KR980005144A - 전계 방출형 냉음극 및 그 제조 방법 - Google Patents

전계 방출형 냉음극 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR980005144A
KR980005144A KR1019970026266A KR19970026266A KR980005144A KR 980005144 A KR980005144 A KR 980005144A KR 1019970026266 A KR1019970026266 A KR 1019970026266A KR 19970026266 A KR19970026266 A KR 19970026266A KR 980005144 A KR980005144 A KR 980005144A
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forming
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KR1019970026266A
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히사시 다께무라
마사유끼 요시끼
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가네꼬 히사시
닛본덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 전계 방출형 냉음극은 한 그룹을 이루고 있는 각 게이트 전극용의 복수의 에미터와 상기 에미터 각각에 대응하는 복수의 저항층 섹션으로 분할된 직렬 저항층을 갖는다. 저항층은 절연체층 혹은 절연체층과 저항층 섹션간에 P-N접합을 형성하는 도전층으로 충진된 디프 트랜치에 의해서 분할된다. 저항층 섹션의 안정된 저항에 의해서 에미터와 게이트 전극간의 단락 불량이 방지되므로써 선형의 전압-전류 특서을 얻을 수 있다.

Description

전계 방출형 냉음극 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1f도는 종래의 전계 방출형 냉음극의 제1실시예를 그 제조 공정의 연속 단계로서 도시한 단면도.
제2도는 종래의 전계 방출형 냉음극의 제2실시예의 단면도.
제3도는 본 발명의 전형적인 실시예에 따른 전계 방출형 냉음극의 단면도.

Claims (13)

  1. 기판, 상기 기판 위에 놓이며 캐소드 전극에 접속된 저항층, 상기 저항층을 복수의 저항층 섹션으로 전기적으로 분리시키기 위한 분리층, 상기 저항층 섹션 중 대응하는 섹션 상에 각각 형성된 복수의 에미터, 및 상기 에미터 각각에 대응하여 배치된 개구를 가진 게이트 전극을 포함하는 전계 방출형 냉음극.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분리층이 절연체로 이루어진 전계 방출형 냉음극.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분리층이 상기 저항층의 도전 형태와 반대인 도전 형태를 가진 반도체로 이루어진 전계 방출형 냉음극.
  4. 제1항에 있어서, 상기 분리층이 하부에 배치되어 상기 저항층을 더 분리시키는 반도체층을 더 포함하는 전계 방출형 냉음극.
  5. 제1항에 있어서, 상기 저항층 섹션은 수평 방향의 폭이 그 두께 바향의 폭보다 작은 사각형 형태로 되어 있는 전계 방출형 냉음극.
  6. 제1항에 있어서, 상기 하나의 에미터는 상기 하나의 저항 섹션에 대응하는 전계 방출형 냉음극.
  7. 기판 위에 놓이는 저항층을 형성하는 단계, 상기 저항층을 적어도 선택적으로 에칭해서 상기 저항층을 복수의 저항층 섹션으로 분리하기 위한 분리층을 형성하는 단계, 상기 저항층 섹션 각각에 적어도 하나의 에미터를 형성하는 단계, 상기 각 에미터용 개구를 가진 게이트 전극층을 형성하는 단계, 및 상기 저항층에 접속된 캐소드층을 형성하는 단계를 포함하는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 분리층 형성 단계는 상기 저항층을 분리하기 위한 트랜치를 형성하는 단계, 및 절연체충으로 상기 트랜치를 충진하는 단계를 포함하는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 충진 단계는 상기 트랜치의 표면을 열적으로 산화하는 단계를 포함하는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 충진 단계는 상기 트랜치 내에 절연체 막을 피착하는 단계를 포함하는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 분리층 형성 단계는 상기 저항층을 분리하기 위한 트랜치를 형성하는 단계, 상기 저항층의 도전성과 반대인 도전성을 가진 반도체층으로 상기 트랜치를 충진하는 단계를 포함하는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 에미터는 상기 저항층의 일부에 형성되는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 에미터는 수직 에지를 갖고 있고, 상기 분리층 형성 단계는 상기 수직 에지를 포함하는 상기 저항층의 표면을 산화하여 산화물막을 형성하는 단계, 상기 산화물을 에치-백하여 상기 수직 에지 근방의 상기 저항층의 일부를 노출시키는 단계, 및 상기 저항층의 상기 노출된 부분을 에칭하여 트랜치를 형성하는 단계, 및 상기 분리층으로 상기 트랜치를 충진하는 단계를 포함하는 전계 방출형 냉음극 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에의하여 공개하는 것임.
KR1019970026266A 1996-06-21 1997-06-20 전계 방출형 냉음극 및 그 제조 방법 KR980005144A (ko)

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