KR970063321A - 전계방출 캐소드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
(과제)
외부환경의 온도 변화에 의하여 이미터콘으로부터 방출되는 이미선 전류의 증가를 방지한다.
(해결수단)
저항층(1)을 온도특성이 다른 2층의 저항층 재료(102.2)로 형성하여, 주위의 온도가 상승한 경우에도 저항층(1) 전체의 저항치의 변화를 최소로 억제하고 이미션 전류의 증가를 방지한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시형태인 전계방출 캐소드의 일예를 도시한 도면이다.
제2도는 본 발명의 제1실시형테인 전계방출 캐소드의 제조방법의 일예를 도시한 도면이다.
제3도는 본 발명의 제2의 실시형태인 섬형상의 전계방출 캐소드의 일예를 도시한 도면이다.
제4도는 FEC 어레이를 사용하는 표시장치의 설명도이다.
Claims (7)
- 기판상에 캐소드전극층, 저항층, 절연층 및 게이트 전극층의 막을 차례로 형성한 적층기판에 대하여, 상기 게이트전극층 및 상기 절연층에 홀이 설치되고, 그 홀내에 이미터가 형성되는 전계방출 캐소드에 있어서, 상기 저항층은 적어도 온도 특성이 다른 2층 이상의 복수의 저항층 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드.
- 제1항에 있어서, 상기 저항층의 최상층은 드라이 에칭에 대하여 내성을 갖는 저항층 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드.
- 캐소드 배선의 영역내에 상기 캐소드배선으로부터 분리된 복수의 캐소드 도체를 설치하고, 상기 캐소드 배선과 상기 캐소드 도체상에 저항층, 절연층 및 게이트 전극층의 막을 차례로 형성한 적층기판에 대하여, 상기 게이트 전극층 및 상기 절연층에 홀이 설치되고, 해당 홀내에 이미터가 형성되는 전계방출 캐소드에 있어서, 상기 저항층은 적어도 비저항이 다른 2층 이상의 복수의 저항층 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드.
- 제3항에 있어서, 상기 저항층의 상기 캐소드 도체와 상기 이미터 사이의 저항치는 상기 캐소드 배선과 상기 캐소드 도체간의 저항치 보다 크게 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드.
- 제3항에 있어서, 상기 저항층의 최상층은 드라이 에칭에 대하여 내성을 갖는 저항층 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드.
- 제3항에 있어서, 상기 저항층은 온도 특성이 다른 저항층 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드.
- 적어도 기판상에 캐소드 전극층, 최상층이 드라이 에칭에 대하여 내성을 갖는 저항층재료로 이루어지는 복수층의 저항층, 절연층 및 게이트 전극층의 막을 차례로 형성하여 적층기판을 형성하고, 그 적층기판의 상기 게이트 전극층 및 상기 절연층에 드라이 에칭법에 의하여 홀을 형성하는 공정; 및 상기 홀내에 이미터를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-045634 | 1996-02-08 | ||
JP4563496A JPH09219144A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 電界放出カソードとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970063321A true KR970063321A (ko) | 1997-09-12 |
KR100235212B1 KR100235212B1 (ko) | 1999-12-15 |
Family
ID=12724803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970003686A KR100235212B1 (ko) | 1996-02-08 | 1997-02-06 | 전계방출 캐소드 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5892321A (ko) |
JP (1) | JPH09219144A (ko) |
KR (1) | KR100235212B1 (ko) |
FR (1) | FR2744834B1 (ko) |
TW (1) | TW416073B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH10340666A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Futaba Corp | 電界電子放出素子 |
US7052350B1 (en) * | 1999-08-26 | 2006-05-30 | Micron Technology, Inc. | Field emission device having insulated column lines and method manufacture |
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KR100480771B1 (ko) * | 2000-01-05 | 2005-04-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자 및 그 제조방법 |
US6424083B1 (en) | 2000-02-09 | 2002-07-23 | Motorola, Inc. | Field emission device having an improved ballast resistor |
US6392355B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-05-21 | Mcnc | Closed-loop cold cathode current regulator |
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US10242836B2 (en) | 2012-03-16 | 2019-03-26 | Nanox Imaging Plc | Devices having an electron emitting structure |
CN104584179B (zh) | 2012-08-16 | 2017-10-13 | 纳欧克斯影像有限公司 | 图像捕捉装置 |
US10269527B2 (en) | 2013-11-27 | 2019-04-23 | Nanox Imaging Plc | Electron emitting construct configured with ion bombardment resistant |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-02-08 JP JP4563496A patent/JPH09219144A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-01-30 US US08/791,744 patent/US5892321A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-30 TW TW086101039A patent/TW416073B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-02-06 KR KR1019970003686A patent/KR100235212B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-02-07 FR FR9701413A patent/FR2744834B1/fr not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2744834A1 (fr) | 1997-08-14 |
KR100235212B1 (ko) | 1999-12-15 |
JPH09219144A (ja) | 1997-08-19 |
TW416073B (en) | 2000-12-21 |
FR2744834B1 (fr) | 2006-10-06 |
US5892321A (en) | 1999-04-06 |
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