JP2022507367A - 半導体製造における二相冷却 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
本出願は、2018年11月20日に出願された、de la Lleraらによる「Dual-Phase Cooling In Semiconductor Manufacturing」と題する米国特許出願第62/770,130号に対して優先権の利益を主張するものであり、上記の出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
メンバを含む。一例では、回路構成要素のハードウェアは、特定の動作を実行するように不変に設計されてもよい(例えば、ハードワイヤード)。一例では、回路構成要素のハードウェアは、特定の動作の命令を符号化するために物理的に修正された(例えば、磁気的、電気的、不変質量粒子の可動配置などによって)コンピュータ可読媒体を含む、可変的に接続された物理的構成要素(例えば、実行ユニット、トランジスタ、単純な回路など)を含むことができる。物理的構成要素を接続する際に、ハードウェア構成要素の基礎となる電気的特性が変更される(例えば、絶縁体から導体へ、またはその逆)。命令により、組み込みハードウェア(例えば、実行ユニットまたはローディングメカニズム)が可変接続を介してハードウェア内に回路構成要素の要素を作成し、動作時に特定の動作の一部を実行することを可能にする。したがって、コンピュータ可読媒体は、デバイスが動作しているときに回路構成要素の他の構成要素に通信可能に結合される。一例では、物理的構成要素のいずれかが、複数の回路構成要素の複数の要素において使用されてもよい。例えば、動作中、実行ユニットは、ある時点で第1の回路構成要素の第1の回路において使用され、別の時点で第1の回路構成要素内の第2の回路によって、または第2の回路構成要素内の第3の回路によって再利用されてもよい。
Claims (15)
- 基板処理システムであって、
基板を処理するための処理チャンバと、
前記処理チャンバまたはその第1の構成要素の温度を調節するための二相冷却システムであって、前記二相冷却システムは、前記処理チャンバまたは前記構成要素と熱的に連通する冷却ループを含み、前記冷却ループは、熱交換器と流体連通する二相冷媒を含有し、
前記処理チャンバまたは前記第1の構成要素は、前記冷却ループの一部を形成し、前記二相冷媒が前記熱交換器間の経路において通過できる1つまたは複数の通路を備えるトッププレートまたはクールプレートを含む二相冷却システムと、
前記二相冷媒の圧力を調節するための背圧レギュレータと
を備える、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記二相冷媒が前記冷却ループのセクションを通って流入または流出する前に、前記二相冷媒の温度を調節する少なくとも1つのヒータをさらに備える、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記背圧レギュレータによって調節される前記二相冷媒の前記圧力は、前記二相冷媒の飽和温度またはその温度差に基づいている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートの温度は、前記二相冷却システムによって調節され、前記調節されたクールプレートの温度は、基板堆積温度または基板エッチング処理温度に基づいている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記処理チャンバは、RF電力によって電力供給され、前記クールプレートは、前記処理チャンバの下部電極の一部を形成する、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記処理チャンバは、RF電力によって電力供給され、前記トッププレートは、前記処理チャンバの上部電極の一部を形成する、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートの温度は、前記二相冷却システムによって調節され、前記調節されたクールプレートの温度は、前記トッププレートまたは前記クールプレート内の前記二相冷媒の部分的な蒸発を可能にする、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記第1の構成要素は、熱遮断部によって前記処理チャンバの第2の構成要素から分離されている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートは、複数のガスゾーンを含む、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記冷却ループは、クイックディスコネクト接続を含む、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
プロセス冷却水(PCW)冷却ループをさらに備える、基板処理システム。 - 請求項11に記載の基板処理システムであって、
前記二相冷却ループは、前記PCW冷却ループと熱交換することができる、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートは、スタックアセンブリに含まれる、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記トッププレートまたは前記クールプレートの前記1つまたは複数の通路は、完全なまたは部分的な同心リングパターンを含む、基板処理システム。 - 処理チャンバまたはその構成要素を備える基板処理システムにおける処理温度を調節する方法であって、前記方法は、
前記処理チャンバまたはその構成要素の温度を調節するための二相冷却システムを提供することであって、前記二相冷却システムは、前記処理チャンバまたは前記構成要素と熱的に連通する冷却ループを含み、
前記処理チャンバまたは前記構成要素は、前記冷却ループの一部を形成し、前記二相冷媒が熱交換器間の経路において通過できる1つまたは複数の通路を備えるトッププレートまたはクールプレートを含むことと、
前記冷却ループを通して前記熱交換器間で二相冷媒を通過させることと、
前記二相冷媒の圧力を調節するために背圧レギュレータを動作させることと
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862770130P | 2018-11-20 | 2018-11-20 | |
US62/770,130 | 2018-11-20 | ||
PCT/US2019/062296 WO2020106775A1 (en) | 2018-11-20 | 2019-11-19 | Dual-phase cooling in semiconductor manufacturing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022507367A true JP2022507367A (ja) | 2022-01-18 |
JPWO2020106775A5 JPWO2020106775A5 (ja) | 2022-11-18 |
JP7571017B2 JP7571017B2 (ja) | 2024-10-22 |
Family
ID=
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WO2020106775A1 (en) | 2020-05-28 |
KR20210081437A (ko) | 2021-07-01 |
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