전극간거리가 변화하고, 기판(1)에 퇴적하는 박막의 두께나 막특성의 균일성이 저하한다라는 문제점에 연계된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고, 열에 의한 상부전극겸용 가스분출 플레이트의 변형이 없고, 대형기판의 플라스마 처리장치의 제공을 과제로 한다.
제1도는 플라스마 처리장치의 일실시형태의 구성을 도시하는 측단면도.
제2도는 본발명의 플라스마 처리장치의 일실시형태의 요부를 도시하는 분해사시도.
제3도는 본발명의 플라스마 처리장치의 일실시형태의 요부를 도시하는 단면도.
제4도는 본발명의 플라스마 처리장치의 일실시형태의 요부를 도시하는 단면도.
제5도는 본발명의 플라스마 처리장치의 일실시형태의 요부를 도시하는 단면도.
제6도는 본발명의 플라스마 처리장치의 종래예의 구성을 도시하는 측단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 챔버 2 : 기판
3 : 히터 4 : 하부전극
7 : 정합기 8 : 고주파전원
10a, 10b, 10c : 절연체 11 : 덮개
12 : 진공배기구 30a : 제1볼트
30b : 제2볼트 30c : 제3볼트
30d : 제4볼트 31a : 제1 O링
31b : 제1 O링 32a : 관통구멍
32b : 관통구멍 33a : 나사구멍
33b : 나사구멍 105 : 상부전극겸용 가스분출 플레이트
105a : 가스분출구멍 106 : 가스도입파이프
106a : 온도조절플레이트 106b : 냉각수로
106c : 항온순환조 106d : 가스수입(受入)구멍
109 : 열전달부재 109a : 가스균압화 공간
109b : 프레임부 109c : 격자형상부
109d : 가스통과홈
본 발명의 플라스마 처리장치는 상기의 과제를 해결하기 위하여, 플라스마 처리하여야할 피처리물을 수용하여 감압하는 챔버와, 상기 챔버내에 있고 공급되는 처리가스를 플라스마화하는 한쌍의 대향전극과, 상기 한쌍의 대향전극의 한쪽에 접속된 처리가스 공급수단 및 고주파전원과, 다른편의 전극에 설치된 상기 피처리물을 가열하는 가열수단과를 갖는 플라스마 처리장치에 있어서, 상기의 처리가스공급수단 및 고주파전원을 갖는 전극측을 온도조절수단을 갖는 온도조절부재와, 다수의 가스분출구멍을 등간격으로 갖는 전극겸용 가스분출 플레이트와, 상기 양자간에 협지되어 상기 처리가스 공급수단에서 공급되는 처리가스를 균압화하여 상기 전극겸용 가스분출 플레이트로부터 분출되는 복수의 가스균압화공간을 격자형상공간으로서 형성함과 동시에 상기 전극겸용 가스분출 플레이트의 열을 상기 온도조절부재에 전달하는 격자형상의 열전달부재로 구성하는 것을 특징으로 한다.
상기에 의하여, 본 발명의 플라스마 처리장치는 전극겸용 가스분출 플레이트를 대형화하여 큰 기판의 플라스마 처리를 행하는 경우에 상기 전극겸용 가스분출 플레이트로부터 처리가스가 균등하게 분출하고 동시에 상기 전극겸용 가스분출 플레이트의 열이 격자형상의 열전달부재를 통하여 온도조절부재에 전달하고 상기 전극겸용 가스분출 플레이트의 온도상승이 작아지고, 상기 전극겸용 가스분출 플레이트가 열팽창으로 팽창하고 대향 전극간 거리가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있으므로 큰 기판에 두께와 특성이 균일한 박막을 형성할 수 있다.
또, 본 발명의 플라스마 처리장치는 격자형상의 열전달부재가, 격자형상 전체의 중심부에 처리가스를 받아들이는 가스수입구를 갖도록하거나, 격자형상의 열전달부재가 형성하는 복수의 가스균압화 공간이 격자형상 전체의 중심부를 대칭의 중심으로하고, 같은 형상의 공간을 갖도록하면, 전극겸용 가스분출 플레이트의 온도상승이 작아지고, 전극겸용 가스분출 플레이트가 열팽창하고 대향 전극간 거리가 불균일하게 되는 것을 보다 한층 억제할 수가 있고, 큰 기판에 두께와 특성이 균일한 박막을 형성할 수 있다라는 효과가 더욱 향상한다.
[발명실시의 형태]
본 발명의 플라스마 처리장치의 일실시형태를 제1도∼제5도에 의거하여 설명한다.
제1도에 있어서, 진공배기구(12)로부터 진공배기되어 있는 챔버(1)의 하부에 히터(3)를 내장하여 구조된 알루미늄합금제의 하부 전극(4)이 전기적으로 접지되어 배치되고, 이 하부전극(4)위에 글라스 등으로 이루어지는 기판(2)이 재치된다. 이 하부 전극(4)은 실린더(도시하지않음)등의 구동수단에 의한 승강 기능을 구비하고 있다. 하부전극(4)은 내장히터(3)에 의하여 예를들면 약 400℃ 로 가열되어, 재치되어 있는 기판(2)을 소정 온도로 가열한다.
챔버(1)의 상부에는 중앙부에 개구부가 있는 위덮개(11)가 있고, 위덮개(11)는 제4볼트(30d)에 의하여, 절연체(10a, 10b, 10c)를 통하여 온도조절 플레이트(106a)와, 격자형상이고 그 격자사이의 공간에 가스균압화공간(109a)을 형성하는 열전달(109)와, 다수의 가스분출구멍(105a)을 갖는 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)를 계속 유지하고 있다.
상기의 온도조절플레이트(106a)와, 열전달부재(109)와, 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)와의 상세와 장치방법과를 제1도∼제5도에 의거하여 설명한다.
상세히 도시하는 제2도∼제5도에 있어서, 알루미늄합금제의 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)에는 처리가스를 균등하게 분출하는 다수의 가스분출구멍(105a)이 등간격으로 설치되어 있다. 이들의 등간격의 다수의 가스분출구멍(105a)으로부터 처리가스가 균등하게 분출함에는 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 상측의 공간에 가스균압화공간(109a)을 형성할 필요가 있고, 또 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 중앙부와 둘레가장자리부와의 사이에 온도차가 발생하지 않도록 하려면 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 중앙부로부터 열을 도피시킬 필요가 있다. 이들의 필요성을 만족시키는 것이 다음에 나타내는 열전달부재(109)와 온도조절플레이트(106a)이다.
제2도∼제5도에 있어서, 알루미늄합금제의 열전달부재(109)는 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 둘레가장자리로부터의 열을 전달하는 프레임(109b)와, 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 중앙부로부터의 열을 전달하는 격자형상부(109c)로 이루어진다. 상기의 프레임부(109b)와 격자형상부(109c)와의 사이의 공간은 가스균압화공간(109a)을 형성한다. 그리고 열전달부재(109)의 중앙을 대칭의 중심으로하여 격자형상부(109c)을 점대칭형으로 형성하여 복수의 가스균압화공간(109a)의 공간을 동일형상으로 하고, 열전달부재(109)의 상기 중앙부의 점대칭의 중심을 가스수입구(106a)로하여 각 가스균압화공간(109a)에 처리가스를 공급하면, 처리가스의 압력이 균등하게되고, 상기의 다수의 가스분출구멍(105a)으로부터 처리가스가 균등하게 분출한다. 이 경우, 제3도∼제5도에 도시하는 바와같이 가스분출구멍(105a)과 열전달부재(109)의 격자형상부(109c)가 포개지는 부분에는 처리가스의 통로로서 가스통과홈(109d)을 설치하고, 격자형상부(109c)가 있더라도 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 전면에 등간격으로 가스분출구멍(105a)을 설치할 수 있도록 한다.
제1도∼제5도에 있어서, 알루미늄합금제의 온도조절부재(106a)는 위덮개(11)의 개구부의 하측에 제4볼트(30d)에 의하여 절연체(10a, 10b)을 통하여 장치되어 있다. 또, 온도조절 플레이트(106a)는 냉각속도(106b)를 갖고, 이 냉각수로(106b)를 히터와 냉각기구와를 갖는 항온 순환조(106c)로부터의 냉각수가 순환하므로 예를들면 약 80℃의 소정온도로 유지한다. 또 온도조절 플레이트(106a)의 중앙부에는 가스도입파이프(106)가 장치되어 있고, 이 가스도입파이프(106)로부터 처리가스가 상기의 열전달부재(109)의 중앙의 가스도입구(106d)에 공급된다.
다음에 온도조절 플레이트(106a)와 열전달부재(109)와 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)와의 장치방법을 제1도∼제5도에 의거하여 설명한다.
제1도∼제5도에 있어서, 열전달부재(109)와 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)를 제2볼트(30b)에 의하여, 열전달부재(109)에 설치된 관통구멍(32b)와 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)에 설치된 나사구멍(33b)을 이용하여 체결한다. 이 체결에 의하여 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)에 발생한 열은 둘레가장자리부에서 뿐만아니라, 대략 전면에서 열전달부재(109)에 전달하게 된다. 이 경우, 나사구멍(33b)이 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)의 하면까지 관통하지 않도록 한다.
도 1 ∼도 5에 있어서, 상술한 바와 같이 위덮개(11)의 개구부의 하측에 도 1에 도시하는 4볼트(30d)에 의하여 절연체(10a, 10b)를 통하여 온도조절 플레이트(106a)를 장치한다. 이 경우, 제1 O링 (31a)을 사용하여 챔버(1) 내부와 외계와의 기밀성을 유지한다.
도 1∼ 도 5에 있어서, 상술한 바와같이 제2볼트(30b)에 의하여 체결된 상부전극겸용 가스분출 플레이토(105)와, 열전달부재(109)와를 제1볼트(30a)에 의하여 온도조절플레이트(106a)의 중앙부 부근에 설치된 관통구명(32a)과 열전달부재(109)의 중앙부 부근에 설치된 나사구멍(33a)을 이용하여 온도조절플레이트(106a)에 고정하고, 더욱 열전달부재(109)와를 제3볼트(30c)에 의하여 열전달부재(109)의 둘레가장자리부에 설치된 관통구명(32c)와, 온도조절프레이트(106a)의 둘레가장자리부에 설치된 나서 구멍(도시하지않음)을 이용하여 온도조절 플레이트(106a)에 고정하고, 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)에 발생하는 열이 충분히 열전달부재(109)를 통하여 온도조절플레이트9106a)에 도피되도록 한다. 이 경우, 제2 O링(31b)을 사용하여 챔버(1) 내부와의 기밀성을 유지하다. 이 상태에서 가스도입파이프9106)로부터의 처리가스가 가스수입구(106d)에 공급되게 된다.
계속하여 상기의 외주를 절연체(10c)와 접지된 알루미늄합금제의 유지구(10d)로 계속 유지된다.
상기에 의하면 상부 전극겸용 가스분출 플레이트(105)는 약 400℃의 하부전극(4)으로부터의 복사열과 발생하는 플라스마로부터의 열을 받더라도 이들의 열이 열전달부재(109)를 통하여 약 80℃의 온도조절 플레이트(106a)로 달아나므로 약 100℃로 유지되고, 열에 의한 변형이 발생하지 않고 대형의 기판이라도 두께와 특성이 균일한 박막을 형성할 수 있다.
더욱이, 본 실시 형태에서는 구성재료에 알루미늄합금을 사용하였지만, 순알루미늄도 좋고, 또 스테인리스등의 다른 금속에서도 똑같은 효과가 얻어진다.
본 발명의 플라스마 처리장치에 의하면, 상부 전극겸용 가스분출 플레이트를 대형화로 하여도 처리가스가 상기 상부 전극겸용 가스분출플레이트로부터 균등히 분출하고, 동시에 열전달부재에 의하여 상기 상부전극겸용 가스분출 플레이트의 온도상승과 온도상승에 의한 변형과를 방지하고, 피처리 대형기판에 대하여 막두께와 막특성이 균일한 박막형성이 가능하게 되는 효과가 얻어진다.

Claims (4)

  1. 플라스마 처리하여야 할 피처리물을 수용하여 감압하는 챔버와, 상기 챔버내에 있고 공급되는 처리가스를 플라스마화하는 한쌍의 대향전극과, 상기 한쌍의 대향 전극의 한쪽에 접속된 처리가스 공급수단 및 고주파전원과, 다른편의 전극에 설치된 상기 피처리물을 가열하는 가열수단과를 갖는 플라스마 처리장치에 있어서, 상기의 처리가스 공급수단 및 고주파전원을 갖는 전극측을 온도조절수단을 갖는 온도조절부재와, 다수의 가스분출구멍을 등간격으로 갖는 전극겸용 가스분출 플레이트와, 상기 양자간에 협지되고, 상기 처리가스 공급수단으로부터 공급되는 처리가스를 균압화하여 상기 전극겸용 가스분출 플레이트로부터 분출시키는 복수의 가스균압화 공간을 격자형상공간으로 형성함과 동시에 상기 전극겸용 가스분출 플레이트의 열을 상기 온도조절부재에 전달하는 격자형상의 열전달부재로 구성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 격자형상의 열전달부재는 격자형상 전체의 중심부에 처리가스를 받아들이는 가스수입구를 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 격자형상의 열전달부재는 전극겸용 가스분출 플레이트의 가스분출구멍에 접하는 격자형상부분에 그의 가스분출구멍에 통하는 가스통과홈을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 격자형상의 열전달부재가 형성하는 복수의 가스균압화 공간은, 격자형상 전체의 중심부를 대칭의 중심으로하고, 같은 형상의 공간을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970032729A 1996-07-17 1997-07-15 플라스마 처리장치 KR980011808A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-187212 1996-07-17
JP18721296A JP3310171B2 (ja) 1996-07-17 1996-07-17 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980011808A true KR980011808A (ko) 1998-04-30

Family

ID=16202048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970032729A KR980011808A (ko) 1996-07-17 1997-07-15 플라스마 처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5766364A (ko)
JP (1) JP3310171B2 (ko)
KR (1) KR980011808A (ko)
CN (1) CN1088765C (ko)
MY (1) MY118240A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7661386B2 (en) 2001-02-09 2010-02-16 Tokyo Electron Limited Film forming device

Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3480271B2 (ja) * 1997-10-07 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置のシャワーヘッド構造
JP3283459B2 (ja) * 1997-12-17 2002-05-20 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理用の基板保持装置
US6892669B2 (en) * 1998-02-26 2005-05-17 Anelva Corporation CVD apparatus
US6433314B1 (en) 1998-04-08 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Direct temperature control for a component of a substrate processing chamber
US6117245A (en) * 1998-04-08 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling cooling and heating fluids for a gas distribution plate
US6309465B1 (en) * 1999-02-18 2001-10-30 Aixtron Ag. CVD reactor
JP4230596B2 (ja) * 1999-03-12 2009-02-25 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法
JP2000290777A (ja) * 1999-04-07 2000-10-17 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法
JP3668079B2 (ja) 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 プラズマプロセス装置
US6916399B1 (en) 1999-06-03 2005-07-12 Applied Materials Inc Temperature controlled window with a fluid supply system
US6123775A (en) * 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
JP4220075B2 (ja) * 1999-08-20 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP3654142B2 (ja) * 2000-01-20 2005-06-02 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ガスシャワー体
JP3851489B2 (ja) 2000-04-27 2006-11-29 日本発条株式会社 静電チャック
JP4567148B2 (ja) * 2000-06-23 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置
KR100419756B1 (ko) * 2000-06-23 2004-02-21 아넬바 가부시기가이샤 박막 형성 장치
GB0025956D0 (en) * 2000-10-24 2000-12-13 Powell David J Improved method of measuring vacuum pressure in sealed vials
JP4791637B2 (ja) 2001-01-22 2011-10-12 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置とこれを用いた処理方法
US6818096B2 (en) * 2001-04-12 2004-11-16 Michael Barnes Plasma reactor electrode
US20040144492A1 (en) * 2001-06-01 2004-07-29 Taro Ikeda Plasma processing device
KR100400044B1 (ko) * 2001-07-16 2003-09-29 삼성전자주식회사 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드
US20030106644A1 (en) * 2001-07-19 2003-06-12 Sirkis Murray D. Electrode apparatus and method for plasma processing
JP4236882B2 (ja) * 2001-08-01 2009-03-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法
US20030047282A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Yasumi Sago Surface processing apparatus
US20030124842A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-03 Applied Materials, Inc. Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes
US20040250763A1 (en) * 2002-01-11 2004-12-16 Ovshinsky Stanford R. Fountain cathode for large area plasma deposition
US20050081788A1 (en) * 2002-03-15 2005-04-21 Holger Jurgensen Device for depositing thin layers on a substrate
DE10211442A1 (de) * 2002-03-15 2003-09-25 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden von dünnen Schichten auf einem Substrat
JP4102873B2 (ja) * 2002-03-29 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
TWI294155B (en) * 2002-06-21 2008-03-01 Applied Materials Inc Transfer chamber for vacuum processing system
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US7543547B1 (en) * 2002-07-31 2009-06-09 Lam Research Corporation Electrode assembly for plasma processing apparatus
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
KR100650094B1 (ko) * 2002-08-30 2006-11-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
US20040052969A1 (en) * 2002-09-16 2004-03-18 Applied Materials, Inc. Methods for operating a chemical vapor deposition chamber using a heated gas distribution plate
US6946033B2 (en) * 2002-09-16 2005-09-20 Applied Materials Inc. Heated gas distribution plate for a processing chamber
JP3970815B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-05 シャープ株式会社 半導体素子製造装置
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
KR100490049B1 (ko) * 2003-04-14 2005-05-17 삼성전자주식회사 일체형 디퓨저 프레임을 가지는 ｃｖｄ 장치
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
JP4493932B2 (ja) * 2003-05-13 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 上部電極及びプラズマ処理装置
CN101068950A (zh) * 2003-05-30 2007-11-07 阿维扎技术公司 气体分配系统
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
JP2005072446A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Chi Mei Electronics Corp プラズマ処理装置及び基板の表面処理装置
US7422635B2 (en) 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
CN100495655C (zh) * 2003-09-03 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 气体处理装置和散热方法
US7056806B2 (en) 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US20050103267A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Hur Gwang H. Flat panel display manufacturing apparatus
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
GB0329460D0 (en) * 2003-12-19 2004-01-28 Oxford Instr Plasma Technology Apparatus and method for plasma processing
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7906393B2 (en) * 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20060054280A1 (en) * 2004-02-23 2006-03-16 Jang Geun-Ha Apparatus of manufacturing display substrate and showerhead assembly equipped therein
US7584942B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US7712434B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-11 Lam Research Corporation Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
US8317968B2 (en) 2004-04-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US8328939B2 (en) * 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
CN101866828B (zh) * 2004-06-02 2013-03-20 应用材料公司 电子装置制造室及其形成方法
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
JP5519105B2 (ja) * 2004-08-02 2014-06-11 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 化学気相成長の方法及び化学気相成長リアクタ用のガス供給システム
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20060108069A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma reaction chamber and captive silicon electrode plate for processing semiconductor wafers
US20060288934A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Tokyo Electron Limited Electrode assembly and plasma processing apparatus
US9520276B2 (en) 2005-06-22 2016-12-13 Tokyo Electron Limited Electrode assembly and plasma processing apparatus
KR20080033406A (ko) * 2005-07-29 2008-04-16 에비자 테크놀로지, 인크. 반도체 처리용 증착 장치
JP2007146252A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法、熱処理装置及び記憶媒体
JP4826483B2 (ja) * 2007-01-19 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8733279B2 (en) * 2007-02-27 2014-05-27 Applied Materials, Inc. PECVD process chamber backing plate reinforcement
US8375890B2 (en) 2007-03-19 2013-02-19 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for capacitively coupled plasma vapor processing of semiconductor wafers
US8069817B2 (en) * 2007-03-30 2011-12-06 Lam Research Corporation Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
US20090071406A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Cooled backing plate
US8187414B2 (en) * 2007-10-12 2012-05-29 Lam Research Corporation Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers
US8152954B2 (en) * 2007-10-12 2012-04-10 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
WO2009078923A2 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Lam Research Corporation Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus
JP5265700B2 (ja) * 2007-12-19 2013-08-14 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置用の複合シャワーヘッド電極組立体
KR101004927B1 (ko) * 2008-04-24 2010-12-29 삼성엘이디 주식회사 Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
US8679288B2 (en) * 2008-06-09 2014-03-25 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US8161906B2 (en) * 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8206506B2 (en) * 2008-07-07 2012-06-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8402918B2 (en) * 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
US8272346B2 (en) 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
US8894767B2 (en) * 2009-07-15 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Flow control features of CVD chambers
SG169960A1 (en) * 2009-09-18 2011-04-29 Lam Res Corp Clamped monolithic showerhead electrode
US9449859B2 (en) * 2009-10-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
KR200464037Y1 (ko) 2009-10-13 2012-12-07 램 리써치 코포레이션 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극
DE102010027168A1 (de) * 2010-07-14 2012-01-19 Leybold Optics Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung flacher Substrate
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8470127B2 (en) 2011-01-06 2013-06-25 Lam Research Corporation Cam-locked showerhead electrode and assembly
SG10201602599XA (en) 2011-03-04 2016-05-30 Novellus Systems Inc Hybrid ceramic showerhead
CN103730315B (zh) * 2012-10-11 2016-03-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种改善等离子体刻蚀工艺的方法
CN103866281B (zh) * 2012-12-12 2016-12-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体增强化学气相沉积设备
US9610591B2 (en) 2013-01-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable gas distribution plate
KR20150046966A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US10741365B2 (en) * 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
US9911579B2 (en) 2014-07-03 2018-03-06 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
SG11202009888RA (en) * 2018-04-17 2020-11-27 Applied Materials Inc Heated ceramic faceplate
WO2019235282A1 (ja) * 2018-06-07 2019-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびシャワーヘッド
JP2022507367A (ja) * 2018-11-20 2022-01-18 ラム リサーチ コーポレーション 半導体製造における二相冷却

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JPH0926395A (ja) * 1995-05-11 1997-01-28 Shinoda:Kk 石留検査方法及び石留検査装置
JP4083874B2 (ja) * 1998-06-18 2008-04-30 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータファイバプレート及び放射線イメージセンサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7661386B2 (en) 2001-02-09 2010-02-16 Tokyo Electron Limited Film forming device
US8128751B2 (en) 2001-02-09 2012-03-06 Tokyo Electron Limited Film-forming apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
MY118240A (en) 2004-09-30
CN1088765C (zh) 2002-08-07
CN1173550A (zh) 1998-02-18
US5766364A (en) 1998-06-16
JPH1030185A (ja) 1998-02-03
JP3310171B2 (ja) 2002-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980011808A (ko) 플라스마 처리장치
KR102430205B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100757545B1 (ko) 상부 전극 및 플라즈마 처리 장치
JP4441590B2 (ja) プラズマチャンバ用ｒｆ電極またはシャワーヘッドにｒｆ電力を結合するための装置および方法
US20050145170A1 (en) Substrate processing apparatus and cleaning method therefor
KR100735932B1 (ko) 성막 장치
US5639309A (en) Plasma processing apparatus adjusted for a batch-processing of a plurality of wafers with plasma gases
KR20040100196A (ko) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
KR20100005683A (ko) 플라즈마 처리 장치의 챔버내 부재의 온도 제어 방법, 챔버내 부재 및 기판 탑재대와 그것을 구비한 플라즈마 처리 장치
JP4936297B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子
JP3077582B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法
US6120610A (en) Plasma etch system
KR101535103B1 (ko) 기판처리장치
JPH09320799A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH11330219A (ja) 静電吸着装置
KR20210008725A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
JPH1074738A (ja) ウェーハ処理装置
JP2000306889A (ja) ドライエッチング装置
JP2000054145A (ja) 表面処理装置
JP4786731B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP2010533380A (ja) 熱伝導性プロフィールが可変である処理システム用プラテン
KR100943432B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP2021166250A (ja) クリーニング方法およびプラズマ処理装置
KR101171988B1 (ko) 플라즈마 처리장치
WO2019244790A1 (ja) 真空処理装置、支持シャフト

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application