JP2022507367A - 半導体製造における二相冷却 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2018年11月20日に出願された、de la Lleraらによる「Dual-Phase Cooling In Semiconductor Manufacturing」と題する米国特許出願第62/770,130号に対して優先権の利益を主張するものであり、上記の出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
メンバを含む。一例では、回路構成要素のハードウェアは、特定の動作を実行するように不変に設計されてもよい(例えば、ハードワイヤード)。一例では、回路構成要素のハードウェアは、特定の動作の命令を符号化するために物理的に修正された(例えば、磁気的、電気的、不変質量粒子の可動配置などによって)コンピュータ可読媒体を含む、可変的に接続された物理的構成要素(例えば、実行ユニット、トランジスタ、単純な回路など)を含むことができる。物理的構成要素を接続する際に、ハードウェア構成要素の基礎となる電気的特性が変更される(例えば、絶縁体から導体へ、またはその逆)。命令により、組み込みハードウェア(例えば、実行ユニットまたはローディングメカニズム)が可変接続を介してハードウェア内に回路構成要素の要素を作成し、動作時に特定の動作の一部を実行することを可能にする。したがって、コンピュータ可読媒体は、デバイスが動作しているときに回路構成要素の他の構成要素に通信可能に結合される。一例では、物理的構成要素のいずれかが、複数の回路構成要素の複数の要素において使用されてもよい。例えば、動作中、実行ユニットは、ある時点で第1の回路構成要素の第1の回路において使用され、別の時点で第1の回路構成要素内の第2の回路によって、または第2の回路構成要素内の第3の回路によって再利用されてもよい。
Claims (15)
- 基板処理システムであって、
基板を処理するための処理チャンバと、
前記処理チャンバまたはその第1の構成要素の温度を調節するための二相冷却システムであって、前記二相冷却システムは、前記処理チャンバまたは前記構成要素と熱的に連通する冷却ループを含み、前記冷却ループは、熱交換器と流体連通する二相冷媒を含有し、
前記処理チャンバまたは前記第1の構成要素は、前記冷却ループの一部を形成し、前記二相冷媒が前記熱交換器間の経路において通過できる1つまたは複数の通路を備えるトッププレートまたはクールプレートを含む二相冷却システムと、
前記二相冷媒の圧力を調節するための背圧レギュレータと
を備える、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記二相冷媒が前記冷却ループのセクションを通って流入または流出する前に、前記二相冷媒の温度を調節する少なくとも1つのヒータをさらに備える、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記背圧レギュレータによって調節される前記二相冷媒の前記圧力は、前記二相冷媒の飽和温度またはその温度差に基づいている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートの温度は、前記二相冷却システムによって調節され、前記調節されたクールプレートの温度は、基板堆積温度または基板エッチング処理温度に基づいている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記処理チャンバは、RF電力によって電力供給され、前記クールプレートは、前記処理チャンバの下部電極の一部を形成する、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記処理チャンバは、RF電力によって電力供給され、前記トッププレートは、前記処理チャンバの上部電極の一部を形成する、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートの温度は、前記二相冷却システムによって調節され、前記調節されたクールプレートの温度は、前記トッププレートまたは前記クールプレート内の前記二相冷媒の部分的な蒸発を可能にする、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記第1の構成要素は、熱遮断部によって前記処理チャンバの第2の構成要素から分離されている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートは、複数のガスゾーンを含む、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記冷却ループは、クイックディスコネクト接続を含む、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
プロセス冷却水(PCW)冷却ループをさらに備える、基板処理システム。 - 請求項11に記載の基板処理システムであって、
前記二相冷却ループは、前記PCW冷却ループと熱交換することができる、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートは、スタックアセンブリに含まれる、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートの前記1つまたは複数の通路は、完全なまたは部分的な同心リングパターンを含む、基板処理システム。 - 処理チャンバまたはその構成要素を備える基板処理システムにおける処理温度を調節する方法であって、前記方法は、
前記処理チャンバまたはその構成要素の温度を調節するための二相冷却システムを提供することであって、前記二相冷却システムは、前記処理チャンバまたは前記構成要素と熱的に連通する冷却ループを含み、
前記処理チャンバまたは前記構成要素は、前記冷却ループの一部を形成し、前記二相冷媒が熱交換器間の経路において通過できる1つまたは複数の通路を備えるトッププレートまたはクールプレートを含むことと、
前記冷却ループを通して前記熱交換器間で二相冷媒を通過させることと、
前記二相冷媒の圧力を調節するために背圧レギュレータを動作させることと
を含む、方法。
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US7870751B2 (en) * | 2005-03-11 | 2011-01-18 | Tokyo Electron Limited | Temperature control system and substrate processing apparatus |
US20070210037A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-13 | Toshifumi Ishida | Cooling block forming electrode |
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US7763831B2 (en) * | 2006-12-15 | 2010-07-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device |
US10163668B2 (en) * | 2011-08-30 | 2018-12-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Thermal dynamic response sensing systems for heaters |
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US10020217B2 (en) * | 2014-10-06 | 2018-07-10 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
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