JP4786731B2 - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態について図1〜9を参照して説明すると以下の通りである。
カソード電極101の構成について図1、図6、および図7(a)(b)を参照してより詳細に説明する。
中間締結部6は、バッキングプレート3との締結部として働くだけではなく、シャワープレート2の熱をバッキングプレート3に伝達する役割を果たす。具体的には、プラズマCVD装置100におけるプラズマ発生時、プラズマの熱が、図1中の矢印に示すようにシャワープレート2に伝達される。このとき、伝達されたシャワープレート2の熱は、中間締結部6を介して、さらにバッキングプレート3に伝達される。より具体的には、シャワープレート2の熱は、バッキングプレート3と中間締結部6との接触面8を介して、バッキングプレート3に伝達される。
次に、本実施形態におけるカソード電極101の寸法について、図8(a)(b)を参照して説明する。図8(a)は中間締結部6を示す断面図であり、図8(b)は外周締結部7を示す断面図である。
実施例1および2、ならびに比較例1および2において、温度上昇の過渡状態でシャワープレートとバッキングプレートとの温度差がどのような挙動を示すのかをシミュレーションを行った。シミュレーションは、電力条件1:900×10−6W/mm2投入と、電力条件2:1300×10−6W/mm2投入とについて各々行った。なお、電力条件1は、通常の薄膜形成時の電力条件とすることができ、電力条件2は、ハイパワーのドライクリーニング時の電力条件とすることができる。
実施例1および2、ならびに比較例1および2において、温度差によるカソード電極の反り量のシミュレーションを行った。
3 バッキングプレート
4 バッファ室
6 中間締結部
7 外周締結部
100、200 プラズマCVD装置
101 カソード電極
102 アノード電極
103 処理容器(処理室)
106 プラズマ励起電源
Claims (6)
- 処理室内で、処理ガスをプラズマ化して基板上に成膜を行うプラズマCVD装置であって、
表裏面を気相に露出して上記処理室内に互いに対向して配置された電極により構成され、かつ上記処理ガスをプラズマ化する電極対を備え、
少なくとも一方の上記電極は、当該電極の備える、支持プレートと複数の貫通孔を有するシャワープレートとによって、上記処理室へ上記処理ガスを供給するためのバッファ室を構成し、
上記支持プレートと上記シャワープレートとは、少なくとも1つ以上の中間締結部によって接続されており、
上記支持プレートと上記シャワープレートとは同一材料から構成されており、
上記バッファ室の底面の面積に対する、上記シャワープレートまたは上記支持プレートが上記複数の中間締結部に接触する接触面の総面積の比率を、上記電極対に対する投入電力密度(W/mm 2 )で割った値が、5mm 2 /W以上となることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 上記処理室内には、複数組の上記電極対が並んで配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 上記バッファ室を構成する電極は、カソード電極であることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマCVD装置。
- 上記シャワープレートにおける上記支持プレートと対向する面の外周部には、上記支持プレートに接したリブ状の外周締結部が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 上記中間締結部は上記シャワープレートと一体的に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 上記シャワープレートにおいて、上記中間締結部は、上記孔同士の間の領域に形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
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